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DE1226147B - Magnetic core storage device - Google Patents

Magnetic core storage device

Info

Publication number
DE1226147B
DE1226147B DEN21746A DEN0021746A DE1226147B DE 1226147 B DE1226147 B DE 1226147B DE N21746 A DEN21746 A DE N21746A DE N0021746 A DEN0021746 A DE N0021746A DE 1226147 B DE1226147 B DE 1226147B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
core
auxiliary
line
magnetic
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN21746A
Other languages
German (de)
Inventor
Wijnand Johannes Schoenmakers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1226147B publication Critical patent/DE1226147B/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Digital Magnetic Recording (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Cl.:Int. Cl .:

H03kH03k

Deutsche KL: 21 al - 36/16 German KL: 21 al - 36/16

Nummer: 1226147Number: 1226147

Aktenzeichen: N 21746 VIII a/21 alFile number: N 21746 VIII a / 21 al

Anmeldetag: 23. Juni 1962 Filing date: June 23, 1962

Auslegetag: 6. Oktober 1966Opening day: October 6, 1966

Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetkernspeichervorrichtung mit Speicherkernen aus magnetischem Material, das Remanenz aufweist, und mit !Wenigstens zwei Gruppen von Leitungen zum Auswählen und Antreiben der Magnetkerne. S . Bei einer solchen bekannten magnetischen Speichervorrichtung sind die gleichzeitig den Leitungen den;, ersten und der zweiten Gruppe zugeführten Impulse je an mit den Leitungen gekoppelten Speicherkernen aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife wirksam, wobei der an der Kreuzungsstelle der Leitung der ersten Gruppe und der Leitung der zweiten Gruppe angebrachte Kern durch beide Impulse magnetisiert wird. Die Stärke des durch einen Impuls in einem Kern erzeugten, magnetischen Feldes darf die Koerzitivkraft nicht überschreiten, während die Stärke des magnetischen Feldes in dem durch beide Impulse magnetisierten Kern die Koerzitivkraft überschreiten muß, um den Remanenzzustand dieses Kernes ändern zu können. Die ao zulässige Impulsstärke ist bei diesen Speichern verhältnismäßig gering, so daß die Schaltzeit, d. h. die Zeit, während welcher der Kern unter der Steuerung beider Impulse seinen Remanenzzustand ändert, verhältnismäßig lang ist. ; Während der Ablesung von Remanenzzuständen eines Kernes in einem solchen bekannten Speicher unter der Steuerung von zwei Impulsen kann ein bereits gelesener Kern ein Ausgangssignal liefern, das von dem Verhältnis zwischen der Sättigungsinduktix» und der Remanenzinduktion abhängig ist, während ein noch nicht gelesener Kern unter der Steuerung eines Impulses ein Ausgangssignal liefern kann, das über die allen Kernen gemeinsame Ableseleitung auftritt und das von dem Verhältnis zwischen der Induktion bei einer magnetischen Feldstärke gleich d@$ Hälfte der Koerzitivkraft und der Remanenziriduktion abhängig ist. Um die beiden möglichen A,u.sgangssignale gleichzeitig auf ein Mindestmaß !^abzusetzen, werden bei den bekannten Speichern magnetische Materialien verwendet, deren Rechteckverhältnis, d. h. das Verhältnis zwischen der Sättigungsinduktion und der Induktion des in entgegengesetztem Sinne durch ein Megnetfeld der halben Koerzitivkraft magnetisierten Kernes dem Wert 1 möglichst näherkommt.The invention relates to a magnetic core memory device with memory cores made of magnetic material which has remanence and with at least two groups of lines for selecting and driving the magnetic cores. S. In such a known magnetic storage device, the pulses simultaneously fed to the lines, the first and the second group are each effective on storage cores of magnetic material with a rectangular hysteresis loop coupled to the lines, the one at the intersection of the line of the first group and the line of the second group attached core is magnetized by both pulses. The strength of the magnetic field generated by a pulse in a core must not exceed the coercive force, while the strength of the magnetic field in the core magnetized by both pulses must exceed the coercive force in order to be able to change the state of remanence of this core. The ao permissible pulse strength is relatively low in these memories, so that the switching time, ie the time during which the core changes its remanence state under the control of both pulses, is relatively long. ; During the reading of remanent states of a core in such a known memory under the control of two pulses, an already read core can provide an output signal which is dependent on the ratio between the saturation inductance and the remanent induction, while a core that has not yet been read is under control of a pulse can provide an output signal which occurs via the reading line common to all cores and which is dependent on the ratio between the induction at a magnetic field strength equal to d @ $ half of the coercive force and the remanent induction. In order to reduce the two possible A and output signals to a minimum at the same time, magnetic materials are used in the known storage devices whose square ratio, i.e. the ratio between the saturation induction and the induction of the core magnetized in the opposite sense by a magnetic field of half the coercive force comes as close as possible to the value 1.

Zur Kompensation der unzureichenden Rechteckigkeit der Hystereseschleife von Magnetkernen mit hoher Remanenz und damit zur Neutralisierung von Störsignalen ist es bekannt, jedem Magnetkern einen Hilfskern mit hoher Remanenz bzw. verhältnismäßig geringer Remanenz zuzuordnen, wobei im MagnetkernspeichervorrichtungTo compensate for the insufficient squareness of the hysteresis loop of magnetic cores with high remanence and thus for the neutralization of interfering signals, it is known to each magnetic core assign an auxiliary core with high remanence or relatively low remanence, with im Magnetic core storage device

Anmelder:Applicant:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,

Eindhoven (Niederlande)Eindhoven (Netherlands)

Vertreter:Representative:

Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,Dr. rer. nat. P. Roßbach, patent attorney,

Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Wijnand Johannes Schoenmakers,Wijnand Johannes Schoenmakers,

Eindhoven (Niederlande)Eindhoven (Netherlands)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Niederlande vom 27. Juni 1961 (266 427)Netherlands of June 27, 1961 (266 427)

letzten Fall einem solchen Hilfskern mehrere Magnetkerne mit hoher Remanenz zugeordnet sein können. ; Demgegenüber ist es Zweck der Erfindung, einen Speicher eingangs erwähnter Art zu schaffen, bei dem die Schaltzeit der Kerne erheblich kürzer ist und Kerne anwendbar sind, die aus einem magnetischen Material bestehen, das Remanenz aufweist, wobei keine Anforderungen an das Rechteckverhältnis des Materials gestellt werden.In the last case, several magnetic cores with high remanence can be assigned to such an auxiliary core. ; In contrast, it is the purpose of the invention to create a memory of the type mentioned at the outset, in which the switching time of the cores is considerably shorter and cores made from a magnetic one can be used Material that has remanence, with no requirements for the square ratio of the Materials are provided.

Die Magnetkernspeichervorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß jeder Speicherkern in entgegengesetzten Richtungen gekoppelt ist mit zwei durch Parallelschaltung zu einer einzigen Leitung einer ersten Gruppe vereinigten Hilfsleitungen, welche1 jede mit einem Hilfskern aus magnetisch sättigbarem Material gekoppelt sind, wobei der Leitung der ersten Gruppe unipolare Stromimpulse zugeführt werden, welche in zwei die zwei Hilfsleitungen durchfließende Teilströme aufgespalten werden, welche den Speicherkern in entgegengesetzten Richtungen magnetisieren, wobei jeder Hilfskern mit einer durch einen Vormagnetisierungsstrom durchflossenen Leitung der zweiten Gruppe verbunden ist, welche der magnetischen Wirkung der gegebenenfalls durch einen Teilstrom durchflossenen Hilfsleitung entgegenwirkt und den Hilfskern im Sättigungsbereich einstellt, und wobei Mittel vorhanden sind zur wenigstens teilweisen Aufhebung der Vormagnetisierung des einen oderThe magnetic core memory device is characterized in that each memory core is coupled in opposite directions with two through parallel connection to a single line of a first group of combined auxiliary lines which 1, each coupled to an auxiliary core of magnetically saturable material, the line of the first group unipolar current pulses supplied which are split into two partial currents flowing through the two auxiliary lines, which magnetize the storage core in opposite directions, each auxiliary core being connected to a line of the second group through which a bias current flows and which counteracts the magnetic effect of the auxiliary line through which a partial current may flow and sets the auxiliary core in the saturation range, and means are present for at least partial cancellation of the bias of the one or

609 669/371609 669/371

1226 14t■■■·■:-'■■"-■■■" ::- 1226 14t ■■■ · ■: - '■■ "- ■■■" :: -

des anderen zu einem Speicherkern gehörigen Hilfs- der zweiten^Griippe '-.gekoppelt. Ebenfalls-sind die kernes, derart, daß ein durch die mit diesem Hilfs- Wicklungen 22 der Ktrne Ceiner Speicherkolonne kern gekoppelte Hilfsleitung fließender Teilstrom in mit der gleichen Steuerleitung der zweiten Gruppe dem Kern dem Stromdurchgang entgegenwirkende gekoppelt. In dem Beispiel sind die Wicklungen 21 Flußänderungen hervorruft und ein der Leitung der 5 -ψιά'^Ι -miteinanler in ELeihe geschaltet und in Reihe ersten Gruppe zugeführter' unipolarer Stromimpuls an die betreffenden Steuerleitungen angeschlossen. · vorwiegend durch die andere Hilfsleitung fließt und In der Zeichnung ist eine mit allen Speicherkernen den Speicherkern in den gewünschten Remanenz- gekoppelte TDeseleitung einfachheitshalber wegzustand einstellt. ' " gelassen. Diese Leitung kann auf bekannte, hier nichtof the other auxiliary belonging to a memory core - the second 'flu' - coupled. The cores are also such that an auxiliary line flowing through the auxiliary line coupled to this auxiliary windings 22 of the core of a storage column core is coupled with the same control line of the second group to counteract the passage of the current to the core. In the example, the windings 21 produce flux changes and a unipolar current pulse supplied to the first group of the line of the 5 -ψιά '^ Ι -miteinanler is connected to the relevant control lines. · Mainly flows through the other auxiliary line and, for the sake of simplicity, the drawing shows a disconnected T-line that is coupled to all of the storage cores with the storage core in the desired remanence-coupled state. '"left. This line can be known to, not here

Ein Vorteil dieser Vorrichtung besteht darhV'daß io interessierende Weise mit allen-Kernen gekoppelt und die den Leitungen der ersten Gruppe zugeführten an einen Verstärker angeschlossen werden, der an Impulse unabhängig von der Richtung, in der die dem Zeitpunkt, wenn der Remanenzzustand eines Impulse die Kerne magnetisieren müssen, die gleiche Kernes abgelesen wird, empfindlich gemacht wird.
Reiehtung haben können und die -Sehaltzeit der mit Die Wirkungsweise des Speichers ist folgende. Die den Leitungen der zweiten Gruppe gekoppelten Kerne 15 Torschaltungen 17 und 18 sind normalerweise in dem zum Überführen von dem magnetisch gesättigten Zu- leitenden Zustand und führen den Strom von den stand in den magnetisch ungesättigten Zustand in- Stromquellen 19-und-20 nach .den an die Torschalfolge der dabei auftretenden, geringen Flußänderun- tungen. angeschlossenen Leitungen der zweiten gen sehr kurz ist. Gruppe. Dieser Strom magnetisiert die Kerne 3 und 4
One advantage of this device is that it is interestingly coupled with all cores and the lines fed to the lines of the first group are connected to an amplifier which can handle pulses regardless of the direction in which the point in time when the remanence state of a pulse occurs Cores have to magnetize, the same core is read, is made sensitive.
And the dwell time of the memory is as follows. The cores 15 gate circuits 17 and 18 coupled to the lines of the second group are normally in the state for transition from the magnetically saturated supplying state and feed the current from the state to the magnetically unsaturated state in current sources 19 and 20 to the goal scoring sequence of the small river changes that occur. connected lines of the second gene is very short. Group. This current magnetizes cores 3 and 4

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der 20 bis in. den Bereich der magnetischen Sättigung. InThe invention is described below with reference to FIGS. 20 through to the range of magnetic saturation. In

Zeichnung näher erläutert. · '. ■*- F i g. 2a ist die idealisierte magnetische Kennlinie derDrawing explained in more detail. · '. ■ * - F i g. 2a is the idealized magnetic characteristic of

Fig. 1 zeigt, ein Beispiel eines magnetischen Spei- Kerne 3: und 4 veranschaulicht, welche die BeziehungFig. 1 shows an example of magnetic storage cores 3: and 4 illustrating the relationship

chers nach der Erfindung, und zwischen der Induktion und dem Strom durch einechers according to the invention, and between the induction and the current through a

F i g. 2 zeigt einige magnetische Kennlinien zur Wicklung. andeutet. Der Strom durch die Wicklun-F i g. 2 shows some magnetic characteristics for the winding. indicates. The current through the winding

Erläuterung des in F ig. 1 dargestellten Beispiels·. 25 gen 21 und 22 ist z.B. gleich Z1, so daß die Induk-Explanation of the in Fig. 1 shown example ·. 25 gen 21 and 22 is, for example, equal to Z 1 , so that the induction

' In Fig. 1 bezeichnen K1 bis K9 Kerne aus"magne- tion in den flach verlaufenden Teil der KennlinieIn FIG. 1, K 1 to K 9 denote cores from "magnetization" in the flat part of the characteristic curve

tischem Material, das Remanenz aufweist. Jeder der eingestellt wird. Die Änderung der Induktion infolgetable material that has remanence. Everyone who is hired. The change in induction as a result

Speicherkerne ist mit zwei Hilf sleitungen H1 und H2 einer Änderung der Stromstärke ist in diesem FalleStorage cores is with two auxiliary lines H 1 and H 2 a change in the current intensity is in this case

gekoppelt, die in Reihe mit Wicklungen 1 bzw. 2 besonders gering, so daß die Wicklungen 1 und 2coupled in series with windings 1 and 2 are particularly low, so that windings 1 and 2

der Kerne 3 -und-4- aus magnetisch sättigbarem Mate- 30 eine niedrige Selbstinduktion aufweisen. Die Kerne 3the cores 3 -and-4- made of magnetically saturable material 30 have a low self-induction. The cores 3

rial in Reihe geschaltet sind.. Die beiden Reihenschal- - und 4'und die darauf angebrachten Wicklungen sindrial are connected in series .. The two series - and 4 'and the windings attached to them are

tungen der Leitung H1 und der Wicklung 1 un<J der gleich bemessen,, so daß ein dem Verbindungspunktlines of the line H 1 and the winding 1 un <J of the same dimension, so that a connection point

Leitung H2 und der Wicklung 2 sind in bezug auf der Wicklungen 1 und 2 zugeführter StromimpulsLine H 2 and winding 2 are current pulses applied to windings 1 and 2

eine Kopplung mit einem Speicherkern in entgegen- sich in zwei gleiche Teile aufspaltet, von denen eina coupling with a memory core in opposite directions splits into two equal parts, one of which

gesetztem Sinne parallel geschaltet. 35 Teil durch die Wicklung 1 und die Hilfsleitung H1 connected in parallel in the set sense. 35 part through winding 1 and auxiliary line H 1

Der Speicher enthält weiter eine erste Gruppe von «■- und der andere Teil durch die Wicklung 2 und dieThe memory further contains a first group of «■ - and the other part by the winding 2 and the

Steuerleitüngen S^bis 7, an die die Impulsquellen 8 Hilf sleitung H2 'fließt. Die Hilf sleitungen. H1 und H2 Control lines S ^ to 7, to which the pulse sources 8 auxiliary line H 2 'flows. The auxiliary lines. H 1 and H 2

bis 10 angeschlossen sind, und eine zweite Gruppe sind in entgegengesetztem Sinne mit den Speicher-to 10 are connected, and a second group are in the opposite sense with the memory

von Steuerleitungen 11 bis 16. Die zweite Gruppe ist kernen gekoppelt, so daß die magnetischen Wirkun-of control lines 11 to 16. The second group is coupled to the cores so that the magnetic effects

in zwei Untergruppen geteilt, welche die Leitungen 40 gen des Stroms durch die Hilfsleitungen sich gegen-divided into two subgroups, the lines 40 facing each other in terms of the current through the auxiliary lines.

11 bis 13 bzw. .14 bis 16 enthalten. Die Leitungen . seitig ausgleichen. Die beiden Stromimpulse treffen11 to 13 or .14 to 16 included. The lines. equalize on both sides. The two current pulses hit

der Untergruppen sind über die Torschaltungen 17 an dem Verbindungspunkt der. Hilfsleitungen H1 of the subgroups are via the gates 17 at the connection point of the. Auxiliary lines H 1

bzw. 18 an die Gleichstromquellen 19 bzw, 20 an- und H2 zusammen und fließen: gemeinsam nach demor 18 to the direct current sources 19 or, 20 and H 2 together and flow: together after the

geschlossen. Verbindungspunkt der Wicklungen 1 und 2 derclosed. Connection point of windings 1 and 2 of the

-; Die Speicherkerne K3 bis K9 sind an Kreuzungen 45 nächstfolgenden Kerne 3 und 4 in der gleichen-; The memory cores K 3 to K 9 are cores 3 and 4 following next in the same direction at intersections 45

stellen von Leitungen der ersten Gruppe und Leitun- Speicherreihe.set lines of the first group and line storage row.

gen der zweiten Gruppe angeordnet und bilden auf Wird die Selbstinduktion einer der Wicklungen 1are arranged in the second group and form the self-induction of one of the windings 1

diese Weise eine zweidimensionale Matrix von oder 2 größer gemacht, so verteilt sich der dem Ver-made a two-dimensional matrix of or 2 larger in this way, the

Speicherelementen. Die Kerne an den Kreuzungs- bindungspunkt der. beiden Wicklungen zugeführteStorage elements. The kernels at the crossing point of the. supplied to both windings

stellen einer Leitung der ersten Gruppe und Leitun- 50 Impuls in zwei ungleiche.. Teile. Die magnetischeput a line of the first group and line 50 pulse in two unequal .. parts. The magnetic

gen der zweiten Gruppe bilden eine Speicherreihe* Wirkung der Ströme durch die Hilfsleitungen H1 The second group forms a memory row * Effect of the currents through the auxiliary lines H 1

Die Antiparallelschaltungen der mit den Speicher- und H2 auf die damit gekoppelten SpeicherkerneThe antiparallel connections of the memory cores and H 2 to the memory cores coupled therewith

kernen einer Speicherreihe gekoppelten Hilfsleitung gleichen sich in diesem Falle nicht aus, so daß derCores of a memory row coupled auxiliary line are not balanced in this case, so that the

gen sind mit der gleichen Steuerleitung der ersten Speicherkern in -einer bestimmten Richtung magneticGenes are magnetic in a certain direction with the same control line as the first storage core

Gruppe gekoppelt. In dem Beispiel sind die Anti- 55 siert und der Remanenzzustand entsprechend ein-Group coupled. In the example, the anti- 55 are set and the remanence state is set accordingly.

Parallelschaltungen miteinander in Reihe geschaltet gestellt wird. Wenn die Wirkung des Stroms durchParallel circuits are connected in series with one another. When the effect of the current through

und in Reihe an die betreffende Steuerleitung ange^- die Hilfsleitung H1 vorherrscht, wird der Kern z. B.and in series to the relevant control line ange ^ - the auxiliary line H 1 prevails, the core z. B.

schlossen. ' in den positiven Remanenzzustand geführt, und wennclosed. 'led to the positive remanence state, and if so

Die Kerne 3 und 4 aus magnetisch sättigbarein die Wirkung des Stroms durch die Hilfsleitung H2 Material sind mit den Wicklungen 21 bzw. 22 ver- 60 vorherrscht, gelängt er in den negativen Remanenzsehen, die mit verschiedenen Steuerleitungen verr zustand. Um einen bestimmten Speicherkern, z. B. schiedener Untergruppen der zweiten Gruppe ge- den Kern K2 in einen bestimmten, z. B. positiven koppelt sind. Die Speicherkerne und die zugehörigen Remanenzzustand - zu führen, wird gleichzeitig ein Kerne 3 und 4, die an den .Kreuzungssteilen einer Impuls an die Leitung 5 und-an einer Steuerklemme Leitung der zweiten Gruppe und der Leitungen der 65 der Torschaltung 17 zugeführt, wodurch der Strom ersten Gruppe angebracht sind, bilden eine Speicher- --„ durch die Leitung 12 sich impulsförmig in einen kolonne. Die Wicklungen 21 der Kerne 3 einer Sp'eir Wert zQ umwandelt, der dem Knickin der in F i g. 2 a cherkolonne sind mit der gleichen Steuerleitun^ dargestellten magnetischen Kennlinie -des Kernes 4The cores 3 and 4, made of magnetically saturable material, are dominated by the windings 21 and 22 respectively, when the effect of the current through the auxiliary line H 2 is prevailing, if it gets into the negative remanence state that is interlocked with various control lines. To get a specific memory core, e.g. B. different subgroups of the second group ge the core K 2 in a certain, z. B. positive couples. The memory cores and the associated remanence state - to lead, cores 3 and 4, which at the .Kreuzungsstteile a pulse on the line 5 and-on a control terminal line of the second group and the lines of 65 of the gate circuit 17 is supplied, whereby the Stream first group are attached, form a storage - "through the line 12 pulse-shaped in a column. The windings 21 of the cores 3 converts a Sp'eir value z Q , which corresponds to the kink in the in FIG. 2 a cherkolonne are with the same control line shown magnetic characteristic of the core 4

entspricht. Es tritt dabei keine Induktionsänderung auf, so daß die Schaltzeit des Kernes 4 sehr gering ist. Der Impuls der Leitung 5 wird über die Antiparallelschaltung der mit dem Kern K1 gekoppelten Hilfsleitungen H1 und H2 an den Verbindungspunkt der Wicklungen 1 und 2 an der Kreuzungsstelle der Leitungen 12 und 15 mit der Leitung 5 zugeführt. Der Strom teilt sich über die Wicklungen 1 und 2, wpbei der größte Teil durch die Wicklung 1 fließt, da der durch die Wicklung 2 fließende Strom den Kern 4 entmagnetisiert längs des steilen Teiles der magnetischen Kennlinie, so daß die Wicklung 2 eine hohe Selbstinduktion hat, welche dem Stromdurchgang entgegenwirkt. Die magnetische Wirkung des Stroms durch die Hilfsleitung H1 übertrifft die Wirkung des Stroms durch die Hilfsleitung H2, und der Kern K2 wird in den positiven Remanenzzustand geführt. Die Einstellung des negativen Remanenzzustandes erfolgt auf entsprechende Weise, indem ein Impuls einer Steuerklemme der Torschaltung 18 zugeführt wird, ao wodurch die Wicklung 1 eine hohe Selbstinduktion erhält, die dem Stromdurchgang entgegenwirkt. In diesem Falle ist der Strom durch die Hilfsleitung H2 größer als der Strom durch die Hilfsleitung H1, so 1 " der Kern K2 in negativem Sinne magnetisiertis equivalent to. There is no change in induction, so that the switching time of the core 4 is very short. The pulse of the line 5 is fed via the anti-parallel connection of the auxiliary lines H 1 and H 2 coupled to the core K 1 to the connection point of the windings 1 and 2 at the intersection of the lines 12 and 15 with the line 5. The current is divided over the windings 1 and 2, with the largest part flowing through the winding 1, since the current flowing through the winding 2 demagnetizes the core 4 along the steep part of the magnetic characteristic, so that the winding 2 has a high self-induction which counteracts the passage of current. The magnetic effect of the current through the auxiliary line H 1 exceeds the effect of the current through the auxiliary line H 2 , and the core K 2 is brought into the positive remanence state. The setting of the negative remanence state takes place in a corresponding manner in that a pulse is fed to a control terminal of the gate circuit 18, ao whereby the winding 1 receives a high self-induction which counteracts the passage of current. In this case, the current through the auxiliary line H 2 is greater than the current through the auxiliary line H 1 , so 1 ″ the core K 2 is magnetized in a negative sense

Die Amplitude der Erregung eines Speicherkernes infolge des Unterschieds zwischen den Strömen durch die Hilfsleitungen kann viele Male größer als die Koerzitivkraft gewählt werden, wodurch die Speicherkerne innerhalb sehr kurzer Zeit ihren Remanenzzustand ändern können.The amplitude of the excitation of a storage core due to the difference between the currents through it the auxiliary lines can be chosen many times larger than the coercive force, thereby reducing the memory cores can change their state of remanence within a very short time.

Fig. 2b zeigt eine Hystereseschleife, welche die Beziehung zwischen der Induktion B und dem magnetischen Feld H eines magnetischen Materials veranschaulicht, das sich zur Anwendung in dem Speicher nach der Erfindung eignet. Ein Speicherkern aus einem solchen Material hat die zwei Remanenzzastände P und N. Gemäß der eingangs gegebenen Definition ist das Rechteckverhältnis des Materials gleich dem Verhältnis zwischen der Sättigungsinduktion Bs und der Induktion B1 bei Erregung in entgegengesetztem Sinne durch ein magnetisches Feld —|i?c gleich der halben Koerzitivkraft Hc. Fig. 2c zeigt eine idealisierte Hystereseschleife eines magnetischen Materials mit einem Rechteckverhältnis gleich 1, das sich zur Verwendung in bekannten Speichern eignet. Die Erfindung hat somit noch den Vorteil, daß Kerne mit einem stark von dem Wert 1 abweichenden Rechteckverhältnis anwendbar sind und daß die Speicherkerne aus einem billigeren Material hergestellt werden können.Figure 2b shows a hysteresis loop illustrating the relationship between the induction B and the magnetic field H of a magnetic material suitable for use in the memory according to the invention. A storage core made of such a material has the two remanence states P and N. According to the definition given at the beginning, the rectangular ratio of the material is equal to the ratio between the saturation induction B s and the induction B 1 when excited in the opposite sense by a magnetic field - | i? c is equal to half the coercive force Hc. Fig. 2c shows an idealized hysteresis loop of a magnetic material with a squareness ratio equal to 1, which is suitable for use in known memories. The invention thus also has the advantage that cores can be used with a square ratio that differs greatly from the value 1, and that the storage cores can be produced from a cheaper material.

Beim Ablesen des Remanenzzustandes eines Speicherkernes wird dieser in einen bestimmten, z. B.When reading the remanence state of a memory core this is in a certain, z. B.

den negativen Remanenzzustand gebracht, und die Induktionsänderung des Kernes wird durch eine mit allen Kernen gekoppelten Leseleitung untersucht. Ist ein Kern bereits in dem negativen Remanenzzustand, so wird er in negativem Sinne gesättigt, und nach Beendigung der Erregung kehrt die Induktion zurück in den negativen Remanenzzustand. Die dabei auftretenden Induktionsänderungen sind vorzugsweise minimal, so daß magnetische Materialien mit einem dem Wert 1 nahekommenden Verhältnis zwischen der remanenten Induktion und der Sättigungsinduktion bevorzugt werden. brought the negative remanence state, and the induction change of the nucleus is caused by a with all cores coupled read line examined. If a nucleus is already in the negative remanence state, so it is satiated in a negative sense, and when the excitation is ceased the induction returns back to the negative remanence state. The induction changes that occur are preferred minimal, so that magnetic materials with a ratio close to 1 between remanent induction and saturation induction are preferred.

Claims (1)

Patentanspruch:Claim: Magnetkernspeichervorrichtung mit Speicherkernen aus magnetischem Material, das Remanenz aufweist, und mit wenigstens zwei Gruppen von Leitungen zum Auswählen und Antreiben der Magnetkerne, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Speicherkern in entgegengesetzten Richtungen gekoppelt ist mit zwei durch Parallelschaltung zu einer einzigen Leitung einer ersten Gruppe vereinigten Hilfsleitungen, welche jede mit einem Hilfskern aus magnetisch sättigbarem Material gekoppelt sind, wobei der Leitung der ersten Gruppe unipolare Stromimpulse zugeführt werden, welche in zwei die zwei Hilfsleitungen durchfließende Teilströme aufgespalten werden, welche den Speicherkern in entgegengesetzten Richtungen magnetisieren, wobei jeder Hilfskern mit einer durch einen Vormagnetisierungsstrom durchflossenen Leitung der zweiten Gruppe verbunden ist, welche der magnetischen Wirkung der gegebenenfalls durch einen Teilstrom durchflossenen Hilfsleitung entgegenwirkt und den Hilfskern im Sättigungsbereich einstellt, und wobei Mittel vorhanden sind zur wenigstens teilweisen Aufhebung der Vormagnetisierung des einen oder des anderen zu einem Speicherkern gehörigen Hilfskernes, derart, daß ein durch die mit diesem Hilfskern gekoppelte Hilfsleitung fließender Teilstrom in dem Kern dem Stromdurchgang entgegenwirkende Flußänderungen hervorruft und ein der Leitung der ersten Gruppe zugeführter unipolarer Stromimpuls vorwiegend durch die andere Hilfsleitung fließt und den Speicherkern in den gewünschten Remanenzzustand einstellt.Magnetic core storage device with storage cores made of magnetic material, the remanence having, and at least two groups of lines for selecting and driving the Magnetic cores, characterized in that each memory core in opposite Direction is coupled with two by parallel connection to a single line a first Group united auxiliary lines, which each with an auxiliary core made of magnetically saturable Material are coupled, the line of the first group being supplied with unipolar current pulses which are split into two partial currents flowing through the two auxiliary lines, which magnetize the memory core in opposite directions, each auxiliary core connected to a line of the second group through which a bias current flows is which of the magnetic effect of the possibly flowed through by a partial current Auxiliary line counteracts and sets the auxiliary core in the saturation range, and where Means are available for at least partially canceling the premagnetization of the one or the other auxiliary core belonging to a memory core, such that a through the with this auxiliary core coupled auxiliary line flowing partial current in the core of the current passage causes counteracting flow changes and one of the leadership of the first group The supplied unipolar current pulse flows mainly through the other auxiliary line and the Sets the memory core to the desired remanence state. In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 1 009 237;
USA.-Patentschriften Nr. 2 734182, 2 666 151,
367.
Considered publications:
German Patent No. 1,009,237;
U.S. Patents Nos. 2,734,182, 2,666,151,
367.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2666151A (en) * 1952-11-28 1954-01-12 Rca Corp Magnetic switching device
US2734182A (en) * 1952-03-08 1956-02-07 rajchman
US2768367A (en) * 1954-12-30 1956-10-23 Rca Corp Magnetic memory and magnetic switch systems

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GB983767A (en) 1965-02-17
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