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DE1127409B - Schaltungsanordnung fuer Zweieranschluesse - Google Patents

Schaltungsanordnung fuer Zweieranschluesse

Info

Publication number
DE1127409B
DE1127409B DEJ18400A DEJ0018400A DE1127409B DE 1127409 B DE1127409 B DE 1127409B DE J18400 A DEJ18400 A DE J18400A DE J0018400 A DEJ0018400 A DE J0018400A DE 1127409 B DE1127409 B DE 1127409B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
series
subscriber
parallel
circuit arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEJ18400A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr-Ing Kurt Leberwurst
Kurt Zimmerer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Inst Post & Fernmeldewesen
Original Assignee
Inst Post & Fernmeldewesen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Post & Fernmeldewesen filed Critical Inst Post & Fernmeldewesen
Priority to DEJ18400A priority Critical patent/DE1127409B/de
Publication of DE1127409B publication Critical patent/DE1127409B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q5/00Selecting arrangements wherein two or more subscriber stations are connected by the same line to the exchange
    • H04Q5/24Selecting arrangements wherein two or more subscriber stations are connected by the same line to the exchange for two-party-line systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung für Zweieranschlüsse Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für Zweieranschlüsse mit symmetrischer Anschaltung der Teilnehmerapparate über Halbleiterdioden an die Sprechadern der gemeinsamen Anschlußleitung.
  • Zur Vermeidung der Nachteile der bekannten Zweieranschlüsse mit elektromechanischen Weichenrelais; wie Störungsanfälligkeit und erforderlicher Aufwand für Wartung der Relais, ist bereits ein Zweieranschluß bekannt, bei dem die Sprechadern einadrig durch eine Diode in der einen Sprechader durchgeschaltet werden und zur Entladung des Weckerkondensators eine weitere Diode zwischen dieser Diode in der Sprechader und dem Weckerkondensator angeschaltet und an Erdpotential gelegt ist. Die Durchschaltung wird durch die Polarität der an der Anschlußleitung liegenden Speisespannung gesteuert, die Kennzeichnung des abgehend rufenden Teilnehmers geschieht nach demPrinzip derWechselstromidentifizierung.
  • Bekannt wurde weiterhin ein Zweieranschluß, bei dem die Durchschaltung der Sprechadern zweiadrig durch je eine Diode in jeder Sprechader geschieht und zur Entladung des Weckerkondensators ein besonderer Entladestromkreis parallel zu diesem vorgesehen ist. In seiner Weiterentwicklung wurden die zur Sperrung der Sprechadern eingeschalteten Dioden durch Hinzufügen eines Quergliedes und weiterer Dioden zu einer T-Schaltung ergänzt.
  • Die relaislosen Gemeinschaftsumschalter mit Ausnahme der T-Schaltung haben den Nachteil, daß beim Zusammentreffen ungünstiger Leitungsbedingungen ihre Sperrdämpfung nicht den erforderlichen Wert erreicht. Infolge des geringen Sperrstromes bei dem an der Gesprächsverbindung nicht beteiligten Teilnehmers tritt jedoch bei diesem beim Abheben des Handapparates kein Mikrophonrauschen auf, so daß auch Nebensprechen hörbar werden kann, das bei der bisher üblichen Technik im Geräuschpegel unterging. Die Anforderungen an die Sperrdämpfung müssen daher gerade in diesem Fall besonders hoch sein. Weiterhin wird bei der einadrigen Durchschaltung die Anschlußleitung unsymmetrisch gesperrt. Bei der zweiadrigen Durchschaltung ist für den Weckerkondensator ein Entladestromkreis parallel zum Teilnehmerapparat erforderlich. Dieser besteht entweder aus einem durch den Gabelumschalter des Teilnehmerapparates abschaltbaren Widerstand oder aus einer Glimmdiode. Die Anwendung des abschaltbaren Widerstandes erfordert den Einsatz eines geänderten Teilnehmerapparates. Bei Anwendung der Glimmdiode wird dieRufenergie nur ungenügend ausgenutzt, da die Entladung des Weckerkondensators jeweils nur bis zur Brennspannung der Glimmdiode erfolgt; der Zweieranschluß ist in dieser Form nur bei kurzen Anschlußleitungen verwendbar.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine SchaltungsanordnungfürZweieranschlüsse zu schaffen, bei der bei zweiadriger symmetrischer Anschaltung der Teilnehmerapparate und hoher Sperrdämpfung die Verwendung besonderer Teilnehmerapparate vermieden und die Rufenergie möglichst vollkommen ausgenutzt wird.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst, indem auf der dem Teilnehmerapparat zugewandten Seite des Anschaltegliedes aus Dioden, welches aus der bekannten T-Schaltung oder auch einer anderen Diodenschaltung mit hoher Sperrdämpfung, z. B. aus mit hochohmigen Symmetrierwiderständen überbrückten Halbleiterdioden mit extrem kleinen Sperrstrom, bestehen kann, ein Halbleiterschalter, bestehend aus einer weiteren Halbleiterdiode in Reihe mit dem Teilnehmerapparat, einem Parallelwiderstand parallel zu dieser Reihenschaltung und einer Halbleitertriode in Reihe mit einem Vorwiderstand parallel zum Teilnehmerapparat, angeordnet ist, wobei die Steuerelektrode der Halbleitertriode direkt mit dem dem Teilnehmerapparat abgewandten Ende der weiteren Halbleiterdiode verbunden ist und die Halbleitertriode bei durch den Weckerkondensator fließendem Ladestrom durch den Spannungsabfall am Parallelwiderstand undurchlässig und bei aufgeladenem Kondensator durch den Sperrspannungsabfall an der weiteren Halbleiterdiode durchlässig steuerbar ist. Zum Schutze der Halbleiterdiode vor Überspannungen kann ein Amplitudenbegrenzer, z. B. eine Glimmdiode, zwischen Emitter und Kollektor vorgesehen werden.
  • Die Erfindung sei mit Hilfe der Zeichnung näher erläutert, Die beiden Teilnehmersprechstellen 1 bzw. 2 sind mit unterschiedlicher Polarität an die Sprechadern a und b der gemeinsamen Anschlußleitung angeschaltet. Zur Sperrung bzw. Durchschaltung der Sprechadern zum Teilnehmer, entsprechend der vom Amt anliegenden Polarität, sind die Halbleiterdioden 3 und 5 bzw. 4 und 6 eingeschaltet.
  • Hierzu werden zweckmäßig Dioden mit extrem kleinem Sperrstrom verwendet, wie das z. B. bei den bekannten Siliziumdioden der Fall ist. Im Sperrfall wird mit den angeschalteten hochohmigen Symmetrierwiderständen 7 und 9 bzw. 8 und 10 an den Dioden 3 und 5 bzw. 4 und 6 eine ausreichende Vorspannung erzielt, so daß der Wechselstromwiderstand der Symmetrierwiderstände für die Sperrdämpfung maßgebend wird; dadurch können die Anforderungen an die konstanten Kennwerte der Halbleiterdioden herabgesetzt werden, und die Auslese der Dioden kann wesentlich wirtschaftlicher gestaltet werden.
  • Die Funktion des Halbleiterschalters mit der Halbleitertriode 11 bzw. 12 beruht auf der Tatsache, daß während der Zeitdauer der Entladung des Weckerkondensators, der sich vorher bis auf die aus dem Wert derAlikrophonspeisespannung und demSpitzenwert der Rufwechselspannung zusammengesetzte Spannung aufgeladen hat, der Sperrstrom in der Gemeinschaftszweigleitung entgegengesetzt gerichtet ist. Dieser Sperrstrom führt einen Sperrspannungsabfall an der weiteren Diode- 17 bzw. 18 herbei, der den Emitter positiv gegenüber der Basis der Halbleitertriode 11 bzw. 12 werden läßt. Dabei wird der Halbleiterschalter durchlässig gesteuert, und der Weckerkondensator kann sich vollkommen entladen. Mit dieser Schaltungsanordnung wird eine fast vollständige Ausnutzung des Rufstromes erreicht.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Schaltungsanordnung für Zweieranschlüsse mit symmetrischer Anschaltung der Teilnehmerapparate über Halbleiterdioden an die Sprechadern der gemeinsamen Anschlußleitung; dadurch gekennzeichnet, daß auf der den Teilnehmerapparaten (1 bzw. 2) zugewandten Seite der Anschalteglieder aus Halbleiterdioden (3 und 5 bzw. 4 und 6) in Reihe zu jedem Teilnehmerapparat (1 bzw. 2) eine weitere Halbleiterdiode (17 bzw. 18) vorgesehen ist, daß parallel zu dieser Reihenschaltung ein Parallelwiderstand (15 bzw. 16) angeordnet ist und daß parallel zu jedem Teilnehmerapparat (1 bzw. 2) eine Halbleitertriode (11 bzw. 12) in Reihe mit einem Vorwiderstand (13 bzw. 14) angeschlossen ist, deren Steuerelektrode direkt mit dem dem Teilnehmerapparat (1 bzw. 2) abgewandten Ende der weiteren Halbleiterdiode (17 bzw. 18) verbunden ist und die durch den Spannungsabfall am Parallelwiderstand (15 bzw. 16) undurchlässig und durch den Sperrspannungsabfall an der weiteren Halbleiterdiode (17 bzw: 18) durchlässig steuerbar ist.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach. Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Emitter und Kollektor der Halbleitertriode (11 bzw. 12) ein Amplitudenbegrenzer (19 bzw. 20) eingeschaltet ist. In. Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 708 316; österreichische Patentschrift Nr. 206 017; französische Patentschrift Nr. 1012447; Rohde und Schwarz 1Vlitteilungen, 111952, S. 28.
DEJ18400A 1960-07-06 1960-07-06 Schaltungsanordnung fuer Zweieranschluesse Pending DE1127409B (de)

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DE1127409B true DE1127409B (de) 1962-04-12

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE708316C (de) * 1933-05-19 1941-07-17 Siemens & Halske Akt Ges Schaltungsanordnung zur Modulation oder Gleichrichtung
FR1012447A (fr) * 1949-09-14 1952-07-09 Onera (Off Nat Aerospatiale) Perfectionnements aux amplificateurs magnétiques à autoexcitation à gain élevé et grande stabilité de zéro
AT206017B (de) * 1957-08-22 1959-11-10 Siemens Ag Schaltungsanordnung für Zweieranschlüsse in Anlagen der Nachrichtenvermittlungstechnik

Patent Citations (3)

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FR1012447A (fr) * 1949-09-14 1952-07-09 Onera (Off Nat Aerospatiale) Perfectionnements aux amplificateurs magnétiques à autoexcitation à gain élevé et grande stabilité de zéro
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