DE1114591B - Device for producing semiconductor arrangements with alloyed electrodes - Google Patents
Device for producing semiconductor arrangements with alloyed electrodesInfo
- Publication number
- DE1114591B DE1114591B DEF28707A DEF0028707A DE1114591B DE 1114591 B DE1114591 B DE 1114591B DE F28707 A DEF28707 A DE F28707A DE F0028707 A DEF0028707 A DE F0028707A DE 1114591 B DE1114591 B DE 1114591B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ball
- gemstone
- plate
- recess
- shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000010437 gem Substances 0.000 claims description 31
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000011009 synthetic ruby Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adornments (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
F 28707 Vmc/21gF 28707 Vmc / 21g
änmeldetag: 18. JUNI 1959 Date of filing: June 18, 1959
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 5. OKTOBER 1961 NOTICE
THE REGISTRATION
AND ISSUE OF THE
EDITORIAL: OCTOBER 5, 1961
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit einlegierten Elektroden, bei der eine Kugel aus einem Legierungsmaterial auf einem Halbleiterkörper mit dem sie legiert werden soll, angeordnet und mittels eines Teiles aus natürlichem oder synthetischem Edelstein, wie z. B. Rubin, Saphir, Spinell, Zirkon oder Rutilit, in einer Bohrung gehalten wird.The invention relates to an apparatus for producing semiconductor arrangements with alloyed-in Electrodes, in which a ball made of an alloy material on a semiconductor body with which they is to be alloyed, arranged and by means of a part made of natural or synthetic gemstone, such as B. ruby, sapphire, spinel, zirconium or rutilite, is held in a hole.
Bei einem bekannten Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit einlegierten Elektroden wird in den glatten oder gerippten Halbleiterkörper aus Germanium od. dgl. an einer bestimmten Stelle eine Elektrode aus Indium einlegiert. Dabei wird eine Kugel aus Indium auf die Oberfläche des flachen Halbleiterkörpers gelegt und zusammen mit ihm durch einen Ofen gegeben, unter dessen Wärmeeinwirkung das Indium schmilzt und mit dem Germanium legiert.In a known method for producing semiconductor arrangements with alloyed electrodes is in the smooth or ribbed semiconductor body made of germanium od. Like. At a certain Place an electrode made of indium alloy. A ball of indium is placed on the surface of the laid flat semiconductor body and put together with him through a furnace, under the action of heat the indium melts and alloyed with the germanium.
Um eine möglichst gleichmäßige Ausbildung der fertigen Halbleiteranordnung zu erhalten, ist es wichtig, das geschmolzene Legierungsmaterial genau zu verteilen und die Verteilung zu kontrollieren. Dazu werden gemäß einem älteren Vorschlag in die Durchbohrungen einer Stahlplatte beidseitig des Halbleiterkörpers passende Lagersteine eingeführt, beispielsweise Rubine oder Saphire, die entsprechend der Größe der gewünschten Legierungsflächen durchbohrt sind. In die Durchbohrungen wird dann das Legierungsmaterial eingebracht.In order to obtain the most uniform possible formation of the finished semiconductor arrangement, it is important to accurately distribute the molten alloy material and control the distribution. In addition are according to an older proposal in the bores of a steel plate on both sides of the semiconductor body Matching jewels introduced, for example rubies or sapphires, which correspond to the Size of the desired alloy surfaces are pierced. The alloy material is then inserted into the perforations brought in.
Bei der Vorrichtung gemäß der Erfindung wird dagegen ein Schaft aus rostfreiem Stahl mit einem kegelförmig abgeschrägten und eine Aussparung aufweisenden Ende verwendet, in das ein Edelstein mit einer abgeschrägten Kante eingesetzt ist, über die sich die kegelförmig geneigte Kante des Schaftendes legt und den Edelstein festhält.In the device according to the invention, on the other hand, a stainless steel shaft becomes tapered beveled and a recess-having end used, in which a gemstone with a beveled edge is used, over which the conically inclined edge of the shaft end lies and hold the gem in place.
Synthetische Edelsteine, wie Rubine oder Saphire, sind monokristalline Formen aus geschmolzenem Aluminiumoxyd. Sie können mit größter Genauigkeit gebohrt, geschliffen und poliert werden. Die Bohrangstoleranz beträgt bis zu 0,0025 mm, und die Oberflächenglätte ist besser als die optische Kontrollmöglichkeit. Synthetic gemstones, such as rubies or sapphires, are monocrystalline forms made from molten material Aluminum oxide. They can be drilled, ground and polished with great accuracy. The drill bit tolerance is up to 0.0025mm, and the surface smoothness is better than visual control.
Zweckmäßig gehen durch den Edelstein und den Schaft Bohrungen, durch welche die Kugel von oben her auf die unterhalb des Edelsteins angeordnete Materialplatte fallen kann.Appropriately, holes go through the gemstone and the shaft, through which the ball from above can fall forth onto the plate of material arranged below the gemstone.
Der Edelstein kann zur Aufnahme der Kugel aus dem Legierungsmaterial mit einer kugelkalottenförmigen oder kegelförmigen Ausnehmung versehen sein, in der die Kugel von unten her gegen die Halbleiterplatte gehalten ist.The gemstone can be used to hold the ball made of the alloy material with a spherical cap-shaped or conical recess, in which the ball from below against the semiconductor plate is held.
Vorrichtung zum Herstellen
von Halbleiteranordnungen
mit einlegierten ElektrodenDevice for manufacturing
of semiconductor arrangements
with alloyed electrodes
Anmelder:
A. & M. Fell Limited, LondonApplicant:
A. & M. Fell Limited, London
Vertreter:Representative:
Dr.-Ing. H. Dabringhaus, Patentanwalt,
Düsseldorf, Charlottenstr. 58Dr.-Ing. H. Dabringhaus, patent attorney,
Düsseldorf, Charlottenstr. 58
Beanspruchte Priorität:Claimed priority:
Großbritannien vom 18. Juni 1958 und 10. Juni 1959
(Nr. 19 462)Great Britain June 18, 1958 and June 10, 1959
(No. 19,462)
Robert Andrew Fell, London,
ist als Erfinder genannt wordenRobert Andrew Fell, London,
has been named as the inventor
Außerdem kann der Edelstein aus einer Platte und einem darüber gelegenen Ring bestehen, die zusammen eine Aussparung zur Aufnahme der Kugel aus Legierungsmaterial bilden und die Kugel von unten her gegen die Materialplatte halten.In addition, the gemstone can consist of a plate and an overlying ring that come together form a recess for receiving the ball made of alloy material and the ball of hold down against the material plate.
Die Vorrichtung nach der Erfindung ist in der Zeichnung an Hand von Ausführungsbeispielen veranschaulicht. The device according to the invention is illustrated in the drawing on the basis of exemplary embodiments.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf die Vorrichtung;Fig. 1 is a top plan view of the device;
Fig. 2 ist eine Seitenansicht, teilweise im Schnitt;Fig. 2 is a side view, partly in section;
Fig. 3 zeigt eine abgewandelte Ausführungsform im Schnitt und in vergrößertem Maßstab;3 shows a modified embodiment in section and on an enlarged scale;
Fig. 4 stellt eine andere Abwandlung dar;Fig. 4 shows another modification;
Fig. 5 ist eine weitere Ausführungsform.Fig. 5 is another embodiment.
Ein Spannfutter aus Stahl oder Graphit besteht aus einer flachen Platte 1 mit einer Anzahl im Abstand voneinander angeordneten Bohrungen 2, die zur Aufnahme des Halbleiterkörpers 6 dienen. Das Futter 1 ist auf einer Grundplatte 3 angeordnet, und in der unteren Hälfte jeder Bohrung 2 ist ein genau zylindrisch ausgebildeter synthetischer Edelstein 4 vorgesehen, der an einem Schaft 5 aus rostfreiem Stahl befestigt ist. Über ihm ist der flache Halbleiterkörper 6 aus z. B. Germanium angeordnet, über dem sich ein weiterer Schaft oder eine Hülse 7 aus rostfreiem Stahl befindet, deren unteres Ende kegelförmig abgeschrägt ist und eine Aussparung aufweist, in die ein EdelsteinA chuck made of steel or graphite consists of a flat plate 1 with a number of bores 2 arranged at a distance from one another, which are used to hold the semiconductor body 6. The chuck 1 is arranged on a base plate 3, and in the lower half of each bore 2 a precisely cylindrical synthetic gemstone 4 is provided, which is attached to a shaft 5 made of stainless steel. Above him is the flat semiconductor body 6 made of, for. B. arranged germanium, above which there is another shaft or a sleeve 7 made of stainless steel, the lower end of which is tapered and has a recess into which a gemstone
109 707/213109 707/213
aus synthetischem Rubin oder ein sonstiger Edelstein eingesetzt ist, durch den eine Bohrung 8 geht, die mit einem kegeligen Einführtrichter oder einer kugelförmigen Einführkalotte versehen ist. Die Edelsteine sind durch Umwälzen der kegelförmig abgeschrägten Kanten der Schäfte 5 und 7 über eine abgeschrägte Kante des jeweiligen Edelsteins festgehalten. Dabei liegt der Edelstein auf dem plattenförmigen Halbleiterkörper 6 aus Germanium auf, und in der Bohrung 8 des Einfuhrtrichters befindet sich eine Kugel 9 aus z. B. Indium, die auf der Platte 6 aufliegt.made of synthetic ruby or any other precious stone is used, through which a bore 8 goes, with a conical insertion funnel or a spherical Introductory cap is provided. The gemstones are tapered by tumbling the cone Edges of the shafts 5 and 7 held on a beveled edge of the respective gemstone. Included the gem rests on the plate-shaped semiconductor body 6 made of germanium, and in the bore 8 of the funnel is a ball 9 made of z. B. Indium, which rests on the plate 6.
Die Vorrichtung wandert durch einen Ofen, in dem das Indium schmilzt, wobei die genauen Abmessungen der Bohrung und die polierte, genau ebene Oberfläche des auf der Germaniumplatte aufliegenden Edelsteins eine genaue Kontrolle der Legierungsfiäche des Indiums gewährleisten, die durch eine scharfe Kante begrenzt wird.The device travels through a furnace in which the indium melts, with the exact dimensions the bore and the polished, exactly flat surface of the lying on the germanium plate Gemstone ensure precise control of the alloy surface of the indium, which is achieved by a sharp Edge is limited.
Nach dem Durchgang durch den Ofen kann die Platte 6 umgewendet und das Legieren auf der anderen Seite durchgeführt werden.After passing through the furnace, the plate 6 can be turned over and alloying on the other Side to be carried out.
Für einen einzigen Arbeitsgang kann der untere zylindrische Edelstein 4 nach Fig. 3 durch eine Edelsteinplatte 4 a ersetzt werden, auf der ein Edelsteinring 4 b angeordnet ist. Aus diesem ragt eine Indiumkugel 10 heraus und liegt an der Unterseite der Platte 6 an.For a single operation, the lower cylindrical gemstone 4 according to FIG. 3 can be replaced by a gemstone plate 4 a , on which a gemstone ring 4 b is arranged. An indium ball 10 protrudes from this and rests on the underside of the plate 6.
Die Edelsteinplatte 4 a und der Edelsteinring 4 b werden in einem kegelförmig abgeschrägten Stahlschaft oder einer Stahlhülse 5 gehalten, wobei die dünne Endkante des Schaftes wie oben in einem Winkel von etwa 45° auf den Edelsteinring gewalzt ist.The gemstone plate 4 a and the gemstone ring 4b are held in a conically tapered steel shaft or a steel sleeve 5, the thin end edge of the shaft being rolled onto the gemstone ring at an angle of about 45 ° as above.
Wie Fig. 4 zeigt, kann die Kugel 10 aus Legierungsmaterial auch in einer kugelkalottenförmigen Ausnehmung oder entsprechend der Fig. 5 in einer kegelförmigen Ausnehmung des Edelsteinteils 4 b oder 4 liegen, wobei sie ebenfalls aus dem Edelstein herausragt und an der Platte 6 anliegt.As shown in FIG. 4, the ball 5 in a tapered recess 10 can be made of alloy material in a spherical cap-shaped recess or corresponding to FIG. Gemstone part 4 b and 4 are, whereby they also protrude from the precious stone and rests on the plate 6.
Schließlich kann beispielsweise der Edelstein 4 rechteckig und mit parallelen Seitenflächen ausge-Finally, for example, the gemstone 4 can be rectangular and have parallel side surfaces.
bildet sein, anstatt aus einer zylindrischen Scheibe zu bestehen.instead of consisting of a cylindrical disc.
Claims (4)
»Transistor Technology«, Vol. Ill, S. 183/187,
D. van Nostrand Comp., Inc., New York 1958.Considered publications:
"Transistor Technology", Vol. Ill, pp. 183/187,
D. van Nostrand Comp., Inc., New York 1958.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB19462/58A GB869863A (en) | 1958-06-18 | 1958-06-18 | Improvements in or relating to the manufacture of transistors, rectifiers and other semi-conductor devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1114591B true DE1114591B (en) | 1961-10-05 |
Family
ID=10129771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEF28707A Pending DE1114591B (en) | 1958-06-18 | 1959-06-18 | Device for producing semiconductor arrangements with alloyed electrodes |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3135232A (en) |
| DE (1) | DE1114591B (en) |
| FR (1) | FR1230732A (en) |
| GB (1) | GB869863A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1132660B (en) * | 1960-07-06 | 1962-07-05 | Intermetall | Alloying device for the production of semiconductor arrangements by simultaneously alloying electrodes on opposite surfaces of a semiconductor chip |
| NL278601A (en) * | 1961-05-25 | |||
| US3250048A (en) * | 1964-08-18 | 1966-05-10 | Philips Corp | Multiple alloying jigs for manufacturing semiconductor devices having at least one alloy contact each |
| GB1508324A (en) * | 1975-06-04 | 1978-04-19 | Ciba Geigy Ag | Moulds for encapsulating |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2791524A (en) * | 1953-04-03 | 1957-05-07 | Gen Electric | Fabrication method for p-n junctions |
| BE525280A (en) * | 1952-12-31 | 1900-01-01 | ||
| US2817607A (en) * | 1953-08-24 | 1957-12-24 | Rca Corp | Method of making semi-conductor bodies |
| NL91363C (en) * | 1954-05-18 | |||
| GB794674A (en) * | 1954-08-31 | 1958-05-07 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to methods of forming a junction in a semiconductor |
| US2942568A (en) * | 1954-10-15 | 1960-06-28 | Sylvania Electric Prod | Manufacture of junction transistors |
| US2994627A (en) * | 1957-05-08 | 1961-08-01 | Gen Motors Corp | Manufacture of semiconductor devices |
-
1958
- 1958-06-18 GB GB19462/58A patent/GB869863A/en not_active Expired
-
1959
- 1959-06-12 US US820055A patent/US3135232A/en not_active Expired - Lifetime
- 1959-06-18 DE DEF28707A patent/DE1114591B/en active Pending
- 1959-06-18 FR FR797822A patent/FR1230732A/en not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1230732A (en) | 1960-09-19 |
| US3135232A (en) | 1964-06-02 |
| GB869863A (en) | 1961-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0176944B1 (en) | Method and device for making a dental mould on a base plate | |
| EP0562141B1 (en) | Setting of precious stones | |
| DE1203573B (en) | Interchangeable cutting plate for a turning tool holder | |
| DE2924928C2 (en) | Casting mold for casting sample blocks that are cut in a microtome or ultramicrotome | |
| DE1114591B (en) | Device for producing semiconductor arrangements with alloyed electrodes | |
| DE102008035730B4 (en) | Method for attaching a machining pin to a gem to be ground and handling or processing pin and measuring pin for performing the method | |
| DE3118673A1 (en) | "SURGICAL CUTTING TOOL, ESPECIALLY FOR EYE OPERATIONS" | |
| DE655320C (en) | Punching device for sproede, under pressure crumbling or disintegrating materials, such as mica or the like. | |
| DE859556C (en) | Setting device for determining the height of the tool tip when machining cylindrical workpieces made of magnetic materials | |
| DE1799806U (en) | DEVICE FOR PRODUCING TRANSISTORS, RECTIFIERS, OD. DGL. | |
| DE2818911C2 (en) | Device for local heating of an object | |
| CH377119A (en) | Method and device for connecting a gemstone to a holder | |
| EP0221248B1 (en) | Method and device to set precious stones | |
| DE1106873B (en) | Alloy process for manufacturing a semiconductor device | |
| DE936916C (en) | Graver for engraving machines or the like. | |
| CH629693A5 (en) | Device for locally heating an object | |
| DE2728256A1 (en) | TOOL FOR ELECTRO-CHEMICAL MARKING OF A METALLIC SURFACE | |
| DE414769C (en) | Device for cutting holes | |
| DE1954785A1 (en) | Method and device for drilling holes in a plastic plate | |
| DE820508C (en) | Weight, especially for balancing rotating bodies | |
| DE811741C (en) | Device for making fabric buttons | |
| DE2852837A1 (en) | PROCESS AND DEVICE FOR SEPARATING EXCESS MATERIAL | |
| DE3123595C2 (en) | Device for the detachable fastening of small parts on a perforated plate | |
| CH436741A (en) | Cone gauge | |
| DE851232C (en) | Device for marking metallic workpieces |