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DE1238960B - Circuit arrangement for evaluating the DC voltage changes generated at a resistor by external influence, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit - Google Patents

Circuit arrangement for evaluating the DC voltage changes generated at a resistor by external influence, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit

Info

Publication number
DE1238960B
DE1238960B DE1964T0027747 DET0027747A DE1238960B DE 1238960 B DE1238960 B DE 1238960B DE 1964T0027747 DE1964T0027747 DE 1964T0027747 DE T0027747 A DET0027747 A DE T0027747A DE 1238960 B DE1238960 B DE 1238960B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resistor
transistor
voltage
circuit
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1964T0027747
Other languages
German (de)
Inventor
Johann Hauschildt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DE1964T0027747 priority Critical patent/DE1238960B/en
Publication of DE1238960B publication Critical patent/DE1238960B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. CL:Int. CL:

HO3fHO3f

Deutsche KL: 21 a2-18/02German KL: 21 a2-18 / 02

Nummer: 1238 960Number: 1238 960

Aktenzeichen: T 27747 VIII a/21 a2File number: T 27747 VIII a / 21 a2

Anmeldetag: 31. Dezember 1964Filing date: December 31, 1964

Auslegetag: 20. April 1967Open date: April 20, 1967

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Auswertung der an einem in Reihe mit einer Stromquelle liegenden ersten Widerstand durch äußere Einwirkungen auftretenden Spannungsänderungen, die über eine Verstärkerschaltung einer Ausgangsklemme zugeführt werden.The invention relates to a circuit arrangement for evaluating the on one in series with one Current source lying first resistance due to external influences occurring voltage changes, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit.

Derartige Schaltungen, bei denen der durch äußere Einwirkungen beeinflußte Widerstand z.B. durch eine Fotodiode dargestellt wird, sind bereits bekannt. So zeigt z. B. die Broschüre »Siemens Halbleiter-Bauelemente«, Ausgabe 1. April 1958, in ihrem Schaltbeispiel 33 eine Fotodiode im Eingangskreis eines Schaltverstärkers zur Steuerung einer Magnetkupplung und Bild 11 der Valvo Berichte, HeftT I 35, Februar 1963, einen Fototransistor im Eingangskreis eines Verstärkers mit Schwellwertcharakteristik in Form eines Schmitt-Triggers.Such circuits, in which the resistance influenced by external influences, for example by a Photodiode is shown are already known. So shows z. B. the brochure "Siemens Semiconductor Components", Edition April 1, 1958, in its switching example 33 a photodiode in the input circuit of a Switching amplifier for controlling a magnetic coupling and Figure 11 of the Valvo reports, booklet I 35, February 1963, a phototransistor in the input circuit of an amplifier with threshold characteristic in Form of a Schmitt trigger.

Die bekannten Schaltungen eignen sich zur Ableitung von Schaltspannungen aus der Über- oder Unterschreitung eines absoluten Helligkeitswertes. Dabei ist der Schwellwert, bei dem die Umschaltung eintritt, jedoch noch von Alterungserscheinungen an den Schaltelementen und von Temperatureinflüssen abhängig.The known circuits are suitable for deriving switching voltages from the over or Undershooting an absolute brightness value. This is the threshold value at which the switchover occurs, but still from signs of aging on the switching elements and from temperature influences addicted.

Die Erfindung schafft demgegenüber eine Schaltungsanordnung, die von der absoluten Größe der an dem äußeren Widerstand liegenden Spannung weitgehend unabhängig ist und nur auf relativ schnell erfolgende Spannungsänderungen anspricht. Im Fall der Verwendung einer Fotodiode als äußerem Widerstand bedeutet das eine Unabhängigkeit von langsamen Änderungen der Beleuchtungsstärke und von durch Alterungserscheinungen und Temperatureinflüsse bedingten Änderungen der Schaltelemente.In contrast, the invention creates a circuit arrangement which is of the absolute size of the at the external resistance voltage is largely independent and only on relatively quickly occurring voltage changes responds. In the case of using a photodiode as an external resistor this means independence from slow changes in illuminance and from Changes in the switching elements caused by aging phenomena and temperature influences.

Zur Erzielung dieser Vorteile dient eine Schaltungsanordnung der eingangs erwähnten Art, die dadurch gekennzeichnet ist, daß der Ausgang des Verstärkers mit einer Diode verbunden ist, welche über eine Kapazität an eine feste Spannung und an die aus der Reihenschaltung eines ersten Transistors und eines Emitterwiderstandes bestehende Stromquelle im Sinne einer Gegenkopplung mit Tiefpaßcharakter angeschlossen ist, derart, daß nur kurzzeitige Spannungsänderungen am ersten Widerstand als Signaländerungen am Verstärkerausgang auftreten, während langsame Spannungsänderungen am ersten Widerstand keine wesentliche Signaländerung am Verstärkerausgang erzeugen.To achieve these advantages, a circuit arrangement of the type mentioned is used, which characterized in that the output of the amplifier is connected to a diode which via a capacitance to a fixed voltage and to that from the series connection of a first transistor and an emitter resistor existing current source in the sense of a negative feedback with low-pass character is connected in such a way that only brief voltage changes at the first resistor occur as signal changes at the amplifier output, while slow voltage changes occur at the first resistance do not generate a significant signal change at the amplifier output.

Im folgenden soll die Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert werden, die ein Ausführungsbeispiel mit einer Fotodiode als äußerem Widerstand zeigt.In the following the invention will be explained in more detail with reference to the drawing, which shows an exemplary embodiment with a photodiode as external resistance.

Schaltungsanordnung zur Auswertung der an
einem Widerstand durch äußere Einwirkung
erzeugten Gleichspannungsänderungen, die über eine Verstärkerschaltung einer Ausgangsklemme zugeführt werden
Circuit arrangement for evaluating the
a resistance due to external influence
generated DC voltage changes, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit

Anmelder:
Telefunken
Applicant:
Telefunken

Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Patentverwertungsgesellschaft mb H.,
Ulm / Danube, Elisabethenstr. 3

Als Erfinder benannt:
Johann Hauschildt, Konstanz
Named as inventor:
Johann Hauschildt, Constance

Mit 1 ist ein pnp-Transistor bezeichnet, an dessen Kollektor eine Fotodiode 2 liegt, deren Widerstand von der Beleuchtungsstärke bestimmt wird. Im Emitterkreis des Transistors 1, dessen Basis an einer festen positiven Vorspannung von z. B. 17 V liegt, ist ein veränderbarer Widerstand 3 angeordnet, der dazu dient, den Strom durch die Fotodiode 2 auf einen vorbestimmten Wert einzustellen. Transistor 1 und Widerstand 3 wirken somit zunächst als Konstantstromquelle für die Fotodiode 2. Mit dem Kollektor des Transistors 1 ist ferner die Basis eines npn-Transistors 4 verbunden. Dessen Emitter ist an den Basiskreis eines weiteren npn-Transistors 5 angeschlossen, an dessen Kollektor das Ausgangssignal erzeugt wird. Der genannte Basiskreis enthält die Reihenschaltung einer Zenerdiode 6 eines ersten Widerstandes 7 und eines zweiten Widerstandes 8 zum Einstellen der Empfindlichkeit der Anordnung. Der Widerstände liegt an Nullpotential, der Emitter des Transistors 4 ist an den Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 7 und 8 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors 5 liegt über einen ersten Widerstand 9 ebenfalls an Nullpotential. Ein hochohmiger Widerstand 10, welcher an einem Potential liegt, das größer ist als das Potential der Versorgungsspannungsquelle, dient dazu, den Transistor 5 schneller vom leitenden in den sperrenden Zustand überzuführen. Der Emitter des Transistors 1 ist über den Widerstand 3 und eine Diode 12 mit dem Kollektor des Transistors 5 verbunden. Der Verbindungspunkt A von Diode 12 und1 with a pnp transistor is referred to, at the collector of which a photodiode 2 is located, the resistance of which is determined by the illuminance. In the emitter circuit of the transistor 1, the base of which is connected to a fixed positive bias of z. B. 17 V, a variable resistor 3 is arranged, which is used to set the current through the photodiode 2 to a predetermined value. Transistor 1 and resistor 3 thus initially act as a constant current source for photodiode 2. The base of an npn transistor 4 is also connected to the collector of transistor 1. Its emitter is connected to the base circuit of a further npn transistor 5, at whose collector the output signal is generated. Said base circuit contains the series connection of a Zener diode 6, a first resistor 7 and a second resistor 8 for adjusting the sensitivity of the arrangement. The resistor is at zero potential, the emitter of the transistor 4 is connected to the connection point between the resistors 7 and 8. The collector of the transistor 5 is also at zero potential via a first resistor 9. A high-resistance resistor 10, which is at a potential which is greater than the potential of the supply voltage source, serves to transfer the transistor 5 from the conductive to the blocking state more quickly. The emitter of the transistor 1 is connected to the collector of the transistor 5 via the resistor 3 and a diode 12. The connection point A of diode 12 and

709 550/230709 550/230

Claims (1)

3 43 4 Emitterwiderstand 3 liegt über einen Kondensator 11 Strom fließt und an ihr im Hellzustand eine SpannungEmitter resistor 3 is connected to a capacitor 11, and current flows across it in the light state an einem positiven Potential von z. B. 24 V, an das von etwa 10 V abfällt. Die Widerstände? und 8, vonat a positive potential of e.g. B. 24 V, which drops from about 10 V. The resistances? and 8, of auch der Kollektor des Transistors 4 und der Emitter denen der Widerstand 8 ein Mehrfaches des Wertesalso the collector of the transistor 4 and the emitter which the resistor 8 is a multiple of the value des Transistors 5 angeschaltet sind. des Widerstandes 7 aufweist (etwa das Fünffache),of the transistor 5 are turned on. of the resistor 7 (about five times), Zur Erläuterung der Wirkungsweise der Einrieb- 5 sind zusammen mit der Zenerdiode 6 (etwa 12 VTo explain the mode of operation of the drive 5, together with the Zener diode 6 (about 12 V tang sei zunächst angenommen, daß der Transistor 5 Spannungsabfall) in ihren Werten so zu bemessen,tang let us first assume that the transistor 5 voltage drop) is to be measured in terms of its values leitend ist. Damit ist der Kondensator 11, da an daß an dem Widerstand 8 etwa 9 V abfallen. Dannis conductive. This is the capacitor 11, since about 9 V drop across the resistor 8. then seinen beiden Klemmen +24V anliegen, entladen. sind die Transistoren 4 und 5 leitend.+ 24V are applied to both of its terminals, discharged. the transistors 4 and 5 are conductive. Es fließt ein konstanter Strom vom Kollektor des Für die Bemessung der Schaltungen haben sichA constant current flows from the collector of the circuit Transistors 5, über die Diode 12, den Emitterwider- io folgende Dimensionierungen als vorteilhaft erwiesen:Transistor 5, via the diode 12, the emitter resistor, the following dimensions have proven to be advantageous: stand 3, den Transistor 1 und die Fotodiode 2. Wird Widerstand 3 15 kQstood 3, the transistor 1 and the photodiode 2. Will resistor 3 15 kΩ diese plötzlich verdunkelt, so steigt die Spannung am w., ,_ mtoif this suddenly darkens, the tension on the w .,, _ mto increases Kollektor des Transistors 1 an, entsprechend dem widerstand / IU KUCollector of transistor 1, according to the resistance / IU KU Grad der Verdunkelung maximal auf etwa den Wert Widerstand 8 50 kQDegree of darkening to a value of resistance 8 50 kΩ der Basisvorspannung des Transistors 1. Auf Grund 15 Widerstand 9 20 kQthe base bias of transistor 1. Due to 15 resistor 9 20 kΩ des ansteigenden Stromes durch den Transistor 4 Widerstand 10 3 ΜΩof the rising current through the transistor 4 resistance 10 3 ΜΩ steigt der Spannungsabfall an dem Widerstand 8 an. Kondensator U 100 iiF
Sobald diese Spannung den Wert von etwa 10 V
the voltage drop across the resistor 8 increases. Capacitor U 100 iiF
As soon as this voltage has reached the value of about 10 V.
überschritten hat, wird der Transistor 5, da an seiner Die Zenerdiode 6 hat eine Kniespannung von etwahas exceeded, the transistor 5, because at its The Zener diode 6 has a knee voltage of about Basis eine höhere Spannung als 24 V liegt, gesperrt, so 12 V.Base is a higher voltage than 24 V, blocked, so 12 V. Die Ausgangsspannung der Schaltungsanordnung am Als Transistoren für die erfindungsgemäße Schal-Kollektor des Transistors 5 sinkt von 24 V auf 0 V tungsanordnung wird man wegen ihres geringen ab. Damit wird die Diode 12 gesperrt, da ihre Anode Sperrstromes vorzugsweise Siliziumtransistoren vernegativ gegenüber der Katode ist, und der Konden- wenden.The output voltage of the circuit arrangement on Als transistors for the switching collector according to the invention the transistor 5 drops from 24 V to 0 V processing arrangement will be because of their low away. The diode 12 is thus blocked, since its anode blocking current is preferably negative for silicon transistors is opposite the cathode, and the condensate is turned. sator 11 beginnt sich über den Widerstand 3 und den as Wenngleich die Erfindung im vorstehenden unter Transistor 1 aufzuladen. Ist die Verdunkelung der Verwendung einer Fotodiode als Widerstand, der Fotodiode 2 nur kurzzeitig, so nimmt über die be- seinen Wert auf Grund äußerer Einwirkung ändert, schriebenen Verkopplungen der Ausgang wieder eine beschrieben wurde, so ist es doch selbstverständlich, Spannung von +24 V an und entlädt damit den daß die Erfindung nicht auf die Verwendung eines Kondensator 11 über die nun wieder leitende Diode 30 solchen Bauelementes beschränkt ist. Beispielsweise 12, noch bevor er sich über den Widerstand 3 auf- können auch Heiß- oder Kaltleiter oder in irgendgeladen hat. einer Weise gesteuerte Potentiometer an Stelle einerSator 11 starts over the resistor 3 and the as Although the invention in the above below Charge transistor 1. Is the use of a photodiode as a resistor that darkening Photodiode 2 only for a short time, so increases its value due to external influences, written couplings the output has been written to again, it goes without saying Voltage of +24 V and thus discharges the that the invention does not apply to the use of a Capacitor 11 is limited by the now conductive diode 30 of such a component. For example 12, even before it can be charged via the resistor 3 - hot or cold conductors or in any other way Has. one way controlled potentiometer instead of one Ändert sich der Widerstand der Fotodiode 2 lang- Fotodiode Verwendung finden,
sam oder für einen längeren Zeitraum, z. B. auf v
Grund von Änderungen der Beleuchtungsverhäitnisse 35 Patentansprüche:
oder infolge von Temperatur- oder Alterungseinflüs- 1. Schaltungsanordnung zur Auswertung der sen der Bauelemente, so arbeitet die Schaltung als an einem in Reihe mit einer Stromquelle liegen-Regelkreis. Wird das Ausgangspotential infolge einer den ersten Widerstand durch äußere Einwirkun-Erhöhung des Wertes des Widerstandes 2 zu Null, gen auftretenden Gleichspannungsänderungen, so wird der Transistor 5 in der Folge langsam ge- 40 die über eine Verstärkerschaltung einer Ausgangssperrt. Das bewirkt aber über den Gleichrichter 12 klemme zugeführt werden, dadurchgekenneine Absenkung des Potentials an der Klemme A des zeichnet, daß der Ausgang des Verstärkers Kondensators 11 entsprechend der Zeitkonstante aus mit einer Diode (12) verbunden ist, welche über Kondensator und Widerstand 3. Die Folge davon ist, eine Kapazität (11) an eine feste Spannung daß der Strom durch den Transistor 1 und die Foto- 45 (+24V) und an die aus der Reihenschaltung diode 2 sinkt und somit der Spannungsabfall an der eines ersten Transistors (1) und eines Emitterletzteren ebenfalls geringer wird; der Transistors Widerstandes (3) bestehende Stromquelle im wird wieder leitend. Sinne einer Gegenkopplung mit Tiefpaßcharakter
If the resistance of the photodiode changes 2 long photodiodes are used,
sam or for a longer period, e.g. B. on v
Reason for changes in the lighting conditions 35 patent claims:
or as a result of temperature or aging effects 1. Circuit arrangement for evaluating the sen of the components, the circuit operates as a control circuit in series with a current source. If the output potential becomes zero as a result of an external increase in the value of the resistor 2 due to the DC voltage changes occurring in the first resistor, the transistor 5 is then slowly turned off via an amplifier circuit of an output. However, this causes the rectifier 12 to be supplied to the terminal, thereby reducing the potential at terminal A of the fact that the output of the amplifier capacitor 11 is connected to a diode (12) corresponding to the time constant, which is connected via capacitor and resistor 3. Die The consequence of this is that a capacitance (11) is connected to a fixed voltage that the current through the transistor 1 and the photo 45 (+ 24V) and to the diode 2 from the series connection decreases and thus the voltage drop across that of a first transistor (1) and an emitter latter also becomes smaller; the current source of the transistor resistor (3) becomes conductive again. Meaning of a negative feedback with low-pass character
Durch entsprechende Dimensionierung des Kon- angeschlossen ist, derart, daß nur kurzzeitige densators 11 kann erreicht werden, daß nach Ab- so Spannungsänderungen am ersten Widerstand (2) sinken des Ausgangspotentials um wenige Volt bei als Signaländerungen am Verstärkerausgang auflangsamer Sperrung des Transistors 5 die Regelwir- treten, während langsame Spannungsänderungen kung bereits voll einsetzt. am ersten Widerstand (2) keine wesentlichenBy appropriate dimensioning of the Kon is connected in such a way that only short-term capacitor 11 can be achieved that after the decrease in voltage changes at the first resistor (2) The output potential drops by a few volts when the signal changes at the amplifier output are slower Blocking of the transistor 5 the rule takes place during slow voltage changes kung is already fully deployed. at the first resistor (2) no significant Durch die Rückwirkung des Ausgangssignals auf Signaländerungen am Verstärkerausgang erzeugen,Through the reaction of the output signal to signal changes at the amplifier output, die Stromquelle 1 über ein frequenzabhängiges Netz- 55 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, da-the power source 1 via a frequency-dependent network 55 2. Circuit arrangement according to claim 1, there- werk, wie es der Kondensator 11 in Verbindung mit durch gekennzeichnet, daß der Verstärker aus Werk as it is the capacitor 11 in conjunction with characterized in that the amplifier is made dem Widerstand 3 hier darstellt, kann erreicht wer- zwei Stufen besteht, deren erste Stufe (4) alsthe resistance 3 represents here, two levels can be achieved, the first level (4) as den, daß nur kurzzeitige Änderungen der den Wider- Emitterfolgerschaltung ausgebildet ist, die zumthe fact that only short-term changes in the cons-emitter follower circuit is formed, which for stand 2 steuernden äußeren Einwirkungen ausge- Zweck einer Schwellwertbildung über einestand 2 controlling external influences - purpose of creating a threshold value via a wertet werden, ohne daß die Rückkopplung wirksam 60 Reihenschaltung aus einem Widerstand (7) undare evaluated without the feedback being effective 60 series connection of a resistor (7) and wird, während langsame Änderungen der äußeren einer Zenerdiode (6) mit dem Eingang der inis, while slow changes of the outer of a Zener diode (6) with the input of the in Einwirkungen eine Nachregelung des von der Strom- Emitterschaltung betriebenen zweiten Stufe (5)Effects a readjustment of the second stage operated by the current emitter circuit (5) quelle 1 gelieferten Stromes zur Folge haben in dem verbunden ist.source 1 delivered current result in which is connected. Sinne, daß am Ausgang der Schaltungsanordnung 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1Meaning that at the output of the circuit arrangement 3. Circuit arrangement according to claim 1 stets das gleiche Ruhepotential auftritt. 65 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ein-always the same resting potential occurs. 65 or 2, characterized in that Zur Bemessung der Schaltungsanordnung ist fol- stellen der Ansprechschwelle der Schaltungs-To dimension the circuit arrangement, the response threshold of the circuit gendes zu bemerken: Der Widerstand 3 wird so ein- anordnung der Emitterwiderstand (3) regelbarThe following should be noted: The resistor 3 can be regulated in the same way as the emitter resistor (3) gestellt, daß durch die Fotodiode ein konstanter ausgebildet ist.provided that a constant is formed by the photodiode.
DE1964T0027747 1964-12-31 1964-12-31 Circuit arrangement for evaluating the DC voltage changes generated at a resistor by external influence, which are fed to an output terminal via an amplifier circuit Pending DE1238960B (en)

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DE1161319B (en) * 1961-11-08 1964-01-16 Richard Peretz Transistor amplifier
GB958774A (en) * 1959-06-11 1964-05-27 English Electric Co Ltd Improvements in and relating to the temperature compensation of transistor amplifiers

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