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DE1106875B - Halbleiteranordnung mit einem halbleitenden Koerper aus Siliciumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einem halbleitenden Koerper aus Siliciumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Publication number
DE1106875B
DE1106875B DEN17122A DEN0017122A DE1106875B DE 1106875 B DE1106875 B DE 1106875B DE N17122 A DEN17122 A DE N17122A DE N0017122 A DEN0017122 A DE N0017122A DE 1106875 B DE1106875 B DE 1106875B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
semiconductor arrangement
arrangement according
semiconductor
acceptor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN17122A
Other languages
English (en)
Inventor
Albert Huizing
Hubert Jan Van Daal
Wilhelmus Francisc Knippenberg
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1106875B publication Critical patent/DE1106875B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H10D62/832—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge being Group IV materials comprising two or more elements, e.g. SiGe
    • H10D62/8325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
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    • H—ELECTRICITY
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung die einen halbleitenden Körper aus Siliciumcarbid enthält, auf dem mindestens eine aufgeschmolzene Elektrode angebracht ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung solcher Halbleiteranordnungen.
Siliciumcarbid ist ein Halbleiter mit einem verhältnismäßig großen Bandabstand zwischen Valenz- und Leitungsband und eignet sich daher besonders gut zur Anwendung bei Halbleiteranordnungen, z. B. Kristallgleichrichtern und Transistoren, die noch bei hohen Temperaturen von z. B. 7000C ihre Funktion erfüllen sollen. Es ist auch bereits vorgeschlagen worden, das Siliciumcarbid als Halbleiter in einer Halbleiteranordnung anzuwenden, die als p-n-Strahlungsquelle bekannt ist.
Bei all diesen Anwendungen ist es von wesentlicher Bedeutung, daß sowohl ohmsche als auch gleichrichtende Elektroden auf dem bei solchen Halbleiteranordnungen im allgemeinen verwendeten Siliciumcarbideinkristall angebracht werden können. Solche Elektroden müssen hohen Anforderungen genügen, sowohl in mechanischer Hinsicht, z. B. in bezug auf die Haftung, als auch in elektrischer Hinsicht, z. B. ohmsche Elektroden hinsichtlich des Übergangswiderstandes und gleichrichtende Elektroden hinsichtlich des Gleichrichtfaktors. Außerdem müssen die Elektroden auf einfache, reproduzierbare Weise angebracht werden können.
Bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen aus Germanium oder Silicium ist das Auf legieren eine übliche Technik. Dabei wird auf einen halbleitenden Körper ein einen Donator oder Akzeptor enthaltendes Elektrodenmaterial aufgeschmolzen, wobei sich in der Schmelze eine kleine Menge des Halbleiters löst; während der Abkühlung kristallisiert aus der Schmelze zunächst eine dünne Schicht aus Halbleitermaterial mit einem Gehalt an Aktivatormaterial aus, und darauf erstarrt der Rest des Elektrodenmaterials. Auf diese Weise kann man bei Germanium und Silicium feste und in elektrischer Hinsicht gute Elektroden erhalten.
Die Anwendung dieser Aufschmelztechnik bei Siliciumcarbid gibt jedoch nur unbefriedigende Resultate. Beim Aufschmelzen haften viele der üblichen Elektrodenmaterialien schlecht oder gar nicht am Siliciumcarbid oder liefern in elektrischer Hinsicht ungünstige Elektroden.
Bei der Halbleiteranordnung nach der Erfindung werden Elektrodenmaterialien benutzt, die beim Aufschmelzen auf Siliciumcarbid mechanisch gut haftende und in elektrischer Hinsicht günstige Elektroden ergeben. Mit dem Verfahren nach der Erfindung werden diese Elektrodenmaterialien auf einfache und reproduzierbare Weise auf Siliciumcarbid aufgeschmolzen.
Bei einer Halbleiteranordnung mit einem halbleitenden Körper aus Siliciumcarbid und mit mindestens einer aufgeschmolzenen Elektrode besteht gemäß der Erfindung Halbleiteranordnung
mit einem halbleitenden Körper
aus Siliciumcarbid und Verfahren
zu ihrer Herstellung
Anmelder:
ίο N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 26. August 1958
Albert Huizing, Hubert Jan van Daal
und Wilhelmus Franciscus Knippenberg,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
eine dieser aufgeschmolzenen Elektroden ganz oder teilweise aus einem oder mehreren der Ubergangselemente der Eisengruppe, also Chrom, Mangan, Eisen, Kobalt und Nickel.
In der Praxis hat sich eine Halbleiteranordnung als besonders gut geeignet erwiesen, bei der mindestens eine der Elektroden wenigstens im wesentlichen aus einer aufgeschmolzenen Legierung von mindestens einem der Übergangselemente der Eisengruppe mit mindestens einem der hochschmelzenden Übergangselemente besteht. Der Ausdruck »im wesentlichen« soll hier angeben, daß das Elektrodenmaterial neben den Übergangselementen der Eisengruppe gegebenenfalls noch einen Gehalt an einer funktionsmäßig erforderlichen, wirksamen Verunreinigung, z. B. einen Donator, enthält und/oder auch einen Gehalt an einer neutralen Verunreinigung aufweisen kann, die andererseits die Elektrode oder deren Anbringung
günstig beeinflußt. Unter den hochschmelzenden Übergangselementen sind üblicherweise die Elemente Molybdän, Wolfram, Tantal, Niob, Titan, Vanadium, Zirkon und Hafnium zu verstehen. Diese hochschmelzenden Übergangselemente benehmen sich in bezug auf die Übergangselemente der Eisengruppe als elektrisch praktisch neutral, mit anderen Worten, sie haben eine Donator- oder Akzeptorwirkung, die gegenüber der der Eisengruppe praktisch vernachlässigbar ist. Durch Zusatz mindestens eines der hochschmelzenden Übergangselemente wird die
1TO 607/335
mechanische Haftung der Elektroden noch weiter verbessert, und außerdem verringert dieser Zusatz die ferromagnetische Eigenschaft dieser Legierung, was bei gewissen Anwendungen wünschenswert ist. Die Legierung enthält vorzugsweise höchstens 50 Atomprozent eines oder mehrerer der hochschmelzenden Übergangselemente. Bei einem Gehalt von über 50 Atomprozent nimmt im allgemeinen der Schmelzpunkt der Legierung schnell zu, so daß bei Temperaturen aufgeschmolzen werden muß, bei denen die Halbleitervorrichtung ihre Eigenschaften z. B. infolge Diffusion ändern kann. Legierungen mit weniger als 30 Atomprozent haben bereits alle gewünschten mechanischen und elektrischen Eigenschaften. Die Legierungen mit weniger als 50 Atomprozent können im allgemeinen bereits bei Temperaturen zwischen 1300 und 1600° C aufgeschmolzen werden. Die Aufschmelztemperatur solcher Legierungen kann selbstverständlich gegebenenfalls auch höher gewählt werden.
Die Übergangselemente der Eisengruppe wirken im Siliciumcarbid als Donator. Durch Zusatz von Donatoren, wie z. B. Phosphor, kann die Donatornatur der Legierung verstärkt werden. Durch diesen zusätzlichen Donator wird bei ohmschen Elektroden auf η-leitenden Teilen des Halbleiterkörpers der ohne Zusatz bereits niedrige Übergangswiderstand noch weiter herabgesetzt und bei gleichrichtenden Elektroden auf p-leitenden Teilen der Gleichrichtfaktor weiter verbessert. Außer Phosphor sind auch andere Donatoren, wie z. B. Wismut, Arden und Antimon, geeignet.
Durch Zusatz eines Akzeptors, wie z. B. Bor, an Stelle eines Donators kann die Donatornatur der Übergangselemente der Eisengruppe oder ihrer Legierungen mit mindestens einem der praktisch neutralen, hochschmelzenden Übergangselemente reduziert oder bei hinreichendem Gehalt an Akzeptoren auch neutralisiert oder überkompensiert werden. Außer Bor haben sich auch andere Akzeptoren als gut geeignet erwiesen, wie z. B. Indium, Gallium oder Aluminium. Bei Zusatz eines Akzeptors, vorzugsweise bis zu mehr als 1 Atomprozent des Elektrodenmaterials, kann bei einer Halbleiteranordnung, bei welcher der halbleitende Körper p-leitend ist, solches Elektrodenmaterial zur Bildung einer guten ohmschen Elektrode aufgeschmolzen werden. Je größer derAkzeptorgehalt des Elektrodenmaterials ist, um so niedriger wird der Übergangswiderstand. Dieser Übergangswiderstand kann auf weniger als einige Zehntel Ohm verringert werden.
Das Elektrodenmaterial mit Akzeptorzusatz kann, je nach dem Akzeptorgehalt, auch als ohmsche Elektrode oder als gleichrichtende Elektrode auf dem n-leitenden Teil verwendet werden. Es hat sich gezeigt, daß solches Elektrodenmaterial mit einem Akzeptorgehalt von maximal 20 Atomprozent bei einer Halbleiteranordnung mit einem wenigstens teilweise η-leitenden Siliciumcarbidkörper auf dem η-leitenden Teil als ohmsche Elektrode aufgeschmolzen werden kann. Wie erwähnt, ist solches Elektrodenmaterial, vorzugsweise mit einem Akzeptorgehalt von mindestens 1 Atomprozent, auch als ohmsche Elektrode auf einem p-leitenden Teil geeignet, so daß das Elektrodenmaterial dieser Zusammensetzung unabhängig vom Leitungstyp des Körpers für eine ohmsche Elektrode verwendet werden kann. Zweckmäßig werden hierfür Elektrodenmaterialien mit einem Akzeptorgehalt zwischen 3 und 12 Atomprozent verwendet. Bei weiterer Erhöhung des Akzeptorgehaltes wird die Donatornatur der Übergangselemente der Eisengruppe überkompensiert. Bei einer Halbleiteranordnung mit einem wenigstens teilweise η-leitenden Halbleiterkörper ist ein Elektrodenmaterial mit einem Akzeptorgehalt von mindestens 30 Atomprozent geeignet für die Herstellung einer gleichrichtenden Elektrode. Bei einem zu großen Akzeptorgehalt wird jedoch die Haftung der Elektrode beeinträchtigt. Zweckmäßig ist aus diesem Grunde insbesondere bei Bor ein Akzeptorgehalt von weniger als 40 Atomprozent anzuwenden.
, Die hier genannten Gehalte der Komponenten des Legierungsmaterials sind auf übliche Weise stets auf Grund der zum Aufschmelzen angebrachten Menge des Elektrodenmaterials berechnet; im allgemeinen weichen sie nur wenig von denen in der aufgeschmolzenen Elektrode ab. In den Fällen, in denen z. B. ein flüchtiger Aktivator als Komponente verwendet wird, wird der Gehalt in der aufgeschmolzenen Elektrode infolge des Ausdampfens während des Aufschmelzvorganges wesentlich niedriger als in dem aufzuschmelzenden Elektrodenmaterial. Die angegebenen Grenzwerte für den Akzeptorgehalt sind nicht als äußerste, sondern als im allgemeinen für jeden Akzeptor geltende, sichere Grenzwerte zu betrachten und liegen somit im allgemeinen innerhalb der für jeden bestimmten Akzeptor geltenden äußersten Werte, bei denen die angestrebte Wirkung noch erzielt werden kann. Bei Anwendung von z. B. Aluminium als Akzeptor tritt ein Übergang von dem neutralen zu dem Akzeptorcharakter zwischen 20 und 25 Atomprozent auf, während dieser bei Bor erst von 30 Atomprozent ab erfolgt. Mit Aluminium als Akzeptorzusatz kann somit bei einem Gehalt von z. B. 25 Atomprozent bereits eine gleichrichtende Elektrode auf einem η-leitenden Teil erzielt werden. Neben dem Akzeptor an sich kann auch die Dotierung des Siliciumcarbidkörpers an der Aufschmelzstelle einen Einfluß auf den Übergangspunkt ausüben, da ein niederohmiger Bereich erst bei einem höheren Gehalt an kompensierenden Verunreinigungen den Leitungstyp ändert als ein hochohmiger Bereich.
Die Elektroden werden in einer reinen, inerten Atmosphäre, z. B. in reinem Argon oder Helium, auf das Siliciumcarbid aufgeschmolzen. Ebenso kann dies in einem Vakuum erfolgen. Zweckmäßig wird zunächst mit einem reinen, inerten Gas gespült und darauf der Druck auf z. B. 1 mm Hg oder weniger herabgesetzt. Vorzugsweise wird der Restdruck niedriger als 10~2mm Hg gewählt. Auf diese Weise werden Haftschwierigkeiten, die z. B. beim Aufschmelzen in z. B. technischem Argon auftreten können, verhütet.
Die Halbleiteranordnung nach der Erfindung wird nachstehend an Hand einer Anzahl von Ausführungsbeispielen näher erläutert, von denen die Resultate in der nachstehenden Tabelle zusammengefaßt sind.
Elektrodenmaterial n-leitend p-leitend Haftung Bemerkungen
Ni
Fe
Co
Mn
CrFe (48)
NiMo(O) 		ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch		 gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend		 gut
gut
gut
gut
gut
gut
5 n-leitend p-leitend 6 Bemerkungen
Elektrodenmaterial ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
ohmsch
ohmsch
ohmsch		 gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
ohmsch
gleichrichtend
gleichrichtend
gleichrichtend		 Haftung hohe Aufschmelz
temperatur (16500C)
NiMo (20)
NiMo (38)
NiMo (52)
FeW (10)
CoTa (12)
MnNb (5)
NiB (0,6)
FeB (0,3)
CoAl (0,8)
NiB (2)
FeAL (5)
CoGa (3)
NiMo (10) B (10)
NiMo (25) B (8)
NiB (30)
NiB (36)
NiB (42)
FeAl (26)
NiAl (35)
Coin (28)
NiMo (10) B (35)
NiTa (20) Al (30)
NiP (6)
NiAs (5)
CoAs (3) 		gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
gut
schlecht
gut
gut
gut
gut
gut
In der ersten Kolonne dieser Tabelle ist eine große Anzahl verschiedener Zusammensetzungen des Elektrodenmaterials angegeben. Die erste Komponente gehört stets zu den Übergangselementen der Eisengruppe. In den Fällen, in denen das Elektrodenmaterial aus einer Legierung mehrerer Komponenten besteht, ist stets der Gehalt in Atomprozenten in einer Legierung der den Übergangselementen der Eisengruppe zugesetzten Komponenten direkt hinter der betreffenden Komponente angegeben. Die verschiedenen Metallegierungen wurden durch die übliche Technik in einem Quarz- oder Aluminiumoxydtiegel in einem verschlossenen System mit sehr reiner Gasatmosphäre hergestellt, die z. B. dadurch erzielt worden war, daß vorher dreimal mit reinem Argon gespült und zwischendurch jeweils das Gas etwa bis auf 10 ~3 mm Hg abgepumpt wurde. Das reine Argongas enthielt weniger als 0,001 % Stickstoff, weniger als 0,003 % Wasserdampf und weniger als 0,001 % Sauerstoff. Von den Legierungen wurden darauf durch bekannte Verfahren Kügelchen mit einem Durchmesser von etwa 0,5 bis 1 mm hergestellt. Für die Untersuchung wurden jeweils vier Kügelchen, von denen zwei gleiche bekannte Eigenschaften besaßen und zwei gleiche die zu prüfenden Eigenschaften hatten, auf eine Seite einer Siliciumcarbid-Einkristallplatte mit einem Durchmesser von etwa 1 cm und einer Dicke von etwa 0,5 mm in einem Graphittiegel in einer reinen Atmosphäre aufgeschmolzen. Die Reinigung erfolgt auch hier durch dreimaliges Spülen mit vorher reinem Argon und jeweiligem Auspumpen etwa 10~3 mm Hg. Als Elektroden mit bekannten Eigenschaften wurde meist die Legierung aus Ni (80) Mo (10) B (10) verwendet, die sowohl beim n- als auch beim p-leitenden Körper ohmsche Kontakte ergibt. Das Aufschmelzen wurde stets derart durchgeführt, daß das Ganze bis oberhalb der Schmelztemperatur des Elektrodenmaterials erhitzt und während etwa einer Minute auf dieser Temperatur gehalten wurde. Die Schmelztemperaturen lagen im allgemeinen zwischen 1200 und 1500° C. Der Reihe nach wurden die Elektroden auf eine η-leitende und eine p-leitende Siliciumcarbidplatte angebracht. Das Siliciumcarbid hatte jeweils einen spezifischen Widerstand zwischen 0,1 und 10 Ohm · cm. Vorher wurde die Siliciumcarbidplatte z. B. mittels Aceton entfettet und nötigenfalls durch Sandstrahlen gesäubert und abgeschliffen. Vergleichsuntersuchungen wurden mit Siliciumcarbid höheren Widerstandes durchgeführt, bei denen im allgemeinen die gleichen Resultate gefunden wurden. In den Kolonnen 2 und 3 sind die bei elektrischen Messungen festgestellten Eigenschaften des aufgeschmolzenen Elektrodenmaterials gegenüber η-leitendem und p-leitendem Siliciumcarbid angegeben. Wenn nichts anderes angegeben ist, wird unter ohmschem niederohmiger Kontakt verstanden, d. h., der Übergangswiderstand ist dabei vernachlässigbar gering, während praktisch keine Spannungsabhängigkeit festgestellt werden konnte. Unter »gleichrichtend« wird verstanden, daß der Gleichrichtfaktor zwischen 10 und 1000 liegt, wobei bemerkt wird, daß der Gleichrichtfaktor um so höher war, je mehr Akzeptoren im η-leitenden und je mehr Donatoren im p-leitenden Elektrodenmaterial vorhanden waren. Manchmal war es notwendig, die Kristallplatte vor der Messung zu sandstrahlen zum Entfernen von oberflächlichen Verunreinigungen, die während des Aufschmelzens auf der Platte abgelagert worden waren. Durch ein geeignetes Ätzmittel, z. B. konzentrierte HNO3 und/oder KCO3, lassen sich diese Gleichrichtfaktoren im allgemeinen verbessern. In der vierten Kolonne ist eine Angabe über die Haftung gemacht. Unter »guter Haftung« wird verstanden, daß die Elektrode praktisch nur von dem Kristall abgezogen werden kann unter Mitnahme von SiC, während bei »schlechter Haftung« die Elektrode ohne Mitnahme von SiC von der Platte entfernt werden kann.
In der letzten Kolonne sind etwaige zusätzliche Faktoren angegeben.
Obgleich es vorzuziehen ist, bei einem Elektrodenmaterial mit mehreren Bestandteilen die fertige Legierung aufzuschmelzen, ist es auch möglich, die Bestandteile je für sich vor dem Aufschmelzen oder während dieses
Vorganges zuzusetzen. Mit dem angegebenen Elektrodenmaterial kann auch ein Trägerkörper an den Siliciumcarbidkörper angeschmolzen werden. Es kann z. B. eine Si C-Kristallplatte über eine Eisenlegierung zwischen ■ zwei Kupferträgern durch örtliche Hochfrequenzheizung geschmolzen und so ein Kristallgleichrichter für hohe Ströme hergestellt werden. Als Trägerkörper eignen sich die Materialien Wolfram, Molybdän, Tantal und Nickel-Kobalt-Eisenlegierungen, z. B. eine Legierung aus 54 Gewichtsprozent Fe, 28 Gewichtsprozent Ni und 18 Gewichtsprozent Co.
Statt eines Einkristalls aus Siliciumcarbid kann in der Halbleiteranordnung auch ein polykristalliner Siliciumcarbidkörper, z. B. ein gesinterter SiC-Körper, verwendet werden.

Claims (14)

Patentansprüche.·
1. Halbleiteranordnung mit einem halbleitenden Körper aus Siliciumcarbid und mit mindestens einer aufgeschmolzenen Elektrode, dadurch gekennzeich net, daß mindestens eine dieser aufgeschmolzenen Elektroden ganz oder teilweise aus einemodermehreren der Übergangselemente der Eisengruppe, also Chrom, Mangan, Eisen, Kobalt und Nickel, besteht.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Elektroden im wesentlichen aus einer aufgeschmolzenen Legierung mindestens eines der Übergangselemente der Eisengruppe mit mindestens einem der hochschmelzenden Übergangselemente Molybdän, Wolfram, Tantal, Titan, Niob, Vanadin, Zirkon und Hafnium besteht.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung maximal 50 Atomprozent von mindestens einem der hochschmelzenden L'bergangselemente enthält.
4. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgeschmolzene Elektrode außerdem einen Donator enthält.
5. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgeschmolzene Elektrode außerdem einen Akzeptor enthält.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Akzeptor Bor ist.
7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Akzeptorgehalt in der aufgeschmolzenen Elektrode weniger als 40 Atomprozent beträgt.
8. Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Akzeptorgehalt mehr als 1 Atomprozent beträgt.
9. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis 7, deren Halbleiterkörper teilweise η-leitend ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem η-leitenden Teil mindestens eine solcher Elektroden mit einem Akzeptorgehalt von maximal 20 Atomprozent als ohmsche Elektrode angebracht ist.
10. Halbleiteranordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Akzeptorgehalt zwischen 3 und 12 Atomprozent liegt.
11. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis 7, deren Halbleiterkörper wenigstens teilweise η-leitend ist, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf einem η-leitenden Teil mindestens eine solcher Elektroden als gleichrichtende Elektrode befindet, wobei der Akzeptorgehalt mindestens 30 Atomprozent beträgt.
12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode in einer reinen, inerten Gasatmosphäre auf den Körper aufgeschmolzen wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode im Vakuum aufgeschmolzen wird.
14.Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Restdruck weniger als 10~2 mm Hg beträgt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 032 853;
»Proc. of the Phys. Soc«, vol. 56, 1944, S. 123 bis 129; »Halbleiterprobleme«, Bd. Ill, S. 207 bis 227.
© 109' 607/335 5.
DEN17122A 1958-08-26 1959-08-22 Halbleiteranordnung mit einem halbleitenden Koerper aus Siliciumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung Pending DE1106875B (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
NL230857 1958-08-26

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