DE1171530B - Device for light modulation - Google Patents
Device for light modulationInfo
- Publication number
- DE1171530B DE1171530B DEJ20353A DEJ0020353A DE1171530B DE 1171530 B DE1171530 B DE 1171530B DE J20353 A DEJ20353 A DE J20353A DE J0020353 A DEJ0020353 A DE J0020353A DE 1171530 B DE1171530 B DE 1171530B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor material
- film
- translucent
- light
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
Einrichtung zur Lichtmodulation Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Lichtmodulation. Solche Einrichtungen arbeiteten bisher meistens mit Kerrzellen, die sehr hohe Steuerspannungen benötigen. Auch sind Einrichtungen zur Lichtmodulation bekannt, die den Faraday-Effekt ausnutzen, bei denen auf einen lichtdurchlässigen Halbleiterkörper ein Lichtstrahl von einer Wellenlänge gerichtet ist, die der Lage der Absorptionskante entspricht.Device for light modulation The invention relates to a device for light modulation. So far, such facilities have mostly worked with Kerr cells, that require very high control voltages. There are also devices for light modulation known to take advantage of the Faraday effect, in which on a translucent Semiconductor body is directed a light beam of a wavelength that is capable of corresponds to the absorption edge.
Die Erfindung zeigt einen weiteren Weg zur Lichtmodulati6n, bei der ebenfalls auf einen lichtdurchlässigen Halbleiterkörper ein Lichtstrahl getroffen wird, dessen Wellenlänge der Lage der Absorptionskante entspricht. Die Einrichtung nach der Erfindung wird dadurch in einfacher Weise für sehr hohe Frequenzen brauchbar gemacht, daß erfindungsgemäß eine Vorrichtung zum Verändern der Temperatur des Halbleiterstoffes, und damit der Lage der Absorptionskante, und außerdem eine Anordnung, die auf das modulierte Licht anspricht, vorgesehen sind.The invention shows a further way of modulating light, in which also hit a light beam on a translucent semiconductor body whose wavelength corresponds to the position of the absorption edge. The establishment according to the invention is thereby usable in a simple manner for very high frequencies made that according to the invention a device for changing the temperature of the semiconductor material, and thus the position of the absorption edge, and also an arrangement based on the modulated light responds, are provided.
Hierbei soll der Begriff »Licht« sich nicht auf sichtbares Licht beschränken, sondern auf die Gebiete auf beiden Seiten des sichtbaren Spektrums, z. B. das Infrarotgebiet, mit umfassen. Die Wellenlänge des zu modulierenden Lichtes wird durch die effektive Wellenlänge der Lichtabsorptionskante des zur Verwendung kommenden Halbleiterkörpers bestimmt.Here the term »light« should not be limited to visible light, but rather the areas on both sides of the visible spectrum, e.g. B. the infrared area, with include. The wavelength of the light to be modulated is determined by the effective Wavelength of the light absorption edge of the semiconductor body to be used certainly.
Der Körper kann selbsttragend oder als ein Film an einem lichtdurchlässigen Träger angebracht sein. Die Temperatur des Körpers kann durch Wärmestrahlung oder durch direkte elektrische Beheizung erhöht werden.The body can be self-supporting or as a film on a translucent Be attached carrier. The temperature of the body can be due to thermal radiation or can be increased by direct electrical heating.
Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung ; werden mit Hilfe der Zeichnungen in Form perspektivischer Darstellungen beschrieben.Various embodiments of the invention; be using of the drawings in the form of perspective representations.
Im ersten Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 sind zwei Blöcke 11 und 12 durch einen Brückenteil 13 miteinander verbunden. Die Elektroden 14 und 15, die mit den Anschlußdrähten 16 und 17 verbunden sind, sind am Block 11 bzw. 12 durch geeignete Mittel mit niedrigem elektrischen Widerstand befestigt.In the first embodiment according to FIG. 1, two blocks 11 and 12 are connected to one another by a bridge part 13. Electrodes 14 and 15, which are connected to leads 16 and 17, are attached to block 11 and 12, respectively, by suitable means of low electrical resistance.
Die Blöcke 11 und 12 und der Teil 13 bestehen aus einem Halbleiterstoff, der elektrisch leitet, jedoch dem Heizstrom einen ausreichenden Widerstand bietet. Er besitzt eine hohe Wärmeleitfähigkeit und weist außerdem eine temperaturabhängige Lichtabsorptionskante auf, d. h. ein Gebiet, in dem sich j die Absorption des übertragenen Lichtes sehr schnell mit der Wellenlänge ändert. Die Lage dieser Absorptionskante verändert sich als Funktion der Wellenlänge mit der Temperatur.The blocks 11 and 12 and the part 13 consist of a semiconductor material which is electrically conductive, but offers sufficient resistance to the heating current. It has a high thermal conductivity and also has a temperature-dependent light absorption edge, ie an area in which the absorption of the transmitted light changes very quickly with the wavelength. The position of this absorption edge changes as a function of the wavelength with the temperature.
Solche Stoffe sind beispielsweise Germanium, Silikon, Indium-Antimonid, Bleisulfid, Bleisilinid, Bleitellurid in Einkristallform.Such substances are, for example, germanium, silicone, indium antimonide, Lead sulfide, lead silinide, lead telluride in single crystal form.
Die Lage der Absorptionskante bei Germanium und Silikon befindet sich bei einer Wellenlänge in der Größenordnung von 1,8 #t bzw. 1,1 w und bewegt sich zu längerer Wellenlänge bei ansteigender Temperatur, während sich für Bleisulfid die Lage der Absorptionskante bei einer Wellenlänge in der Größenordnung von 0,73 w befindet und sich zu kürzeren Wellenlängen bei Temperaturanstieg bewegt.The position of the absorption edge for germanium and silicone is located at a wavelength of the order of 1.8 #t or 1.1 w and moves to longer wavelength with increasing temperature, while opting for lead sulfide the position of the absorption edge at a wavelength of the order of 0.73 w and moves to shorter wavelengths as the temperature rises.
Im Betriebszustand sind die- größeren Teile der Blöcke 11 und 12 in ein Bad konstanter Temperatur getaucht, z. B. in eine Kühlflüssigkeit, wie Nitrogen, Sauerstoff, Neon, Helium, Wasserstoff, oder in eine organische Flüssigkeit. Als Kühlmittel kann auch ein flüssig-festes Bad, wie z. B. Eiswasser, oder auch ein elektrisches Kühlsystem verwendet werden.In the operating state, the larger parts of the blocks 11 and 12 are immersed in a constant temperature bath, e.g. B. in a cooling liquid such as nitrogen, oxygen, neon, helium, hydrogen, or in an organic liquid. A liquid-solid bath, such as. B. ice water, or an electric cooling system can be used.
Der Brückenteil 13 und die Elektroden 14 und 15 werden vom Kühlbad frei gelassen. Ein monochromatischer Lichtstrahl von einer Wellenlänge; die der Lage der Absorptionskante des Halbleiterstoffes entspricht, wird auf den Teil 13 gerichtet, wie durch die Pfeile 18 angezeigt ist.The bridge part 13 and the electrodes 14 and 15 are left free from the cooling bath. A monochromatic light beam of one wavelength; which corresponds to the position of the absorption edge of the semiconductor material is directed to the part 13 , as indicated by the arrows 18 .
Der Stoff wird durch elektrische Impulse geheizt, die über die Elektrode 14 und 15 angelegt werden, und durch Ableitung der Wärme infolge Wärmeabfalls durch das Eintauchen der Blöcke 11 und 12 in das Kühlbad rasch gekühlt. Das durch den Brükkentei113 geleitete Licht wird :dabei mit einer Frequenz moduliert, die gleich derjenigen der elektrischen Impulse ist. Der Modulationsgrad hängt von dem Temperaturanstieg des Stoffes bei jedem Impuls, der zwischen 1 und 10° C liegen kann, von der Wellenlänge des Lichtes und von der Steilheit der Absorptionskante ab.The fabric is heated by electrical pulses applied across electrodes 14 and 15 and rapidly cooled by dissipating heat as a result of heat dissipation by immersing blocks 11 and 12 in the cooling bath. The light guided through the bridge element is: modulated with a frequency that is equal to that of the electrical impulses. The degree of modulation depends on the temperature rise of the substance with each pulse, which can be between 1 and 10 ° C, on the wavelength of the light and on the steepness of the absorption edge.
F i g. 2 zeigt eine andere Ausführungsform. Bei dieser ist der elektrisch leitende Stoff mit der temperaturveränderlichen Lichtabsorptionskante als Block 21 dargestellt, aus dem ein Teil 22 herausragt. Die Elektroden, von denen dort nur eine Elektrode 21 zu sehen ist, sind mit den zugehörigen Anschlußleitungen 24 und 25 an gegenüberliegenden Enden des Teiles 22 angebracht.F i g. 2 shows another embodiment. This one is electric conductive material with the temperature-variable light absorption edge as a block 21, from which a part 22 protrudes. The electrodes, of which there only an electrode 21 can be seen, are with the associated connecting lines 24 and 25 attached to opposite ends of part 22.
Im Betriebszustand wird der Block 21 in das Kühlbad konstanter Temperatur getaucht, monochromatisches Licht mit einer der Lage der Absorptionskante des Körpers entsprechenden Wellenlänge auf den Teil 22 gerichtet, wie durch die Pfeile 26 angezeigt ist, und der Stoff durch an die Elektroden gelegte Impulse geheizt und zwischen den Impulsen durch den Wärmeabfall rasch gekühlt.In the operating state, the block 21 is in the cooling bath of constant temperature immersed, monochromatic light with one of the location of the absorption edge of the body corresponding wavelength directed to the part 22, as indicated by the arrows 26 is, and the substance is heated by pulses applied to the electrodes and between The impulses are quickly cooled by the heat loss.
Der Halbleiterstoff kann auch durch einen besonderen elektrischen Heizer, mit dem in innigem Kontakt steht, geheizt werden. Dieser Heizer kann entweder ein Film aus lichtdurchlässigem Material sein, wenn dieser mit in dem Lichtkanal liegt, oder es kann ein anderer elektrischer Heizer benutzt werden, z. B. ein gewöhnlicher undurchsichtiger Heizstreifen, wenn er am Stoff außerhalb des Lichtweges liegt.The semiconductor material can also by a special electrical Heater with which is in intimate contact can be heated. This heater can either be a film of translucent material when it is in the light channel or another electric heater can be used, e.g. B. an ordinary one opaque heating strip when it is outside the light path on the fabric.
Der Stoff kann aber auch durch einen intensitätsmodulierten Wärmestrahl geheizt werden. In allen Fällen erfolgt das Aufheizen im Takt der Modulationsfrequenz.The substance can also be produced by means of an intensity-modulated heat beam be heated. In all cases, the heating takes place in time with the modulation frequency.
Im Ausführungsbeispiel nach F i g. 3 ist der Halbleiterkörper mit der temperaturabhängigen Lichtabsorptionskante ein Film 31 aus Isoliermaterial, wie Selen oder einer Selenschwefellegierung. Der Film 31 befindet sich in innigem Wärmekontakt mit einem die Blöcke 33 und 34 überbrückendem Teil 32, der aus einem Material besteht, das für das zu übertragende Licht durchlässig ist, eine hohe Wärmeleitfähigkeit besitzt und elektrisch heizbar ist. Ein solches Material ist beispielsweise ein kristallisches Silikonkarbid. Die Elektroden 35, 36, die mit den Anschlußleitungen 37, 38 verbunden sind, sind an den Blöcken 33 bzw. 34 angebracht.In the embodiment according to FIG. 3, the semiconductor body with the temperature-dependent light absorption edge is a film 31 made of insulating material, such as selenium or a selenium sulfur alloy. The film 31 is in intimate thermal contact with a part 32 which bridges the blocks 33 and 34 and consists of a material which is permeable to the light to be transmitted, has a high thermal conductivity and can be heated electrically. Such a material is, for example, a crystalline silicon carbide. The electrodes 35, 36, which are connected to the leads 37, 38, are attached to the blocks 33 and 34, respectively.
F i g. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel. Bei diesem befindet sich der Film 41 aus isolierendem Stoff mit einer temperaturabhängigen Lichtabsorptionskante in innigem Kontakt mit einem lichtdurchlässigen Teil 42, der aus dem Block 43 herausragt. Die Elektroden, von denen nur eine in Verbindung mit den Anschlußleitungen 45 und 46 gezeigt ist, sind an gegenüberliegenden Seiten des Teiles 42 zum Zweck der Heizung angeordnet.F i g. 4 shows a further embodiment. In this case, the film 41 made of insulating material with a temperature-dependent light absorption edge is in intimate contact with a light-permeable part 42 which protrudes from the block 43. The electrodes, only one of which is shown in connection with the leads 45 and 46 , are arranged on opposite sides of the part 42 for the purpose of heating.
Die Ausführungsbeispiele nach den F i g. 3 und 4 zeigen das gleiche Betriebsverhalten, wie es im Zusammenhang mit den F i g. 1 und 2 beschrieben worden ist.The exemplary embodiments according to FIGS. 3 and 4 show the same Operating behavior, as it is in connection with the F i g. 1 and 2 have been described is.
Die Aufheizung der Filme aus Halbleitermaterial kann auch durch einen intensitätsmodulierten Wärmestrahl erfolgen.The heating of the films made of semiconductor material can also be carried out by a intensity-modulated heat beam.
Im Ausführungsbeispiel nach F i g. 5 ist ebenfalls ein Film 51 aus einem Halbleitermaterial, in diesem Fall aus Indium-Antimonid, das eine temperaturabhängige Lichtabsorptionskante besitzt und elektrisch leitend ist, vorgesehen. Der Film 51 befindet sich in innigem Kontakt mit einem Teil 52 eines lichtdurchlässigen isolierenden Materials hoher thermischer Leitfähigkeit, das sich am Block 53 befindet. Dieses Massematerial kann ein Halbleiter sein, der für das übertragene Licht durchlässig ist. In diesem Fall muß der Film 51 von dem Massematerial durch eine lichtdurchlässige Isolierschicht getrennt sein. Die Elektroden 54, 55 mit den Anschlußleitungen 56, 57 liegen an gegenüberliegenden Enden des Films 51.In the embodiment according to FIG. 5, a film 51 made of a semiconductor material, in this case made of indium antimonide, which has a temperature-dependent light absorption edge and is electrically conductive, is also provided. The film 51 is in intimate contact with a portion 52 of a translucent insulating material of high thermal conductivity located on the block 53. This bulk material can be a semiconductor that is transparent to the transmitted light. In this case, the film 51 must be separated from the bulk material by a transparent insulating layer. The electrodes 54, 55 with the connecting leads 56, 57 are located at opposite ends of the film 51.
Es kann aber auch (nicht dargestellt) ein besonderer Heizfilm aus lichtdurchlässigem Material vorgesehen sein. Die Elektroden werden dann an diesem Heizfilm angebracht, der mit dem Absorptionsfilm verbunden ist.However, a special heating film can also be used (not shown) be provided translucent material. The electrodes are then attached to this Attached heating film, which is connected to the absorption film.
Der Heizabsorptionsfilm oder die getrennten Heiz-und Absorptionsfilme können auch als Zwischenbelag zwischen zwei Blöcken von Kühlmaterial liegen. Im Betriebszustand wird der Block 53 wieder in ein Bad konstanter Kühltemperatur gebracht und monochromatisches Licht mit einer entsprechenden Wellenlänge auf dem Film 51 gerichtet, wie durch die Pfeile 58 angezeigt ist. Der Film 51 wird durch an die Elektroden 54, 55 angelegten elektrischen Impulse geheizt und zwischen den Impulsen durch den Wärmeabfall gekühlt. der durch das Eintauchen des Blockes 53 in das Bad konstanter Temperatur entsteht.The heating absorption film or the separate heating and absorption films can also lie as an intermediate layer between two blocks of cooling material. In the operating state, the block 53 is again placed in a bath of constant cooling temperature and monochromatic light with a corresponding wavelength is directed onto the film 51, as indicated by the arrows 58 . The film 51 is heated by electrical pulses applied to the electrodes 54, 55 and is cooled by the heat dissipation between the pulses. which is created by immersing the block 53 in the constant temperature bath.
An Stelle der elektrischen Beheizung kann der Absorptionsfilm auch durch einen intensitätsmodulierten Wärmestrahl beheizt werden.Instead of electrical heating, the absorption film can also be heated by an intensity-modulated heat beam.
Insbesondere bei niedrigen Temperaturen besitzt das Ausführungsbeispiel nach F i g. 5 eine sehr kurze Zeitkonstante und kann zur Lichtmodulation mit sehr hohen Frequenzen, beispielsweise mit Frequenzen in der Größenordnung von einigen hundert Megahertz, verwendet werden.The exemplary embodiment has, in particular, at low temperatures according to FIG. 5 has a very short time constant and can be used to modulate light with very high frequencies, for example with frequencies of the order of a few hundred megahertz.
Im Ausführungsbeispiel nach F i g. 6 ist ein Koordinatensystem von lichtdurchlässigen elektrischen Heizstreifen 61, 62, die durch eine lichtdurchlässige isolierende Schicht getrennt sind, thermisch gekoppelt mit einem Film 64 ads einem festen Material mit einer temperaturabhängigen Lichtabsorptionskante. Der Film 64 befindet sich im innigen Kontakt mit einem Teil 65 aus lichtdurchlässigem Material von hoher thermischer Leitfähigkeit, der aus dem Block 66 herausragt.In the embodiment according to FIG. 6 is a coordinate system of translucent electrical heating strips 61, 62, which are separated by a translucent insulating layer, thermally coupled to a film 64 ads a solid material with a temperature-dependent light absorption edge. The film 64 is in intimate contact with a portion 65 of light-permeable material of high thermal conductivity which protrudes from the block 66.
An einer Seite der Anordnung befindet sich ein Koordinatensystem von lichtempfindlichen Einrichtungen 67, von denen jeweils eine je einem Kreuzungspunkt der Streifen 61 und 62 zugeordnet ist.On one side of the arrangement there is a coordinate system of light-sensitive devices 67, each of which has a crossing point the strip 61 and 62 is assigned.
Im Betriebszustand wird der Block 66 in ein Bad konstanter Temperatur getaucht und monochromatisches Licht von der Wellenlänge, die der Lage der Absorptionskante des Films 64 entspricht, auf diesen von der entgegengesetzten Seite der Einrichtung 67 gerichtet.In the operating state, block 66 is placed in a constant temperature bath immersed and monochromatic light of the wavelength corresponding to the location of the absorption edge of the film 64 corresponds to that from the opposite side of the device 67 directed.
Die lichtdurchlässigen Heizstreifen 61, 62 sind an den Kreuzungspunkten voneinander isoliert. Durch Beheizung durch elektrische Impulse und bei geeigneter Auswahl solcher Keuzungspunkte wird eine höhere Heizwirkung auf die den Kreuzungspunkten benachbarten Teile des Films 64 erzielt. Dadurch ergibt sich eine Modulation des übertragenen Lichtes, auf die die nachgeordnete Empfangseinrichtung anspricht.The translucent heating strips 61, 62 are at the crossing points isolated from each other. By heating with electrical impulses and when appropriate Selecting such crossing points will have a higher heating effect on the crossing points adjacent parts of the film 64 achieved. This results in a modulation of the transmitted light to which the downstream receiving device responds.
In allen beschriebenen Ausführungsbeispielen kann der Teil des Kühlmaterials, der nicht zum Übertragen des Lichtes notwendig ist, d. h. die verschiedenen Blöcke, welche in ein Bad konstanter Temperatur getaucht werden, aus einem undurchsichtigen Material bestehen, beispielsweise aus Kupfer. Die Oberfläche des lichtführenden Stoffes kann zur Verringerung der Reflektionsverluste gewalzt sein.In all of the described exemplary embodiments, the part of the cooling material not to Transmission of the light is necessary, d. H. the different Blocks, which are immersed in a constant temperature bath, made of an opaque one Consist of material, for example copper. The surface of the light-guiding The fabric can be rolled to reduce reflection losses.
Claims (12)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB1171530X | 1960-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1171530B true DE1171530B (en) | 1964-06-04 |
Family
ID=10879477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ20353A Pending DE1171530B (en) | 1960-08-10 | 1961-08-05 | Device for light modulation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1171530B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4119461A1 (en) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Hartmann & Braun Ag | TUNABLE OPTICAL FILTER |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1032398B (en) * | 1957-05-28 | 1958-06-19 | Siemens Ag | Control unit for electromagnetic radiation |
-
1961
- 1961-08-05 DE DEJ20353A patent/DE1171530B/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1032398B (en) * | 1957-05-28 | 1958-06-19 | Siemens Ag | Control unit for electromagnetic radiation |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4119461A1 (en) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Hartmann & Braun Ag | TUNABLE OPTICAL FILTER |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE976402C (en) | Electrically asymmetrically conductive system with a semiconductor body made of germanium or silicon containing a barrier layer | |
| US3191151A (en) | Programmable circuit | |
| DE1002471B (en) | Electronic device with a semiconductor | |
| DE2542174B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| EP0177724A1 (en) | Infrared radiator | |
| DE2926741C2 (en) | Field effect transistor and process for its manufacture | |
| DE2226613C3 (en) | Protection device for an insulated gate field effect transistor | |
| DE2442892B2 (en) | Infrared radiation source | |
| DE1080690B (en) | Cooling device for a temperature-sensitive crystal arrangement accommodated within a housing | |
| DE1817955A1 (en) | LASER ARRANGEMENT OF TWO SEMICONDUCTOR LASERS | |
| EP1023749B1 (en) | Semiconductor laser chip | |
| DE1283978B (en) | Electronic solid-state component with electrical resistance controllable by charge carrier injection | |
| DE2012706A1 (en) | Device for measuring moisture | |
| DE1171530B (en) | Device for light modulation | |
| DE1060925B (en) | Microwave modulator | |
| DE2247882C3 (en) | Solid-state component for thermally controlled switching | |
| DE2619242A1 (en) | Positive temperature coefficient semiconductor heating device - has heating element in good thermal contact with emission plate for even transfer of heat | |
| DE1539982B2 (en) | TWO-WAY SEMI-CONDUCTOR SWITCH | |
| DE967259C (en) | Area transistor | |
| DE3050649C2 (en) | Quadrator | |
| GB926796A (en) | Light modulating device | |
| EP0124128A2 (en) | Generation of potential differences | |
| DE1212319B (en) | Semiconductor arrangement for demonstration purposes | |
| DE2241374A1 (en) | LIGHT MODULATION ELEMENT FOR GENERATING LIGHT POINT GRID | |
| DE1764873B1 (en) | Photosensitive device |