DE1219517B - Schaltungsanordnung zum Betrieb von periodisch betaetigten Transistorschaltern mit induktivem Lastkreis - Google Patents
Schaltungsanordnung zum Betrieb von periodisch betaetigten Transistorschaltern mit induktivem LastkreisInfo
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- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 6
- RVRCFVVLDHTFFA-UHFFFAOYSA-N heptasodium;tungsten;nonatriacontahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[W].[W].[W].[W].[W].[W].[W].[W].[W].[W].[W] RVRCFVVLDHTFFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
- H03K4/60—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor
- H03K4/62—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as a switching device
- H03K4/64—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as a switching device combined with means for generating the driving pulses
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- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
- H03K4/60—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor
- H03K4/62—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as a switching device
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Inta.:
H04n
Deutsche Kl.: 21 al -35/20
Nummer: 1219 517
Aktenzeichen: F 36371 VIII a/21 al
Anmeldetag: 24. März 1962
Auslegetag: 23. Juni 1966
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zum Betrieb von periodisch betätigten
Transistorschaltern mit induktivem Lastkreis und befaßt sich besonders mit Schaltungen zur Erzeugung
von Sägezahnströmen in den Zeilenablenkspulen von Kathodenstrahlröhren.
In Ablenkschaltungen soll der Sägezahnstrom während der Hinlaufzeit linear von einem minimalen
Wert zu einem maximalen Wert ansteigen und während der Rücklaufzeit rasch auf einen minimalen
Wert zurückkippen. Das Hinlauf- und Rücklaufintervall der Ablenkperiode ist durch die Fernsehnorm
vorgeschrieben. Wie bekannt, wird die Dauer des Rücklaufintervalls durch die Zeitkonstante der
Lastinduktivität bei geöffnetem Schalter bestimmt. Bei den bekannten Schaltungen schwingt die in der
Induktivität enthaltene Energie bei einer Öffnung des Schalters am Ende des Hinlaufs unter Aufladung der
der Induktivität parallelliegenden Kapazitäten in die entgegengesetzte Amplitude. Die Rückschwingung in
die vorherige Amplitude wird durch eine parallel zum Schalter liegende Dämpferdiode unterdrückt,
wobei die im Kondensator enthaltene Energie unter Einleitung des Hinlaufvorganges an die induktive
Last zurückgegeben wird. Wenn der Schalter am Beginn des Hinlaufs geschlossen wird, so fließen
daher über ihn zunächst keine oder nur geringfügige Ströme. Erst wenn die Energie des Kondensators
verbraucht ist, wird der Strom vom Schalter übernommen.
Die Erfindung geht von derartigen bekannten Schaltungen aus, bei denen eine Energierückgewinnung
mittels einer Dämpferdiode durchgeführt wird.
Wenn eine solche Schaltungsanordnung mit einem Transistor als Schalter betrieben wird, an dessen
Basis der Schaltimpuls gelegt ist, so ergeben sich auf Grund der Halbleitereigenschaften des Transistors
gewisse Schwierigkeiten. Legt man zur Einleitung des Rücklaufvorganges einen Schaltimpuls von
solcher Richtung an die Basis, daß der Transistor gesperrt wird, so tritt auf Grund der physikalischen
Gegebenheiten eine Abschaltverzögerung dadurch ein, daß die an der Basisschicht angesammelten
Ladungsträger nicht sofort abfließen. Die Schaltverzögerung ist um so kürzer, je höher die Sperrspannung
(= Absaugspannung für die gespeicherten Ladungsträger) gewählt wird. Die Sperrspannung darf
aber nicht unbegrenzt hoch sein. Von den Lieferfirmen
wird eine maximal zulässige Sperrspannung angegeben, deren Überschreitung zwar nicht sofortige
Zerstörung, aber höhere Erwärmung des Transistors und bei weiterer Steigerung der Sperrspannung
Schaltungsanordnung zum Betrieb von
periodisch betätigten Transistorschaltern
mit induktivem Lastkreis
periodisch betätigten Transistorschaltern
mit induktivem Lastkreis
Anmelder:
Fernseh G. m. b. H.,
Darmstadt, Am Alten Bahnhof 6
Fernseh G. m. b. H.,
Darmstadt, Am Alten Bahnhof 6
Als Erfinder benannt:
Hans-Dieter Schneider, Groß-Gerau
punktförmige Durchbrüche der Sperrschicht herbeiführt, die früher oder später den Transistor unbrauchbar
machen. Da aber für die Funktion der Ablenkschaltung eine möglichst unverzögerte Rück-
ao laufzeit und für die Durchlaßphase des Schalttransistors eine zur völligen Durchschaltung ausreichende
Steuerspannung (Sättigungsspannung) benötigt würde, war man in der Praxis gezwungen, die maximal zulässige
Sperrspannung zu überschreiten oder die
as Schwierigkeiten durch Erzeugung einer geeigneten
Vorspannung für die Basis zu umgehen.
Man hat bei solchen Schaltungsanordnungen die Vorspannung der Steuerelektrode des ^φαΐίίτάϊ^
sistors entweder aus einer Batterie entnommen, wobei das Risiko einer Zerstörung des Endtransistors bei
Ausfallen der Schaltspannung von der Vorstufe in Kauf genommen wurde, oder sie mittels eines
c, ÄC-Kreises und einer Diode (sogenannte Schwarz-"
steuerung) erzeugt. In dem letzteren Fall ist der
Arbeitspunkt nur auf unbequeme Weise beeinflußbar, da die Zeitkonstantenglieder des 2?C-Kreises wegen
der Differenzierung des Schaltimpulses und der damit verbundenen Gefahr einer Übersteuerung der
Emitterbasis-Dioden-Strecke sehr reichlich dimensioniert werden müssen, daher einen relativ großen
Anteil der Steuerenergie verbrauchen und überdies temperaturempfindlich sind. Zum anderen gestattet
eine solche Einstellung des Arbeitspunktes nicht die Ausnutzung der maximal zulässigen (vom Hersteller
angegebenen) Sperrspannung an der Basisemitterdiode, ohne den Transistor zu gefährden, d. h., die
kürzestmögliche Rekombinationszeit der Sperrschicht des verwendeten Transistors kann nicht ausgenutzt
werden. Dies bedeutet insbesondere bei Ablenkschaltungen, daß die zum Abbau des Feldes zur Verfügung
stehende Zeit unnötig verkürzt wird. Außerdem kann auch in der für die Schwarzsteuerung
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verwendeten Diode eine Ansprechverzögerang wirksam werden, was gleichfalls eine Differentiation des
Sperrimpulses zur Folge hat.
Alle diese Schwierigkeiten haben die Einstellung einer zuverlässigen Betriebsweise sehr erschwert,
während die Ausnutzung der vollen Schaltleistung ohne Überbeanspruchung und unter Umständen vorzeitige
Zerstörung des Transistors nicht erreicht werden konnte.
Es wurde gefunden, daß diese Schwierigkeiten zum großen Teil davon herrühren, daß die Form und
das Tastverhältnis des Schaltimpulses für das gewünschte Verhalten der Schaltung ungünstig gewählt
wurden. Vielfach hat man dem Steuerimpuls den von Röhrenschaltungen' "mit Schalterbetrieb gewohnten
Verlauf gegeben, bei dem die Sperrphase etwa gleich dem Rücklaufintervall und die Schließungsphase
gleich dem Hinlaufinterväll gewählt wurde, wie an den folgenden Beispielen gezeigt wird.
Bei einer bekannten Ablenkschaltung (USA.-Patentschrift 2962 626)-mit Schalttransistor wurde
zur Verkürzung der Ausschaltverzögerung ein Steuerimpuls verwendet, der während der Hinlaufzeit einen
konstanten Wert zur Schließung des Schalters, während eines ersten Teiles der Rücklaufzeit einen hohen
Sperrspannungswert-und-während der übrigen Zeit der Rücklaufzeit den Wert Null besitzt. Diese Spannung
wurde durchdie Sekundärwicklung eines Transformators unmittelbar an Emitterbasis des Transistors
gelegt. Bei dieser Schaltung tritt der bei der Erfindung zu vermeidende Nachteil in verstärktem
Maße ein... Da an dem Trafoausgang eine reine Wechselspannung liegt, so müssen die.oberhalb und
unterhalb der Nullinie liegenden Spannungsflächen flächengleich sein, damit der Mittelwert Null ist. Das
bedeutet also, daß bei Einhaltung der maximal zulässigen Sperrspannung des Transistors die Schließungsspannung
zu klein und weit entfernt von der Sättigungsspannung ist, was notwendig zur Erwärmung
des Transistors wegen des zu hohen Wider-Standes der Kollektor-Emitter-Strecke .führt,, oder
aber, wenn der Transistor während des Einlaufs bis zur Sättigungsspannung durchschalten soll, daß die
maximal zulässige Sperrspannung weit überschritten wird. Diese Arbeitsweise ist daher unzweckmäßig,
weil sie die Betriebsdaten des Transistors schlecht ausnutzt bzw. ihn gefährdet. Der gleiche Nachteil wird
bei einer anderen bekannten Schaltung erhalten, (»Electronics« vom 14. 8.1959, S. 60 bis 63) bei der
in Reihe mit der Sekundärwicklung des Transistors ein i?C-Kreis liegt, welcher zwar eine Vorspannung
liefert, aber den von der Vorstufe gelieferten Schalt- · impuls differenziert und damit eine Aussteuerung der
Emitterbasisstufe .über die zulässige Sperrspannung hinaus bis zum Durchbruch bewirkt. Bei dieser Betriebsweise
wird zwar die als Sperrschwinger ausgebildete Vorstufe wirksam gedämpft, jedoch der End- transistor
unzulässig belastet.
Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß bei Transistorschaltern mit induktivem Lastkreis, bei
denen eine Dämpferdiode parallel zum Lastkreis gelegt ist,, das Tastverhältnis des Schaltimpulses nicht
notwendig gleich dem Verhältnis der Hinlaufzeit zur Rücklaufzeit gewählt ,werden muß, da der Schalter
während des Hinlaufs erst dann geschlossen werden muß, wenn die in dem Speicherkondensator enthaltene
Rücklaufenergie verbraucht ist, daß daher dieses Tastverhältnis, so gewählt werden kann, daß
einerseits die" maximal zulässige Sperrspannung nicht überschritten, andererseits die zur vollständigen
Durchschaltung des Schalters erforderliche Schließungsspannung eingestellt werden kann.
Zur Überwindung der oben geschilderten Schwierigkeiten wird daher bei einer Schaltungsanordnung
zürn Betrieb von periodisch betätigten Transistorschaltern mit induktivem Lastkreis, insbesondere zur
Speisung von Ablenkspulen von Kathodenstrahlröhren, bei der eine Dämpferdiode parallel zum Lastkreis
vorgesehen ist und die Steuerspannung mittels der Sekundärwicklung eines Transformators direkt
an Emitter und Basis des Transistors gelegt ist, erfindungsgemäß die Sperramplitude des Steuerimpulses
gleich der maximal zulässigen Sperrspannung, die Öffnungsamplitude desselben entsprechend einer Zeitfunktion
der zur Sättigung erforderlichen Spannung, gegebenenfalls als konstante Spannung eingestellt,
und wird das Produkt Sperrzeit mal maximal zulässiger Sperrspannung gleich dem Integral über die
Zeitfunktion der Öffnungsspannung, erstreckt über das Öffnungsintervall, gewählt.
Die freie Verfugung über das Tastverhältnis, die einen Schließungsimpuls an die Basis zu legen gestattet,
wenn die gespeicherte Rücklaufenergie noch nicht vollständig aus der Induktivität abgeflossen ist,
ist möglich, weil die Emitter-Kollektor-Strecke in diesem Zeitintervall einen relativ hohen Widerstand
im Vergleich mit der Dämpferdiode bietet.
Durch diese Maßnahme wird erreicht, daß mit einer kleinen Steuerleistung und geringem Schaltaufwand
die . kürzestmögliche Rekombinationszeit bei gleichzeitiger Einhaltung der vorgeschriebenen
Maximalsperrspannung erzielt wird. Diese Betriebsweise ist besonders vorteilhaft bei Verwendung von
Transistoren mit relativ geringer Durchschlagfestigkeit der Basis-Emitter-Streckej z. B. vom.Diffusionslegierungstyp,
da eine Übersteuerung durch positive Differenzierspitzen, wie sie bei der Schwarzsteuerung
auftreten kann, mit Sicherheit vermieden wird. Nach einer ,Weiterbildung kann die Steuerleistung dadurch
weiter vermindert werden, daß der Verlauf des Öffnungsimpulses an der Steuerelektrode entsprechend
der zur Sättigung des Ausgangsstroms erforderlichen Funktion Ust — ft verläuft und das Tastverhältnis
T τ
■"· ges ■*■ 1
aus der Gleichung
Jf(I)Ut = A-T1
τ,
entnommen wird. rges ist die gesamte Impulsdauer.
Es ist günstig, den zur Steuerung des Halbleiterschalters dienenden Schaltimpuls in einer Vorstufe
zu erzeugen, in der das Tastverhältnis des Synchronimpulses durch Aufladung eines Kondensators auf
die gewünschte Größe gebracht wird. Wenn z. B. die Sperrspannung an der Steuerelektrode A Volt und
die Öffnungsspannung zur Sättigung des Kollektorstroms maximal B Volt beträgt, so wird erfindungsgemäß
bei einer Schaltperiode 2"ges das Verhältnis der
Sperrzeit T1 zur Öffnungszeit T2, das sogenannte
Tastverhältnis -φ- gleich -=- gewählt. Bei einer sägezahnförmig
bis zu einem Potential B anwachsenden
Sättigungsspannung an der Steuerelektrode kann das kann auch an Stelle des i?C-Gliedes 2, 3 eine
Tastve« Abetragen. Durch eine solche WaM 2£^ΪΑ
des Tastverhältnisses wird bei einer direkten trans- elektrode des Schalters 4 gelegt und diese über eine
formatorischen Ankopplung der Schaltimpulse er- 5 Diode mit dem Emitter verbunden ist. In beiden
reicht, daß sich der richtige Arbeitspunkt auf der Fällen ergeben sich Schwierigkeiten zur richtigen
Steuerkennlinie automatisch einstellt und die zur Bemessung des Steuerkreises, welcher so beschaffen
optimalen Abführung der Ladungsträger erforder- sein muß, daß einerseits zur Abführung der Restliche
Steuerspannung während der ganzen Sperrphase ladungen die erforderliche Sperrspannung eingehalten
am Transistor liegt. Es ist ferner vorteilhaft, die io wird und andererseits die Amplitude der Öffnungs-Form
des Sperrimpulses an der dem folgenden Öff- spannung während der Zeit T" (Fig. 2d) hinnungsimpuls
zugekehrten Flanke abzuschrägen. reichend zur Sättigung des Transistorschalters ist.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird nun In der Einleitung wurde dargelegt, daß die Gefahr
auf. die Zeichnungen Bezug genommen. Es zeigt einer Differenzierung des Synchronimpulses im
Fig. 1 eine bekannte Schaltung, 15 Steuerkreis und damit einer Überschreitung der zu-
Fig. 2a, 2b, 2c, 2d eine Folge von Diagrammen lässigen Sperrspannung zur Verwendung eines sehr
zur Veranschaulichung der Arbeitsweise von Tran- reichlich bemessenen Kondensators 2 im Steuerkreis
sistorschaltern mit induktivem Lastkreis, führt, der als Elektrolytkondensator ausgeführt sein
Fig. 3a, 3b zwei Diagramme zur Charakterisie- muß und demgemäß zeitlichen Veränderungen und
rung der erfindungsgemäßen Betriebsweise, 20 Temperatureinflüssen unterworfen ist. Es ist dagegen
Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel der erfindungs- möglich, bei Verwendung der erfindungsgemäßen
gemäßen Schaltungsanordnung, Lehre die Sekundärwicklung des Transformators 1
. F i g. 5 a, 5 b Betriebsdiagramme zur Kennzeich- direkt an die Basis und den Emitter des Schalters 4
nung der Arbeitsweise der in Fig. 4 gezeigten Vor- anzuschließen (s. Fig. 4), wenn man das Tastverstufe.
25 hältnis des Steuerimpulses in geeigneter Weise wählt.
;Fig. 1 stellt ein Prinzipschaltbild einer typischen Wenn z.B. die in Fig.3 gezeigte Amplitude^
Endstufe einer Ablenkschaltung dar, in der der gerade die zur Sperrung des Transistors 4 maximal
Transistor 4 als Schalter und die Spule 6 als induk- zulässige Sperrspannung und B die erforderliche
üve Last wirken. Die am Transformator 1 auftreten- Öffnungsspannung ist, so soll das Tastverhältnis T1
den Synchronimpulse schalten in ihrer negativen 30 zu T2 so gewählt werden, daß das Produkt T1 · A
Phase den Halbleiterschalter 4 an die Spule 6, wobei gleich dem Produkt T2 · B ist. In diesem Fall stellt
die Diode 5 gesperrt ist. Durch den Halbleiterschalter sich an der Sekundärseite des Transformators 1 der
und die Spule fließt ein Strom mit dem Verlauf nach Arbeitspunkt des Transistors 4 von selbst auf den
der Kurve der Fig. 2b. Während der Zeit I1 richtigen Wert ein. Zum Beispiel beträgt die Sperr-(Fig.
2a) sind der Schalter 4 und die Diode 5 durch 35 spannung eines bekannten Transistors mit der Typendie
Impulsspannung nach der Kurve der F i g. 2 a ge- bezeichnung2N1046 maximal +1,5VoIt und die
sperrt. Das in der Spule 6 erzeugte Magnetfeld baut Sättigungsspannung maximal —0,8 Volt. In diesem
sich ab, und die eingespeiste Energie schwingt in Fall wird man das Tastverhältnis T1 zu T2 ungefähr
Form einer Sinusschwingung aus, deren negative wie 1:1,9 wählen. Es kann zweckmäßig sein, die
Halbwelle während der Zeit tt andauert und am Ende 4° Rückflanke des Sperrimpulses T1 in der in F i g. 3 a
des Synchronimpulses durch Null geht, um dann po- gezeigten Weise etwas abzuschrägen. Andererseits ist
sitiv überzuschwingen. Zu diesem Zeitpunkt öffnet es bei Zeilenablenkschaltungen vorteilhaft, den Verdis
Diode5 etwa bis zur Zeit T (Fig. 2d), und in lauf der Öffnungsspannung während T2 annähernd
ihr fließt ein Strom entsprechend Fig. 2c. Wäh- sägezahnförmig zu wählen, um ihn dem sägezahnrend
T" ist wieder der Schalter4 geöffnet und die 45 förmigen Sättigungsstromverlauf (s.Fig.2d) anzu-Diode5
gesperrt. Der Zyklus beginnt damit von passen. In diesem Fall gilt dann wegen der Haineuem. Der Spulenstrom der Spule 6, wie er in bierung der in F i g. 3 a unterhalb der Nullinie ge-Fig.
2d gezeigt ist, setzt sich aus den beiden Teil- zeigten Fläche T2 · B, daß nunmehr 2A-T1 gleich
strömen nach den Fig. 2b und 2c zusammen. Der B · T2 sein muß, d. h., daß sich die Sperrimpulsdauer
während T in Fig. 2 b in Abschnitt T1 gezeigte Rest- 50 noch weiter verkürzt. Hierdurch wird mit Sicherheit
strom soll andeuten, daß der Halbleiterschalter 4 vermieden, daß die Länge des Sperrimpulses T1 etwa
noch einen geringen Teil des Rückstroms aufnimmt. die Dauer der in Fig.2d gezeigten Sperrzeit T
Dies ist bei bilateralen oder symmetrischen Halb- überschreitet. Diese Dauer ist im wesentlichen durch
leitern der Fall. Die Ströme teilen sich dann ent- die ohmschen Verluste in der Spule 6 bestimmt,
sprechend den Innenwiderständen von Schalter und 55 Diese Verluste sind jedoch bei den üblichen Zeilen-Diode
auf. Durch geeignete Schaltungsmaßnahmen, ablerikschaltungen so klein, daß eine Überschreitung
z. B. transformatorische Ankopplung der Diode, läßt der Sperrzeit T durch den ^-Impuls auch bei
sich jedoch erreichen, daß auch bei diesen Halbleiter- rechteckigem Verlauf der Öffnungsspannung an der
schaltern der Rückstrom im wesentlichen von der Basis des Schalters 4 nicht in Betracht kommt.
Diode aufgenommen wird. Vorzugsweise wird zur 60 Die Erzeugung eines Impulses von einem erfin-Durchführung der Erfindung ein Halbleiterschalter dungsgemäß festgelegten Tastverhältnis kann beiverwendet, der diese quasisymmetrischen Eigen- spielsweise mit einer Schaltung gemäß F i g. 4 in den schäften nicht oder nur in geringem Maße aufweist. Transistorvorstufen 9, 13 und 14 erfolgen. In dieser
Diode aufgenommen wird. Vorzugsweise wird zur 60 Die Erzeugung eines Impulses von einem erfin-Durchführung der Erfindung ein Halbleiterschalter dungsgemäß festgelegten Tastverhältnis kann beiverwendet, der diese quasisymmetrischen Eigen- spielsweise mit einer Schaltung gemäß F i g. 4 in den schäften nicht oder nur in geringem Maße aufweist. Transistorvorstufen 9, 13 und 14 erfolgen. In dieser
Eine erhebliche Bedeutung für einen sicheren Be- Schaltung wird ein Kondensator 12 über einen
trieb der Schaltung und für eine Temperaturunab- 65 Widerstand 11 aufgeladen und durch einen Öffnungs-
hängigkeit spielt der Steuerkreis des Schalters 4, der impuls an dem Transistor 9 schlagartig entladen. Die
in F i g. 1 durch die Sekundärwicklung des Transfer- an dem Emitter der nachfolgenden Verstärkerstufe
mators 1 und das ÄC-Glied 2, 3 gebildet wird. Man 13 auftretende Spannung gibt von diesem Spannungs-
Claims (1)
- 7 8verlauf,nur.einen begrenztenTeil wieder, da infolge Patentansprüche·
der Übersteuerung des Transistors 13 ein großer Teil ' ' .
der'Sp'annungsamplitude am Kondensator 12 abge- ... 1. Schaltungsanordnung zum Betrieb von schnitten wird, .' - . periodisch betätigten Transistorschaltern mit in-In Fi g. 5 a ist der Verlauf des- Synchronimpulses 5 duktivem Lastkreis, insbesondere zur Speisung von gezeigt, der eine Kurzzeitige Entladung des Kon- . Ablenkspulen von Kathodenstrahlröhren, bei der densators 12 bewirkt. Das dabei erfolgende rasche die Steüerspannung mit dem Basis-Emitter-Kreis Ansteigen auf.positive Spannung-und das langsame des Schalttransistors transformatorisch gekoppelt Abfallen ist in dem gestrichelten Teil der Kurve ge- . und eine Dämpferdiode parallel zum Lastkreis maß Fig. 5 wiedergegeben. Das Tastverhältnis T1, io vorgesehen ist und ferner die Sekundärwicklung T2 ist allein-durch die Größe der Zeitkonstante der des Transformators direkt mit Emitter und Basis ÄC-Kombinätion 11, 12 bestimmt. Diese kann durch des Transistors verbunden ist, dadurch geRegeln des Widerstandes 11 in dem erforderlichen kennzeichnet, daß die Sperramplitude des Maße eingestellt werden. Der erzeugte Impuls wird Steuerimpulses gleich der maximal zulässigen mit einem Gleichstromverstärker 14 auf die vorge- 15 Sperrspannung, die Öffnungsamplitude desselben schriebene Amplitude, gebracht, die sich aus dem eine Zeitfunktion der zur Sättigung erforderlichen Übersetzungsverhältnis; des Transformators 1 und der Spannung, gegebenenfalls eine konstante Span-Summe'"der maximalen Sperrspannung A und der nung ist und daß das Produkt: Sperrzeit-(T1) mal erforderlichen Öffnungsspannung B berechnen läßt. maximal zulässige Sperrspannung gleich dem Die-in F Xg. 4 gezeigte Schaltung liefert - diesen 20 Integral über die Zeitfunktion der Öffnungsspan-Schältimpuls in dem gewünschten Tastverhältnis mit nung, erstreckt über das Öffnungsintervall (T2), einfachen und zugleich «ehr temperaturstabilen Mit- ist.teln. Die Zeitkonstante U, 12 des Steuerkreises kann '2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, da-aus einem-Trockenkondensator 12 und einem tempe- durch gekennzeichnet, daß das Produkt ausraturstabilen Widerstandll- gebildet werden. Die 25 Sperrzeit und maximal zulässiger SperrspannungTransistoren 9,13 und 14 sind billige.Schaltelemente gleich dem Produkt aus Öffnungszeit mal derkleiner Leistung· . - - . ... maximal erforderlichen Öffnungsspannung ist.In einer praktischen Schaltung zur Erzeugung des 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, da-Zeilenablenkstroms einer Orthikonkameraröhre für durch gekennzeichnet, daß das TastverhältnisFernsehgeräte wurden folgende Schaltelemente ver- 30 Sperrzeit zu Öffnungszeit der Schaltspannungwendet: * ' .-, - - des Transistors bei sägezahnförmig verlaufenderTraTi«:ktnr-4' ■ 2N1046 Öffnungsspannung gleich dem Verhältnis der■ . - λ - · - ■ 9 OA17 maximal erforderlichen Öffnungsspannung zu derTransistor 9 .............. L bA 1 / doppelten maximal zulässigen Sperrspannung ist.Transistor 13 .-... OC141 35 4. Schaltungsanordnung nach einem der vor-Trahsistor 14 ' AC124 hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,.-/'""""""-"' - daß die Impulsflanke zwischen Sperr- undKondensator 8 '.......·.....'. 0,1 μΡ Öffnungsimpuls abgeschrägt, die zwischen--■ Kondensator 12 ......:.... OjI μΡ - Öffnungs- und Sperrimpuls aber möglichst steil■ ; ^K&hdensator 17 ..,........ 100 jxF ^ Schaltungsanordnung nach einem der vor-DiodeS OA5 hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich-Diode 10 OA 31 ' net' ^^ ^as Tastverhältnis in einem von den...·"■■.■■' ..··· Synchronimpulsen gesteuerten SägezahngeneratorWiderstandll. 3,3 kQ 45 mit variabler Zeitkonstante durch Aufladung• Widerstand 15 .· · 1 kQ eines Kondensators einstellbar und die AmplitudeT.V--J r- ,,, -■-.'· mi η ■ in einer nachfolgenden Begrenzerstufe auf einen. Widerstand 16 ·.,.;....,,:. 50-kQ konstanten Wert begrenzt istTransformator 1 T _. . ' , . . ~~~ZT , , .^• -50 . In Betracht gezogene Druckschriften:... . Wicklungsverhältnis. . .. USA.-Patentschrift Nr. 2 962 626;primär zu sekundär = 75: 6 »Electronics«, 14. August 1959, S. 60 bis 63.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen609 580/266 6.66 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL290577D NL290577A (de) | 1962-03-24 | ||
DEF36371A DE1219517B (de) | 1962-03-24 | 1962-03-24 | Schaltungsanordnung zum Betrieb von periodisch betaetigten Transistorschaltern mit induktivem Lastkreis |
FR928594A FR1356505A (fr) | 1962-03-24 | 1963-03-20 | Dispositif de commande pour commutateurs à transistors à action périodique avec circuit de charge inductif |
US267889A US3204145A (en) | 1962-03-24 | 1963-03-21 | Circuit arrangement for operating a periodically activatable switching transistor |
GB11654/63A GB1026137A (en) | 1962-03-24 | 1963-03-25 | Circuit arrangement for generating a sawtooth current in an inductive load |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEF36371A DE1219517B (de) | 1962-03-24 | 1962-03-24 | Schaltungsanordnung zum Betrieb von periodisch betaetigten Transistorschaltern mit induktivem Lastkreis |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1219517B true DE1219517B (de) | 1966-06-23 |
Family
ID=7096419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEF36371A Pending DE1219517B (de) | 1962-03-24 | 1962-03-24 | Schaltungsanordnung zum Betrieb von periodisch betaetigten Transistorschaltern mit induktivem Lastkreis |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3204145A (de) |
DE (1) | DE1219517B (de) |
GB (1) | GB1026137A (de) |
NL (1) | NL290577A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6512106A (de) * | 1965-09-17 | 1967-03-20 | ||
US3439219A (en) * | 1967-03-06 | 1969-04-15 | Bunker Ramo | Beam control circuit |
NL6708465A (de) * | 1967-06-17 | 1968-12-18 | ||
JPS50145840A (de) * | 1974-05-11 | 1975-11-22 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2962626A (en) * | 1959-08-18 | 1960-11-29 | Philco Corp | Deflection system for a cathode ray tube |
-
0
- NL NL290577D patent/NL290577A/xx unknown
-
1962
- 1962-03-24 DE DEF36371A patent/DE1219517B/de active Pending
-
1963
- 1963-03-21 US US267889A patent/US3204145A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-03-25 GB GB11654/63A patent/GB1026137A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2962626A (en) * | 1959-08-18 | 1960-11-29 | Philco Corp | Deflection system for a cathode ray tube |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL290577A (de) | |
GB1026137A (en) | 1966-04-14 |
US3204145A (en) | 1965-08-31 |
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