Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, insbesondere
Transistoren Bekanntlich müssen Halbleiterbauelemente im Verlauf des Herstellungsverfahrens
auch einem Ätzprozeß unterworfen werden, der dazu dient, Verunreinigungen auf der
Halbleiteroberfläche zu beseitigen und durch Abätzen gestörter Oberflächenbereiche
unerwünschte Oberflächenrekombinationen auf ein Mindestmaß herabzusetzen. Eine maximale
Ätzausbeute ist jedoch nur dann zu erwarten, wenn das Ätzen erst nach Fertigstellung
des Aufbaues, d. h. vor allem erst nach Anbringung der Elektrodenzuleitungen, erfolgt.Method for producing semiconductor components, in particular
Transistors As is well known, semiconductor components must be used in the course of the manufacturing process
also be subjected to an etching process, which serves to remove impurities on the
To eliminate semiconductor surface and by etching off disturbed surface areas
reduce unwanted surface recombinations to a minimum. A maximum
However, the etching yield can only be expected if the etching is not carried out until after completion
of the structure, d. H. especially after the electrode leads have been attached.
Es hat sich jedoch herausgestellt, daß ein Ätzen von bereits kontaktierten
Halbleiterbauelementen mit bekannten Verfahren auf Schwierigkeiten stößt. Diese
sind vermutlich auf unerwünschte Ablagerungen von Verunreinigungen auf der Halbleiteroberfläche
zurückzuführen. Bei einem bekannten Verfahren werden organische Komponenten als
Bestandteile von Ätzlösungen verwendet.However, it has been found that etching of already contacted
Semiconductor components with known methods encounters difficulties. These
are presumably due to undesired deposits of impurities on the semiconductor surface
traced back. In a known method, organic components are used as
Components of etching solutions used.
In diesem Zusammenhang ist auch die Verwendung von organischen Säuren
und deren Salzen zum Ätzen von Halbleitermaterialien bekanntgeworden. Die Erfindung
besteht bei einem Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, insbesondere
Transistoren, darin, daß das bereits mit Kontaktelektroden und Elektrodenzuleitungen
versehene Halbleiterbauelement in eine Ätzlösung gebracht wird, welche mit Kaliumnatrium
Tartrat versetzt ist, daß das Halbleiterbauelement nach dem Ätzen in einem in Bewegung
gehaltenen Wasserbad gewaschen wird, daß das Halbleiterbauelement nach dem Waschen
in eine die Eigenschaften des Halbleiterbauelementes stabilisierende Flüssigkeit
gebracht wird, und daß beim Stabilisieren sowohl das Halbleiterbauelement als auch
die stabilisierende Flüssigkeit in Ruhe gehalten werden.In this context there is also the use of organic acids
and their salts for etching semiconductor materials became known. The invention
consists in a method for producing semiconductor components, in particular
Transistors, in that that already has contact electrodes and electrode leads
provided semiconductor component is brought into an etching solution, which with potassium sodium
Tartrate is offset that the semiconductor component is in motion after etching
held water bath is washed that the semiconductor device after washing
into a liquid that stabilizes the properties of the semiconductor component
is brought, and that when stabilizing both the semiconductor component and
the stabilizing fluid can be kept at rest.
Es empfiehlt sich, das Halbleiterbauelement während der Ätzbehandlung
in der Ätzflüssigkeit hin-und herzubewegen. Das Waschen erfolgt zweckmäßigerweise
in einem Kalt- und einem Warmbad, und zwar empfiehlt es sich, das Halbleiterbauelement
nach der Ätzbehandlung zunächst gut abzuspülen, anschließend in einem heißen Waschbad
mit kochendem Wasser zu waschen und nach der Wärmebehandlung nochmals mit kaltem
Wasser abzuspülen. Als Stabilisierungsflüssigkeit eignet sich beispielsweise Perhydrol.It is advisable to remove the semiconductor component during the etching treatment
move back and forth in the etchant. The washing is expedient
in a cold and a warm bath, and it is advisable to use the semiconductor component
rinse well after the etching treatment, then in a hot wash bath
Wash with boiling water and after the heat treatment again with cold
Rinse off with water. Perhydrol, for example, is suitable as a stabilizing liquid.
Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden.
Zunächst soll jedoch auf die Ätzvorrichtung gemäß F i g. 1 näher eingegangen werden.
Der mit 1 bezeichnete Kocher dient zur Erhitzung der Ätzlösung des Beizbades 2.
Der Behälter 3 beinhaltet das Spülbad für die Kaltspülung, und der Kocher 4 sorgt
für die Erhitzung des in dem Behälter 5 befindlichen Waschbades. In den Behälter
6 wird kaltes Wasser für das kalte Waschbad gegeben, während sich im Behälter? ein
Stabilisierungsbad befindet. Die Öffnung 8 stellt den Ausguß für das Stabilisierungsbad
dar. Das Abflußrohr 9 .dient zur Ableitung der Waschflüssigkeit, während die Rohre
10 die Zuleitungen für die einzelnen Wasserdüsen bilden, die für eine Spülung während
der Waschbehandlung sorgen sollen. Das Rohr 11 schließlich stellt eine Wasserzuleitung
für den Behälter 8 dar.The invention is to be explained in more detail using an exemplary embodiment.
First, however, the etching device according to FIG. 1 will be discussed in more detail.
The cooker labeled 1 is used to heat the etching solution of the pickling bath 2.
The container 3 contains the rinsing bath for the cold rinsing, and the cooker 4 takes care of it
for heating the washing bath located in the container 5. In the container
6 is cold water given for the cold wash bath while it is in the container? a
Stabilization bath is located. The opening 8 represents the sink for the stabilizing bath
. The drain pipe 9. Serves to discharge the washing liquid, while the pipes
10 form the supply lines for the individual water nozzles for rinsing during
the washing treatment. The pipe 11 finally provides a water supply line
for the container 8.
Der Atzprozeß geht nun beispielsweise so vor sich, daß die zu ätzenden
Halbleiterbauelemente, im Ausführungsbeispiel Transistoren, an die in F i g. 2 dargestellten
Magnete 14 gehängt und zusammen mit den Magneten in den Magnethalter 12 eingeschraubt
werden. Der Magnethalter 12 wiederum wird auf die Schiebeleiste 13 gebracht, die
zunächst auf das Beizbad 2 aufgesetzt wird. Nachdem man in das Beizbad die Ätzlösung,
beispielsweise Perhydrol, gegeben hat, wird die Ätzlösung erhitzt, und anschließend
werden die an den Magneten befestigten Transistoren unter Hin- und Herbewegung des
Magnethalters geätzt. Nach Beendigung des Ätzprozesses werden die Transistoren in
einem Kaltbad gut abgespült, indem der Schiebehalter 13 auf das Spülbad aufgesetzt
wird. Nachdem dies geschehen ist, schließt sich die eigentliche Badbehandlung in
dem heißen Waschbad 5 mit Hilfe von kochendem Wasser an, auf die dann ein nochmaliges
Abspülen im kalten Waschbad 6 folgt. Schließlich wird der Schiebehalter mit den
daran befindlichen Transistoren noch auf das Stabilisierungsbad
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aufgesetzt, dem anschließend die Stabilisierungsflüssigkeit zugegeben wird. Beim
Stabilisierungsprozeß, der nach ungefähr 10 Minuten beendet ist, ist darauf zu achten,
daß die Transistoren während der Stabilisierung nicht bewegt werden. Nach dem Trocknen
der stabilisierten Transistoren in einem Durchlauftrockenofen ist der Atzprozeß
beendet. Die Trocknung erfolgt in einer genau definierten Atmosphäre.The etching process now proceeds, for example, in such a way that the
Semiconductor components, in the exemplary embodiment transistors, to which in FIG. 2 shown
Magnets 14 are suspended and screwed into the magnet holder 12 together with the magnets
will. The magnet holder 12 in turn is brought onto the sliding bar 13, which
is first placed on the pickling bath 2. After adding the etching solution to the pickling bath,
for example Perhydrol, the etching solution is heated, and then
the transistors attached to the magnets are moved to and fro by the
Etched magnet holder. After the etching process is finished, the transistors are in
rinsed well in a cold bath by placing the slide holder 13 on the rinsing bath
will. After this is done, the actual bath treatment closes in
the hot wash bath 5 with the help of boiling water, which is then repeated
Rinsing in the cold wash bath 6 follows. Finally, the slide holder with the
the transistors on it still on the stabilization bath
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placed, to which the stabilizing liquid is then added. At the
The stabilization process, which ends after about 10 minutes, must be ensured that
that the transistors are not moved during stabilization. After drying
of the stabilized transistors in a tunnel dryer is the etching process
completed. The drying takes place in a precisely defined atmosphere.