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DE1098536B - Memory or switching arrangement - Google Patents

Memory or switching arrangement

Info

Publication number
DE1098536B
DE1098536B DES64123A DES0064123A DE1098536B DE 1098536 B DE1098536 B DE 1098536B DE S64123 A DES64123 A DE S64123A DE S0064123 A DES0064123 A DE S0064123A DE 1098536 B DE1098536 B DE 1098536B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
highly conductive
cores
magnetic
bodies
wires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES64123A
Other languages
German (de)
Inventor
Dipl-Ing Edgar Heimbach
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL254098D priority Critical patent/NL254098A/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES64123A priority patent/DE1098536B/en
Priority to US44109A priority patent/US3179927A/en
Priority to BE593363A priority patent/BE593363A/en
Priority to GB26114/60A priority patent/GB953184A/en
Priority to FR834167A priority patent/FR1264269A/en
Publication of DE1098536B publication Critical patent/DE1098536B/en
Pending legal-status Critical Current

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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Speicher- oder Schaltanordnung mit einer Mehrzahl von über mindestens einen gemeinsamen Leiter verknüpften Speicher- oder Schaltelementen.The invention relates to a memory or switching arrangement with a plurality of at least a common conductor linked storage or switching elements.

Es ist z. B. bekannt, mit Hilfe magnetischer Elemente, z. B. mit Hilfe von Ringkernen, Informationen zu speichern bzw. Schaltfunktionen zu erfüllen. Die magnetischen Speicher- oder Schaltelemente werden dabei durch Stromimpulse auf den mit den Elementen verketteten Leitern in einen bestimmten magnetischen Zustand gebracht. Die Magnetisierungsänderung wird dann mit Hilfe der gleichen oder anderer, d. h. zusätzlicher Leiter, die ebenfalls in bestimmter Weise mit den Elementen verkettet sind, festgestellt.It is Z. B. known using magnetic elements, e.g. B. with the help of toroidal cores, information to save or to fulfill switching functions. The magnetic storage or switching elements are by current impulses on the conductors linked to the elements in a certain magnetic State brought. The change in magnetization is then calculated using the same or different, i.e. H. additional Conductors that are also linked to the elements in a certain way are noted.

Jeder dieser mit den magnetischen Elementen verknüpften Leiter besitzt eine gewisse Selbstinduktivität, die bei Beaufschlagung des Leiters mit einem Stromimpuls eine auf den treibenden Impulsstromgenerator zurückwirkende Gegenspannung hervorruft. Die Gegenspannung bewirkt, vor allem bei Impulsstromgeneratoren mit Transistoren, eine Verzögerung des Stromanstieges und des Stromabfalls. Diese Verzögerung beschränkt in einem beträchtlichen Umfang die Arbeitsgeschwindigkeit solcher Anordnungen. Eine Verzögerung und Verlängerung tritt aber nicht nur bei den zur Ansteuerung der Elemente vorgesehenen Impulsen auf, sondern betrifft genauso die von den magnetischen Elementen abgegebenen Impulse. Zum Beispiel bei großen Magnetkernspeichern können die Lesespannungsimpulee dadurch beträchtlich verzögert und so weit verlängert wenden, daß der Speicherzyklus des Magnetkernspeichers ausgedehnt werden muß.Each of these conductors linked to the magnetic elements has a certain self-inductance, when a current pulse is applied to the conductor, it affects the driving pulse current generator causes retroactive counter-tension. The counter-voltage causes, especially in pulsed power generators with transistors, a delay in the rise and fall of current. This delay considerably limits the speed of operation of such arrangements. A delay and lengthening does not only occur in the case of those intended for controlling the elements Pulses, but also affects the pulses emitted by the magnetic elements. In the case of large magnetic core memories, for example, the read voltage pulses can be considerably delayed as a result and turn it so far that the memory cycle of the magnetic core memory can be extended got to.

Dieses Problem der störenden Selbstinduktivität von Leitern tritt aber nicht nur bei aus Magnetkernen bestehenden Speicher- oder Schaltanordnungen auf, sondern überall dort, wo es sich darum handelt, eine große Anzahl von mit mindestens einem gemeinsamen Leiter verbundenen Elementen, wie z. B. Relais, Kondensatoren, Transistoren, Röhren usw. impulsweise anzusteuern. Es ist bei den meisten dieser Anordnungen wünschenswert, die Selbstinduktivität aller mit den Speicher- oder Schaltelementen verknüpften Leiter möglichst gering zu halten.This problem of the disruptive self-inductance of conductors does not only occur with magnetic cores existing memory or switching arrangements, but wherever it is, one large number of elements connected to at least one common conductor, e.g. B. Relays, capacitors, To control transistors, tubes etc. in pulses. It is with most of these arrangements desirable, the self-inductance of all the conductors associated with the storage or switching elements to be kept as low as possible.

Die Selbstinduktivität eines mit Speicher- oder Schaltelementen verketteten Leiters ist sowohl durch die Größe des bei Stromfluß entstehenden Luftfiusses als auch, was bei magnetischen Speicher- oder Schaltelementen besonders wichtig ist, durch die Größe des Flusses in den Elementen bestimmt. Die Erfindung betrifft aus Schalt- oder Speicherelementen bestehende Anordnungen, bei denen die durch den Luftfluß verursachte Selbstinduktivität verringert und sowohl die danach noch verbleibende, vom Luftfluß herrührendeThe self-inductance of a conductor linked to storage or switching elements is through both the size of the air flow generated when the current flows as well as, which is particularly important for magnetic storage or switching elements, by the size of the In the elements. The invention relates to switching or memory elements Arrangements in which the self-inductance caused by the air flow is reduced and both the thereafter still remaining, originating from the air flow

Speicher- oder SchaltanordnungMemory or switching arrangement

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,Applicant:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2Berlin and Munich,
Munich 2, Wittelsbacherplatz 2

Dipl.-Ing. Edgar Heimbach, München,
ist als Erfinder genannt wordenDipl.-Ing. Edgar Heimbach, Munich,
has been named as the inventor

Induktivität als auch die vom Fluß in den Speicheroder Schaltelementen herrührende Induktivität kom-Inductance and the inductance resulting from the flux in the storage or switching elements

ao pensiert ist.ao is retired.

Es ist z. B. bekannt, die von dem Fluß in magnetischen Elementen herrührende Induktivität durch Verbesserung der Rechteckigkeit der Hystereseschleif e des für die Magnetkerne verwendeten magnetischen Materials zu verkleinern. Darüber hinaus geht die Erfindung aber von der Erkenntnis aus, daß die vom Luftfluß herrührende Selbstinduktivität eines Leiters um so geringer ist, je kleiner der von dem Feld des stromdurchflossenen Leiters erfüllte Raum ist. Eine in diesem Sinne wirkende Einengung des von dem magnetischen Feld erfüllten Raumes wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß zumindest stellenweise in der Nähe der Leiter ein oder mehrere gutleitende Körper angeordnet sind. Da die Speicher- oder Schaltanordnungen, auf die sich die Erfindung bezieht, impulsweise betrieben werden, dringen die rings um die Leiter entstehenden Felder in die von den gutleitenden Körpern besetzten Räume nur sehr wenig ein. Es ist deshalb gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung möglich, zumindest stellenweise in der Nähe der Leiter ein oder mehrere Körper anzuordnen, die nur eine gutleitende Oberfläche besitzen.It is Z. B. known, the resulting from the flux in magnetic elements inductance Improvement of the squareness of the hysteresis loop of the magnetic used for the magnetic cores To shrink the material. In addition, the invention is based on the knowledge that the from The self-inductance of a conductor resulting from air flow is the lower, the smaller that of the field of the current-carrying conductor is filled space. A narrowing of the of that acting in this sense Magnetic field filled space is achieved according to the invention that at least in places one or more highly conductive bodies are arranged in the vicinity of the conductor. Since the storage or switching arrangements, to which the invention relates, are operated in pulses, penetrate around the Ladder resulting fields very little into the spaces occupied by the conductive bodies. It is therefore possible according to an advantageous development of the invention, at least in places in the To arrange one or more bodies near the ladder that only have a highly conductive surface.

Außer der gewünschten Verringerung der Selbstinduktivität der mit den Speicher- oder Schaltelementen verketteten Leiter bewirkt die Maßnahme gemäß der Erfindung auch noch eine Kompensation der verbleibenden Induktivität, da zwischen dem gutleitenden Körper und den parallel zu ihm verlaufenden Leitern eine verteilte Kapazität zur Auswirkung kommt. Jeder mit einer Reihe von Elementen verknüpfte Leiter stellt nämlich in Verbindung mit den leitenden Körpern einen Wellenleiter bestimmten Wellenwiderstandes dar. Von dieser Erkenntnis ausgehend, können gemäß einer vorteilhaften Weiterbil-Apart from the desired reduction in the self-inductance of the storage or switching elements chained conductor causes the measure according to the invention also a compensation of the remaining Inductance, because between the highly conductive body and those running parallel to it Ladders have a distributed capacity. Each associated with a number of elements In connection with the conductive bodies, conductor represents a specific waveguide Characteristic wave resistance. Based on this knowledge, according to an advantageous further training

109 508/254109 508/254

Claims (6)

dung der Erfindung die störenden, beim Ein- und Ausschalten der Impulsströme auftretenden Gegenspannungsstöße, die die Zusammenarbeit z. B. mit Transistorschaltungen wesentlich erschweren, dadurch vermieden werden, daß jeder mit den Speicher- oder Schaltelementen verknüpfte und in Verbindung mit den leitenden Körpern einen Wellenleiter darstellende Leiter an seinem Ende, gegebenenfalls am Anfang und Ende, durch einen dem Wellenwiderstand gleichen Widerstand reflexionsfrei abgeschlossen wird. An Hand der Fig. 1 bis 3 wird die Erfindung näher erläutert. In Fig. 1 ist als Ausführungsbeispiel der Anordnung gemäß der Erfindung eines Magnetkernspeichermatrix dargestellt. Es kann dies in der dargestellten Form z. B. eine Ebene einer dreidimensionalen Matrix sein. Die Anordnung besteht aius den Magnetkernen M, die mit den Zeilendrähten X, den Spaltendrähten Y und den Lesedrähten L verkettet sind. Erfindungsgemäß sind zwischen den Magnetkernen in der Nähe der Ansteuer- bzw. Lesedrähte gutleitende Körper angeordnet. Bei der dargestellten Aueführungsform ist dies dadurch erreicht worden, daß unterhalb der Magnetkerne die gutleitende Platte Pl mit den Erhebungen K1 und oberhalb der Magnetkerne die gutleitende Platte P 2 angeordnet ist. In Fig. 1 wurde eine Darstellung gewählt, die es gestattet, in die zwischen den beiden Metallplatten Pl und P 2 befindliche Matrixanordnung hineinzuschauen. Es wunde dazu die gutleitende Platte P 2 in einer gehobenen Lage dargestellt. Normalerweise liegt aber diese gutleitende Platte P 2 unmittelbar auf dem Isolierrahmen R, der zur Halterung der Zeilendrähte X, der Spaltendrähte Y und des Lesedrahtes L dient. Wie bereits oben erwähnt wurde, stellen die mit den Magnetkernen M verknüpften Drähte in Verbindung mit den gutleitenden Platten Pl und P 2 sowie deren ErhebungenKi ein Wellenleitersystem mit einem bestimmten Wellenwiderstand dar. Der Wellenwiderstand dieser Leiter kann durch Veränderung des Abstandes der gutleitenden Platte P 2 von den Magnetkernen M auf einen gewünschten Wert eingestellt werden. In Fig. 2 ist ein Ausschnitt aus der Matrixanordnung gemäß Fdg. 1 dargestellt worden. Die Bezeichnung der einzelnen Elemente ist die gleiche wie in Fig. 1. Der zur Halterung der Ansteuer- und Lesedrähte dienende Isolierstoffrahmen R sowie die gutleitende Platte P 2 wurden zur besseren Übersicht weggelassen. Aus Fdg. 2 ersieht man, daß die Magnetkerne M direkt auf der gutleitenden Platte Pl, die die ebenfalls gutleitenden Erhebungen Kl trägt, aufsitzen. Bei dieser Anordnung sind außer den gutleitenden Platten P1 und P 2 nur neben den zylinderförmigen Mantelflächen der Magnetringkerne gutleitende Körper K1 angebracht. Zwischen den einander zugekehrten Stirnflächen der Magnetringkerne befinden sich dagegen keine gutleitenden Körper. Sollte jedoch eine weitere Reduzierung der Selbstinduktivität der mit den Magnetkernen M verknüpften Leiter wünschenswert sein, dann ist es, wie in Fig. 3 dargestellt, möglich, auch noch zwischen den einander zugekehrten Stirnflächen der Magnetkerne M gutleitende Körper K2 anzuordnen. In Fig. 3 ist dies nur für die gutleitende Platte P1 dargestellt. Gleiche oder ähnliche gutleitende Körper können natürlich auch an der Unterseite der gutleitenden, die Magnetkernanordnung von oben abdeckenden Platte P 2 vorgesehen sein. Diese zwischen den Stirnflächen der Magnetringkerne M angeordneten gutleitenden Körper A'2 werden zweckmäßigerweise gerade so hoch gemacht, daß zwischen ihnen noch Raum für die mit den Magnetkernen M verknüpften Zeilendrähte X, Spaltendrähte Y und Lesedrähte L vorhanden ist. Um die Anordnung des gutleitenden Körpers K2 zwischen den Stirnflächen der Magnetringkerne M erkennen zu können, wurde in Fig. 3 der an sich zwischen den beiden vorderen Körpern K1 befindliche Magnetiing- kern weggelassen. Die in den Fig. 1 bis 3 dargestellten Anordnungen sind keineswegs die allein möglichen Ausführungsformen von Anordnungen gemäß der Erfindung. Als Beispiel für eine andere Ausführungsform sei darauf hingewiesen, daß die zwischen den Magnetkernen und den Leitern befindlichen Leerräume auch mit Metall ausgegossen werden können. Bei solchen Anordnungen ist jedoch darauf zu achten, daß durch den Innenraum der Magnetringkerne hindurch keine leitende Verbindung zwischen den neben den Magnetringkernen angeordneten gutleitenden Körpern gebildet werden darf. Eine solche Verbindung würde nämlich für den betreffenden Ringkern eine Kurzschlußwindung darstellen und bei der Ummagnetfisierung des Magnetkernes die Abgabe eines Impulses auf den mit diesem Magnetkern verknüpften Lesedraht verhindern. Es ist aber andererseits natürlich auch möglich, an Stelle von Metallplatten -andere aus nicht gutleitendem Material bestehende Körper anzuordnen, die eine gutleitenrie Oberflächenschicht besitzen. Ebenso ist die Anwendung des Erfindungsgedankens nicht nur auf Speicher- oder Schaltanordnungen aus Magnetkernen mit rechteckförmiger Hystereseschleife beschränkt. Eine unerwünschte Selbstinduktivität der die Speicher- oder Schaltelemente verbindenden Leiter macht sich, wie bereits eingangs erwähnt, auch bei anderen Speicher- oder Schaltelementen, wie z. B. Röhren, Transistoren, Dioden, Relais, Kondensatoren usw. störend bemerkbar. Die Erfindung ist bei diesen Anordnungen bzw. Elementen genausogut wie bei dem in der Beschreibung näher erläuterten Beispiel eines Magnetkernspeichers anwendbar. Besonders vorteilhaft ist aber die Anwendung bei Magnetkernspeichern oder Magnetkernschaltern, da bei diesen die durch das Material der Ringkerne und ihre meist sehr große Zahl bedingte Induktivität der Leiter einen sehr hohen Wert hat. Eine Verringerung der Induktivität ist also gerade dort besonders wünschenswert. PatentAMSPRücHE:Training of the invention the disturbing, when switching on and off the pulse currents occurring counter voltage surges that the cooperation z. B. with transistor circuits can be avoided in that each associated with the memory or switching elements and in connection with the conductive bodies a waveguide representing conductor at its end, possibly at the beginning and end, is terminated reflection-free by a resistance equal to the characteristic impedance . The invention is explained in more detail with reference to FIGS. 1 to 3. In Fig. 1 is shown as an embodiment of the arrangement according to the invention of a magnetic core memory matrix. It can do this in the form shown, for. B. be a plane of a three-dimensional matrix. The arrangement consists of the magnetic cores M linked to the row wires X, the column wires Y and the reading wires L. According to the invention, highly conductive bodies are arranged between the magnetic cores in the vicinity of the control or read wires. In the embodiment shown, this has been achieved in that the highly conductive plate P1 with the elevations K1 is arranged below the magnetic cores and the highly conductive plate P 2 is arranged above the magnetic cores. In FIG. 1, a representation has been selected which allows one to look into the matrix arrangement located between the two metal plates P1 and P 2. It wound to the highly conductive plate P 2 shown in a raised position. Normally, however, this highly conductive plate P 2 lies directly on the insulating frame R, which is used to hold the row wires X, the column wires Y and the reading wire L. As already mentioned above, the wires connected to the magnetic cores M in connection with the highly conductive plates Pl and P 2 as well as their elevations Ki represent a waveguide system with a certain characteristic impedance the magnetic cores M can be set to a desired value. In FIG. 2 a section from the matrix arrangement according to FIG. 1 has been shown. The designation of the individual elements is the same as in FIG. 1. The insulating frame R, which is used to hold the control and reading wires, and the highly conductive plate P 2 have been omitted for a better overview. From Fdg. 2 it can be seen that the magnetic cores M sit directly on the highly conductive plate Pl, which carries the likewise highly conductive elevations Kl. In this arrangement, apart from the highly conductive plates P1 and P 2, only highly conductive bodies K1 are attached next to the cylindrical outer surfaces of the magnetic ring cores. In contrast, there are no highly conductive bodies between the facing end faces of the ring magnet cores. However, should a further reduction in the self-inductance of the conductors linked to the magnetic cores M be desirable, then, as shown in FIG. In Fig. 3 this is only shown for the highly conductive plate P1. Identical or similar highly conductive bodies can of course also be provided on the underside of the highly conductive plate P 2 which covers the magnetic core arrangement from above. These highly conductive bodies A'2 arranged between the end faces of the magnetic ring cores M are expediently made just high enough that there is still space between them for the row wires X, column wires Y and reading wires L linked to the magnetic cores M. In order to be able to recognize the arrangement of the highly conductive body K2 between the end faces of the magnetic ring cores M, the magnetic ring core located between the two front bodies K1 has been omitted in FIG. 3. The arrangements shown in FIGS. 1 to 3 are by no means the only possible embodiments of arrangements according to the invention. As an example of another embodiment, it should be pointed out that the empty spaces located between the magnetic cores and the conductors can also be filled with metal. In such arrangements, however, care must be taken that no conductive connection may be formed through the interior of the ring magnet cores between the highly conductive bodies arranged next to the ring magnet cores. Such a connection would represent a short-circuit turn for the toroidal core in question and, when the magnet core is reversed, would prevent a pulse from being emitted to the reading wire linked to this magnet core. On the other hand, however, it is of course also possible, instead of metal plates, to arrange other bodies made of non-conductive material which have a good-conductive surface layer. Likewise, the application of the inventive concept is not limited to memory or switching arrangements made up of magnetic cores with a rectangular hysteresis loop. An undesirable self-inductance of the conductors connecting the memory or switching elements, as already mentioned, also occurs in other memory or switching elements, such as. B. tubes, transistors, diodes, relays, capacitors, etc. disturbing noticeable. The invention can be applied to these arrangements or elements just as well as to the example of a magnetic core memory explained in more detail in the description. However, it is particularly advantageous to use magnetic core memories or magnetic core switches, since in these the inductance of the conductors, which is due to the material of the toroidal cores and their usually very large number, has a very high value. A reduction in the inductance is particularly desirable there. PATENT CLAIMS: 1. Speicher- oder Schaltanordnung mit einer Mehrzahl von über mindestens einen gemeinsamen Leiter verknüpften Speicher- oder Schaltelementen, insbesondere Magnetkernen mit zumindest annähernd rechteckförmiger Hystereseschleife, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verringerung und Kompensation der Selbstinduktivität der mit den Speicher- oder Schaltelementen verknüpften Leiter zumindest stellenweise in der Nähe der Leiter gutleitende Körper angeordnet sind.1. Memory or switching arrangement with a plurality of at least one common Head linked storage or switching elements, in particular magnetic cores with at least approximately rectangular hysteresis loop, characterized in that for reducing and Compensation of the self-inductance of the conductors linked to the storage or switching elements At least in places in the vicinity of the conductor highly conductive bodies are arranged. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in den den Leitern benachbarten Leerräumen ein oder mehrere Körper mit gutleitenden Oberflächen angeordnet sind.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that in the adjacent conductors Empty spaces one or more bodies with highly conductive surfaces are arranged. 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Nähe der Leiter befindlichen Leerräume mit Metall ausgegossen sind.3. Arrangement according to claim 1, characterized in that the located in the vicinity of the conductor Empty spaces are filled with metal. 4. Anordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die in den Leerräumen ange-4. Arrangement according to claim 1 to 3, characterized in that the in the empty spaces ordneten gutleitenden Körper derart ausgebildet sind, daß sie auch als Träger oder Führungsmittel für die Speicher- oder Schaltelemente und deren Leiter dienen.arranged highly conductive bodies are designed in such a way that they can also be used as a carrier or guide means serve for the storage or switching elements and their conductors. 5. Anordnung nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß jeder mit den Speicher- oder Schaltelementen verknüpfte Leiter an seinem Ende bzw. am Anfang und Ende durch einen dem Wellenwiderstand gleichen Widerstand reflexionsfrei abgeschlossen ist.5. Arrangement according to claim 1 to 4, characterized in that each with the memory or Switching elements linked ladder at its end or at the beginning and end by a dem Characteristic impedance equal resistance is completed without reflection. 6. Anordnung nach Anspruch 1, 2, 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Leitern und den in der Nähe der Leiter angeordneten gutleitenden Körpern einstellbar ist.6. Arrangement according to claim 1, 2, 4 and 5, characterized in that the distance between the ladders and the highly conductive bodies arranged in the vicinity of the ladder can be adjusted. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
DES64123A 1959-07-27 1959-07-27 Memory or switching arrangement Pending DE1098536B (en)

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