DE1148659B - Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren - Google Patents
Verfahren zur Herstellung elektrolytischer KondensatorenInfo
- Publication number
- DE1148659B DE1148659B DES68442A DES0068442A DE1148659B DE 1148659 B DE1148659 B DE 1148659B DE S68442 A DES68442 A DE S68442A DE S0068442 A DES0068442 A DE S0068442A DE 1148659 B DE1148659 B DE 1148659B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- electrolytic capacitors
- vapor deposition
- vapor
- valve metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGPGDYLVALNKEG-UHFFFAOYSA-N azanium;azane;2,3,4-trihydroxy-4-oxobutanoate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O NGPGDYLVALNKEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003892 tartrate salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren durch Aufdampfen von Ventilmetalloxyden auf eine Unterlage und anschließende elektrolytische Oxydation der aufgedampften Schicht.
- Es ist bekannt, elektrolytische Kondensatoren herzustellen, indem man auf ein Ventilmetall, beispielsweise Aluminium, eine Schicht Titanoxyd aufdampft, die gegebenenfalls in die gewünschte Oxydform umgewandelt wird. Anschließend wird an den Fehlstellen der Titanoxydschicht ein nichtleitendes dielektrisches Umsetzungsprodukt der metallischen Unterlage, beispielsweise Aluminiumoxyd, erzeugt.
- Ein anderes bekanntes Verfahren besteht darin, daß zuerst durch Wärme unter Vakuum oder einem Schutzgas eine Mischung von Silizium und einer Sauerstoffverbindung verdampft wird, so daß praktisch eine Schicht von SiO erzielt wird. Diese Schicht wird dann durch oxydierende Gase oder elektrolytische Oxydation oxydiert. Für die Herstellung von Kondensatoren kann die Schicht unmittelbar auf die Belegungen aufgebracht werden.
- Nach einem weiteren bekannten Verfahren wird zum Aufdampfen einer dielektrischen Schicht auf eine leitende Unterlage die metailische Unterlage während des Aufdampfprozesses vorzugsweise auf eine Temperatur über 200° C erhitzt.
- Diesen bekannten Verfahren gegenüber unterscheidet sich das Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren durch Aufdampfen von Ventilmetalloxyden auf eine Unterlage und anschließende elektrolytische Oxydation der aufgedampften Schicht erfindungsgemäß dadurch, daß das Aufdampfen bei einer Temperatur, bei der sich das Ventilmetalloxyd bereits teilweise thermisch zersetzt. undloder in Anwesenheit eines Reduktionsmittels erfolgt.
- Das Verfahren wird beispielsweise wie folgt durchgeführt: Im Innern einer Vakuumglocke wird das in einem Tiegel oder auf einer geeigneten Unterlage aus Metall, z. B. Tantal, Molybdän, Wolfram oder jedem anderen hitzebeständigen Metall, oder auch aus einem isolierenden Material, z. B. aus verschiedenen feuerfesten Karbiden, Oxyden oder Boriden, befindliche Titanoxyd verdampft. Die Erhitzung dieses Pulvers kann in üblicher Weise, z. B. auf elektrischem Wege, durch Strahlungshitze oder durch ein Elektronenbombardement, erfolgen.
- Im Laufe der Verdampfung erfolgt eine Zersetzung des Titanoxyds (TiOJ, die bereits in erheblichem Maße bei Temperaturen in der Größenordnung von 1500 bis 2000° C vor sich geht und die durch die Anwesenheit eines Reduktionsmittels im Innern des Tiegels oder auf dem Träger noch beschleunigt werden kann. Die gebildete Schicht von Titansuboxyd TiO, (wobei x kleiner ist als 2), ist schwarz und unterscheidet sich wesentlich von einer Schicht, die sich bei Verdampfung von Titanoxyd bei niedrigerer Temperatur von z. B. um 1200° C ergibt, wo noch keine thermische Zersetzung auftritt.
- Die gebildete Schicht ist leitfähig, jedoch ist ihre Leitfähigkeit weniger gut als die einer aus metallischem Titan bestehenden Schicht von gleicher Dicke. Ihrem elektrischen Widerstand nach ist sie den Halbleitern zuzuordnen. Die Schicht kann unter der Vakuumglocke auf verschiedene Träger, z. B. auf eine Folie, einen Draht oder ein gesintertes Metallpulver, aufgedampft werden, wodurch sich eine ausgezeichnete Leitfähigkeit für den Strom bis zu den verschiedenen Stellen der Schicht ergibt. Sie kann aber auch auf einen dielektrischen Träger in Gestalt einer Platte, eines Drahtes od. dgl. aus solchem Werkstoff aufgedampft werden, wobei dann die Suboxydschicht selbst die Stromleitung ermöglicht.
- Die in dieser Weise hergestellte Schicht wird anschließend nach bekannten Verfahren zur Bildung der dielektrischen Schicht auf den Metallen der genannten Klasse mit den in der Literatur beschriebenen Elektrolytzusammensetzungen oxydiert. Als solche Elektrolyte sind z. B. Borate, Tartrate, Zitrate usw., die in Wasser, Glycerin, Glykol usw. gelöst sind, zu nennen. Im Zuge der fortschreitenden Bildung dieser Schicht unter kontinuierlich gleichbleibender Spannung sind Interferenzfarben erkennbar, die die Umsetzung des Suboxyds in durchsichtiges Titanoxyd (T102) erkennbar machen. Die so erhaltene Schicht besitzt ausgezeichnete dielektrische Eigenschaften, welche sie als Material für die Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren geeignet erscheinen lassen.
- Im folgenden sollen gemäß der Erfindung hergestellte elektrolytische Kondensatoren hinsichtlich ihrer wesentlichen Meßwerte den nach bekannten Verfahren hergestellten elektrolytischen Kondensatoren gegenübergestellt werden.
- Beispiel 1 Formierungsspannung ....... 100 V Meßspannung bei 10 cm2 Oberfläche . . . . . . . . . . . . . . . 80 V Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,88 uF Reststrom . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 [A Aufdampftemperatur . . . . . . . . 1450 ± 150° C Beispiel 2 Formierungsspannung ....... 100 V Meßspannung bei 10 cm2 Oberfläche . . . . . . . . . . . . . . . 80 V Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1,25 #tF Reststrom . . . . . . . . . . .... ... 4 RA Aufdampftemperatur . . . . . . . . 1450 ± 150° C Die Werte des Verlustwinkels sind nicht angegeben, da die Trägerplatten aus Glas, praktisch also aus einem Nichtleiter bestanden, die verbleibende Stärke der noch leitenden Suboxydschicht vemachlässigbar klein war und sich somit ein bedeutender Reihenwiderstand ergab. Unter diesen Umständen wäre die Messung des Verlustwinkels ohne Bedeutung.
- Unter den angegebenen Formierungsbedingungen erhält man daher eine spezifische Kapazität von etwa 0,1 j/cm2 bei einem Verlustwiderstand von etwa 30 M,Q - g,F. Einen solchen Wert des Verlustwiderstandes erhält man vergleichsweise leicht, während man bei aufgedampftem Metall nur Formierungsspannungswerte von maximal 50 V erreicht, von wo an es zur Bildung von Blasen an zahlreichen Stellen der Trägerschicht im angegebenen Elektrolyten kommt, welche den Durchschlag des Dielektrikum anzeigen, der von einer starken Stromerhöhung begleitet ist.
- Beispiel 3 für einen nach bekannten Verfahren (Aufdampfen von Metall) hergestellten Elektrolytkondensator Formierungsspannung ....... 47,8V Meßspannung bei 10 em2 Oberfläche . . . . . . . . . . . . . . . 40,0 V Reststrom . . . . . . . .. . . . . . . . . 0,6 [A Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,49 #LF C - R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 MQ - #iF Bei diesem Beispiel wird das Metall auf seine Schmelzpunkttemperatur 1727° C gebracht.
- Bei allen Beispielen fand Titan als Ventilmaterial Verwendung. Der Elektrolyt zum Formieren der aufgedampften Schichten war n/10-Ammoniumtartrat. Man kann auch n/100-Ammoniumborat verwenden.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren durch Aufdampfen von Ventilmetalloxyden auf eine Unterlage und anschließende elektrolytische Oxydation der aufgedampften Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufdampfen bei einer Temperatur, bei der sich das Ventilmetalloxyd bereits teilweise thermisch zersetzt, undjoder in Anwesenheit eines Reduktionsmittels (Tantalunterlage) erfolgt. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 898 482, 914 266, 937212.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1148659X | 1959-06-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1148659B true DE1148659B (de) | 1963-05-16 |
Family
ID=9646466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES68442A Pending DE1148659B (de) | 1959-06-26 | 1960-05-10 | Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1148659B (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE898482C (de) * | 1943-03-12 | 1953-11-30 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung elektrischer Kondensatoren mit hoher spezifischer Kapazitaet |
DE914266C (de) * | 1942-04-24 | 1954-06-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer temperaturbestaendigen elektrisch beanspruchten Isolierschicht, insbesondere eines Dielektrikums fuer elektrische Kondensatoren |
DE937212C (de) * | 1951-06-22 | 1955-12-29 | Siemens Ag | Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen |
-
1960
- 1960-05-10 DE DES68442A patent/DE1148659B/de active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE914266C (de) * | 1942-04-24 | 1954-06-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer temperaturbestaendigen elektrisch beanspruchten Isolierschicht, insbesondere eines Dielektrikums fuer elektrische Kondensatoren |
DE898482C (de) * | 1943-03-12 | 1953-11-30 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung elektrischer Kondensatoren mit hoher spezifischer Kapazitaet |
DE937212C (de) * | 1951-06-22 | 1955-12-29 | Siemens Ag | Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2601656C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines hochohmigen Cermet-Schichtwiderstandes und Cermet-Schichtwiderstand | |
DE2912402A1 (de) | Glasartiges material fuer einen elektrischen widerstand und verfahren zu dessen herstellung | |
DE2609356A1 (de) | Widerstandsmaterial sowie aus ihm hergestellter widerstand und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3026200A1 (de) | Nichtlinearer widerstand und verfahren zu seiner herstellung | |
DE19545455C1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Edelmetallpulvern | |
DE1490927B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstandselementes unter verwendung von tantalnitrid | |
DE69205881T2 (de) | Behandlung von Sinterlegierungen. | |
DE1596851B2 (de) | Elektrischer widerstand aus einem keramischen grundkoerper und einer glasigen widerstandsschicht | |
DE1950126A1 (de) | Verfahren zur Aufringung isolierender Filme und elektronische Bauelemente | |
DE2809818B2 (de) | Leitfähige Zusammensetzung und deren Verwendung | |
DE1293519B (de) | Verfahren zur Herstellung von dielektrischen oder halbleitenden Oxidschichten | |
DE1066654B (de) | ||
McNeill | The preparation of cadmium niobate by an anodic spark reaction | |
EP0465759B1 (de) | Infrarotstrahler mit geschützter Reflexionsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1148659B (de) | Verfahren zur Herstellung elektrolytischer Kondensatoren | |
DE895687C (de) | Verfahren zur Herstellung von Schichten aus Metalloxyden | |
DE937212C (de) | Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen | |
DE2930634A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines dielektrischen materials mit innerhalb des volumens verteilten isolierenden barrieren | |
DE914266C (de) | Verfahren zur Herstellung einer temperaturbestaendigen elektrisch beanspruchten Isolierschicht, insbesondere eines Dielektrikums fuer elektrische Kondensatoren | |
DE2202827B2 (de) | Gitterelektrode für elektrische Entladungsgefäß^ und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1261602B (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kondensatoren oder Gleichrichtern oder aehnlichen elektrischen Bauelementen mit einem Koerper aus keramischem Material hoher DK | |
DE3147551C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Abtastnadeln für Kapazitäts-Schallplatten und Abtastnadeln für Kapazitäts-Schallplatten | |
DE1816105B2 (de) | Elektrisch leitfaehiges wismutruthenium-oxid und dessen verwendung zur herstellung eines elektrischen widerstands | |
DE2605174B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen | |
DE730626C (de) | Verfahren zur Herstellung von hochohmigen Schichten im Innern von Vakuumroehren |