DE1103406B - Frequency-selective amplifier, especially low-frequency amplifier - Google Patents
Frequency-selective amplifier, especially low-frequency amplifierInfo
- Publication number
- DE1103406B DE1103406B DED27502A DED0027502A DE1103406B DE 1103406 B DE1103406 B DE 1103406B DE D27502 A DED27502 A DE D27502A DE D0027502 A DED0027502 A DE D0027502A DE 1103406 B DE1103406 B DE 1103406B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- frequency
- amplifier
- transistor
- circuit
- resonance circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 235000021395 porridge Nutrition 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Frequenzselektiver Verstärker, insbesondere Niederfrequenzverstärker Gegenstand der Erfindung ist ein frequenzselektiver Verstärker, insbesondere ein frequenzselektiver Niederfrequenzverstärker, mit einem in Emitterschaltung arbeitenden Transistor, in dessen Emitterleitung ein einen Teil des Eingangswiderstandes bildender Reihenresonanzkreis und in dessen Kollektorleitung ein als Arbeitswiderstand wirkender Parallelresonanzkreis vorgesehen ist, wobei beide Resonanzkreise wenigstens annähernd auf die selektiv zu verstärkende Frequenz abgestimmt sind.Frequency selective amplifier, especially low frequency amplifier The invention relates to a frequency-selective amplifier, in particular a frequency-selective low-frequency amplifier with a common emitter A transistor in whose emitter line a part of the input resistance is formed Series resonance circuit and one acting as a working resistance in its collector line Parallel resonance circuit is provided, with both resonance circuits at least approximately are matched to the frequency to be selectively amplified.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Niederfrequenzverstärker der erwähnten Art so zu gestalten, daß er einerseits eine möglichst hohe Selektion zeigt, d. h. aus dem Niederfrequenzband möglichst nur eine einzige Frequenz oder ein sehr schmales Frequenzband selektiv verstärkt und die übrigen Frequenzen nicht durchläßt, und daß er andererseits ein möglichst geringes Gewicht und ein möglichst kleines Volumen hat.The invention is based on the object of a low frequency amplifier of the type mentioned so that, on the one hand, there is as high a selection as possible shows d. H. If possible, only a single frequency or from the low frequency band a very narrow frequency band is selectively amplified and the other frequencies are not lets through, and that on the other hand it has the lowest possible weight and as possible has small volume.
Die Forderung nach einem derartigen selektiven Niederfrequenzverstärker tritt insbesondere bei induktiven Personen-Rufanlagen auf, wo die zu rufenden Personen einen sehr kleinen und leichten Empfangsverstärker bei sich tragen, der selektiv auf eine ganz bestimmte Niederfrequenz anspricht, wenn diese durch die im Gelände oder im Gebäude ausgelegte Induktionsschleife gegeben wird. Um möglichst viele Personen rufen zu können, müssen in einem vorgegebenen Frequenzband möglichst viele Ruffrequenzen untergebracht werden, so daß an die Selektivität der Empfangsverstärker sehr hohe Anforderungen gestellt werden. Es ist selbstverständlich, daß die Empfangsverstärker so klein und leicht sein müssen, daß die sie tragenden Personen dadurch nicht behindert werden. Aus diesem Grunde verbietet es sich, in dem Niederfrequenzverstärker die üblichen Sieb- oder Filtermittel zur Erzeugung der hohen Selektivität anzuwenden, da diese bekannten Sieb-oder Filtermittel zu schwer und umfangreich sind. Die Erfindung zeigt nun einen Weg, wie man zu einem Niederfrequenzverstärker sehr hoher Selektivität gelangen kann, der gleichzeitig außerordentlich klein und leicht ist.The requirement for such a selective low frequency amplifier occurs especially with inductive personal call systems, where the people to be called carry a very small and light receiver amplifier with you that is selective responds to a very specific low frequency when this is caused by the terrain or induction loop installed in the building. To as many people as possible To be able to call, there must be as many calling frequencies as possible in a given frequency band be accommodated, so that the selectivity of the receiving amplifier is very high Requirements are made. It goes without saying that the receiving amplifier must be so small and light that the person carrying them does not get in the way will. For this reason it is forbidden to use the to use conventional sieve or filter media to generate high selectivity, since these known sieve or filter media are too heavy and extensive. The invention now shows a way how to get a low frequency amplifier very high selectivity can reach, which is extremely small and light at the same time.
Der erfindungsgemäße Verstärker geht aus von einer Schaltung mit einem in Emitterschaltung arbeitenden Transistor, in dessen Emitterleitung ein einen Teil des Eingangswiderstandes bildender Reihenresonanzkreis und in dessen Kollektorleitung ein als Arbeitswiderstand wirkender Parallelresonanzkreis vorgesehen ist, wobei beide Resonanzkreise wenigstens annähernd auf die selektiv zu verstärkende Frequenz abgestimmt sind.The amplifier according to the invention is based on a circuit with a in the emitter circuit working transistor, in the emitter line a part of the input resistance forming series resonance circuit and in its collector line a parallel resonance circuit acting as a working resistor is provided, wherein both resonance circuits at least approximately to the frequency to be selectively amplified are matched.
Eine derartige Kombination zweier wenigstens annähernd auf die selektiv zu verstärkende Frequenz abgestimmter Resonanzkreise ist bereits bei entsprechenden Röhrenverstärkern in Kathodenschaltung mit Erfolg zur Erzielung einer hohen Frequenzselektion verwendet worden und bildet nicht den Gegenstand der vorliegenden Erfindung.Such a combination of two is at least approximately selective The frequency of tuned resonance circuits to be amplified is already at the appropriate Tube amplifiers in cathode circuit with success to achieve a high frequency selection has been used and does not form the subject of the present invention.
Durch den Reihenresonanzkreis in der Kathodenleitung und den Parallelresonanzkreis in der Anodenleitung der Röhre wird in bekannter Weise eine gute Selektivität des Verstärkers erzielt. Der als Eingangswiderstand wirkende Reihenresonanzkreis hat bei allen von der selektiv zu verstärkenden Frequenz abweichenden Frequenzen eine hohe Impedanz und erzeugt dementsprechend eine starke Gegenkopplung, die die Verstärkung herabsetzt. Nur in der unmittelbaren Umgebung der selektiv zu verstärkenden Frequenz sinkt die durch den Reihenresonanzkreis hervorgerufene Gegenkopplung stark ab, so daß ein starker Anstieg des Anodenstromes eintritt. Wenn zwecks Erzielung einer schmalen Selektionskennlinie der Reihenresonanzkreis und der Parallelresonanzkreis möglichst genau auf die selektiv zu verstärkende Frequenz abgestimmt sind, erreicht der Anodenstrom bei dieser Frequenz ein Maximum. Will man mit dem Verstärker eine bandfilterartige Selektionskennlinie erreichen, so werden die beiden Resonanzkreise auf zwei unterschiedliche, der gewünschten Bandbreite entsprechenden Frequenzen abgestimmt.Through the series resonance circuit in the cathode line and the parallel resonance circuit In the anode line of the tube, a good selectivity of the Amplifier achieved. The series resonance circuit acting as an input resistor has for all frequencies deviating from the frequency to be selectively amplified, one high impedance and accordingly creates a strong negative feedback, which increases the gain belittles. Only in the immediate vicinity of the frequency to be selectively amplified if the negative feedback caused by the series resonance circuit drops sharply, see that a sharp increase in the anode current occurs. If in order to achieve a narrow selection characteristic of the series resonance circuit and the parallel resonance circuit are matched as precisely as possible to the frequency to be selectively amplified the anode current is a maximum at this frequency. Do you want one with the amplifier If you reach a band-filter-like selection characteristic, the two resonance circuits become on two different frequencies corresponding to the desired bandwidth Voted.
Wenn man diese für Röhrenschaltungen bekannte Maßnahme zur Erzielung einer hohen Selektivität auf eine entsprechende Transistorschaltung übertragen will und in analoger Weise den Reihenresonanzkreis in die Emitterleitung des in Emitterschaltung arbeitenden Transistors und den Parallelresonanzkreis in seine Kollektorleitung legt, so zeigt sich eine erhebliche Schwierigkeit. Zur Einstellung des Arbeitspunktes des Transistors muß nämlich dem Reihenresonanzkreis ein verhältnismäßig kleiner ohmscher Widerstand parallel geschaltet sein. Dieser ohmsche Widerstand hat aber eine starke Dämpfung dieses Resonanzkreises und damit eine sehr unerwünschte Verflachung der Resonanzkurve zur Folge.If one achieves this known measure for tube circuits wants to transfer a high selectivity to a corresponding transistor circuit and in an analogous manner the series resonance circuit in the emitter line of the emitter circuit working transistor and the parallel resonance circuit in its collector line there is a considerable difficulty. For setting the operating point of the transistor must namely the series resonant circuit a relatively small ohmic Resistance to be connected in parallel. This ohmic resistance but has a strong damping of this resonance circuit and thus a very undesirable one Flattening of the resonance curve result.
Diese Schwierigkeit wird nun erfindungsgemäß dadurch überwunden, daß dem Reihenresonanzkreis in der Emitterleitung ein zweiter Transistor mit Emitter und Kollektor parallel geschaltet ist, dessen Basis wenigstens einen Teil der am Parallelresonanzkreis auftretenden Niederfrequenzspannung als Rückkopplungsspannung erhält.This difficulty is now overcome according to the invention in that the series resonance circuit in the emitter line is a second transistor with emitter and collector is connected in parallel, the base of which is at least part of the am Parallel resonance circuit occurring low-frequency voltage as a feedback voltage receives.
Nach der Erfindung wird also der ohmsche Widerstand durch einen zweiten Transistor, oder richtiger durch dessen Gleichstromwiderstand, ersetzt. Der zweite Transistor hat bei geeigneter Wahl der Betriebsbedingungen einen verhältnismäßig kleinen Gleichstromwiderstand, aber infolge der Rückkopplung einen recht hohen wirksamen dynamischen Widerstand und dämpft daher den Reihenresonanzkreis nur wenig. Durch die Rückkopplung wird eine starke Entdämpfung des Reihenresonanzkreises und damit eine sehr spitze Resonanzkurve erreicht, was eine besonders gute Selektivität des Verstärkers zur Folge hat.According to the invention, the ohmic resistance is replaced by a second Transistor, or more correctly replaced by its DC resistance. The second With a suitable choice of the operating conditions, transistor has a proportionate effect small DC resistance, but a fairly high effective resistance due to the feedback dynamic resistance and therefore only slightly attenuates the series resonance circuit. By the feedback becomes a strong undamping of the series resonance circuit and thus a very sharp resonance curve is achieved, which gives the Amplifier.
Es sind zwar bereits Verstärker bekannt, bei denen zur Unterdrückung bestimmter Frequenzen, z. B. von Störfrequenzen, eine frequenzselektive Gegenkopplung von der Anode einer Röhre auf deren Kathode vorgesehen ist, die so gewählt ist, daß bei der zu unterdrückenden Frequenz die Gegenkopplung ein Maximum ist. Bei der Erfindung liegt dagegen das umgekehrte Problem vor, weil nur eine einzige Frequenz bzw. ein sehr schmaler Frequenzbereich durchgelassen werden soll. Die Erfindung wendet im Gegensatz zu den bekannten Schaltungen eine positive Rückkopplung an und zieht diese zur Entdämpfung eines Schwingkreises heran.Although amplifiers are already known, they are used for suppression certain frequencies, e.g. B. of interference frequencies, a frequency-selective negative feedback from the anode of a tube to its cathode is provided, which is chosen so that the negative feedback is a maximum at the frequency to be suppressed. In the In contrast, the invention has the opposite problem, because only a single frequency or a very narrow frequency range should be allowed to pass. The invention uses positive feedback in contrast to the known circuits and uses this to de-dampen an oscillating circuit.
Weitere Einzelheiten und Eigenschaften gehen aus den nachstehend an Hand der Zeichnung erläuterten Ausführungsbeispielen hervor. Es zeigt Fig. 1 den als bekannt vorausgesetzten, durch die Erfindung zu verbessernden Verstärker, Fig.2 eine erste Ausführungsform der Erfindung und Fig. 3 eine der Fig. 2 ähnliche, aber vervollkommnete Ausführungsform mit einer verbesserten Temperaturkompensation.Further details and properties are given below Hand of the drawing illustrated embodiments. It shows Fig. 1 the as known, amplifier to be improved by the invention, Fig.2 a first embodiment of the invention and FIG. 3 one of FIG. 2, but similar perfected embodiment with improved temperature compensation.
In allen Figuren sind gleiche oder einander entsprechende Elemente mit den gleichen Bezugsziffern versehen. In der bekannten Schaltung nach Fig. 1 ist T1 der verstärkende Transistor in Emitterschaltung, dem die Niederfrequenz an den Klemmen a und b zugeführt wird.In all figures there are identical or corresponding elements provided with the same reference numbers. In the known circuit according to FIG T1 is the amplifying common-emitter transistor to which the low frequency is connected is fed to terminals a and b.
In der Emitterleitung des Transistors T1 liegt ein Reihenresonanzkreis L1, Cl, dem zur Herstellung der Gleichstromverbindung ein ohmscher Widerstand R1 parallel geschaltet ist.A series resonant circuit is located in the emitter line of the transistor T1 L1, Cl, to which an ohmic resistor R1 to establish the direct current connection is connected in parallel.
In der Kollektorleitung des Transistors T1 befindet sich ein als Arbeitswiderstand wirkender Parallelresonanzkreis L" C2, der auf dieselbe Resonanzfrequenz wie der Breis C1, L1 abgestimmt ist. Die selektiv verstärkte Niederfrequenz wird an den Klemmen c, d abgenommen.In the collector line of the transistor T1 there is a working resistor acting parallel resonance circuit L "C2, which has the same resonance frequency as the Porridge C1, L1 is matched. The selectively amplified low frequency is sent to the Terminals c, d removed.
Der von dem Reihenresonanzkreis Cl, L1 gebildete Eingangswiderstand des Verstärkers hat bei seiner Resonanzfrequenz ein Minimum, so daß der Kollektorstrom bei dieser Resonanzfrequenz ein Maximum hat und den Parallelresonanzkreis C2, L2 stark erregt. Dagegen bedeutet für alle übrigen Frequenzen der Reihenresonanzkreis L1, Cl eine Gegenkopplung. In der bekannten Schaltung nach Fig. 1 bereitet der ohmsche Widerstand R, Schwierigkeiten. R1 darf nicht zu groß sein, damit an ihm kein zu starker Gleichspannungsabfall auftritt und die Batterie L' eine niedrige Spannung haben kann. Daher dämpft R1 den Reihenresonanzkreis sehr stark und beeinträchtigt die Selektivität des Verstärkers erheblich.The input resistance formed by the series resonance circuit Cl, L1 of the amplifier has a minimum at its resonance frequency, so that the collector current has a maximum at this resonance frequency and the parallel resonance circuit C2, L2 very excited. In contrast, the series resonance circuit means for all other frequencies L1, Cl a negative feedback. In the known circuit according to FIG. 1, the ohmic Resistance R, difficulty. R1 must not be too big so that there is no too much on it strong DC voltage drop occurs and the battery L 'has a low voltage may have. Therefore, R1 attenuates the series resonance circuit very strongly and adversely the selectivity of the amplifier is significant.
Die Fig. 2 zeigt nun den Weg, wie diese Schwierigkeit durch die Erfindung umgangen wird. Der Widerstand R1 in Fig. 1 ist durch einen Transistor T2 ersetzt, der mit Emitter und Kollektor parallel zu dem Reihenresonanzkreis Cl, L1 liegt. Die Basis von T2 erhält ihre Gleichspannung durch einen Spannungsteiler R3, R4. Gleichzeitig wird der Basis ein Teil der an dem Parallelresonanzkreis C2, I_2 bzw. an den Ausgangsklemmen c, d auftretenden Ausgangsspannung als Rückkopplungsspannung zugeführt. Diese Teilspannung wird an einem Spannungsteiler R-- , Rs über einen Kondensator C4 abgegriffen.Fig. 2 now shows the way how this difficulty by the invention is bypassed. The resistor R1 in Fig. 1 is replaced by a transistor T2, which is parallel to the series resonance circuit Cl, L1 with emitter and collector. The base of T2 receives its DC voltage through a voltage divider R3, R4. At the same time, the base becomes a part of the parallel resonance circuit C2, I_2 or output voltage occurring at the output terminals c, d as a feedback voltage fed. This partial voltage is applied to a voltage divider R--, Rs via a Capacitor C4 tapped.
Bei dieser Schaltung wird der Reihenresonanzkreis C1, L1 nicht gedämpft. Im Gegenteil tritt durch die Rückkopplung über R5, R6 und C4 sogar noch eine Entdämpfung des Reihenresonanzkreises und damit eine wesentliche Verbesserung der Selektivität ein. Gleichzeitig ist der Gleichstromwiderstand des zweiten Transistors T_ so gering, daß man mit einer Batterie C sehr niedriger Spannung auskommt.In this circuit, the series resonance circuit C1, L1 is not attenuated. On the contrary, the feedback via R5, R6 and C4 even leads to a loss of attenuation of the series resonance circuit and thus a significant improvement in selectivity a. At the same time, the direct current resistance of the second transistor T_ is so low that that you can get by with a battery C of very low voltage.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Schaltung nach Fig. 2 zeigt sich besonders dann, wenn der Verbraucher, der an die Ausgangsklemmen c, d gelegt wird, eine geringe Impedanz hat und den Parallelresonanzkreis C2, L2 stark belastet und dämpft. Versuche haben gezeigt, daß mit der Schaltung nach Fig. 2 eine Selektion von 30 db bei Frequenzabweichungen von ± 10% in einem Bereich von 200 bis 10 Hz und bei einer Spannung der Batterie i:' von 1 V ohne Schwierigkeiten erreicht werden kann.The advantage of the circuit according to the invention according to FIG. 2 is evident especially when the consumer that is connected to the output terminals c, d, has a low impedance and heavily loaded the parallel resonance circuit C2, L2 and dampens. Experiments have shown that with the circuit according to FIG. 2, a selection of 30 db with frequency deviations of ± 10% in a range from 200 to 10 Hz and at a voltage of the battery i: 'of 1 V can be achieved without difficulty can.
Eine besondere Temperaturstabilisierung des Verstärkers hat sich trotz des negativen Temperaturkoeffizienten des Gleichstromwiderstandes der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T2 als nicht notwendig erwiesen. Jedoch kann in besonderen Fällen eine zusätzliche Temperaturstabilisierung zweckmäßig sein. Ein solcher Fall kann vor allem dann eintreten, wenn man entsprechend der gestellten Aufgabe die Spulen L1 und L2 der beiden Resonanzkreise so klein wie möglich ausbilden will. Dann kann durch die Gleichstrombelastung der Spule L1 und durch Schwankungen dieser Gleichstrombelastung die Induktivität und damit die Resonanzfrequenz in unerwünschter Weise verändert werden.A special temperature stabilization of the amplifier has proven despite the negative temperature coefficient of the direct current resistance of the collector-emitter path of transistor T2 proved not to be necessary. However, in special cases an additional temperature stabilization may be useful. Such a case can especially when the coils are used according to the task at hand Wants to make L1 and L2 of the two resonance circuits as small as possible. Then can due to the direct current load on coil L1 and fluctuations in this direct current load the inductance and thus the resonance frequency changed in an undesirable manner will.
Eine solche zusätzliche Temperaturkompensation läßt sich bei der erfindungsgemäßen Schaltung besonders günstig durchführen, wenn man die Schaltung entsprechend Fig. 3 abändert.Such an additional temperature compensation can be used in the inventive Carry out the circuit particularly cheaply if you use the circuit according to Fig. 3 amends.
Bei der Ausführung des erfindungsgemäßen Verstärkers nach Fig. 3 erhält die Basis des Transistors T1 ihre Gleichspannung über einen Spannungsteiler R2, R9, während für den zweiten Transistor T2 die Zuführung der Basisgleichspannung über einen Spannungsteiler R4, RV Rs erfolgt, der einen Widerstand R, mit negativem Temperaturkoeffizienten, also einen Heißleiter nach Art eines Thermistors, enthält. Der Heißleiter R8 ist mit einem Kondensator C5 überbrückt, damit sich die der Basis von T2 zugeführte Wechselspannung bei Temperaturschwankungen nicht ändert.In the execution of the amplifier according to the invention according to FIG. 3 is obtained the base of the transistor T1 its DC voltage via a voltage divider R2, R9, while the supply of the base DC voltage for the second transistor T2 via a voltage divider R4, RV Rs, the resistor R, with negative Temperature coefficient, so a thermistor in the manner of a thermistor, contains. The thermistor R8 is bridged with a capacitor C5 so that the base AC voltage supplied by T2 does not change with temperature fluctuations.
Bei der Schaltung nach Fig. 3 wird der Temperaturdurchgriff des Transistors T1 durch die temperaturabhängige Änderung des Gleichstromwiderstandes des zweiten Transistors T2 kompensiert. Bei hochlaufender Temperatur wird der Gleichspannungsabfall am Heißleiter Ra kleiner, so daß sich der Gleichstromwiderstand des zweiten Transistors T" erhöht. Bei gleichbleibendem Strom über die Transistoren T1 und TZ wird die Spannung zwischen Basis und Emitter des Transistors T1 kleiner, was einem Stromanstieg im Transistor entgegenwirkt.In the circuit according to FIG. 3, the temperature penetration of the transistor T1 by the temperature-dependent change in the DC resistance of the second Transistor T2 compensated. at as the temperature rises, the DC voltage drop across the thermistor Ra is smaller, so that the DC resistance of the second transistor T "increased. With the current through the transistors remaining the same T1 and TZ the voltage between the base and emitter of the transistor T1 is lower, which counteracts an increase in current in the transistor.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DED27502A DE1103406B (en) | 1958-02-27 | 1958-02-27 | Frequency-selective amplifier, especially low-frequency amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DED27502A DE1103406B (en) | 1958-02-27 | 1958-02-27 | Frequency-selective amplifier, especially low-frequency amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1103406B true DE1103406B (en) | 1961-03-30 |
Family
ID=7039288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DED27502A Pending DE1103406B (en) | 1958-02-27 | 1958-02-27 | Frequency-selective amplifier, especially low-frequency amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1103406B (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1174853B (en) * | 1961-10-26 | 1964-07-30 | Rohde & Schwarz | High frequency amplifier cascade with transistors |
| US3353110A (en) * | 1964-01-23 | 1967-11-14 | Siemens Ag | Regulated transistor amplifier |
| DE1274754B (en) * | 1965-02-02 | 1968-08-08 | Philips Nv | Electric filter |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH217895A (en) * | 1940-03-06 | 1941-11-15 | Lorenz C Ag | Reception arrangement for carrier-frequency systems. |
| US2351934A (en) * | 1944-06-20 | Selectivity apparatus | ||
| DE862310C (en) * | 1938-01-14 | 1953-01-08 | Telefunken Gmbh | Receiver or amplifier with a blocking or short-circuit circuit that is tuned to a frequency to be suppressed |
-
1958
- 1958-02-27 DE DED27502A patent/DE1103406B/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2351934A (en) * | 1944-06-20 | Selectivity apparatus | ||
| DE862310C (en) * | 1938-01-14 | 1953-01-08 | Telefunken Gmbh | Receiver or amplifier with a blocking or short-circuit circuit that is tuned to a frequency to be suppressed |
| CH217895A (en) * | 1940-03-06 | 1941-11-15 | Lorenz C Ag | Reception arrangement for carrier-frequency systems. |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1174853B (en) * | 1961-10-26 | 1964-07-30 | Rohde & Schwarz | High frequency amplifier cascade with transistors |
| US3353110A (en) * | 1964-01-23 | 1967-11-14 | Siemens Ag | Regulated transistor amplifier |
| DE1274754B (en) * | 1965-02-02 | 1968-08-08 | Philips Nv | Electric filter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69118137T2 (en) | Low noise and low distortion amplifier | |
| DE1103406B (en) | Frequency-selective amplifier, especially low-frequency amplifier | |
| DE1441842B2 (en) | Regulated transistor amplifier | |
| DE3125200C2 (en) | Feedback-stabilized intermediate frequency amplifier for television purposes | |
| DE2949779A1 (en) | AMPLIFIER SYSTEM WITH AUTOMATIC GAIN CONTROL, EXAMPLE FOR AN AM BROADCAST RECEIVER | |
| DE1023083B (en) | Transistor amplifier circuit with automatic gain control | |
| DE1516789B2 (en) | OSCILLATOR CIRCUIT | |
| DE1591420C3 (en) | Damping regulator for electrical oscillations | |
| DE2364481A1 (en) | IF AMPLIFIER | |
| DE1202844B (en) | Mixing stage | |
| DE1591758C3 (en) | Self-oscillating UHF mixer | |
| AT210474B (en) | Transistor amplifier with bandwidth control | |
| DE1289120B (en) | Amplifier circuit with total amplification depending on the amplitude of the input signals | |
| AT277318B (en) | Circuit arrangement with a DC-coupled transistor amplifier and at least one preceding stage with a transistor pair with a common emitter resistance | |
| DE1286152C2 (en) | TRANSISTOR RF PRE-STAGE OR MIXER STAGE WITH GAIN CONTROL AND WITH AC COUPLING THROUGH AN EMITTER RESISTOR | |
| AT203058B (en) | Transistor circuit with variable input impedance | |
| AT227305B (en) | Arrangement for automatic gain control | |
| DE1441831C3 (en) | Adjustable high frequency amplifier stage with a transistor | |
| AT219093B (en) | Low frequency amplifier circuit comprising a pair of push-pull transistors of the same conductivity type | |
| DE1807095C3 (en) | oscillator | |
| DE1226649B (en) | Circuit arrangement for automatic gain control of a transistor amplifier | |
| DE1105917B (en) | Arrangement for automatic regulation of the gain of a transistor stage | |
| DE1102835B (en) | Circuit arrangement for suppressing an increase in voltage of the high-frequency oscillations in a parallel resonant circuit | |
| DE3319943A1 (en) | Radio-frequency pulse amplifier | |
| DE1271198B (en) | Condenser microphone amplifier using a high frequency feed |