DE1238960B - Circuit arrangement for evaluating the DC voltage changes generated at a resistor by external influence, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit - Google Patents
Circuit arrangement for evaluating the DC voltage changes generated at a resistor by external influence, which are fed to an output terminal via an amplifier circuitInfo
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- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
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Description
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
Int. CL:Int. CL:
HO3fHO3f
Nummer: 1238 960Number: 1238 960
Aktenzeichen: T 27747 VIII a/21 a2File number: T 27747 VIII a / 21 a2
Anmeldetag: 31. Dezember 1964Filing date: December 31, 1964
Auslegetag: 20. April 1967Open date: April 20, 1967
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Auswertung der an einem in Reihe mit einer Stromquelle liegenden ersten Widerstand durch äußere Einwirkungen auftretenden Spannungsänderungen, die über eine Verstärkerschaltung einer Ausgangsklemme zugeführt werden.The invention relates to a circuit arrangement for evaluating the on one in series with one Current source lying first resistance due to external influences occurring voltage changes, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit.
Derartige Schaltungen, bei denen der durch äußere Einwirkungen beeinflußte Widerstand z.B. durch eine Fotodiode dargestellt wird, sind bereits bekannt. So zeigt z. B. die Broschüre »Siemens Halbleiter-Bauelemente«, Ausgabe 1. April 1958, in ihrem Schaltbeispiel 33 eine Fotodiode im Eingangskreis eines Schaltverstärkers zur Steuerung einer Magnetkupplung und Bild 11 der Valvo Berichte, HeftT I 35, Februar 1963, einen Fototransistor im Eingangskreis eines Verstärkers mit Schwellwertcharakteristik in Form eines Schmitt-Triggers.Such circuits, in which the resistance influenced by external influences, for example by a Photodiode is shown are already known. So shows z. B. the brochure "Siemens Semiconductor Components", Edition April 1, 1958, in its switching example 33 a photodiode in the input circuit of a Switching amplifier for controlling a magnetic coupling and Figure 11 of the Valvo reports, booklet I 35, February 1963, a phototransistor in the input circuit of an amplifier with threshold characteristic in Form of a Schmitt trigger.
Die bekannten Schaltungen eignen sich zur Ableitung von Schaltspannungen aus der Über- oder Unterschreitung eines absoluten Helligkeitswertes. Dabei ist der Schwellwert, bei dem die Umschaltung eintritt, jedoch noch von Alterungserscheinungen an den Schaltelementen und von Temperatureinflüssen abhängig.The known circuits are suitable for deriving switching voltages from the over or Undershooting an absolute brightness value. This is the threshold value at which the switchover occurs, but still from signs of aging on the switching elements and from temperature influences addicted.
Die Erfindung schafft demgegenüber eine Schaltungsanordnung, die von der absoluten Größe der an dem äußeren Widerstand liegenden Spannung weitgehend unabhängig ist und nur auf relativ schnell erfolgende Spannungsänderungen anspricht. Im Fall der Verwendung einer Fotodiode als äußerem Widerstand bedeutet das eine Unabhängigkeit von langsamen Änderungen der Beleuchtungsstärke und von durch Alterungserscheinungen und Temperatureinflüsse bedingten Änderungen der Schaltelemente.In contrast, the invention creates a circuit arrangement which is of the absolute size of the at the external resistance voltage is largely independent and only on relatively quickly occurring voltage changes responds. In the case of using a photodiode as an external resistor this means independence from slow changes in illuminance and from Changes in the switching elements caused by aging phenomena and temperature influences.
Zur Erzielung dieser Vorteile dient eine Schaltungsanordnung der eingangs erwähnten Art, die dadurch gekennzeichnet ist, daß der Ausgang des Verstärkers mit einer Diode verbunden ist, welche über eine Kapazität an eine feste Spannung und an die aus der Reihenschaltung eines ersten Transistors und eines Emitterwiderstandes bestehende Stromquelle im Sinne einer Gegenkopplung mit Tiefpaßcharakter angeschlossen ist, derart, daß nur kurzzeitige Spannungsänderungen am ersten Widerstand als Signaländerungen am Verstärkerausgang auftreten, während langsame Spannungsänderungen am ersten Widerstand keine wesentliche Signaländerung am Verstärkerausgang erzeugen.To achieve these advantages, a circuit arrangement of the type mentioned is used, which characterized in that the output of the amplifier is connected to a diode which via a capacitance to a fixed voltage and to that from the series connection of a first transistor and an emitter resistor existing current source in the sense of a negative feedback with low-pass character is connected in such a way that only brief voltage changes at the first resistor occur as signal changes at the amplifier output, while slow voltage changes occur at the first resistance do not generate a significant signal change at the amplifier output.
Im folgenden soll die Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert werden, die ein Ausführungsbeispiel mit einer Fotodiode als äußerem Widerstand zeigt.In the following the invention will be explained in more detail with reference to the drawing, which shows an exemplary embodiment with a photodiode as external resistance.
Schaltungsanordnung zur Auswertung der an
einem Widerstand durch äußere Einwirkung
erzeugten Gleichspannungsänderungen, die über eine Verstärkerschaltung einer Ausgangsklemme
zugeführt werdenCircuit arrangement for evaluating the
a resistance due to external influence
generated DC voltage changes, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit
Anmelder:
TelefunkenApplicant:
Telefunken
Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3Patentverwertungsgesellschaft mb H.,
Ulm / Danube, Elisabethenstr. 3
Als Erfinder benannt:
Johann Hauschildt, KonstanzNamed as inventor:
Johann Hauschildt, Constance
Mit 1 ist ein pnp-Transistor bezeichnet, an dessen Kollektor eine Fotodiode 2 liegt, deren Widerstand von der Beleuchtungsstärke bestimmt wird. Im Emitterkreis des Transistors 1, dessen Basis an einer festen positiven Vorspannung von z. B. 17 V liegt, ist ein veränderbarer Widerstand 3 angeordnet, der dazu dient, den Strom durch die Fotodiode 2 auf einen vorbestimmten Wert einzustellen. Transistor 1 und Widerstand 3 wirken somit zunächst als Konstantstromquelle für die Fotodiode 2. Mit dem Kollektor des Transistors 1 ist ferner die Basis eines npn-Transistors 4 verbunden. Dessen Emitter ist an den Basiskreis eines weiteren npn-Transistors 5 angeschlossen, an dessen Kollektor das Ausgangssignal erzeugt wird. Der genannte Basiskreis enthält die Reihenschaltung einer Zenerdiode 6 eines ersten Widerstandes 7 und eines zweiten Widerstandes 8 zum Einstellen der Empfindlichkeit der Anordnung. Der Widerstände liegt an Nullpotential, der Emitter des Transistors 4 ist an den Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 8 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors 5 liegt über einen ersten Widerstand 9 ebenfalls an Nullpotential. Ein hochohmiger Widerstand 10, welcher an einem Potential liegt, das größer ist als das Potential der Versorgungsspannungsquelle, dient dazu, den Transistor 5 schneller vom leitenden in den sperrenden Zustand überzuführen. Der Emitter des Transistors 1 ist über den Widerstand 3 und eine Diode 12 mit dem Kollektor des Transistors 5 verbunden. Der Verbindungspunkt A von Diode 12 und1 with a pnp transistor is referred to, at the collector of which a photodiode 2 is located, the resistance of which is determined by the illuminance. In the emitter circuit of the transistor 1, the base of which is connected to a fixed positive bias of z. B. 17 V, a variable resistor 3 is arranged, which is used to set the current through the photodiode 2 to a predetermined value. Transistor 1 and resistor 3 thus initially act as a constant current source for photodiode 2. The base of an npn transistor 4 is also connected to the collector of transistor 1. Its emitter is connected to the base circuit of a further npn transistor 5, at whose collector the output signal is generated. Said base circuit contains the series connection of a Zener diode 6, a first resistor 7 and a second resistor 8 for adjusting the sensitivity of the arrangement. The resistor is at zero potential, the emitter of the transistor 4 is connected to the connection point between the resistors 7 and 8. The collector of the transistor 5 is also at zero potential via a first resistor 9. A high-resistance resistor 10, which is at a potential which is greater than the potential of the supply voltage source, serves to transfer the transistor 5 from the conductive to the blocking state more quickly. The emitter of the transistor 1 is connected to the collector of the transistor 5 via the resistor 3 and a diode 12. The connection point A of diode 12 and
709 550/230709 550/230
Claims (1)
Sobald diese Spannung den Wert von etwa 10 Vthe voltage drop across the resistor 8 increases. Capacitor U 100 iiF
As soon as this voltage has reached the value of about 10 V.
sam oder für einen längeren Zeitraum, z. B. auf v
Grund von Änderungen der Beleuchtungsverhäitnisse 35 Patentansprüche:
oder infolge von Temperatur- oder Alterungseinflüs- 1. Schaltungsanordnung zur Auswertung der sen der Bauelemente, so arbeitet die Schaltung als an einem in Reihe mit einer Stromquelle liegen-Regelkreis. Wird das Ausgangspotential infolge einer den ersten Widerstand durch äußere Einwirkun-Erhöhung des Wertes des Widerstandes 2 zu Null, gen auftretenden Gleichspannungsänderungen, so wird der Transistor 5 in der Folge langsam ge- 40 die über eine Verstärkerschaltung einer Ausgangssperrt. Das bewirkt aber über den Gleichrichter 12 klemme zugeführt werden, dadurchgekenneine Absenkung des Potentials an der Klemme A des zeichnet, daß der Ausgang des Verstärkers Kondensators 11 entsprechend der Zeitkonstante aus mit einer Diode (12) verbunden ist, welche über Kondensator und Widerstand 3. Die Folge davon ist, eine Kapazität (11) an eine feste Spannung daß der Strom durch den Transistor 1 und die Foto- 45 (+24V) und an die aus der Reihenschaltung diode 2 sinkt und somit der Spannungsabfall an der eines ersten Transistors (1) und eines Emitterletzteren ebenfalls geringer wird; der Transistors Widerstandes (3) bestehende Stromquelle im wird wieder leitend. Sinne einer Gegenkopplung mit TiefpaßcharakterIf the resistance of the photodiode changes 2 long photodiodes are used,
sam or for a longer period, e.g. B. on v
Reason for changes in the lighting conditions 35 patent claims:
or as a result of temperature or aging effects 1. Circuit arrangement for evaluating the sen of the components, the circuit operates as a control circuit in series with a current source. If the output potential becomes zero as a result of an external increase in the value of the resistor 2 due to the DC voltage changes occurring in the first resistor, the transistor 5 is then slowly turned off via an amplifier circuit of an output. However, this causes the rectifier 12 to be supplied to the terminal, thereby reducing the potential at terminal A of the fact that the output of the amplifier capacitor 11 is connected to a diode (12) corresponding to the time constant, which is connected via capacitor and resistor 3. Die The consequence of this is that a capacitance (11) is connected to a fixed voltage that the current through the transistor 1 and the photo 45 (+ 24V) and to the diode 2 from the series connection decreases and thus the voltage drop across that of a first transistor (1) and an emitter latter also becomes smaller; the current source of the transistor resistor (3) becomes conductive again. Meaning of a negative feedback with low-pass character
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1964T0027747 DE1238960B (en) | 1964-12-31 | 1964-12-31 | Circuit arrangement for evaluating the DC voltage changes generated at a resistor by external influence, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit |
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DE1964T0027747 DE1238960B (en) | 1964-12-31 | 1964-12-31 | Circuit arrangement for evaluating the DC voltage changes generated at a resistor by external influence, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit |
Publications (1)
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DE1238960B true DE1238960B (en) | 1967-04-20 |
Family
ID=7553703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1964T0027747 Pending DE1238960B (en) | 1964-12-31 | 1964-12-31 | Circuit arrangement for evaluating the DC voltage changes generated at a resistor by external influence, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE1238960B (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1161319B (en) * | 1961-11-08 | 1964-01-16 | Richard Peretz | Transistor amplifier |
GB958774A (en) * | 1959-06-11 | 1964-05-27 | English Electric Co Ltd | Improvements in and relating to the temperature compensation of transistor amplifiers |
-
1964
- 1964-12-31 DE DE1964T0027747 patent/DE1238960B/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GB958774A (en) * | 1959-06-11 | 1964-05-27 | English Electric Co Ltd | Improvements in and relating to the temperature compensation of transistor amplifiers |
DE1161319B (en) * | 1961-11-08 | 1964-01-16 | Richard Peretz | Transistor amplifier |
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