DE1186510B - Matrix memory for storing unchangeable characters - Google Patents
Matrix memory for storing unchangeable charactersInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL
Internat. Kl.: H 03 kBoarding school Class: H 03 k
Deutsche Kl.: 21 al-37/60 German class: 21 al -37/60
Nummer: 1186 510Number: 1186 510
Aktenzeichen: N 21553IX c/21 alFile number: N 21553IX c / 21 al
Anmeldetag: 8. Mai 1962 Filing date: May 8, 1962
Auslegetag: 4. Februar 1965Opening day: February 4, 1965
Die Erfindung bezieht sich auf einen Matrizenspeicher zur Speicherung unveränderlicher Zeichen mit einer Anzahl Kerne aus magnetisierbarem Werkstoff großer Remanenz und zumindest zwei Gruppen von elektrischen Leitern, die mit den Kernen in der Weise verkettet sind, daß Ströme in einer ersten und einer zweiten Gruppe von Leitern magnetische Felder in den Kernen erregen können, wobei einzelne Kerne des Speichers durch aufgebrachte, jeweils einen Kern umfassende Kurzschlußstrombahnen mit kleinem Ohmschen Widerstand unwirksam gemacht sind.The invention relates to a matrix memory for storing invariable characters with a number of cores made of magnetizable material with high remanence and at least two groups of electrical conductors which are linked to the cores in such a way that currents in a first and a second group of conductors can excite magnetic fields in the cores, with individual Cores of the memory by applied short-circuit current paths, each comprising a core small ohmic resistance are made ineffective.
Matrizenspeicher dieser Art werden in unterschiedlichen datenverarbeitenden Systemen, wie elektronischen Rechenmaschinen oder elektronischen Steuersystemen, zur Lieferung von unveränderlichen Kombinationen von Bits angewandt. Die Lieferung eines bestimmten unveränderlichen Zeichens wird dadurch eingeleitet, daß ein Strom durch einen bestimmten Leiter, beispielsweise einen zu einer ersten Gruppe gehörenden Leiter, fließt. Es werden dann nur in den Leitern einer zweiten Gruppe, die das von dem Strom in dem erwähnten Leiter der ersten Gruppe in einem nicht unwirksam gemachten Kern erregte Feld umfassen, Spannungen induziert. Unwirksam gemachte Kerne induzieren keine Spannungen. Matrix memories of this type are used in different data processing systems, such as electronic calculating machines or electronic control systems, for the supply of immutable Combinations of bits applied. The delivery of a certain immutable character will initiated by a current through a certain conductor, for example one to a first Group belonging ladder, flows. There will then only be in the leaders of a second group that the the current in the mentioned conductor of the first group in a core which has not been rendered ineffective include excited field, induced voltages. Ineffective cores do not induce stresses.
In einer ersten bekannten Ausführung eines solchen Speichers ist die Matrize, mit Ausnahme der ringförmigen Kerne, in einer flachen Platte aus Kunststoff eingebettet. Jeder Kern befindet sich in einer zylindrischen Öffnung der Kunststoffplatte, die in horizontaler Lage montiert ist. An ihrer Unterseite liegt eine steife Lochkarte, die unterhalb jeder Öffnung, in der sich ein unwirksam zu machender Kern befindet, mit einem Loch versehen ist. Unter der Lochkarte ist ein elastischer, mit Quecksilber gefüllter Behälter angeordnet. Dieser Behälter wird in solcher Weise und in solchem Maße deformiert, daß das Quecksilber in die Öffnungen der Kunststoffplatte, unter denen sich ein Loch in der Lochkarte befindet, eintritt, ohne aber die Oberseite der Platte zu erreichen. Das Quecksilber wirkt wie eine Kurzschlußwindung für jeden Kern, der sich in einer Öffnung befindet, in die das Quecksilber durch ein Loch in der Lochkarte hineintreten kann. Demzufolge werden die Kerne in den Öffnungen, unter denen sich ein Loch in der Lochkarte befindet, unwirksam gemacht.In a first known embodiment of such a memory, the die is, with the exception of the ring-shaped cores, embedded in a flat plastic plate. Every core is in a cylindrical opening of the plastic plate, which is mounted in a horizontal position. At their bottom lies a stiff punch card, which is underneath each opening in which an ineffective Core is provided with a hole. Under the punch card is an elastic one, with mercury filled container arranged. This container is deformed in such a way and to such an extent that that the mercury in the openings of the plastic plate, under which there is a hole in the punch card is located, but does not reach the top of the plate. The mercury acts like one Short-circuit turn for each core, which is located in an opening into which the mercury passes Hole in the punch card can enter. As a result, the cores in the openings are below with a hole in the punch card, made ineffective.
In einer anderen Ausführungsform ist jeder Kern mit einer speziellen Wicklung versehen, die mittels
eines Stöpsels kurzgeschlossen werden kann, der in Matrizenspeicher zur Speicherung
unveränderlicher ZeichenIn another embodiment, each core is provided with a special winding that can be short-circuited by means of a plug that is placed in the die store for storage
immutable sign
Anmelder:Applicant:
N. V. Hollandse Signaalapparaten, Hengelo
(Niederlande)NV Hollandse Signalapparaten, Hengelo
(Netherlands)
Vertreter:Representative:
Dipl.-Ing. W. Scherrmann, Patentanwalt,Dipl.-Ing. W. Scherrmann, patent attorney,
Eßlingen/Neckar, Fabrikstr. 9Eßlingen / Neckar, Fabrikstr. 9
Als Erfinder benannt:
Anthonius Maria Schulte, Delden;
Johannes Steenberg, Enschede (Niederlande)Named as inventor:
Anthonius Maria Schulte, Delden;
Johannes Steenberg, Enschede (Netherlands)
Beanspruchte Priorität:Claimed priority:
Niederlande vom 10. Mai 1961 (264643)Netherlands 10 May 1961 (264643)
eine einem solchen Kern zugeordnete Kontaktvorrichtung eingeführt werden kann.a contact device associated with such a core can be introduced.
In einer weiteren Ausführungsform kann jeder Kern mittels eines kleinen Permanentmagneten unwirksam gemacht werden. Diese bekannten Matrizenspeicher können wohl vielfältigen Programmen oder Gruppen von fest zu speichernden Worten angepaßt werden, so daß keine speziellen, einem solchen Programm angepaßten Speicher gewickelt zu werden brauchen, doch sind sie nicht universell brauchbar. Die erste Ausführung, die mit Quecksilber arbeitet, hat den Nachteil, daß der Speicher immer genau in horizontaler Lage montiert werden muß, obwohl die Isolierstoffplatten, welche die Schaltelemente der datenverarbeitenden Systeme tragen, fast immer in vertikaler Lage angeordnet werden, unter anderem deshalb, weil dadurch die Kühlung verbessert und der Staubniederschlag vermindert wird.In a further embodiment, each core can be ineffective by means of a small permanent magnet be made. These known matrix memories can be used for a wide range of programs or groups of permanently stored words can be adapted so that no special, one Such program-adapted memories need to be wound, but they are not universal useful. The first version, which works with mercury, has the disadvantage that the memory must always be mounted exactly in a horizontal position, although the insulating material which the The switching elements of the data processing systems are almost always arranged in a vertical position among other things because it improves cooling and reduces dust precipitation will.
Überdies muß die Horizontalstellung ziemlich genau einjustiert werden, damit das Quecksilber nicht an der niedrigsten Seite der Platte über den Rand einer mit Quecksilber gefüllten öffnung in eine andere öffnung, die kein Quecksilber enthalten darf, fließen kann, sowie um zu verhüten, daß an der höchsten Seite der Platte das Quecksilber in den Öffnungen so niedrig steht, daß keine kurzgeschlos-In addition, the horizontal position must be adjusted fairly precisely so that the mercury not on the lowest side of the plate over the edge of a mercury-filled opening in another opening, which must not contain mercury, can flow, as well as to prevent it from opening the highest side of the plate the mercury in the openings is so low that no short-circuited
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sene Strombahn entsteht. Auch ist dieser Matrizenspeicher nicht für transportable Geräte geeignet. Er muß sogar besonders erschütterungsfrei aufgestellt werden, damit nicht unter der Einwirkung von Erschütterungen das Quecksilber aus den Öffnungen an der Oberseite austritt und in andere Öffnungen eintritt, die kein Quecksilber enthalten dürfen. Daneben müssen Maßnahmen getroffen werden, um auszuschließen, daß das Quecksilber zwischen der Karte und der Kunststoffplatte durchfließt und in eine Öffnung gelangt, unter der sich kein Loch in der Lochkarte befindet. Zu diesem Zwecke können Dichtungen sowie Mittel zum Anpressen der Karte wie auch das Festkleben der Karte erforderlich sein. Überdies sind Maßnahmen erforderlich, die verhindern, daß Quecksilber aus dem Matrizenspeicher austritt und Kurzschlüsse sowie chemische Beschädigungen in anderen Teilen der Schaltung verursacht.This current path is created. This matrix memory is also not suitable for transportable devices. He must even be set up particularly vibration-free, so that not under the influence of vibrations the mercury leaks from the top openings and into other openings which must not contain mercury. In addition, measures must be taken to rule out that the mercury flows through between the card and the plastic plate and into an opening comes under which there is no hole in the punch card. For this purpose you can Seals and means for pressing the card as well as gluing the card may be required. Measures are also required to prevent mercury from escaping from the matrix memory leaks and causes short circuits and chemical damage to other parts of the circuit.
Die beiden anderen Ausführungsformen haben den Nachteil, daß die Stöpsel und die Kontakte bzw. die Haltevorrichtungen für die Permanentmagnete verhältnismäßig viel Platz erfordern, und zwar mehr, als in einem modernen Matrizenspeicher mit den heute übliches kleinen Ringkernen ohne weiteres zur Verfügung steht. Ein solcher Speicher muß demnach größer gebaut werden als es den Abmessungen der Ringkerne entspricht.The other two embodiments have the disadvantage that the plug and the contacts or the Holding devices for the permanent magnets require a relatively large amount of space, more than in a modern matrix memory with the small toroidal cores customary today stands. Such a memory must therefore be built larger than the dimensions of the Corresponds to toroidal cores.
Daneben sind diese bekannten Ausführungen bedeutend teurer als die Ausführung einer normalen Matrize zur Speicherung veränderlicher Daten.In addition, these known designs are significantly more expensive than the design of a normal one Matrix for storing variable data.
Der erfindungsgemäße Matrizenspeieher vermeidet alle diese Unannehmlichkeiten. Erfindungsgemäß ist der Matrizenspeicher in solcher Weise ausgeführt, daß die Kurzschlußstrombahnen jeweils aus einer den jeweiligen Kernen umfassenden und ihn zumindest teilweise bedeckenden, fest haftenden Schicht aus einem elektrisch leitenden Werkstoff nach Art einer elektrisch leitenden Farbe bestehen.The die spreader according to the invention avoids all of these inconveniences. According to the invention, the matrix memory is designed in such a way that that the short-circuit current paths each comprise one of the respective cores and at least it partially covering, firmly adhering layer made of an electrically conductive material according to Art an electrically conductive paint.
Der neue Matrizenspeicher kann in jeder Lage montiert sein; er ist unempfindlich gegen Erschütterungen und damit für transportable Geräte geeignet. Da er keinerlei Flüssigkeit enthält, ist auch nicht zu befürchten, daß Flüssigkeit aus dem Speicher austreten und in andere Teile des Systems gelangen könnte. Bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Matrize kann von einer verhältnismäßig billigen, handelsüblichen Normalausführung eines Matrizenspeichers zur Speicherung veränderlicher Daten aasgegangen werden, was zu einer bedeutenden Kostenersparnis führt.The new matrix memory can be mounted in any position; it is insensitive to vibrations and therefore suitable for transportable devices. Since it does not contain any liquid, it is also there is no need to fear that liquid will leak out of the reservoir and get into other parts of the system could. In the production of the die according to the invention can be of a relatively cheap, commercially available normal version of a matrix memory for storing variable Data can be accessed, which leads to a significant cost saving.
Die Anwendung vö© leitenden Schichten als elektrische Leiter an sich ist, besonders in gedruckten Schaltungen, wohlbekannt. Die übliche gedruckte Schaltungstechnik läßt sich aber im vorliegenden Falle bei Speichermatrizen grundsätzlich nicht anwenden, weü hierzu die fertigen Matrizen in unterschiedliche chemische Flüssigkeiten — einschließlich Ätzfiüssigkeitea — getaucht werden müßten, was für die feine Verdrahtung der Matrizen unverträglich wäre. Auch Metallspritzverfahren, die auch schon zur Herstellung von leitenden Schichten in Schaltungen angewandt wurden, scheiden grundsätzlich aus, da es bei diesen Verfahren nicht möglich ist, einen einzigen unwirksam! zu machenden Kern aus einer Gruppe von nahe beieinanderliegenden Kernen auszuwählen und mit einer eine Kurzschlußwicklung darstellenden Bedeckung zu versehen, ohne daß die benachbarten Kerne in Mitleidenschaft gezogen würden. Überdies wären diese Verfahren auch aus dem Grunde nicht zuverlässig brauchbar, weil es praktisch unmöglich erscheint, auf diesem Wege bei einer fertigen Matrize auch die Innenseite der Kerne, in die die Verdrahtung schon eingefädelt ist, mit einer genügenden leitenden Bedeckung zu versehen.The application of conductive layers rather than electrical ones Conductor per se is well known, especially in printed circuit boards. The usual printed In the present case, however, circuit technology cannot be used for memory matrices, weü for this purpose the finished matrices in different chemical liquids - including caustic liquidsa - would have to be immersed, what for the fine wiring of the matrices would be incompatible. Even metal spraying processes, that too were used for the production of conductive layers in circuits, are fundamentally different because with this method it is not possible to make a single one ineffective! core to be made a group of closely spaced cores and with one a short-circuit winding covering without affecting the neighboring nuclei would. In addition, these methods would not be reliably usable for the reason that it it seems practically impossible, in this way, in the case of a finished die, also the inside of the cores, into which the wiring is already threaded, to be provided with a sufficient conductive covering.
Die Herstellung der erfindungsgemäßen Matrize istThe production of the matrix according to the invention is
außerordentlich einfach:extremely simple:
Die jeweiligen Kerne brauchen lediglich mittelsThe respective cores only need a means
jo eines spitzen Pinsels mit der leitenden Farbe angetippt oder angestrichen zu werden. Der Pinsel erlaubt es, immer nur einen einzigen Kern zu berühren, und bei richtiger Wahl der Viskosität der Farbe treibt die Oberflächenspannung die Farbe in das Innere des Ringkernes hinein, so daß das Zustandekommen einer geschlossenen Kurzschlußstrombahn sicher gewährleistet ist.jo with a pointed brush with the conductive paint or to be painted. The brush allows you to touch only one core at a time, and with the right choice of viscosity of the paint, surface tension drives the paint into it Inside of the toroidal core into it, so that the creation of a closed short-circuit current path is guaranteed.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Figur erklärt werden, welche einen Teil eines Matrizenspeichers bekannter Art zeigt, der erfindungsgemäß gestaltbar ist.The invention will be explained below with reference to the figure, which is part of a die store shows known type, which can be designed according to the invention.
Die Figur zeigt einen Teil eines magnetischen Matrizenspeichers mit ringförmigen Kernen. Dieser Teil umfaßt neun Magnetkerne. Die Rotationsachsen der ringförmigen Kerne wie 1, 2 sind der Zeichenfläche parallel, so daß sie als Rechtecke dargestellt sind. Sie sind aus einem Werkstoff mit einer nahezu rechteckigen Hysteresisschleife angefertigt. Jeder Ring befindet sich sowohl in einer Spalte, die in der Zeichnung von oben nach unten, als auch in einer Zeile, die in der Zeichnung von links nach rechts verläuft. In diesem Beispiel sind Spalten und Zeilen gerade und stehen senkrecht zueinander. Die Magnetisierung eines Kernes hat eine bestimmte Richtung, wenn er eine Binärziffer oder ein Bit einer bestimmten Art, beispielsweise das Bit 1, speichert und die entgegengesetzte Richtung, wenn er eine Binärziffer oder ein Bit der anderen Art, wie beispielsweise das Bit 0, speichert. Der Speicher umfaßt in diesem Beispiel drei Leitergruppen zum Magnetisieren und zum Ablesen der Kerne. Jeder Leiter der ersten Gruppe, wie die Leiter 3 und 4, verlaufen in der Zeichnung von oben nach unten und durch die Ringe einer Spalte. Jeder Leiter der zweiten Gruppe, wie der Leiter 5, verläuft von links nach rechts durch die Ringkerne einer bestimmten Zeile. Ein dritter Leiter läuft durch alle Ringkerne des ganzen Speichers. Dieser Leiter ist in der Figur als eine Leitergruppe gezeichnet, zu der der Leiter 6 gehört; jeder dieser Leiter verläuft durch die Ringe einer Zeile, und alle Leiter sind in Reihe geschaltet. Die Wirkung eines solchen Speichers ist wohlbekannt und erfordert nur eine kurze Erklärung. Ein Strom mit der Stärke / fließt durch die Leiter der dritten Gruppe, wozu der Leiter 6 gehört. Dieser Strom ist so schwach, daß er die Magnetisierung der Kerne mit großer Remanenz, durch die die Leiter verlaufen, kaum beeinflußt. Die Bits eines Zeichens werden in der Kernen einer Zeile gespeichert. Während des mit dem Namen »Schreiben« angedeuteten Speicherns eines Zeichens erhalten die Magnetisierungen der Kerne der Zeile, auf die das Zeichen gespeichert werden muß, die Richtungen, welche der Art der zu speichernden Bits entsprechen. Während des Schreibens kann nur ein Feld mit einer bestimmten Richtung in den Kernen erregt werden, so daß die beim Schreiben in den Leitern fließenden Ströme die Kerne nur in derThe figure shows part of a magnetic matrix memory with ring-shaped cores. This Part includes nine magnetic cores. The axes of rotation of the annular cores like 1, 2 are the Drawing surface parallel so that they are shown as rectangles. They are made of a material with a almost rectangular hysteresis loop made. Each ring is both in a column that in the drawing from top to bottom, as well as in a line that in the drawing from left to runs to the right. In this example, columns and rows are straight and perpendicular to each other. the Magnetization of a nucleus has a certain direction when it is a binary digit or a bit of a certain type, for example bit 1, and the opposite direction if it stores a Stores a binary digit or a bit of some other kind, such as bit 0. The memory includes in this example three groups of conductors for magnetizing and reading the cores. Everyone Heads of the first group, such as conductors 3 and 4, run from top to bottom in the drawing and through the rings of a column. Each ladder of the second group, like ladder 5, runs from the left to the right through the toroidal cores of a given row. A third conductor runs through all of the toroidal cores of the whole store. This conductor is shown in the figure as a group of conductors to which the conductor 6 heard; each of these conductors runs through the rings of a row, and all conductors are connected in series. The effect of such a memory is well known and requires only a brief explanation. A Current with the strength / flows through the conductors of the third group, which includes conductor 6. This Current is so weak that it causes the magnetization of the nuclei with great remanence, through which the Ladders run, hardly affected. The bits of a character are stored in the cores of a line. Received during the storage of a character indicated by the name »Writing« the magnetizations of the nuclei of the line on which the character must be stored, the directions, which correspond to the type of bits to be stored. While writing, only one can Field are excited with a certain direction in the cores, so that when writing in the Ladders flowing currents the cores only in the
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Richtung, die einer bestimmten Art Bit entspricht, erhält. Dieser Strom wirkt der ihn verursachenden magnetisieren kann. Deshalb müssen, bevor das Feldänderung entgegen. Demzufolge verläuft die Schreiben anfängt, alle Kerne der Zeile in einer Umkehrung des magnetischen Feldes viel träger als Richtung, die der Richtung des das Schreiben aus- ohne kurzgeschlossene Strombahn. Die in den Leiführenden Feldes entgegengesetzt ist, magnetisiert 5 ter3 induzierte Spannung ist der Änderungswerden, sonst könnte ein Kern, der während einer geschwindigkeit des Feldes im Kern proportional Schreibhandlung nicht magnetisiert wurde, trotzdem und ist demzufolge bei Anwesenheit einer kurznach dem Schreiben eine von einem früher gespei- geschlossenen Strombahn viel niedriger. Die Ancherten Zeichen herrührende Magnetisierung in der Wesenheit einer solchen kurzgeschlossenen Stromdem Schreibfeld entsprechenden Richtung aufweisen. i0 bahn auf einem Kern bewirkt eine solche Vermin-Dies findet während des Lesens statt, wie unten- derung der Amplitude der im Leiter 3 induzierten stehend erklärt werden wird, denn während des Spannung, daß die mit dem Matrizenspeicher zuLesens werden alle Kerne einer Zeile in einer Rieh- sammenarbeitende Schaltung in einfacher Weise, rung, die der Richtung des von dem Strom mit der beispielsweise mittels einer Schwellenschaltung, für Stärke i in den Leitern der dritten Gruppe erregten 15 die von einem Kern mit einer kurzgeschlossenen Feldes entspricht, magnetisiert. Wenn ein Zeichen Strombahn erregten Impulse unempfindlich gemacht auf die erste Zeile des in der Figur gezeigten Ma- werden kann. Die Kerne eines Matrizenspeichers trizenspeichers geschrieben werden muß, fließt ein können in einer solchen Kombination mit kurz-Strom mit der Stärke 2 i und einer Richtung, die der geschlossenen Strombahnen versehen werden, daß Richtung des Stromes mit Stärke i im Leiter 6 ent- 20 der Speicher eine Anzahl im voraus eingestellter gegengesetzt ist, durch den Leiter 5. Weil die Ströme Zeichen liefern kann. Wenn ein bestimmtes Zeichen in den Leitern 5 und 6 entgegengesetzte Richtungen geliefert werden muß, dann wird diese Lieferung haben, stehen auch nach dem Auftreten des Stromes dadurch vorbereitet, daß alle Kerne der Zeile des mit Stärke Ii doch nur noch / Amperewindungen für Speichers, auf der dieses Zeichen mittels kurzden Kern zur Verfügung. Wenn während des Schrei- 25 geschlossener Strombahnen eingestellt ist, in der dem bens die Magnetisierung des Kernes 7 eine Richtung Bit 1 entsprechenden Richtung magnetisiert werden, erhalten muß, die der vom Lesen hervorgerufenen zu welchem Zwecke Ströme mit einer Stärke 2i Magnetisierungsrichtung entgegengesetzt ist, dann durch alle Leiter für alle Spalten sowie durch den fließt überdies ein Strom mit Stärke 2 i und einer horizontalen Leiter 5 der betreffenden Zeile fließen, solchen Richtung, daß er das von dem Strom im 30 Wenn dies erwünscht wird, können sogar zu diesem Leiter 5 im Kern erregte Feld verstärkt, durch den Zwecke alle Kerne des Matrizenspeichers in der Leiter 3. Es stehen dann 3i Amperewindungen zum betreffenden Richtung magnetisiert werden, indem Magnetisieren des Kernes 7 zur Verfügung, und Ströme der Stärke 2 i durch alle horizontalen und diese Feldstärke genügt, um die Richtung der Ma- durch alle vertikalen Leiter des Matrizenspeichers gnetisierung dieses Kernes völlig umzukehren. Die 35 fließen. Die Lieferung des mittels kurzgeschlossener Magnetisierung eines Kernes in dieser Richtung Windungen auf einer Zeile eingestellten Zeichens zeigt, daß der Kern das Bit 1 speichert. Wenn das w}rd dann dadurch eingeleitet, daß ein Strom mit Zeichen, das auf einer Zeile geschrieben wurde, ge- der Stärke 2 z und mit derselben Richtung wie der lesen werden muß, dann fließt ein Strom mit einer Strom in den Leitern der dritten Gruppe im Leiter Stärke 2/ und einer solchen Richtung, daß er das 40 (wie 5) der betreffenden Zeile fließt. Zusammen mit von dem Strom im Leiter 6 der dritten Gruppe dem Strom im Leiter 6 kehrt dieser Strom die erregte Feld unterstützt, durch den Leiter 5 der zu Magnetisierung aller Kerne dieser Zeile um. Diese lesenden Zeile. Auch jetzt stehen 3 i Amperewindun- Umkehrung wird aber nur einen genügend starken gen zur Verfügung für die sich auf der oberen Zeile Impuls induzieren in den vertikalen Leitern, die befindlichen Kerne. Die Richtung der Amperewin- 45 Ringkerne umfassen, welche nicht von einer kurzdungen ist aber umgekehrt. Wenn die Magnetisie- geschlossenen Strombahn umfaßt sind, rungsrichtung während des Schreibens nicht um- lm erfindungsgemäßen Matrizenspeicher besteht gekehrt ist, hat das Auftreten dieses Stromes mit der die Strombahn mit niedrigem Widerstand, die einen Stärke 2/ im Leiter 5 keine Folgen. Ist jedoch die unwirksam zu machenden Kern umfaßt, aus einer Richtung der Magnetisierung eines Kernes beim 50 elektrisch leitenden, vorzugsweise mittels einer elek-Schreiben wohl umgekehrt, dann wird die Richtung trisch leitenden Farbe hergestellten Schicht. Diese der Magnetisierung beim Lesen wieder zurück- Schicht braucht den Kern nicht vollständig zu begedreht. Ohne spezielle Maßnahmen wird diese Um- decken. Bei ihrer Herstellung sind nur wenige Vorkehrung der Magnetisierungsrichtung einen Impuls schritten zu beachten. Ein Kern kann mittels eines in einem Leiter, wie beispielsweise dem Leiter 3, 55 Pinsels mit leitender Farbe bedeckt werden. Bei der durch den betreffenden Ringkern von oben nach ringförmigen Kernen üblicher Art darf man nicht unten verläuft, induzieren, und dieser Spannungs- vergessen, auch die Innenseite wenigstens teilweise impuls bedeutet, daß ein Bit 1 gelesen wurde. mit einer Schicht zu versehen. Im allgemeinen sind Wenn das Auftreten eines solchen Impulses ver- zu diesem Zwecke Farbarten geeignet, die sehr feine hindert werden muß, dann wird in einem erfindungs- 60 Metallkörner enthalten. Gute Erfolge wurden mit gemäßen Matrizenspeicher der betreffende Kern mit silberhaltigen Farben erzielt. Vorzugsweise sind Fareiner geschlossenen, das Feld im Kern umfassenden ben zu verwenden, die mittels eines für die Matrize Strombahn mit niedrigem elektrischen Widerstand unschädlichen Lösungsmittels entfernt werden könversehen. Diese Strombahn verhindert die Umkeh- nen, wenn die feste Einstellung zu ändern ist. Zwar rung der Magnetisierung nicht, aber diese Umkeh- 65 ist das Ausführen einer solchen Änderung immer rung induziert in der Strombahn mit niedrigem ziemlich zeitraubend, denn die Farbe muß größten-Widerstand einen Strom, der sich infolge der Selbst- teils sorgfältig entfernt werden, ohne den Kern und induktion dieser Strombahn ziemlich lange aufrecht- die dünnen durch den Kern geführten Leiter zu be-Direction corresponding to a certain type of bit is given. This current has the effect of causing it to magnetize. Therefore must oppose before changing the field. As a result, the writing begins to run all the cores of the line in a reversal of the magnetic field much more sluggishly than the direction of the direction of the writing - without a short-circuited current path. The voltage induced in the conducting field is opposite, magnetized 5 ter3, is the change, otherwise a core, which was not magnetized during a speed of the field in the core proportional writing action, could nonetheless and is therefore one of an earlier when one is present shortly after the writing stored closed circuit much lower. The magnetization resulting from the anchored characters in the essence of such a short-circuited current have a direction corresponding to the writing field. i0 path on a core causes such a Vermin-This takes place during reading, as the amplitude induced in conductor 3 will be explained below, because during the voltage that the matrix memory is being read, all cores of a line are in a close working circuit in a simple manner, which magnetizes the direction of the field excited by the current with the, for example, by means of a threshold circuit for strength i in the conductors of the third group, which corresponds to that of a core with a short-circuited field. When a character current path excited pulses can be made insensitive to the first line of the measure shown in the figure. The cores of a matrix memory must be written to, a can flow in such a combination with short-current with the strength 2 i and a direction that the closed current paths are provided that the direction of the current with strength i in the conductor 6 ent- 20 of the Store a number set in advance is opposed by the conductor 5. Because the currents can supply signs. If a certain character in the conductors 5 and 6 has to be delivered in opposite directions, then this delivery will have to stand up even after the occurrence of the current in that all the cores of the line of the strength Ii only have / ampere-turns for memory of this character by means of short the core available. If, during writing, closed current paths are set, in which the magnetization of the core 7 is magnetized in a direction corresponding to bit 1, which is opposite to the currents produced by reading for whatever purpose, with a strength of 2i direction of magnetization, then through all conductors for all columns as well as through which a current of strength 2 i and a horizontal conductor 5 of the row in question flows in such a direction that it flows through the current im 30 If this is desired, even to this conductor 5 im The core excited field is strengthened for the purpose of all the cores of the matrix memory in the conductor 3. There are then 3i ampere-turns to be magnetized to the relevant direction by magnetizing the core 7 available, and currents of strength 2 i through all horizontal and this field strength is sufficient, around the direction of the magnetization of this core v through all vertical conductors of the matrix memory oily to reverse. The 35 flow. The delivery of the character set by means of a short-circuited magnetization of a core in this direction of turns on a line shows that the core stores bit 1. If the w } r d is then initiated by the fact that a current with characters written on a line of strength 2 z and with the same direction as the must be read, then a current with a current flows in the conductors of the third group in the conductor strength 2 / and in such a direction that it flows the 40 (like 5) of the relevant row. Together with the current in the conductor 6 of the current in the conductor 6 of the third group, this current reverses the excited field supported by the conductor 5 which leads to the magnetization of all cores of this row. This reading line. Even now there are 3 i ampere-turn reversal but only a sufficiently strong gene is available to induce impulses in the vertical conductors, the cores located on the upper line. The direction of the Amperewin- 45 toroidal cores include, which is not of a Kurzdung but is reversed. Are closed when the magnetization current path comprises approximately direction not environmentally l m die in memory according to the invention is swept during writing results in the occurrence of this current with the current path of low resistance having a thickness 2 / in the conductor 5, no consequences. If, however, the core to be rendered ineffective is comprised of one direction of magnetization of a core in the case of 50 electrically conductive, preferably by means of an elec-write probably reversed, then the direction of trisch conductive paint is produced. This layer of magnetization when reading back does not need to turn the core completely. Without special measures this will be re-covered. In their production, only a few precautions of the direction of magnetization one pulse steps have to be observed. A core can be covered with conductive paint by means of a brush in a conductor, such as conductor 3, 55. With the usual type of toroidal cores in question from top to ring-shaped cores, one must not run at the bottom, induce, and forget about voltage, also the inside at least partially impulse means that a bit 1 has been read. to be provided with a layer. In general, if the occurrence of such a pulse is suitable for this purpose, types of color which must be prevented very finely, then metal grains are contained in an invention. Good results have been achieved with the appropriate matrix memory for the core concerned with colors containing silver. It is preferable to use closed benches which encompass the field in the core and which can be removed by means of a solvent which is harmless to the matrix and which has a low electrical resistance. This current path prevents turning back when the fixed setting is to be changed. It is true that the magnetization is not, but this reversal is rather time-consuming to carry out such a change, because the color must be carefully removed without the greatest resistance to a current which is due to the self-part keep the core and induction of this current path upright for a fairly long time - the thin conductors running through the core
schädigen, aber die obige Lösung wird nur empfohlen für Matrizenspeicher, deren feste Einstellung nie, oder nur selten geändert zu werden braucht. Die in der Einleitung beschriebenen Matrizen erlauben zwar eine schnelle und einfache Änderung der festen Einstellung, sie haben außer den bereits erörterten Nachteilen wegen ihrer komplizierten Ausführung auch noch den Nachteil, daß sie nicht ohne weiteres aus normalen Matrizen hergestellt werden können. Die erfindungsgemäße Matrize kann dagegen ohne Mühe aus einer handelsüblichen Matrize hergestellt werden. Um eine solche Matrize erfindungsgemäß mit festen Zeichen zu versehen, brauchen nur bestimmte Kerne mit einer geeigneten Farbe bestrichen zu werden. Geeignete Farbarten sind wohlbekannt. Es ist klar, daß die erfindungsgemäße Matrize dabei auch viel billiger hergestellt werden kann als die bekannten Matrizenspeicher.damage, but the above solution is only recommended for matrix memory whose fixed setting never, or rarely needs to be changed. Allow the matrices described in the introduction while a quick and easy change to the fixed setting, they have other than those already discussed Disadvantages because of their complicated design also have the disadvantage that they are not readily available can be made from normal matrices. The matrix according to the invention can, however, without Trouble can be made from a commercially available die. To such a die according to the invention To provide them with fixed characters, only certain cores need to be painted with a suitable color to become. Suitable colors are well known. It is clear that the die according to the invention thereby can also be manufactured much cheaper than the known die memory.
Es ist klar, daß der Matrizenspeicher für die obenstehend beschriebene Wirkung keiner drei Gruppen Leiter bedarf. Auch braucht die Magnetisierung eines Kernes nicht vea Strömen in Leitern aus mehr als einer Gruppe herbeigeführt zu werden. Die beschriebene Ausführung wurde nur deshalb gewählt, weil handelsübliche Matrizenspeicher meistens über drei Leitergruppen verfügen und ein Matrizenspeicher mit drei Leitergruppen mit einer normalen, auch für das Arbeiten mit einer Matrize zum Speichern willkürlicher Zeichen geeigneten, Lese- und Scfareibschaltung zusammenarbeiten kann, überdies können in einem solchen Matrizenspeicher, in dem nicht alle Zeilen zum Liefern fester Zeichen gebraucht werden, die noch freien Zeilen in Zusammenarbeit mit derselben normalen Lese- und Schreibschaltung zur Speicherung willkürlicher Zeichen verwendet werden. Braucht die Matrize nur feste Zeichen zu liefern und ist es erwünscht, ihren Bau einfach zu halten, dann bedarf sie nur zweier Leitergruppen. Die erste Leitergruppe kann dann beispielsweise die in der Zeichnung von oben nach unten verlaufende Gruppe, in der die Spannungsimpulse induziert werden, sein. Die zweite Leitergruppe ist eine der in der Zeichnung horizontal verlaufenden Gruppen. Das Liefern eines bestimmten festen Zeichens wird dadurch vorbereitet, daß ein Strom mit solcher Richtung und Stärke in dem, zu der dem betreffenden Zeichen entsprechend eingestellten Linie gehörenden, horizontalen Leiter fließt, daß bei Umkehrung der in den Kernen der Linie erreichten Magnetisation ein Impuls der erforderlichen Stärke und Richtung induziert wird, wenn der induzierende Kern nicht mit einer Kurzschlußwindung versehen ist. Ein Strom umgekehrter Richtung, jedoch mit ungefähr derselben Stärke in demselben horizontalen Leiter, leitet die Lieferung des betreffenden Zeichens ein. Dabei kehrt in allen Kernen der Zeile die Richtung der Magnetisierung um. Wie obenstehend beschrieben wurde, induzieren nur Kerne, die keine Kurzschlußwindung tragen einen Impuls in den von ihnen umfaßten vertikalen Leitern. Die vertikalen Leiter in dieser Matrize brauchen zum Umkehren der Magnetisierung der Kerne keinen Strom zu führen.It is clear that the matrix memory does not require three groups of conductors for the effect described above. The magnetization of a core does not need to be brought about by currents in conductors from more than one group. The design described was only chosen because commercially available matrix memories usually have three groups of conductors and a matrix memory with three groups of conductors can work together with a normal reading and scarfing circuit that is also suitable for working with a matrix for storing arbitrary characters such a matrix memory in which not all lines are used to supply fixed characters, the lines still free are used in cooperation with the same normal read and write circuit to store arbitrary characters. If the matrix only needs to provide fixed characters and it is desired to keep its structure simple, then it only needs two groups of leaders. The first group of conductors can then, for example, be the group that runs from top to bottom in the drawing and in which the voltage pulses are induced. The second group of leaders is one of the horizontal groups in the drawing. The supply of a certain fixed character is prepared by the fact that a current with such a direction and strength flows in the horizontal conductor belonging to the line corresponding to the character in question that, when the magnetization achieved in the cores of the line is reversed, an impulse of the required Strength and direction is induced if the inducing core is not provided with a short-circuit turn. A current in the opposite direction, but of approximately the same strength in the same horizontal conductor, initiates the delivery of the relevant character. The direction of magnetization reverses in all cores of the row. As described above, only cores which do not carry a short-circuit turn induce a pulse in the vertical conductors they comprise. The vertical conductors in this die do not need to carry any current to reverse the magnetization of the cores.
Claims (1)
Deutsche Patentschrift Nr. 1 040 140;
deutsche Auslegeschriften Nr. 1 016 215,
1070223, 1083 577.Considered publications:
German Patent No. 1,040,140;
German exploratory documents No. 1 016 215,
1070223, 1083 577.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL264643 | 1961-05-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1186510B true DE1186510B (en) | 1965-02-04 |
Family
ID=19753027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN21553A Pending DE1186510B (en) | 1961-05-10 | 1962-05-08 | Matrix memory for storing unchangeable characters |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3289178A (en) |
BE (2) | BE616775A (en) |
CH (2) | CH397776A (en) |
DE (1) | DE1186510B (en) |
GB (1) | GB998808A (en) |
NL (1) | NL264643A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3432830A (en) * | 1964-11-20 | 1969-03-11 | Ibm | Transformer read-only storage construction |
JPS513184B1 (en) * | 1969-11-25 | 1976-01-31 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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NL246897A (en) * | 1958-12-31 | |||
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-
0
- NL NL264643D patent/NL264643A/xx unknown
-
1962
- 1962-04-24 BE BE616775A patent/BE616775A/en unknown
- 1962-04-24 BE BE616776A patent/BE616776A/en unknown
- 1962-04-27 GB GB16227/62A patent/GB998808A/en not_active Expired
- 1962-05-08 CH CH557462A patent/CH397776A/en unknown
- 1962-05-08 US US193250A patent/US3289178A/en not_active Expired - Lifetime
- 1962-05-08 CH CH557562A patent/CH401157A/en unknown
- 1962-05-08 DE DEN21553A patent/DE1186510B/en active Pending
- 1962-05-08 US US193249A patent/US3289177A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB998808A (en) | 1965-07-21 |
BE616776A (en) | 1962-08-16 |
CH401157A (en) | 1965-10-31 |
BE616775A (en) | 1962-08-16 |
CH397776A (en) | 1965-08-31 |
US3289178A (en) | 1966-11-29 |
NL264643A (en) | |
US3289177A (en) | 1966-11-29 |
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