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Verfahren zum Legieren von elektrischen Halbleiterbauelementen Die
Erfindun- bezieht sich auf ein Verfahren zum Legieren von elektrischen Halbleiterbauelementen,
um eine oder mehrere dotierte Zonen bestimmten elektrischen Leitungstyps am Halbleiterkörper
durch das Einlegieren von auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers als zunächst
feste Körper aufgebrachten Elektrodenmaterialien aus oder mit Zusätzen aus Dotierungsmaterial
bei einer entsprechenden Temperaturbehandlung zu erreichen. Die einlegierten Zonen
können ohmsche oder pn-übergänge mit dem übrigen Halbleiterkörper bilden. Das Verfahren
nach der Erfindung hat zum Ziel, eine möglichst einwandfreie gegenseitige Benetzung
zwischen dem Elektrodenmaterialkörper und der Oberfläche des Halbleiterkörpers bei
der Einleitung des Legierungsprozesses zu erreichen.
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Bei der Herstellung von solchen legierten Halbleiteranordnungen spielt
für ein gleichmäßiges Fortschreiten des Legierungsvorganges im Halbleiterkörper
eine wesentliche Rolle, daß beim Schmelzen des einzulegierenden Materials zwischen
diesem und dem eigentlichen Halbleiterkörper eine gute Benetzung stattfindet. Ist
eine solche erreichbar, so gelingt es auch, ein solches Fortschreiten des Legierungsvorganges
in den Halbleiterkörper zu erreichen, daß dabei eine ebene Legierungsfront, mindestens
aber eine Legierungsfront entsteht, die eine einheitliche, vorbestimmte durchgehende
Fläche einfacher geometrischer Grundgestalt bildet und keine Unregelmäßigkeiten
in Form von Warzen od. dgl. aufweist.
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Der Erfindung liegt nun die Erkenntnis zugrunde, daß sich die hiermit
vorgezeichnete Aufgabe der Schaffung einer verbesserten Benetzung zwischen dem für
die Dotierung des Halbleiterkörpers benutzten Elektrodenmaterial und der Oberfläche
des Halbleiterkörpers bei der Einleitung des Legierungsprozesses lösen läßt, indem
erfindungsgemäß zunächst auf diejenigen Oberflächenteile des Halbleiterkörpers,
von denen ans einlegiert werden soll, eine Schicht des verwendeten Legierungsmaterials
oder mindestens des für diese Legierung benutzten Grundwerkstoffes aufgedampft wird,
dann der eigentliche einzulegierende Elektrodenmaterial-Körper an dieser Schicht
zur Anlage gebracht oder angepreßt und anschließend der Halbleiterkörper zusammen
mit dem Elektrodenmaterialkörper zum Legieren erhitzt wird.
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Es ist zur Herstellung von Trockengleichrichtern und Fotozellen, bei
denen die aktiven Schichten auf eine Grund- oder Trägerelektrode aufgebracht werden,
z. B. mit Selen als Halbleiterinaterial, zur Beherrschung der verschiedenen Ausdehnungskoeffizienten
von Halbleitermaterial und Grundplattenmaterial und zur Vermeidung einer Bildung
von Rissen, in die das nachträglich etwa durch Aufspritzen aufgebrachte Elektrodenmaterial
eindringen könnte, bekannt, das die Halbleiterschicht bildende Material durch Aufdampfen
oder Kathodenzerstäubung etwa als Ionen-, Atom- oder Molekülstrahl auf eine kalte,
gegebenenfalls auf tiefe Temperatur ge-kühlte Grundplatte nacheinander oder gleichzeitig
aufzubringen. Hierbei kann zunächst eine Halbleiterschicht von sehr ae
, ringer Dicke aufgebracht werden, da diese Schicht etwaigen Temperaturbewegungen
der Grundplatte ohne weiteres folgt und auch bei einer Wärinebehandlung sich keine
definierten Risse bilden.
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Ein Legierungsprozeß an einem Halbleiterkörper steht bei diesem Verfahren
nicht zur Erörterung.
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Es ist weiterhin ein Verfahren zum Herstellen von Kristalloden, z.
B. von Kristallgleichrichtern und Kristallverstärkern, bekanntgeworden, nach welchem
ein einkristallines Plättehen eines Halbleiters bestimmten elektrischen Leitungstyps
auf mindestens einer Seite mit einer oder mehreren Vertiefungen von möglichst zylindrischer
Form versehen wird, dann an den Oberflächen durch eine gesteuerte Eindiffussion
von Störstoffen eine parallele Schichtenfolge hergestellt wird und schließlich zum
Anbringen von Elektrodenanschlüssen an vorbestimmten Stellen der einzelnen Schichten
Teile der Halbleiteroberfläche entfernt werden. Bei diesem Verfahren werden frei
liegende Oberflächenteile des Halbleiterkörpers zur Erleichterung der Anbringung
der Elektroden verkupfert. Eine Kugel aus niedrigschmelzendem Lot, wie einem Zinn-Blei-Lot,
die mit einer dünnen Schicht eines Flußmittels überzogen ist, wird in die Vertiefung
gebracht. Beim Schmelzen des Lotes wird ein verzinnter Kupferdraht in die geschmolzene
Lotkuppe eingetaucht, und anschließend wird die Scheibe zur Verfestigung des Lotes
abgeschreckt.
In der zweiten Vertiefung mit dem eindiffundierten
anderen Akzeptor ist als Lot für den Anschlußdraht reines Indium benutzt worden,
da sein Schmelzpunkt ungefähr 30' C niedriger als derjenige des erstgenannten
Zinn-Blei-Lotes mit Anteilen von 60 ü/o Zinn und 40 19/o Blei liegt. Bei
diesem Verfahren dient das Indium nur als mechanisch bindendes Lot zwischen der
Kupferschicht und dem Anschlußdraht, denn der dotierte Bereich im Halbleiterkörper
ist bereits durch die Eindiffussion des aufgedampften Aluminiums geschaffen worden.
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Zum flächenausdehnungsmäßig eindeutigen Dotieren eines Halbleiterkörpers
mittels Indium ist es bekanntgeworden, auf demjenigen Oberflächenteil des Halbleiterkörpers,
von welchem aus die Dotierung des Haibleiterkörpers vorgenommen werden soll, durch
Plattieren zunächst eine dünne, umfangsmäßig begrenzte Schicht aus einem Metall
vorzusehen, welches leicht mit dem Indium legiert und welches nachträglich den pn-übergang
nicht beeinflußt. Das Lee crierungsmaterial, also das Indium, wird dann auf die
plattierte Oberfläche des Halbleiterkörpers gebracht und das Ganze für das Schmelzen
des Indiums erhitzt, so daß dieses über die plattierte Schicht, und nur über diese,
frei fließt, wonach bei einer Erhitzung dann eine Diffusion durch die Metallzwischenschicht
hindurch in den Halbleiterkörper aus Germanium hinein stattfinden soll. Als für
die Benetzung durch Indium P Cr -nete Metalle sind dabei Silber, Gold, Kupfer und
eig Nickel angegeben worden. Hierbei wird eine besondere Legierung aus der vorher
aufgedampften Schicht und dem aufgebrachten Elektrodenmaterial gebildet, wobei aber
offenbar die aufplattierte Schicht als solche bestehenbleiben soll, denn sonst würde
sie nicht als Teil des Diffussionskanals für das auf sie aufgebrachte Elektrodenmaterial,
nämlich für das Indium dienen.
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Bekannt ist ein Germaniumtransistor mit einer durch Eindiffussion
erzeugten Basiszone. Bei deren Herstellung sind in einen Ausgangs-Germaniumkörper
vom p-Leitungstyp zunächst ein Dampf einer geeigneten n-Störzellensubstanz zur Bildung
einer n-leitenden Mantelzone eindiffundiert, dann an der einen Oberfläche der Halbleiterplatte
zur Bildung des Emitters ein Film aus Aluminium zunächst aufgedampft und anschließend
in die n-leitende Zone zur Bildung eines pn-überganges einlegiert. Dann wird an
der gleichen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers ein Gold-Antimon-Film aufgedampft
und die Halbleiterplatte bis auf die eutektische Temperatur von Gold-Antimon erhitzt,
bei der ein ohmscher Kontakt zu der n-leitenden Oberflächenschicht geschaffen wird.
Schließlich wird an der entgegengesetzten Oberflächenseite des Halbleiterkörpers
mit Hilfe von Indium ein Platinstreifen mit dem p-leitenden Kollektorbereich als
Kontaktkörper verlötet.
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Diese Schriftstelle offenbart jeweils nur das Aufbringen des Elektrodenmaterials
durch Aufdampfen auf den entsprechenden Oberflächenanteil des Halbleiterkörpers,
von welchem aus dieses zum Einlegieren gebracht werden soll, ohne daß die aufgedampfte
Schicht eine Benetzungshilfe für den zunächst als festen Körper auf den Halbleiterkörper
aufzulegenden Elektrodenmaterialkörper bildet. Die aufgedampfte Menge soll vielmehr
unmittelbar dem Volumen des Elektrodenmaterialkörpers entsprechen.
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Es wird daher bei dem Verfahren nach der Erfindung derart vorgegangen,
daß der bereits an seiner entsprechenden Oberfläche mit aufgedampften Elektrodenmaterial
versehene Halbleitermaterialkörper mit einem noch festen Elektrodenmaterialkörper,
z. B. einer entsprechenden Folie oder schmelzflüssigem Elektrodenmaterial, in Berührung
gebracht und dann für das Einlegieren eine entsprechende Temperaturbehandlung dieser
Anordnung nach einem geeigneten Temperatur-Zeit-Programm stattfindet. Bei dieser
Temperaturbehandlung kann gegebenenfalls der Elektrodenmaterialkörper unmittelbar
mit einer oder mehreren weiteren Hilfsträgerplatten verbunden werden, wobei die
dem Halbleiterkörper benachbart liegende, aus einem Werkstoff geeigneter Stärke
besteht, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient demjenigen des Halbleiterkörpers
möglichst benachbart liegt, um auf diese Weise das Entstehen unerwünschter mechanischer
thennischer Spannungen weitgehend auszuschließen.
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Es ist jedoch nicht erforderlich, daß einerseits das Aufdampfen der
Schicht auf den Halbleiterkörper und andererseits das Zusammenbringen dieses vorbereiteten
Halbleiterkörpers mit dem zur Zonenbildung einzulegierenden Elektrodenmaterial in
getrennten Arbeitsvorgängen und Vorrichtungen stattfindet. So kann vielmehr auch
derart vorgegangen werden, daß in einer Hilfsforin oder -vorrichtung der Elektrodenmaterialkörper
sowie gegebenenfalls die Hilfsträgerplatte und eine eventuell erforderliche Lotzwischenschicht
zwischen beiden zusammen mit dem Halbleiterkörper derart übereinandergeschichtet
werden, daß sich bei der Vorbehandlung des Halbleiterkörpers Abdampfprodukte des
einzulegierenden Elektrodenmaterialkörpers unmittelbar auf den vorbestimmten Flächen
des Halbleiterkörpers niederschlagen. Beim Schmelzen des Elektrodenmaterials wird
sich bereits vor oder/und mit dem Schmelzflüssigwerden des Elektrodenmaterialkörpers
eine entsprechende Dampfwolke aus diesem Elektrodenniaterial bilden, welches auf
diese Weise auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers gelangt. Nachdem die Anordnung
eine Zeitlang auf derjenigen Temperatur gehalten worden ist, daß von dem Elektrodenmaterial
eine durch vorherige Versuche ermittelte Aufdampfung auf die Halbleiterkörperoberfläche
stattgefunden hat, wird dann die in dieser Weise vorbehandelte Halbleiterkörperoberfläche
mit dem festen bzw. flüssigen Elektrodenmaterial unmittelbar zusammen-
geführt.
Dann wird das Legieren, gegebenenfalls unter Anwendung eines bestimmten Druckes
zwischen Halbleiterkörper und Elektrodenmaterial, über einen vorbestimmten Zeitraum
nach vorbestimmten Temperaturprogrammen hinsichtlich zeitabhängiger Aufheiz- und
Abkühlungsgeschwindigkeit durchgeführt.
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Was soeben für das Einlegieren an einer Zone des Halbleiterkörpers
beschrieben worden ist, kann auch gleichzeitig an mehreren Zonen an dem Halbleiterkörper
durch Anwendung einer entsprechenden Hilfseinrichtung durchgeführt werden.
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In der F i g. 1 bezeichnet 1 die Grundplatte eines Gestells,
auf welcher sich Stangen, wie z. B. 2 und 3,
nach oben erstrecken, die an
ihrem oberen Ende eine Deckplatte 4 tragen. Diese obere Deckplatte dient gleichzeitig
als Träger eines Antriebes, der aus dem Motor 5, der Welle 6, dem
Zahnrad 7, dem Zahnrad 8,
der Welle 9, den beiden Zahnrädern
10, 11 und den beiden Zahnrädern 12, 13 besteht, die am oberen Ende
der Wellen 14 bzw. 15 angeordnet sind, die andererseits in entsprechenden
Lagern 16 bzw. 17 in der Grundplatte 1 drehbar abgestützt sind.
Auf dieser
Grundplatte 1 sind ferner weitere Stangen, wie
z. B. 18, vorgesehen. Diese bilden das Gestell, in welches Legierungshilfsformen
eingeschichtet werden sollen.
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Eine solche Hilfsform besteht z. B. nach der F i g. 1
aus einem
Behälter 19, der z. B. aus Graphit oder Eisen hergestellt ist und im letzteren
Fall an seiner Mantelfläche mit einem besonderen Überzug aus einem gegenüber den
Aufbauteilen eines Halbleiterelementes inerten Werkstoff, wie z. B. Graphit, versehen
sein kann.- In dem bereits genannten untersten dieser Behälter 19 ist eine
Hilfsträgerplatte 20 für ein Halbleiterelement eingesetzt, die in bekannter Weise
z. B. aus Molybdän, Wolfram oder Tantal bestehen kann. Auf diese Hilfsträgerplatte
ist ein Elektrodenmaterialkörper 21 aufgelegt, der z. B. aus Aluminium bestehen
kann. Nun ist jeder dieser Hilfslegierungsforrnenbehälter, wie z. B. 19,
in seiner Mantelfläche mit Aussparungen 22 versehen, so daß in diese der untere
Arm 23 eines doppelarmigen Winkelhebels 24 eingeschwenkt werden kann. Dieser
doppelarmige Winkelhebel 24, dessen zweiter Arm mit 25 bezeichnet ist, ist
in einem Lager 26 schwenkbar, das an der äußeren Mantelfläche des Behälters
19 vorgesehen ist. Der obere Arm 25 des Winkelhebels 24 ist bestimmt
für das Zusammenwirken mit einem Winkelhebel 27,
der drehfest auf der Welle
15 angeordnet ist. Durch eine Betätigung der Wellen, wie z. B. der Welle
15,
kann also der jeweilige Winkelhebel 24 in seinem Lager derart gedreht
werden, daß der Arm 23 aus der Aussparung bzw. dem Hohlraum des Behälters
19
herausgeschwenkt wird. In der Zeichnung sind nun an dem unteren Gefäß
19 zwei solche nach innen in den Hohlraum mit ihren Armen 23 eingeschwenkte
Winkelhebel 24 gezeigt. Sie dienen als Träger einer Halbleiterplatte 28,
die z. B. aus schwach p-leitendem Silizium bestehen kann. Auf der oberen Fläche
dieser Siliziumplatte 28 sind bereits zwei Elektrodenmaterialkörper, und
zwar ein Ring 29 und innerhalb desselben ein kreisflächenförmiger Elektrodenkörper
30 mit gegenseitigem Abstand aufgelegt, welche von dieser Fläche aus in den
Halbleiterkörper einlegiert werden sollen.
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Das Volumen dieser Elektrodenkörper wird zweckmäßig derart bemessen,
daß die Legierungsfront nur bis zu einer vorbestimmten Tiefe in den Halbleiterkörper
hinein fortschreiten kann. Diese Elektrodenmaterialkörper sind gegen die Oberfläche
dieser Halbleiterplatte 28 dadurch festgespannt, daß sie nach einem bekannten
Verfahren mittels einer Pulverpreßmasse 31 allseitig von dieser umschlossen
bzw. umpreßt und dadurch gleichzeitig gegen die Oberfläche der Halbleiterplatte
28 gepreßt werden. Auf der oberen Fläche dieses Pulvermassepreßkörpers
31
ruht eine Graphitscheibe 32. Auf diese Graphitscheibe ist nun ein
zweiter Legierungsbehälter bzw. eine Hilfsform 33 aufgesetzt, der bzw. die
eine zweite Folge von Elementen enthält, wie sie als Einsatz des Behälters
19 bereits erläutert worden sind. Um diese Einzelteile im Behälter
33 von denjenigen im Behälter 19 zu unterscheiden, sind zwar für die
entsprechenden Teile die gleichen Bezugszeichen beibehalten worden, jedoch sind
die Elemente im Behälter 33
von denjenigen im Behälter 19 durch einen
zusätzlichen Strich C) unterschieden. Auf die obere Graphitplatte
32' der in den Behälter 33 eingeschichteten Teile ist noch ein Gewicht
34 aufgelegt.
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In der gezeigten Stellung der Teile besteht also je-
weils im
Behälter 19 zwischen dem Elektrodenmaterialkörper 21 und der Halbleiterplatte
28 bzw. im Behälter 33 zwischen dem Elektrodenmaterialkörper 21' und
dem Halbleiterkörper 28' ein gewisser Ab-
stand. Das ganze bisher beschriebene
System ist in einem Behälter 35 angeordnet und von einem diesen oben abschließenden
Deckel 36 über Stützen 37 getragen. Diesem Behälter 35 sind
in der Höhe der Legierungsformen außen entsprechende Strahlungsheizer zugeordnet,
die mit 37 bis 40 bezeichnet sind. Die Strahlungsheizer liegen jeweils innerhalb
entsprechender Reflektionskörper bzw. Schirme 41 bis 44, durch welche die von den
Strahlungsheizem entwickelte Wärme in wirksamer Weise auf die zu beheizenden Legierungsformen
im Behälter 35 gerichtet wird.
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Zwischen diesen Strahlungsheizern und der äußeren Mantelfläche des
Behälters 35 können noch besondere verstellbare Blendenkörper, wie 45 und
46, vorgesehen werden, so daß also auf einfache Weise erreicht werden kann, daß
auch nur verschiedene Höhenzonen der Behälter 19 bzw. 33 unabhängig
voneinander beheizt werden. In der dargestellten Lage der Blendenkörper 45 und 46
würden also nur die Strahlungsheizer 38 und 40 die unteren Teile der Behälter
19 bzw. 33 beheizen, während, wenn die Blenden nach oben herausgefahren
werden, die gesamten Behälter der Heizwirkung durch die Strahlungsheizer unterworfen
sind.
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Wie bereits in der allgemeinen Beschreibung geschildert, sollen zunächst
Flächen des Halbleiterkörpers mit Elektrodenmaterial bedampft werden, bevor das
ei-entliche Elektrodenmaterial, welches in den Halbleiterkörper einlegiert werden
soll, mit dessen Oberfläche zusammengebracht wird. Sind zunächst nur die Strahlungsheizer
38, 40 in Betrieb, so werden zunächst nur die unteren Teile der Legierungsforrn
19 bzw. 33 beheizt, so daß nur der Elektrodenmaterialkörper 21 im
Behälter 19 bzw. der Elektrodenmaterialkörper 21-' im Behälter
33 erhitzt werden. Auf diese Weise wird von der Oberfläche dieser Elek# trodenmaterialkörper
Elektrodenmaterial abdampfen und sich auf den gegenüberliegenden unteren Flächen
der Halbleiterkörper 28 bzw. 28" niederschlagen. Ist dieser Aufdampfprozeß
über eine gewisse Zeitdauer, deren Wert durch entsprechende Versuche zu ermitteln
ist und der sich auch nach dem Elektrodenmaterial und der benutzten Temperatur richtet,
gelaufen, so daß eine erwünschte Schicht am Elektrodenmaterial auf dem Halbleiterkörper
niedergeschlagen worden ist, so wird nunmehr das Antriebsgestänge mittels des Motors
5 betätigt, wodurch die Winkelhebel 24 aus den Behälterräumen von
19 bzw. 33 herausgeschwenkt und die bisher von diesen getragenen Halbleiterkörper
28 und 28' mit den darauf geschichteten Teilen auf den jeweiligen
der Elektrodenmaterialkörper 21 bzw. 21! in den Behältern 19 bzw.
33
abgesenkt werden. Nunmehr kann der Heizvorgang weiterhin so gelenkt werden,
daß das Einlegieren dieser Elektrodenmaterialkörper in die entsprechenden Halbleiterkörper
28 bzw. 28' zur Erzeugung der erwünschten dotierten Zonen bestimmten
elektrischen Leitungstyps stattfindet. Die Speisung des Elektromotors
5 erfolgt von einer Einrichtung 47, die zeitabhängig und gegebenenfalls temperaturabhängig
von einem im Behälter 35 vorgesehenen, nicht besonders dargestellten Temperaturfühler
gesteuert sein kann.
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In der F i g. 2 ist ein weiteres Beispiel schematisch veranschaulicht,
wie nach dem Aufdampfen automatisch
temperaturabhängig das Absenken
der mit Elektrodenmaterial vorbedampften Halbleiterplatte auf den einzulegierenden
Elektrodenmaterialkörper erfolgen kann. Als Steuereinrichtung sind in diesem Fall
sogenannte Seger-Kegel benutzt, d. h. keramische Körper, die sich in ihrem
thermischen Verhalten so abstimmen lassen, daß sie bei einer bestimmten Temperatur
ihre Forinfestigkeit verlieren, so daß sie, wenn sie als Abstützkörper wirken, dann
das von ihnen ab-"estützte a System freigeben. In dieser Fig.2 ist die Behandlung
einer einzigen Siliziumhalbleiterplatte zum Ei#nlegieren gezeigt, wie es also der
untersten Siliziumplatte 28 nach F i g. 1 entspricht. Um einen Zusammenhang
zwischen den F ig. 1 und 2 zu schaffen und dadurch die Erläuterung zu vereinfachen,
sind für die entsprechenden gleichartigen, wie in F i g. 1 vorhandenen Elemente
in F i g. 2 die gleichen Bezugszeichen beibehalten worden. So ist wieder
ein Behälter 19 auf einer Grundplatte 1 vorhanden, auf dessen Bodenplatte
die Hilfsträgerplatte 20 liegt, welche den Elektrodenmaterialkörper 21 trägt. Oberhalb
dieses Körpers 21 ist die Siliziumhalbleiterplatte 28 mittels der Hebel 48,
49 gehalten. Diese Hebel 48, 49 sind an Stützen 50 bzw. 51 drehbar
gelagert, die an der Grundplatte 1 befestigt sind. Diese doppelarmigen Hebel
48, 49 greifen mit dem einen Arm durch die Aussparungen 22 des Behälters
19 in dessen Hohlraum ein, wodurch sie, wie angegeben, die Halbleiterplatte
28 tragen. Auf die Hebelarine der doppelarmigen Hebel 48, 49 wirken die beiden
Seger-Kegelkörper 52 bzw. 53 mit ihren unteren Enden. Diese Kegel
52 bzw. 53 stützen sich mit ihren oberen Enden gegen einen Schenkel
der Stützen 54 bzw. 55 ab, welche an der Grundplatte 1 befestigt sind.
Der Siliziumhalbleiterkörper 28 trägt an seiner oberen Fläche beispielsweise
wie gemäß F i g. 1 bereits zwei Elektrodenmaterialkörper 29 bzw.
30,
welche mittels eines Pulverpreßmassekörpers 31 umpreßt und gegen
die obere Fläche der Halbleiterplatte 28 festgespannt sind. Auf dieser Pulverpreßmasse
31
ist zunächst wieder ein Graphitkörper 32 vorgesehen und auf diesem
ein Belastungsgewicht 34.
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Wie bereits erwähnt, wird eine solche Anordnung zunächst in einer
nicht besonders dargestellten Beheizungseinrichtung derart beheizt, daß von der
Oberfläche der z. B. als Elektrodenmaterialkörper 21 benutzten Aluminiumplatte Aluminium
in Richtung auf die Siliziumhalbleiterplatte 28 abdampft. Nach einer gewissen
Zeitdauer wird dann die Temperatur gesteuert für das Aufheizen der Anordnung zur
Durchführung des Legierungsprozesses. Entsprechend der envünschten oberen Temperaturgrenze
sinken dann die beiden Seger-Kegel 52, 53 zufolge ihrer Temperaturabstimmung
in sich zusammen, so daß das durch die Hebel 48, 49 bis dahin abgestützte System
auf der Platte 28 und den von dieser getragenen Teilen nach unten absinken
kann, bis es auf der Aluminiumplatte 21 aufliegt, wonach dann der Legierungsprozeß
des Halbleiterelementes durchgeführt wird.