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DE1148659B - Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren - Google Patents

Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren

Info

Publication number
DE1148659B
DE1148659B DES68442A DES0068442A DE1148659B DE 1148659 B DE1148659 B DE 1148659B DE S68442 A DES68442 A DE S68442A DE S0068442 A DES0068442 A DE S0068442A DE 1148659 B DE1148659 B DE 1148659B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
electrolytic capacitors
vapor deposition
vapor
valve metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES68442A
Other languages
English (en)
Inventor
Henri George
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Quartz SAS
Original Assignee
Quartz and Silice SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Quartz and Silice SA filed Critical Quartz and Silice SA
Publication of DE1148659B publication Critical patent/DE1148659B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029Processes of manufacture
    • H01G9/0032Processes of manufacture formation of the dielectric layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren durch Aufdampfen von Ventilmetalloxyden auf eine Unterlage und anschließende elektrolytische Oxydation der aufgedampften Schicht.
  • Es ist bekannt, elektrolytische Kondensatoren herzustellen, indem man auf ein Ventilmetall, beispielsweise Aluminium, eine Schicht Titanoxyd aufdampft, die gegebenenfalls in die gewünschte Oxydform umgewandelt wird. Anschließend wird an den Fehlstellen der Titanoxydschicht ein nichtleitendes dielektrisches Umsetzungsprodukt der metallischen Unterlage, beispielsweise Aluminiumoxyd, erzeugt.
  • Ein anderes bekanntes Verfahren besteht darin, daß zuerst durch Wärme unter Vakuum oder einem Schutzgas eine Mischung von Silizium und einer Sauerstoffverbindung verdampft wird, so daß praktisch eine Schicht von SiO erzielt wird. Diese Schicht wird dann durch oxydierende Gase oder elektrolytische Oxydation oxydiert. Für die Herstellung von Kondensatoren kann die Schicht unmittelbar auf die Belegungen aufgebracht werden.
  • Nach einem weiteren bekannten Verfahren wird zum Aufdampfen einer dielektrischen Schicht auf eine leitende Unterlage die metailische Unterlage während des Aufdampfprozesses vorzugsweise auf eine Temperatur über 200° C erhitzt.
  • Diesen bekannten Verfahren gegenüber unterscheidet sich das Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren durch Aufdampfen von Ventilmetalloxyden auf eine Unterlage und anschließende elektrolytische Oxydation der aufgedampften Schicht erfindungsgemäß dadurch, daß das Aufdampfen bei einer Temperatur, bei der sich das Ventilmetalloxyd bereits teilweise thermisch zersetzt. undloder in Anwesenheit eines Reduktionsmittels erfolgt.
  • Das Verfahren wird beispielsweise wie folgt durchgeführt: Im Innern einer Vakuumglocke wird das in einem Tiegel oder auf einer geeigneten Unterlage aus Metall, z. B. Tantal, Molybdän, Wolfram oder jedem anderen hitzebeständigen Metall, oder auch aus einem isolierenden Material, z. B. aus verschiedenen feuerfesten Karbiden, Oxyden oder Boriden, befindliche Titanoxyd verdampft. Die Erhitzung dieses Pulvers kann in üblicher Weise, z. B. auf elektrischem Wege, durch Strahlungshitze oder durch ein Elektronenbombardement, erfolgen.
  • Im Laufe der Verdampfung erfolgt eine Zersetzung des Titanoxyds (TiOJ, die bereits in erheblichem Maße bei Temperaturen in der Größenordnung von 1500 bis 2000° C vor sich geht und die durch die Anwesenheit eines Reduktionsmittels im Innern des Tiegels oder auf dem Träger noch beschleunigt werden kann. Die gebildete Schicht von Titansuboxyd TiO, (wobei x kleiner ist als 2), ist schwarz und unterscheidet sich wesentlich von einer Schicht, die sich bei Verdampfung von Titanoxyd bei niedrigerer Temperatur von z. B. um 1200° C ergibt, wo noch keine thermische Zersetzung auftritt.
  • Die gebildete Schicht ist leitfähig, jedoch ist ihre Leitfähigkeit weniger gut als die einer aus metallischem Titan bestehenden Schicht von gleicher Dicke. Ihrem elektrischen Widerstand nach ist sie den Halbleitern zuzuordnen. Die Schicht kann unter der Vakuumglocke auf verschiedene Träger, z. B. auf eine Folie, einen Draht oder ein gesintertes Metallpulver, aufgedampft werden, wodurch sich eine ausgezeichnete Leitfähigkeit für den Strom bis zu den verschiedenen Stellen der Schicht ergibt. Sie kann aber auch auf einen dielektrischen Träger in Gestalt einer Platte, eines Drahtes od. dgl. aus solchem Werkstoff aufgedampft werden, wobei dann die Suboxydschicht selbst die Stromleitung ermöglicht.
  • Die in dieser Weise hergestellte Schicht wird anschließend nach bekannten Verfahren zur Bildung der dielektrischen Schicht auf den Metallen der genannten Klasse mit den in der Literatur beschriebenen Elektrolytzusammensetzungen oxydiert. Als solche Elektrolyte sind z. B. Borate, Tartrate, Zitrate usw., die in Wasser, Glycerin, Glykol usw. gelöst sind, zu nennen. Im Zuge der fortschreitenden Bildung dieser Schicht unter kontinuierlich gleichbleibender Spannung sind Interferenzfarben erkennbar, die die Umsetzung des Suboxyds in durchsichtiges Titanoxyd (T102) erkennbar machen. Die so erhaltene Schicht besitzt ausgezeichnete dielektrische Eigenschaften, welche sie als Material für die Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren geeignet erscheinen lassen.
  • Im folgenden sollen gemäß der Erfindung hergestellte elektrolytische Kondensatoren hinsichtlich ihrer wesentlichen Meßwerte den nach bekannten Verfahren hergestellten elektrolytischen Kondensatoren gegenübergestellt werden.
  • Beispiel 1 Formierungsspannung ....... 100 V Meßspannung bei 10 cm2 Oberfläche . . . . . . . . . . . . . . . 80 V Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,88 uF Reststrom . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 [A Aufdampftemperatur . . . . . . . . 1450 ± 150° C Beispiel 2 Formierungsspannung ....... 100 V Meßspannung bei 10 cm2 Oberfläche . . . . . . . . . . . . . . . 80 V Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1,25 #tF Reststrom . . . . . . . . . . .... ... 4 RA Aufdampftemperatur . . . . . . . . 1450 ± 150° C Die Werte des Verlustwinkels sind nicht angegeben, da die Trägerplatten aus Glas, praktisch also aus einem Nichtleiter bestanden, die verbleibende Stärke der noch leitenden Suboxydschicht vemachlässigbar klein war und sich somit ein bedeutender Reihenwiderstand ergab. Unter diesen Umständen wäre die Messung des Verlustwinkels ohne Bedeutung.
  • Unter den angegebenen Formierungsbedingungen erhält man daher eine spezifische Kapazität von etwa 0,1 j/cm2 bei einem Verlustwiderstand von etwa 30 M,Q - g,F. Einen solchen Wert des Verlustwiderstandes erhält man vergleichsweise leicht, während man bei aufgedampftem Metall nur Formierungsspannungswerte von maximal 50 V erreicht, von wo an es zur Bildung von Blasen an zahlreichen Stellen der Trägerschicht im angegebenen Elektrolyten kommt, welche den Durchschlag des Dielektrikum anzeigen, der von einer starken Stromerhöhung begleitet ist.
  • Beispiel 3 für einen nach bekannten Verfahren (Aufdampfen von Metall) hergestellten Elektrolytkondensator Formierungsspannung ....... 47,8V Meßspannung bei 10 em2 Oberfläche . . . . . . . . . . . . . . . 40,0 V Reststrom . . . . . . . .. . . . . . . . . 0,6 [A Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,49 #LF C - R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 MQ - #iF Bei diesem Beispiel wird das Metall auf seine Schmelzpunkttemperatur 1727° C gebracht.
  • Bei allen Beispielen fand Titan als Ventilmaterial Verwendung. Der Elektrolyt zum Formieren der aufgedampften Schichten war n/10-Ammoniumtartrat. Man kann auch n/100-Ammoniumborat verwenden.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren durch Aufdampfen von Ventilmetalloxyden auf eine Unterlage und anschließende elektrolytische Oxydation der aufgedampften Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufdampfen bei einer Temperatur, bei der sich das Ventilmetalloxyd bereits teilweise thermisch zersetzt, undjoder in Anwesenheit eines Reduktionsmittels (Tantalunterlage) erfolgt. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 898 482, 914 266, 937212.
DES68442A 1959-06-26 1960-05-10 Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren Pending DE1148659B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1148659X 1959-06-26

Publications (1)

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DE1148659B true DE1148659B (de) 1963-05-16

Family

ID=9646466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES68442A Pending DE1148659B (de) 1959-06-26 1960-05-10 Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren

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DE (1) DE1148659B (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE898482C (de) * 1943-03-12 1953-11-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung elektrischer Kondensatoren mit hoher spezifischer Kapazitaet
DE914266C (de) * 1942-04-24 1954-06-28 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer temperaturbestaendigen elektrisch beanspruchten Isolierschicht, insbesondere eines Dielektrikums fuer elektrische Kondensatoren
DE937212C (de) * 1951-06-22 1955-12-29 Siemens Ag Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE914266C (de) * 1942-04-24 1954-06-28 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer temperaturbestaendigen elektrisch beanspruchten Isolierschicht, insbesondere eines Dielektrikums fuer elektrische Kondensatoren
DE898482C (de) * 1943-03-12 1953-11-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung elektrischer Kondensatoren mit hoher spezifischer Kapazitaet
DE937212C (de) * 1951-06-22 1955-12-29 Siemens Ag Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen

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