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DE1110320B - Elektrische Isolierung fuer Halbleiteranordnungen - Google Patents

Elektrische Isolierung fuer Halbleiteranordnungen

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Publication number
DE1110320B
DE1110320B DES56341A DES0056341A DE1110320B DE 1110320 B DE1110320 B DE 1110320B DE S56341 A DES56341 A DE S56341A DE S0056341 A DES0056341 A DE S0056341A DE 1110320 B DE1110320 B DE 1110320B
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DE
Germany
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electrical insulation
semiconductor
semiconductor material
semiconductor assemblies
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES56341A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Reimer Emeis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Publication date
Priority to NL231600D priority Critical patent/NL231600A/xx
Priority to NL109367D priority patent/NL109367C/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES56341A priority patent/DE1110320B/de
Priority to CH6730058A priority patent/CH365116A/de
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Description

  • Elektrische Isolierung für Halbleiteranordnungen Isolationsmittel zur elektrischen Isolierung von elektrischen Leitern, z. B. metallischen Leitern, gibt es in den mannigfachsten Ausführungen. Allen bisher bekannten elektrischen Isolierungen ist die bei manchen Anwendungen als Nachteil empfundene Eigenschaft gemein, daß sie gleichzeitig mehr oder weniger stark als Wärmeisolierung wirken. Dies ist vor allen Dingen in den Fällen unerwünscht, in denen ein eventuell eintretender Wärmestau zur Herabsetzung der Leistungsfähigkeit oder zur Zerstörung der Anordnung führen kann.
  • Es wurde bereits vorgeschlagen, bei einer elektrischen Halbleitervorrichtung, die mit einer Wärmeäbleitung versehen ist, zwischen der Wärmeableitung und der der Wärmeableitung nächstliegenden Zone des Halbleiterkörpers eine weitere Halbleiterschicht von einem dieser Zone entgegengesetzten Leitungstyp vorzusehen, und diese Zone des Halbleiterkörpers auf ein solches Potential zu legen, daß sie mit der zusätzlichen Halbleiterschicht eine Flächendiode bildet, derart, daß der Stromfluß zu der Wärmeableitung gesperrt ist, jedoch der Halbleiterkörper in gut wärmeleitender Verbindung mit der Wärmeableitung steht.
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische Isolierung für Halbleiteranordnungen und besteht aus kristallinem Halbleitermaterial mit einer pnp- bzw. npn-Schichtenfolge. Besonders geeignet sind solche Halbleitermaterialien, die bei den in Betracht kommenden Temperaturen eine möglichst geringe Eigenleitfähigkeit aufweisen. Silizium ist beispielsweise dem Germanium in dieser Hinsicht überlegen, desgleichen verschiedene, an .sich bekannte intermetallische Verbindungen von Elementen der 11I. und V. Gruppe bzw. der 11. und IV. Gruppe des Periodischen Systems, deren Bandbreite größer ist als die Bandbreite des Germaniums.
  • Bei Anwendung einer elektrischen Isolierung gemäß der Erfindung wird also ein guter Wärmeübergang zwischen der Halbleiteranordnung und einem von ihr galvanisch getrennten Leiter erreicht. Dies kann beispielsweise zur Potentialtrennung einer Halbleiteranordnung von einer metallischen Kühlplatte oder einem sie umschließenden Gehäuse dienen.
  • In der Zeichnung ist ein Anwendungsbeispiel dargestellt, an Hand dessen die Erfindung näher erläutert werden soll. Es handelt sich um einen gekapselten Transistor, der von seiner Kapselung galvanisch getrennt werden soll, während gleichzeitig das als Kühlklotz ausgebildete Unterteil der Kapselung zur Wärmeaufnahme dient. Der Transistor besteht aus einem Halbleiterelement 2 mit Basis 3, Emitter 4 und Kollektor 5, von denen drei Stromleiter 6 durch Durchführungen 7 nach außen führen. Die Kapselung besteht aus einem Gehäuseunterteil 8 und einem gasdicht aufgelöteten Gehäusedeckel 9. Die Bodenplatte des Unterteiles 8 ist starkwandig aus einem gut wärmeleitenden Material, zweckmäßigerweise Kupfer oder Messing, ausgeführt und trägt den Transistor. Um den Transistor von der Bodenplatte galvanisch zu trennen, ist zwischen beiden eine p-leitende Siliziumscheibe 10 angeordnet, die auf beiden Flachseiten n-leitend dotiert ist (n-Zonen 11). Dies kann z. B. durch Auflegierung von Goldantimon-Scheiben geschehen. Die gut wärmeleitende metallische Verbindung zwischen der Bodenplatte und der Siliziumscheibe 10 wird beispielsweise mit Hilfe einer allseitig vergoldeten Molybdänscheibe 12 bewirkt, die einerseits auf der Siliziumscheibe auflegiert und mit der anderen Seite auf der Bodenplatte aufgelötet ist.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Elektrische Isolierung für Halbleiteranordnungen, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus kristallinem Halbleitermaterial mit einer pnp-bzw. npn-Schichtenfolge besteht. 2. Elektrische Isolierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial aus Silizium besteht. 3. Elektrische Isolierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial aus einer intermetallischen Verbindung von Elementen der III. und V. Gruppe oder von Elementen der II. und VI. Gruppe des Periodischen Systems besteht, deren Bandbreite im Bändermodell größer als die des Germaniums ist.
DES56341A 1957-12-20 1957-12-20 Elektrische Isolierung fuer Halbleiteranordnungen Pending DE1110320B (de)

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NL231600D NL231600A (de) 1957-12-20
NL109367D NL109367C (de) 1957-12-20
DES56341A DE1110320B (de) 1957-12-20 1957-12-20 Elektrische Isolierung fuer Halbleiteranordnungen
CH6730058A CH365116A (de) 1957-12-20 1958-10-13 Elektrische Isolierung von elektrischen Leitern

Applications Claiming Priority (1)

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DES56341A DE1110320B (de) 1957-12-20 1957-12-20 Elektrische Isolierung fuer Halbleiteranordnungen

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DE1110320B true DE1110320B (de) 1961-07-06

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DES56341A Pending DE1110320B (de) 1957-12-20 1957-12-20 Elektrische Isolierung fuer Halbleiteranordnungen

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CH (1) CH365116A (de)
DE (1) DE1110320B (de)
NL (2) NL231600A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1230132B (de) * 1964-05-08 1966-12-08 Telefunken Patent Halbleiteranordnung mit einem auf einer metallischen Grundplatte befestigten Halbleiterkoerper
DE2755404A1 (de) * 1977-12-13 1979-06-21 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1230132B (de) * 1964-05-08 1966-12-08 Telefunken Patent Halbleiteranordnung mit einem auf einer metallischen Grundplatte befestigten Halbleiterkoerper
DE2755404A1 (de) * 1977-12-13 1979-06-21 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung

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CH365116A (de) 1962-10-31
NL109367C (de)
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