DE1078194B - Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschluessen - Google Patents
Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden KontaktanschluessenInfo
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- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Inking, Control Or Cleaning Of Printing Machines (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein elektrisches Bauelement, beispielsweise einen Transistor, mit dicht nebeneinanderliegenden
Konkatanschlüssen.
Bei manchen Transistoren ist es notwendig, auf sehr kleinen Kontaktflächen mit einer Lineardimension
von 20 bis 40 μ, die im Abstand von etwa 20 μ voneinander liegen, elektrische Zuleitungen anzubringen.
Es läßt sich noch eine Reihe weiterer Halbleiteranordnungen angeben, die auch mit sehr kleinen Abmessungen
erwünscht sind. Beispiele hierfür bilden Richtleiter für Höchstfrequenzen, die Kontaktierung
kleinster Einkristallproben, z. B. von Boreinkristallen, sowie die Kontaktierung von kleindimensionierten
Hallgeneratoren. Ein anderes, nicht aus der Halbleitertechnik entnommenes Beispiel sind kleine Thermo-
elemente oder Bolometer, wie sie für hochempfindliche Strahlungsmesser verwendet werden.
Bei den genannten Beispielen und einer Reihe weiterer ähnlicher Geräte kleinster Abmessungen tritt
die Aufgabe auf, Kontaktierungsdrähte mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschlüssen kleinster
Kontaktflächen zu verbinden.
Das Anlöten von Drähten auf derartigen Flächen ist technologisch schwierig durchzuführen und führt
auch nicht ohne weiteres zu elektrisch und mechanisch stabilen Kontakten.
Gleiches gilt für auf die Kontaktflächen aufgesetzte Kontaktspitzen.
Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement sind diese Nachteile dadurch vermieden, daß die Kontaktanschlüsse
von einer Isolierstoffmasse umgeben sind, die die Kontaktflächen mindestens teilweise frei läßt,
und daß auf der Isolierstoffmasse elektrisch leitende Bahnen aufgebracht sind, die zu den Kontaktflächen
führen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung und erfindungsgemäße Verfahrensschritte werden im folgenden
an Hand der Figur beschrieben.
Auf einen Halbleiterkörper 1, beispielsweise aus Germanium, sind zwei Elektroden 2 auflegiert. Die 4»
eine Elektrode besteht beispielsweise aus Aluminium, die andere aus Gold. Der Halbleiterkörper 1 ist in
eine Isolierstoffmasse 3, beispielsweise aus Siliconlack, eingebettet. Durch die Isolierstoffmasse sind
verhältnismäßig starke elektrische Zuleitungen 4 geführt.
Von den Zuleitungen 4 zu den Kontaktstellen 2 führen elektrisch leitende Bahnen 5, die z. B. durch
Aufdampfen elektrisch leitender Stoffe im Hochvakuum oder durch Aufspritzen oder durch chemisches,
elektrochemisches oder mechanisches Aufbringen von leitenden Lacken oder mittels einer Kombination
dieser Verfahren hergestellt sind.
In einer anderen Ausbildung der Erfindung wird zuerst der Körper 1 ganz in Isolierstoff eingebettet,
Elektrisches Bauelement
mit dicht nebeneinanderliegenden
Kontaktans chlüss en
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
München 2, Witteisbacherplatz 2
Dr. Reinhard Dahlberg, Freiburg (Breisgau),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
so daß also· von dem Isolierstoff auch die Kontaktflächen bedeckt sind, und erst nachträglich werden die
Kontaktflächen mindestens teilweise wieder freigelegt. Dies kann mit an sich bekannten Mitteln auf chemischem,
thermischem, elektrischem oder mechanischem Wege erfolgen.
Claims (5)
1. Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschlüssen, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktanschlüsse von einer Isolierstoffmasse umgeben sind, die die Kontaktflächen
mindestens teilweise frei läßt, und daß auf der Isolierstoffmasse elektrisch leitende Bahnen
aufgebracht sind, die zu den Kontaktflächen führen.
2. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch der Zwischenraum
zwischen den Kontaktanschlüssen von Isolierstoffmasse frei gelassen ist.
3. Verfahren zur Herstellung der Kontaktanschlüsse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktstellen zunächst von der Isolierstoffmasse unter Freilassung mindestens
eines Teils der Kontaktflächen umgeben werden und daß dann die elektrisch leitenden Bahnen auf
die Isolierstoffmasse aufgebracht werden.
4. Verfahren zur Herstellung der Kontaktanschlüsse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktstellen ganz von der Isolierstoffmasse umgeben und mit dieser Masse bedeckt
werden, daß dann die Kontaktflächen wieder min-
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destens teilweise freigelegt werden und daß dann die elektrisch leitenden Bahnen auf die Isolierstoffmasse
aufgebracht werden.
5. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen zu
den einlegierten Elektroden eines Transistors gehören, daß diese Kontaktflächen Linearabmessungen
zwischen etwa 20 und 40 μ aufweisen und daß der Abstand zwischen den Kontaktflächen etwa
20 μ beträgt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES55311A DE1078194B (de) | 1957-09-27 | 1957-09-27 | Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschluessen |
| FR1201776D FR1201776A (fr) | 1957-09-27 | 1958-08-20 | Organe électrique à contacts de raccordement très voisins et procédé de fabrication correspondant |
| CH6429058A CH365452A (de) | 1957-09-27 | 1958-08-24 | Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinander liegenden Kontaktanschlüssen und Verfahren zu dessen Herstellung |
| GB30844/58A GB874713A (en) | 1957-09-27 | 1958-09-26 | Improvements in or relating to electrical components and processes for the manufacture thereof |
| US600245A US3414784A (en) | 1957-09-27 | 1966-12-08 | Electrical structural element having closely neighboring terminal contacts and method of making it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES55311A DE1078194B (de) | 1957-09-27 | 1957-09-27 | Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschluessen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1078194B true DE1078194B (de) | 1960-03-24 |
Family
ID=7490374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES55311A Pending DE1078194B (de) | 1957-09-27 | 1957-09-27 | Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschluessen |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3414784A (de) |
| CH (1) | CH365452A (de) |
| DE (1) | DE1078194B (de) |
| FR (1) | FR1201776A (de) |
| GB (1) | GB874713A (de) |
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| NL254726A (de) * | 1959-08-11 |
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- 1957-09-27 DE DES55311A patent/DE1078194B/de active Pending
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- 1958-08-20 FR FR1201776D patent/FR1201776A/fr not_active Expired
- 1958-08-24 CH CH6429058A patent/CH365452A/de unknown
- 1958-09-26 GB GB30844/58A patent/GB874713A/en not_active Expired
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1966
- 1966-12-08 US US600245A patent/US3414784A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3414784A (en) | 1968-12-03 |
| FR1201776A (fr) | 1960-01-06 |
| CH365452A (de) | 1962-11-15 |
| GB874713A (en) | 1961-08-10 |
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