DE1162604B - Bei tiefen Temperaturen arbeitende Speicheranordnung - Google Patents
Bei tiefen Temperaturen arbeitende SpeicheranordnungInfo
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 113
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- Y10S505/833—Thin film type
- Y10S505/834—Plural, e.g. memory matrix
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. KL: G06f
Nummer: Aktenzeichen: Anmeldetag: Auslegetag:
Deutsche Kl.: 42 m-14
R 28299IX c / 42 m
8. Juli 1960
6. Februar 1964
Anmelder:
Radio Corporation of America, New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt, München 23, Dunantstr.
Als Erfinder benannt:
Milton Webster Green, Menlo Park, Calif.
(V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 10. JuH 1959 (Nr. 826 347)
Bei tiefen Temperaturen arbeitende
Die bekannten Ringkernspeicher stellen zwar sehr Speicheranordnung
zuverlässige und dauerhafte Einrichtungen dar, sie
sind jedoch verhältnismäßig groß und teuer in der
Herstellung. Außerdem ist ihre Arbeitsgeschwindigkeit dadurch begrenzt, daß die Kerne aus fabrikationstechnischen
Gründen nicht beliebig verkleinert werden können.
Wesentüch kleinere und schneller arbeitende Anordnungen,
die sich auch für eine Massenproduktion eignen, ergeben sich, wenn man die kompakten Magnetkerne
und die mit ihnen gekoppelten Leiter durch Aufdampfschichten und gedruckte Leiter ersetzt.
Die bekannten Dünnschichtspeicher benötigen jedoch immer noch relativ viel Raum und Betriebsleistung.
Ihr Aufbau und die zugehörigen Schaltungen werden außerdem dadurch kompliziert, daß die
gespeicherte Information bei der Abfrage zerstört wird und daher nach dem Abfragevorgang erneut auf
dem betreffenden Speicherplatz gespeichert werden muß. Dieser Vorgang verlangsamt die Arbeitsweise
der Einrichtung beträchtlich.
Leistungsbedarf und Größe von magnetischen Speichereinrichtungen lassen sich bekanntlich weiter
verringern, wenn man sich das Phänomen der Supra-
leitung zunutze macht. Es sind mindestens zwei ver- 25 _
schiedene Typen solcher bei tiefen Temperaturen ar- *
beitenden Speichereinrichtungen bekannt. Beiden Ty- überschritten wird, wenn sich die beiden Magnetfeipen
ist gemeinsam, daß zur Speicherung der Infor- der addieren. Nur in diesem Falle kann das Abfragemation
Dauerströme dienen, die in einer geschlosse- magnetfeld die Schicht durchdringen und einen
nen, supraleitenden Leiterschleife induziert werden 30 Strom in dem auf der anderen Seite der Schicht an-
und deren entgegengesetzte Richtungen den beiden geordneten Meßleiter induzieren, der eine Anzeige
möglichen Binärziffem zugeordnet sind. Beiden Ty- für die eine der beiden Richtungen des Dauerstromes
pen ist ferner gemeinsam, daß durch das Zusammen- darstellt. Die gespeicherte Information geht auch hier
wirken des von dem kreisenden Dauerstrom erzeug- bei der Abfrage verloren, da der Dauerstrom infolge
ten Magnetfeldes und eines zum Abfragen erzeugten 35 des nun endlichen Widerstandes der Schicht schnell
Magnetfeldes der Widerstandszustand eines Bauele- abklingt.
mentes der Speichervorrichtung zwischen supralei- Beim anderen Speichertyp fließt der Dauerstrom
tend und normalleitend umgeschaltet wird. in einer diskreten Leiterschleife. Die Leiterschleife ist
Bei einem dieser Systeme kreist der Dauerstrom aus zwei Stücken zusammengesetzt, die aus Suprain
einer supraleitenden Schicht, die gleichzeitig als 40 leiterwerkstoffen mit verschiedener kritischer Feldideale magnetische Abschirmung zwischen Leitern stärke bestehen. Das Stück mit der niedrigeren krizur
Erzeugung des Abfragemagnetfeldes, die auf der tischen Feldstärke ist galvanisch in eine Leiterstrecke
einen Seite der Schicht angeordnet sind, und einem eingeschaltet, der ein Abfrageimpuls einer bestimm-Ausgangs-
oder Meßleiter, der auf der anderen Seite ten Richtung zuführbar ist. Die Verhältnisse sind so
der Supraleitschicht liegt, dient. Das Abfragemagnet- 45 bemessen, daß das in den Abfrageleiter eingeschaltete
feld besitzt immer die gleiche Richtung, und je nach Schleifenstück normalleitend wird, wenn sich die
der Richtung des kreisenden Dauerstromes addiert vom Dauerstrom und vom Abfragestrom erzeugten
oder subtrahiert es sich zu oder von dem durch den Magnetfelder addieren. In diesem Falle wird dem
Dauerstrom erzeugten Magnetfeld. Die Verhältnisse Abfrageimpuls ein wesentlich größerer Widerstand
sind nun so bemessen, daß die kritische Feldstärke 50 entgegengesetzt, und am Abfrageleiter wird eine
der Supraleiterschicht, bei der diese normalleitend dementsprechend höhere Spannung auftreten, die als
wird und ihre Abschirmwirkung verliert, nur dann Anzeige einer bestimmten Dauerstromrichtung dient.
409 507/351
Da auch hier ein Teil der Leiterschleife beim Abfragen
normalleitend wird, klingt der Dauerstrom ab und muß erneut induziert werden, wenn die abgefragte
Information für eine erneute Abfrage wieder zur Verfugung stehen soll.
Durch die Erfindung soll nun eine Anordnung angegeben werden, die eine zerstörungsfreie Abfrage
ermöglicht. Gleichzeitig soll die Anordnung einfach im Aufbau und der Herstellung sein und beispiels-
Nähe der Schleife 12 befindet sich ein Meßleiter 14, ein erster Auswahlleiter 16 und ein zweiter Auswahlleiter
18. Der Übersichtlichkeit der Darstellung halber sind die Schleife 12 und die Leiter 14, 16 und 18
in F i g. 1 und in den übrigen Figuren vergrößert dargestellt. Die Auswahlleiter 16 und 18 sollen vorzugsweise
ein höheres kritisches Feld als die Schleife 12 besitzen. Der Meßleiter 14 besitzt jedoch ein anderes
kritisches Feld Hc als die Schleife 12 oder die Aus
weise keine Durchbrüche durch Leiterplatten erfor- io wahlleiter 16 und 18. Beispielsweise kann der Meß-
dern, da es bekanntlich schwierig ist, gedruckte Leiter leiter 14 aus einem Material bestehen, welches ein
herzustellen, die Löcher in Leiterplatten durchsetzen. niedrigeres kritisches Feld besitzt als das Material
Eine bei tiefen Temperaturen arbeitende Speicher- der Auswahlleiter 16 und 18 und das Material der
anordnung für binäre Signale, enthaltend Leiter- Schleife 12. Der Meßleiter 14 kann auch aus dem-
schleifen aus supraleitendem Werkstoff, in denen ent- 15 selben Material bestehen wie die Schleife 12, jedoch
sprechend den beiden möglichen Ziffernwerten der einen kleineren Querschnitt aufweisen als jede Stelle
zu speichernden Signale Dauerströme entgegenge- der Schleife 12, wie in Fig. 2 durch die kleinere
setzter Richtung induzierbar sind, ferner mindestens Querschnittsfläche 20 angedeutet ist. Diese kleinere
einen Steuerleiter zur Erzeugung eines Abfragema- Querschnittsfläche vermindert das kritische Feld des
gnetfeldes, das sich dem Feld des in der Leiter- 20 Meßleiters unter den Wert der Schleife 12.
schleife kreisenden Stromes überlagert, und einen Meßleiter, an dem ein die Richtung des Dauerstromes
anzeigendes Signal abnehmbar ist, ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß der Meß-
Charakteristische Darstellungen des kritischen Feldes Hc für Tantal, Blei und Niobium sind in F i g. 3
dargestellt. Jede der Kurven in F i g. 3 entspricht dem Übergangsgebiet zwischen dem supraleitfähigen
leiter dauernd in den Magnetfeldern der Dauerströme 25 Zustand und dem widerstandsbehafteten Zustand für
aller Leiterschleifen liegt und bezüglich Querschnitt, das betreffende supraleitfähige Material. Für jeden
Lage und Werkstoff so bemessen ist, daß sein Widerstandszustand unter der Einwirkung des Abfrage
magnetfeldes nur dann zwischen normalleitend und
Punkt dieser Kurven gilt, daß sich das Material oberhalb der Kurve in einem widerstandsbehafteten Zustand
befindet und unterhalb dieser Kurve in einem
supraleitend umschaltet, wenn der Dauerstrom in der 30 supraleitfähigen Zustand,
abgefragten Leiterschleife eine bestimmte Richtung Man kann also beispielsweise Blei für die Schleife
hat. 12 benutzen. Die Auswahlleiter 16 und 18 können
Ein Abfragesignal einer bestimmten Polarität, das aus Niobium bestehen und der Meßleiter 14 aus Tandas
Abfragemagnetfeld erzeugt, bewirkt also eine tal. In diesem Falle hat der Meßleiter 14 ein kleine-Änderung
des Widerstandszustandes des in seinem 3 5 res kritisches Feld als die Schleife 12 und die AusBereich
liegenden Teiles des Meßleiters nur bei einer wahlleiter 16 und 18. Wie weiter unten noch ausführbestimmten
Stromrichtung in der Schleife. Bei der Hcher beschrieben werden wird, befindet sich der
anderen Stromrichtung des in der Schleife kreisen- Meßleiter 14 (F i g. 1) bzw. 20 (F i g. 2) während des
den Dauerstromes wird der Widerstandszustand des Betriebes des Speichers normalerweise im supraleit-Meßleiters
nicht geändert. Nach dem Verschwinden 40 fähigen Zustand.
des Ablesesignals kehrt der Meßleiter in seinen ur- Der Meßleiter 14 ist räumlich derart angeordnet,
sprünglichen Zustand wieder zurück. Beim Abfragen daß er mit den magnetischen Feldern der Ströme der
wird weder die Größe noch die Richtung des in der Schleife 12 verkettet ist. Der Meßleiter 14 und der
Schleife kreisenden Dauerstromes dauernd geändert. erste und zweite Auswahlleiter 16 bzw. 18 werden
Die gespeicherte Information wird also bei der Ab- 45 jn den Abständen d, 2d und 3d von der aächstgelefrage
nicht gelöscht. genen Kante der Schleife 12 angebracht; die Gründe
Die Erfindung soll nun an Hand der Zeichnung in hierfür werden weiter unten noch erläutert werden.
Verbindung mit Ausführungsbeispielen näher erläu- Der Abstand d wird klein gegenüber der Breite w der
tert werden: Schleife 12 gewählt, und zwar kann die Größe d etwa
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung eines 5o ein Zehntel der Größen» betragen. Der erste und
Speichers gemäß der Erfindung, bei welchem zwei zweite Auswahlleiter 16 und 18 werden mit der er-Auswahlleiter
benutzt werden; sten bzw. zweiten Auswahlquelle 17 bzw. 19 verbun-
F i g. 2 ist ein Schnitt durch eine andere Ausfüh- den. Vorzugsweise sollen die Auswahlquellen 17 und
rungsform der Erfindung; 19 einen konstanten Strom liefern. Der Meß-
F i g. 3 zeigt das kritische magnetische Feld H1. in 55 leiter 14 ist mit einer Klemme einer Meßvorrichtung
Abhängigkeit von der Temperatur in Grad Kelvin 22 verbunden. Die Meßvorrichtung 22 kann eine
für verschiedene supraleitfähige Materialien;
F i g. 4 zeigt eine Reihe von Querschnitten längs der Linie 4-4 in F i g. 1 und dient zur Erläuterung
der Wirkungsweise des Speichers nach Fig. 1;
Fig. 5 zeigt ein erfindungsgemäßes Speichersystem
mit einem einzigen Auswahlleiter und
Fig. 6 eine Ausführungsform mit einer Aufreihung
von Speicherelementen.
zweite Eingangsklemme 23 und zwei Ausgangsklemmen 24 besitzen. Außerdem ist eine Eingangsklemme
der Meßvorrichtung 22 geerdet.
Der Speicher nach F i g. 1 und die weiterhin beschriebenen Speicheranordnungen werden in einem
niedrigen Temperaturbereich betrieben, so daß sie
Supraleitfähigkeit zeigen. Eine geeignete niedrige Temperatur ist diejenige flüssigen Heliums, daß auf
Supraleitfähigkeit zeigen. Eine geeignete niedrige Temperatur ist diejenige flüssigen Heliums, daß auf
Das supraleitfähige Element 10 in F i g. 1 besteht 65 etwa 4,2° K abgekühlt ist. Vorzugsweise sollen die
aus einer geschlossenen Schleife 12 aus supraleit- Auswahlleiter sich stets im supraleitfähigen Zustand
fähigem Material, beispielsweise aus Blei, Zinn usw. befinden. Die Schleifen 12 sind ebenfalls supraleit-
Diese Schleife hat eine Breite w. In unmittelbarer fähig, wenn sie nicht gerade durch einen Nieder-
schriftvorgang in den widerstandsbehafteten Zustand überführt worden sind.
Die Information wird in der Schleifen durch
gleichzeitige Zuführung von Strömen geeigneter Amplitude zu den Auswahlleitern 16 und 18 gespeichert.
Ein Schleifenstrom im Uhrzeigersinn stellt die eine der binären Ziffern »1« und »0« dar und ein Schleifenstrom,
der entgegen dem Uhrzeigersinn fließt, die andere dieser binären Ziffern. Beispielsweise kann
ein Gegenfeld angelegt wird. Es muß aber vorausgesetzt werden, daß das Gegenfeld nicht so groß ist,
daß die Schleife in ihren widerstandsbehafteten Zustand gebracht wird wie beim Aufzeichnungsvorgang.
Die zwei Ableseströme erzeugen zusammen ein magnetisches Feld, welches an der Stelle des Meßleiters
14 das magnetische Feld des Schleifenstromes entweder unterstützt oder ihm entgegenwirkt. Wenn
die Felder der Auswahlleiter und der Schleife ein-
die binäre Ziffer »1« durch gleichzeitige Zuführung io ander entgegenwirken, bleibt der Meßleiter 14 im
von Strömen zu den Auswahlleitern 16 und 18 in supraleitfähigen Zustand. Wenn diese Felder sich
der Richtung der Pfeile IS1 gespeichert werden. Diese
zwei Auswahlströme erzeugen zusammen ein magnetisches Feld von ausreichender Amplitude, um die
Schleife 12 aus ihrem supraleitfähigen Zustand in 15
den widerstandsbehafteten Zustand zu überführen.
Nach Verschwinden dieser Ströme fließt in der
Schleife 12 ein Strom im Gegenuhrzeigersinn, wie
Fig. 4a zeigt. In Fig. 4 ist dabei die Stromrichtung
in die Zeichenebene hinein durch ein Kreuz und die 20 Meßleiter 14 in seinen widerstandsbehafteten Zu-Stromrichtung aus der Zeichenebene heraus durch stand zu bringen. Auch das magnetische Feld des im einen Punkt angedeutet. Es ist zu beachten, daß ein
einziger Auswahlstrom /s t jedoch kein ausreichendes
zwei Auswahlströme erzeugen zusammen ein magnetisches Feld von ausreichender Amplitude, um die
Schleife 12 aus ihrem supraleitfähigen Zustand in 15
den widerstandsbehafteten Zustand zu überführen.
Nach Verschwinden dieser Ströme fließt in der
Schleife 12 ein Strom im Gegenuhrzeigersinn, wie
Fig. 4a zeigt. In Fig. 4 ist dabei die Stromrichtung
in die Zeichenebene hinein durch ein Kreuz und die 20 Meßleiter 14 in seinen widerstandsbehafteten Zu-Stromrichtung aus der Zeichenebene heraus durch stand zu bringen. Auch das magnetische Feld des im einen Punkt angedeutet. Es ist zu beachten, daß ein
einziger Auswahlstrom /s t jedoch kein ausreichendes
aber unterstützen, wird der Meßleiter 14 aus dem supraleitfähigen Zustand in den widerstandsbehafteten
Zustand gebracht.
Es sei beispielsweise angenommen, daß ein Strom der entgegen dem Uhrzeigersinn fließt und der der
binären Ziffer »1« entspricht, in der Schleife 12 fließt, wie bei c in F i g. 4 angedeutet. Das magnetische
Feld der Schleife 12 allein ist zu klein, um den
magnetisches Feld erzeugt, um die Schleife 12 in den
Uhrzeigersinn fließenden Schleifenstromes und das gesamte magnetische Feld in der Richtung Ir wirken
am Meßleiter 14 einander entgegen, wie durch die
widerstandsbehafteten Zustand zu überführen. Gleich- 25 beiden Pfeile angedeutet. Da die Felder der Schleife
zeitig auftretende Auswahlströme/s0 von umgekehr- 12 und der Auswahlleiter einander entgegengerichtet
ter Stromrichtung bewirken also eine Speicherung sind, bleibt also der Meßleiter 14 in seinem suprader
binären Ziffer »0«, indem sie einen Strom im leitfähigen Zustand. Dieses Ausbleiben der Zustands-Uhrzeigersinn
in der Schleife 12 erzeugen, wie bei b änderung des Meßleiters 14 wird durch die Meßin
Fig. 4 angedeutet. Praktisch kann der Auswahl- 30 vorrichtung22 angezeigt, die aus einer beliebigen gestrom
im zweiten Auswahlleiter 18 eine etwas größere eigneten Widerstandsmeßeinrichtung bestehen kann.
Amplitude erhalten als der Auswahlstrom im ersten Ein Stromimpuls /„, der der zweiten Eingangs-Auswahlleiter
16, um den größeren Abstand von der klemme 23 der Meßvorrichtung 22 zugeführt wird,
Schleife 12 auszugleichen. Die Breite w der Schleife findet also während des Ablesevorganges den Meß-12
ist so groß, daß das magnetische Feld der Aus- 35 leiter entweder im normalen supraleitfähigen Zustand
wahlströme auf die den Auswahlleitem abgewendete oder im widerstandsbehafteten Zustand vor. Wenn
Seite der Schleife 12 nur einen verschwindenden Ein- das gespeicherte Signal der binären Ziffer »1« entfluß
ausübt. Die Länge der Schleife 12 (in F i g. 1 in spricht, ist der Meßleiter 14 supraleitend. Die Meßsenkrechter
Richtung gemessen) stellt eine zuverläs- vorrichtung 22 liefert dann an ihren Ausgangssige
Kopplung zwischen dem rechten Schleifenast 40 klemmen 24 ein entsprechendes Signal, welches die
und den Auswahlleitem sicher. Ziffer »1« wiedergibt. Nachdem das Ausgangssignal
Während eines Ablesevorganges wird ein Auswahl- erzeugt worden ist, werden die Ableseströme von den
strom I1. einer bestimmten Polarität, beispielsweise Leitern 16 und 18 abgeschaltet, und der Meßleiter 14
der Polarität /s v beiden Auswahlleitem 16 und 18 kehrt in seinen ursprünglichen supraleitfähigen Zuzugeführt.
Die Ableseströme haben eine zu kleine 45 stand zurück.
Amplitude, um die Schleife 12 in den Widerstands- Es sei nun angenommen, daß gemäß d in F i g. 4
behafteten Zustand zu bringen. Auch wenn ein ein Strom im Uhrzeigersinn, welcher der binären
Schleifenstrom beispielsweise der Amplitude / im Ziffer »0« entspricht, in der Schleife 12 fließt. Die
Uhrzeigersinn fließt, wird durch den Ablesestrom Ir Ableseströme Ir erzeugen am Meßleiter 14 wieder ein
die Amplitude des Schleifenstromes nicht merklich 50 resultierendes magnetisches Feld. Dieses Feld addiert
beeinflußt. Jedoch wird ein entgegen dem Uhrzeiger- sich jedoch nun zu dem Feld der Schleife 12, wie
sinn fließender Schleifenstrom um einen Betrag, der bei d in F i g. 4 angedeutet. Die Summe der magneproportional
/r multipliziert mit einem von der Geo- tischen Felder am Meßleiter 14 überschreitet nunmetrie
der Anordnung abhängigen Faktor ist, der mehr den kritischen Wert, und der Meßleiter wird
jedoch 0,51 nicht überschreitet, etwas verkleinert. 55 dadurch aus seinem anfänglichen supraleitenden Zu-Eine
Zunahme des Schleifenstromes / findet deshalb stand in den widerstandsbehafteten Zustand gebracht,
nicht statt, weil die zwei induzierten Schleifenströme / Der Meßverstärker 22 liefert dann ein Ausgangsund
—/ durch Benutzung verhältnismäßig großer signal, welches die in der Schleife 12 gespeicherte
Aufzeichnungsströme eine große Amplitude erhalten. binäre Ziffer »0« wiedergibt, wenn der Strom /„ sei-Die
Amplitude des Schleifenstromes im supraleit- 60 ner zweiten Eingangsklemme 23 zugeführt wird. Nach
fähigen Zustand ändert sich normalerweise in einer dem Verschwinden der Ableseströme kehrt der Meßsolchen
Richtung, daß ein konstanter magnetischer leiter 14 wieder in seinen supraleitfähigen Zustand
Fluß durch die Schleife 12 entsteht. Wenn also ein zurück.
Auswahlfeld das Feld des Schleifenstromes unter- Als Meßvorrichtung 22 kann jede beliebige geeig-
stützt, nimmt der Schleifenstrom ab und umgekehrt. 65 nete Vorrichtung benutzt werden. Beispielsweise
Praktisch wurde jedoch gefunden, daß, wenn der kann die Meßvorrichtung 22 aus einer kyroelek-Schleifenstrom
sich bereits auf einem Maximalwert irischen Vorrichtung bestehen. Praktisch kann die
befindet, er bei diesem Wert verbleibt, selbst wenn Meßvorrichtung 22 so ausgebildet werden, daß sie
einen verhältnismäßig starken Strom an den Ausgangsklemmen 24 dann liefert, wenn die binäre
Ziffer »0« von dem Speicherelement 10 abgelesen wird, und daß sie kein Ausgangssignal liefert, wenn
die binäre Ziffer »1« abgelesen wird.
Die im Element 10 gespeicherte Information kann beliebig oft abgelesen werden.
In gewissen Anwendungsfällen kann auch ein einziger Auswahlstrom zur Ablesung der gespeicherten
gebracht, wie für einen Speicher 10' in F i g. 5 dargestellt
ist. Der einzige Auswahlleiter 27 ist an einer Auswahlquelle 28 angeschlossen, welche geeignete
seite einer Schleife 12 angeordnet werden, um eine gute Kopplung zu ermöglichen. Wie oben bereits ausgeführt,
wird eine derartige gute Kopplung durch eine genügend große Fläche der Spule 12 sichergestellt.
Somit beginnt jeder Zeilenleiter 36 an der linken Seite des ganzen Feldes von Elementen und
verläuft mit seinen senkrechten Ästen jeweils auf der rechten Seite der betreffenden Schleife einer Zeile
von Elementen. Die Meßwicklung 33 und die den
Information dienen. In diesen Fällen wird ein ein- io senkrechten Reihen zugeordneten Leiter 35 und 36
ziger Auswahlleiter 27 neben dem Meßleiter 14 an- können alle auf der Unterlage 32 nach dem an sich
bekannten Verfahren der Herstellung gedruckter Stromkreise angebracht werden. Wenn diese zum
Betrieb erforderlichen Leiter also durch Drucken Aufzeichnungs- und Ablesesignale liefert. Die üb- 15 hergestellt werden, kann man durch geeignete isorigen
Bestandteile der Fig. 5 entsprechen denjenigen lierende Zwischenschichten, die in der Zeichnung
in Fig. 1.
Die Einrichtung nach F i g. 5 arbeitet ähnlich wie diejenige nach Fig. 1 mit der Ausnahme, daß die
Betriebssignale lediglich dem Auswahlleiter 27 zügeführt werden. Während des Ablesevorganges liefert
die Meßvorrichtung 22 das verhältnismäßig starke Ausgangssignal nur dann, wenn die Felder der Spule
12 und des Ablesestromes sich am Meßleiter 14 unterstützen.
Die Einrichtungen nach Fig. 1 und 5 können
durch entsprechende Wahl für den Meßleiter so ausgebildet werden, daß der Meßleiter normalerweise in
seinem widerstandsbehafteten Zustand ist. Ein für
diese Zwecke geeignetes Material ist ein solches Ma- 30 supraleitfähigen Zustand. Die zu speichernde Inforterial, dessen kritisches Feld kleiner ist als das von mation wird einem der Elemente 10 dadurch zugedem Schleifenstrom erzeugte Feld. Der Schleifen- führt, daß man die Schalter 40 und 42 so einstellt, strom trägt somit dazu bei, den Meßleiter 14 in dem daß die Auswahlströme dem betreffenden Leiter 40 widerstandsbehafteten Zustand zu halten. Während und 46 zugeführt werden. Diese Reihen- und Zeileneines Ablesevorganges geht der Meßleiter 14 aus sei- 35 auswahlströme besitzen jedoch eine so klein bemesnem widerstandsbehafteten Zustand in seinen supra- sene Amplitude, daß das kritische Feld eines der leitfähigen Zustand über, wenn der zur Ablesung der nicht auszuwählenden Elemente 10 nicht erreicht gespeicherten Information erzeugte Strom ein dem wird. Für das auszuwählende Element wird jedoch Feld der Schleife 12 entgegengesetztes Feld erzeugt. die kritische Feldstärke der betreffenden Schleife 12 Das am Meßleiter auftretende Feld ist dann kleiner 40 überschritten. Jedes der Elemente, welches nur von
durch entsprechende Wahl für den Meßleiter so ausgebildet werden, daß der Meßleiter normalerweise in
seinem widerstandsbehafteten Zustand ist. Ein für
diese Zwecke geeignetes Material ist ein solches Ma- 30 supraleitfähigen Zustand. Die zu speichernde Inforterial, dessen kritisches Feld kleiner ist als das von mation wird einem der Elemente 10 dadurch zugedem Schleifenstrom erzeugte Feld. Der Schleifen- führt, daß man die Schalter 40 und 42 so einstellt, strom trägt somit dazu bei, den Meßleiter 14 in dem daß die Auswahlströme dem betreffenden Leiter 40 widerstandsbehafteten Zustand zu halten. Während und 46 zugeführt werden. Diese Reihen- und Zeileneines Ablesevorganges geht der Meßleiter 14 aus sei- 35 auswahlströme besitzen jedoch eine so klein bemesnem widerstandsbehafteten Zustand in seinen supra- sene Amplitude, daß das kritische Feld eines der leitfähigen Zustand über, wenn der zur Ablesung der nicht auszuwählenden Elemente 10 nicht erreicht gespeicherten Information erzeugte Strom ein dem wird. Für das auszuwählende Element wird jedoch Feld der Schleife 12 entgegengesetztes Feld erzeugt. die kritische Feldstärke der betreffenden Schleife 12 Das am Meßleiter auftretende Feld ist dann kleiner 40 überschritten. Jedes der Elemente, welches nur von
nicht mit dargestellt sind, die Leitungen an den verschiedenen Überkreuzungspunkten voneinander isolieren.
Die vier Reihenleiter 35 sind mit vier Ausgangsklemmen eines Reihenauswahlschalters 40 verbunden.
Die vier Zeilenleiter sind dementsprechend mit vier Ausgangsklemmen eines Zeilenauswahlschalters
42 verbunden. Jeder Reihenleiter 35 und jeder Zeilenleiter 36 ist an seiner den betreffenden Schaltern
abgewendeten Klemme geerdet. Auch jeder Schalter 40 und 42 und die Meßvorrichtung 34 sind
geerdet.
Im Betrieb befindet sich der Meßleiter 33 im
als das kritische Feld, und der Meßleiter geht in seinen
supraleitfähigen Zustand über.
Man kann eine Mehrzahl von supraleitfähigen Elementen nach Fig. 1 zu einem vollständigen Strom-
einem magnetischen Feld eines einzigen Leiters durchsetzt wird, bleibt also in seinem supraleitenden
Zustand, während ein Element, das sowohl von einem Reihen- wie einem Zeilenleiter erregt wird,
sionaler Speicher 30 aus vier Elementen 10 in der Horizontalrichtung und aus vier Elementen 10 in der
Vertikalrichtung besteht. Jede der Schleifen 12 der Elemente 10 kann nach der an sich bekannten Technik
der gedruckten Stromkreise hergestellt werden, also beispielsweise durch Aufdampfen oder durch
Erzeugung eines elektrolytischen Niederschlags auf einer geeigneten Unterlage 32. Gewünschtenf alls kön-
speichersystem zusammenfügen. Ein Beispiel hierfür 45 aus seinem supraleitenden Zustand in seinen widerist
in Fig. 6 dargestellt, in welcher ein zweidimen- standsbehafteten Zustand übergeht, sofern nicht der
Schleifenstrom bereits in der gewünschten Richtung verläuft. Nach dem Abklingen des Reihen- und
Zeilenauswahlstromes befindet sich das gewünschte Element 10 im supraleitenden Zustand, wobei die
Richtung des in ihm fließenden Stromes der Polarität der Auswahlströme entspricht.
Etwaige weitere Speicherelemente 10 können zur Speicherung der Ziffern »1« oder »0« in der gleichen
nen die Elemente 10 auch aus Bleifolie oder Zinn- 55 Weise ausgewählt werden,
folie hergestellt werden. Eine gemeinsame Meßwick- Während der Ablesung der ganzen im Speicher
folie hergestellt werden. Eine gemeinsame Meßwick- Während der Ablesung der ganzen im Speicher
lung 33 läuft an allen Schleifen 12 im Abstand d vor- enthaltenen Information wird die in einem einzelnen
bei. Die eine Klemme 33 α der Meßwicklung 33 ist Element 10 gespeicherte Information in der an Hand
mit einer Meßvorrichtung 34 verbunden, und die an- der F i g. 1 beschriebenen Weise abgefragt. Es werdere
Klemme 33 b ist geerdet. Im Abstand von d von 60 den also zwei Ableseströme /r von verminderter Amder
Meßwicklung 33 sind vier verschiedene Leiter 35 plitude gegenüber den zur Aufzeichnung dienenden
angeordnet, die je einer senkrechten Reihe der EIe- Strömen den Zeilen- und Reihenleitern 35 und 36
mente 10 entsprechen. Ferner sind vier Leiter 36 im des betreffenden Elementes 10 zugeführt. Die Meß-Abstand
d neben jedem Leiter 35 angebracht. Die wicklung 33 geht in ihren widerstandsbehafteten ZuZeilen-
und Reihenleiter 36 und 35 liegen jeweils auf 65 stand nur dann über, wenn der Strom in dem bederselben
Seite, beispielsweise auf der rechten Seite treffenden Element 10 in einer bestimmten Richtung
der Schleifen 12. Vorzugsweise sollen alle diese zum verläuft, welche beispielsweise die binäre Ziffer »0«
Betrieb der Einrichtung nötigen Leiter an der Längs- wiedergibt. Die nicht ausgewählten Elemente 10 längs
der betreffenden Reihe oder Zeile, in welchen die binäre Ziffer »0« gespeichert ist, liefern kein Ablesesignal,
weil jeder einzelne der Reihe bzw. der Zeile zugeordnete Strom Ir ein zu kleines magnetisches
Feld hervorruft, um die Teile der Meßwicklung 33, welche in der Nähe dieser Elemente verlaufen, in den
widerstandsbehafteten Zustand zu bringen. Die verschiedenen Teile der Meßwicklung 33, welche an den
nicht ausgewählten Elementen 10, in denen die binäre Ziffer »1« gespeichert ist, vorbeilaufen, bleiben
ebenfalls im supraleitfähigen Zustand, da die Ableseströme ein Gegenfeld erzeugen. Die Meßvorrichtung
34 liefert ein Ausgangssignal, welches der gespeicherten Information des ausgewählten Elementes 10 entspricht.
Man kann beliebig oft hintereinander ein Ausgangssignal entsprechend der gespeicherten Information
in jedem Element erhalten, ohne den gespeicherten Wert zu zerstören.
Gemäß der Erfindung können auch andere mehrdimensionale Speichersysteme gebaut werden. Man
kann nämlich getrennte Meßleiter für jede einzelne Reihe von Elementen nach dem Verfahren der sogenannten
Wortspeichersysteme benutzen. In einem solchen Fall wird die in einer ausgewählten Zeile
von Elementen gespeicherte Information gleichzeitig mittels der getrennten Meßleiter dadurch abgelesen,
daß man ein geeignetes Ablesesignal von ausreichender Amplitude der Zeilenwicklung der gewählten
Zeile in einer dreidimensionalen Anordnung in einer aus dem Vorstehenden ersichtlichen Weise zuführt.
Claims (8)
- Patentansprüche:l.Bei tiefen Temperaturen arbeitende Speicheranordnung für binäre Signale, enthaltend Leiterschleifen aus supraleitendem Werkstoff, in denen entsprechend den beiden möglichen Ziffernwerten der zu speichernden Signale Dauerströme entgegengesetzter Richtung induzierbar sind, ferner mindestens einen Steuerleiter zur Erzeugung eines Abfragemagnetfeldes, das sich dem Feld des in der Leiterschleife kreisenden Stromes überlagert, und einen Meßleiter, an dem ein die Richtung des Dauerstromes anzeigendes Signal abnehmbarist, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßleiter (14, 33) dauernd in den Magnetfeldern der Dauerströme aller Leiterschleifen liegt und bezüglich Querschnitt, Lage und Werkstoff so bemessen ist, daß sein Widerstandszustand unter der Einwirkung des Abfragemagnetfeldes nur dann zwischen normalleitend und supraleitend umschaltet, wenn der Dauerstrom in der abgefragten Leiterschleife eine bestimmte Richtung hat.
- 2. Speicheranordnung nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Meßleiter normalerweise im supraleitenden Zustand befindet und daß das Abfragemagnetfeld so bemessen ist, daß das kritische Feld des Meßleiters überschritten wird, wenn der Dauerstrom der abgefragten Leiterschleife eine bestimmte Richtung hat.
- 3. Speicheranordnung nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Meßleiter normalerweise im widerstandsbehafteten Zustand befindet und daß das Abfragemagnetfeld so bemessen ist, daß das kritische Magnetfeld des Meßleiters unterschritten wird, wenn der Dauerstrom in der abgefragten Leiterschleife eine bestimmte Richtung hat.
- 4. Speicheranordnung nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung des Abfragemagnetfeldes zwei gleichzeitig erregbare Steuerleiter (16, 18) vorgesehen sind.
- 5. Speicheranordnung nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßleiter (14) in der Mitte zwischen dem Steuerleiter (27) und einer Längsseite der rechteckförmigen Leiterschleife (12) liegt.
- 6. Speicheranordnung nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Seite der Leiterschleife (12) mit gleichen Abständen (d) voneinander der Reihe nach der Meßleiter (14), der erste und der zweite Steuerleiter (16 bzw. 18) angeordnet sind.
- 7. Speicheranordnung nach Ansprach 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstände (d) der Leiter von der Schleife und voneinander klein im Vergleich zur Breite (w) der Schleife (2) sind.
- 8. Speicheranordnung nach Ansprach 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Gruppen von Steuerleitern (35 bzw. 36) vorgesehen sind und daß an jeder Leiterschleife je ein Steuerleiter der beiden Gruppen vorbeiläuft.In Betracht gezogene Druckschriften:USA.-Patentschriften Nr. 2 877 448, 2 914 735;IBM Journal of Research and Development,
Vol. 1, S. 294 bis 303, 1957, Nr. 4 (Oktober);Electronics, Vol. 32, S. 55 bis 57, 1959, Nr. 23
(Juni).Hierzu 1 Blatt Zeichnungen409 507/351 1.64 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US826347A US3181126A (en) | 1959-07-10 | 1959-07-10 | Memory systems |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1162604B true DE1162604B (de) | 1964-02-06 |
Family
ID=25246303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1162604D Pending DE1162604B (de) | 1959-07-10 | Bei tiefen Temperaturen arbeitende Speicheranordnung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3181126A (de) |
JP (1) | JPS387753B1 (de) |
DE (1) | DE1162604B (de) |
GB (1) | GB964320A (de) |
NL (1) | NL253605A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3245055A (en) * | 1960-09-06 | 1966-04-05 | Bunker Ramo | Superconductive electrical device |
US3381280A (en) * | 1964-04-03 | 1968-04-30 | Bell Telephone Labor Inc | Superconductive memory |
US3369224A (en) * | 1964-04-03 | 1968-02-13 | Ibm | Cryogenic thin film apparatus |
US3327303A (en) * | 1964-07-02 | 1967-06-20 | Charles J Hughes | Cryogenic analog-to-digital converter |
US3452333A (en) * | 1964-11-02 | 1969-06-24 | Rca Corp | Cryoelectric memories |
US3541532A (en) * | 1966-01-28 | 1970-11-17 | Gen Electric | Superconducting memory matrix with drive line readout |
US3491345A (en) * | 1966-10-05 | 1970-01-20 | Rca Corp | Cryoelectric memories employing loop cells |
NL6918302A (de) * | 1969-12-05 | 1971-06-08 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2856596A (en) * | 1954-12-20 | 1958-10-14 | Wendell S Miller | Magnetic control systems |
NL113733C (de) * | 1956-10-15 | |||
NL222423A (de) * | 1956-11-19 | |||
NL231789A (de) * | 1957-09-30 | |||
US2877448A (en) * | 1957-11-08 | 1959-03-10 | Thompson Ramo Wooldridge Inc | Superconductive logical circuits |
NL234526A (de) * | 1957-12-23 | |||
NL245977A (de) * | 1958-12-03 |
-
0
- DE DENDAT1162604D patent/DE1162604B/de active Pending
- NL NL253605D patent/NL253605A/xx unknown
-
1959
- 1959-07-10 US US826347A patent/US3181126A/en not_active Expired - Lifetime
-
1960
- 1960-07-01 GB GB23183/60A patent/GB964320A/en not_active Expired
- 1960-07-11 JP JP3149460A patent/JPS387753B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL253605A (de) | |
JPS387753B1 (de) | 1963-06-01 |
GB964320A (en) | 1964-07-22 |
US3181126A (en) | 1965-04-27 |
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