DE1048945B

DE1048945B - Device for the joint control of several controllable semiconductors connected in series

Info

Publication number: DE1048945B
Application number: DES41577A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Dr Georg Sichling
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1954-11-17
Filing date: 1954-11-17
Publication date: 1959-01-22
Also published as: CH340268A

Description

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, mit steuerbaren Halbleitern, insbesondere Transistoren, Spannungen zu schalten, deren Höhe größer ist als die Sperrspannung des Halbleiters. Zu dem Zweck können mehrere steuerbare Halbleiter in Reihe geschattet werden, jedoch ist es erforderlich, daß die Aussteuerung dieser Halbleiter gleichzeitig erfolgt. Eine derartige gmeinsame Steuerung mehrerer in Reihe geschalteter steuerbarer Halbleiter bereitet jedoch erhebliche Schwierigkeiten, insbesondere bei Transistören in der emittergeerdeten Schaltung. Erfind'ungsgemäß sind die die Halbleiter steuernden Elektroden derart an ein gemeinsames Steuerorgan angeschlossen, daß die Potentiale der steuernden Elektroden getrennt sind. Hierzu können vorteilhaft zwischen, die zu steuernden Elektroden elektrische Widerstände geschaltet sein, deren Ohmwert vorteilhaft annähernd gleich dem Sperrwiderstand der Halbleiter ist.The invention is based on the object of using controllable semiconductors, in particular transistors, to switch voltages whose level is greater than the reverse voltage of the semiconductor. For this purpose, several controllable semiconductors can be shaded in series, but it is necessary that these semiconductors are controlled at the same time. Such a joint control of a plurality of controllable semiconductors connected in series causes considerable difficulties, particularly in the case of transistors in the emitter-earthed circuit. According to the invention, the electrodes controlling the semiconductors are connected to a common control element in such a way that the potentials of the controlling electrodes are separated. For this purpose, electrical resistances can advantageously be connected between the electrodes to be controlled, the ohmic value of which is advantageously approximately equal to the blocking resistance of the semiconductors.

An Hand der Fig. 1 sei die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel erläutert, bei dem als Halbleiter Transistoren verwendet werden. Die zwischen den steuernden Elektroden der in Reihe geschalteten Halbleiter angeordneten elektrischen Widerstände sind untereinander in Reihe geschaltet und veränderbar. Dabei sind diese Widerstände so angeordnet, daß ihre Abgriffe mit den steuernden Elektroden der Transistoren \rerbunden sind.The invention will be explained with reference to FIG. 1 using an exemplary embodiment in which transistors are used as semiconductors. The electrical resistances arranged between the controlling electrodes of the semiconductors connected in series are connected to one another in series and can be changed. These resistors are arranged in such a way that their taps are connected to the controlling electrodes of the transistors.

Mit Hilfe der dargestellten Einrichtung soll die Leistung des von der Spannungsquelle 1 gespeisten Verbrauchers 2 gesteuert werden. Zur Steuerung dienen die Transistoren 3, 4,. 5 und 6. Die Zahl der in. Reihe zu schaltenden Transistoren ergibt sich in bekannter Weise aus dem Verhältnis der Leerlaufspannung der Spannungsquelfe 1 zu den Sperrspannungen der einzelnen Transistoren. Parallel zu den Transistoren sind veränderbare Widerstände 7,, 8, 9, 10 geschaltet, deren Abgriffe mit den Elektroden 3 a, 4 a, 5 a und 6 a der Transistoren verbunden sind. Außerdem· sind in Reihe zu den Widerständen 7 bis 1.0 veränderbare Spanmingsquellen 11 und 12. eingeschaltet, deren Spannung derjenigen der SpannungsqueHe 1 entgegengeschaltet ist. Durch den Zusatz dieser Spannungen 11 und 12 wird das Potential der Punkte e bis h so verändert, daß die Potentiale zwischen den Punkten α und e, b und f, c und g sowie d und. h jeweife gleich sind. Damit sind die Transistoren geschlossen. Werden nun die Spannungen 11 und 12 herabgesetzt oder die Spannungsquellen· kurzgeschlossen, so steigt das Potential der gesamten Widerstandsreihe und somit auch das Potential an den Punkten e bis Ji. Dadurch werden die Transistoren 3"bis 6 gleichzeitig' geöffnet und damit der von den Transistoren gebildete Widerstand auf ein Minimum herabgesetzt. Der nunmehr durch die Transistoren und den Ver-Einrichtung zur gemeinsamen Steuerung mehrerer in Reihe geschalteterWith the aid of the device shown, the power of the consumer 2 fed by the voltage source 1 is to be controlled. The transistors 3, 4, are used for control. 5 and 6. The number of transistors to be connected in series results in a known manner from the ratio of the open circuit voltage of the voltage source 1 to the blocking voltages of the individual transistors. In parallel with the transistors, variable resistors 7, 8, 9, 10 are connected, the taps of which are connected to the electrodes 3 a, 4 a, 5 a and 6 a of the transistors. In addition, variable voltage sources 11 and 12 are connected in series with resistors 7 to 1.0, the voltage of which is opposite to that of voltage source 1. By adding these voltages 11 and 12, the potential of the points e to h is changed so that the potentials between the points α and e, b and f, c and g and d and. h are each the same. This closes the transistors. If the voltages 11 and 12 are now reduced or the voltage sources short-circuited, the potential of the entire series of resistors rises and thus also the potential at points e to Ji. As a result, the transistors 3 ″ to 6 are opened at the same time and thus the resistance formed by the transistors is reduced to a minimum

steuerbarer Halbleitercontrollable semiconductor

Anmelder:Applicant:

Siemens-SchuckertwerkeSiemens-Schuckertwerke

Aktiengesellschaft,Corporation,

Berlin und Erlangen»Berlin and Erlangen »

Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Dipl.-Ing. Dr. Georg Siebung, Erlangen, ist als Erfinder genannt wordenDipl.-Ing. Dr. Georg Siebung, Erlangen, has been named as the inventor

braucher 2 fließende Strom ruft lediglich einen geringfügigen Spannungsabfall an den Transistoren hervor. Die Widerstände 7 bis 10 und die Abgriffe e bis h sind deshalb derart abzustimmen^ daß trotz der geringen, an der gesamten Widerstandsreihe verbleibenden Spannung die Elektroden Za bis 6 a so· ausgesteuert werden, daß die Transistoren geöffnet bleiben. .Consumer 2 flowing current only causes a slight voltage drop across the transistors. The resistors 7 to 10 and the taps e to h are therefore to be coordinated in such a way that, despite the low voltage remaining on the entire series of resistors, the electrodes Za to 6a are controlled in such a way that the transistors remain open. .

Um eindeutige Potentiälverhältnissse an den Transistoren zu erhalten, kann es· vorteilhaft sein, eine weitere Widerstandsreihe 17 bis 20 den Transistoren parallel zu schalten. Dadurch werden die Potentiale der Punkte b bis d vorzugsweise während der Sperrzeit der Transistoren festgehalten. Γη diesem Fall, kann die gleichzeitige Aussteuerung der Transistoren 3 bis 6 auch in der Weise erfolgen, daß die Potentiale der Widerstandsreihe 17 bis 20 durch zusätz.-liche, in Reihe geschaltete Spannungsquellen 21 und 22 angehoben und die Potentiale der Widerstandsreihe 7 bis 10 konstant gehalten werden. Weiterhin kann eine Aussteuerung, in der Weise erfolgen,, daß¹ die Punkte e bis h jeweils an einem Ende des entsprechenden Widerstandes liegen und zum öffnen der, Transistoren das Potential der Widerstandsreihe 7 bis 10 konstant gehalten werden. Weiterhin kann eine Aussteuerung in der Weise erfolgen,, daß die Funkte e bis h jeweils an einem Ende des entsprechenden. Widerstandes liegen und zum öffnen der Transistoren das Potential der Widerstandsreihe 7 Bis 10 durendie Spannungsquell'en 11 und 12 angehoben wird.In order to obtain unambiguous potential relationships at the transistors, it can be advantageous to connect a further series of resistors 17 to 20 in parallel with the transistors. As a result, the potentials of points b to d are preferably retained during the blocking time of the transistors. In this case, the simultaneous control of the transistors 3 to 6 can also be done in such a way that the potentials of the resistor series 17 to 20 are raised by additional voltage sources 21 and 22 connected in series and the potentials of the resistor series 7 to 10 are constant being held. May further include a modulation, done in such a manner ,, that ¹ are the points e to h each at one end of the corresponding resistor and the, transistors open the potential of the series resistance be kept constant to 10. 7 Furthermore, a modulation can take place in such a way that the points e to h each at one end of the corresponding. Resistance lie and to open the transistors the potential of the series of resistors 7 to 10 by the voltage sources 11 and 12 is raised.

Die geschilderte Arbeitsweise setzt zunächst identische Transistoren voraus, d. h. Transistoren, derenThe working method described is initially identical Transistors ahead, d. H. Transistors whose

809730/189809730/189

Spannungen, Durchgangswiderstände, Stromverstärkungsfaktoren, Steuerspanhungsschwellwerte und Zeitkonstante bei Zünden und Löschen einander gleich sind. Bei abweichenden Kennwerten, insbesondere der Sperrspannungen, kann ein Ausgleich durch entsprechende Bemessung der Widerstände 7 bis 10 und 17 bis 20 erreicht werden. Ist bei gleichen Spannungen der Durchlaßwiderstand der Transistoren verschieden, so läßt sich ein Ausgleich durch Einfügen der Widerstände 23 bis 26 erzielen, während sich unterschiedliche Schwellwerte durch Einfügen zusätzlicher Spannungen mit Hilfe der Spannungsquellen 27 bis 30 ausgleichen lassen. Voltages, volume resistances, current amplification factors, Control voltage threshold values and time constants for ignition and extinguishing are the same are. In the case of deviating parameters, in particular the blocking voltages, compensation can be achieved by means of appropriate Dimensioning of the resistors 7 to 10 and 17 to 20 can be achieved. Is at the same tensions If the on-resistance of the transistors is different, a compensation can be made by inserting of resistors 23 to 26, while different threshold values can be achieved by inserting additional Allow voltages to be balanced out with the aid of voltage sources 27 to 30.

In Fig. 3 und 4 sind zwei typische Fälle für die Sperrklinkenlinien (^-^-ΚθηηΠηίεη) von Transistoren dargestellt. In Fig. 3 sei mit 51 die Sperrkennlinie des einen, mit 52 die des anderen Transistors bezeichnet. Sind diese beiden, Transistoren in Reihe geschaltet,' so wird sich an dem einen Transistor bei einem bestimmten. Sperrstrom I₀₁ eine Sperrspannung U₀₁ und an dem anderen eine Sperrspannung U₀₂ einstellen, wobei die Summe von U₀₁ und U₀₂ gleich, der Leerlauf spannung der Spannungsquelle ist. Im Hinblick auf die Stabilität des Transistors könnte die Spannung U₀₁ noch höher sein, jedoch würde dies einen Sperrstrom I₀₂ zur Folge haben, der an dem anderen Transistor mit der Kennlinie 52 einen unzulässig hohen Spannungsabfall hervorrufen würde. Schaltet man jedoch parallel zu dem Transistor mit der Kennlinie 52 einen Widerstand entsprechender Größe, so· können die Ströme durch die beiden Transistoren so bemessen werden, daß gerade die zulässige Höchstgrenze der Spannung an jedem Transistor erreicht wird.In Fig. 3 and 4 two typical cases for the pawl lines (^ - ^ - ΚθηηΠηίεη) of transistors are shown. In Fig. 3, 51 denotes the blocking characteristic of one transistor, and 52 denotes that of the other transistor. If these two 'transistors are connected in series,' one transistor will be connected to a certain one. Reverse current I _{01 set} a reverse voltage U ₀₁ and a reverse voltage U ₀₂ on the other, the sum of U ₀₁ and U _{02 being} equal to the no-load voltage of the voltage source. With regard to the stability of the transistor, the voltage U _{01 could be} even higher, but this would result in a reverse current I ₀₂ , which would cause an impermissibly high voltage drop on the other transistor with the characteristic curve 52. If, however, a resistor of a corresponding size is connected in parallel to the transistor with the characteristic curve 52, the currents through the two transistors can be dimensioned in such a way that the maximum permissible voltage limit at each transistor is reached.

In Fig. 4 ist die Kennlinie des einen Transistors mit 61 und die des anderen mit 62 bezeichnet. Man erkennt, daß in diesem Fall die Transiistorkennlinien mehr Sättigungscharakter haben. Dadurch wird die Spannungsaufteirung an den Transistoren noch unterschiedlicher als in Fig. 3. Bei der für den Transistor mit der Kennlinie 62 noch eben zulässigen höchsten Spannung U_oi fließt ein Strom I_ci, zu dem bei dem Transistor mit der Kennlinie 61 nur eine verschwindend kleine Spannung U₀₅ gehört. Dieser Transistor wird also fast keine Spannung aufnehmen. Auch hier kann ein Ausgleich dadurch erreicht werden, daß parallel zu dem Transistor mit der Kennlinie 62 ein Widerstand geschaltet wird, so daß durch den Transistor mit der Kennlinie 61 ein StTOmZ₁₇₃ fleßt, bei dem der Spannungsgrenzwert U'_c3 gehört. Man. erkennt also, daß bei den verschiedensten Spannungskennlinien der Transistoren durch Parallelschalten entsprechend bemessener Widerstände jeder Transistor auf die maximale Sperrspannung eingestellt werden kann. Für mehrere in Reihe geschaltete Transistoren gilt sinngemäß dasselbe. Zu dem Abgleich der Sperrspannungen der einzelnen Transistoren können gegebenenfalls auch die Widerstände 17 bis 20 verwendet werden. ■; Ein anderes vorteilhaftes Ausführungsbeispiel ist in Fig. 2 dargestellt. Hier ist der Ohmwert der zwischen die Steuerelektroden der Transistoren 3 bis 6 geschalteten Widerstände annähernd unendlich groß, d. h., die Steuerelektroden sind voneinander isoliert. Als gemeinsames Steuerorgan dient in diesem Fall ein Transformator 31,. dessen Primärseite an eine veränderbare Spannung angeschlossen ist und dessen Sekundäfseite mehrere, jeweils mit der steuernden Elektrode eines Halbleiters verbundene, galvanisch getrennte Wicklungen 32 bis 35 aufweist. Zur Steuerung der Primärspannung des Transformators dienen zwei parallel geschaltete Transistoren, beispielsweise ein n-p-n-Transistor 36 und ein p-n-p-Transistor 37 mit vorgeschalteten Gleichrichtern 38 und 39 entgegengesetzter Durchlaßrichtung. Zwischen denBasiselektroden der Transistoren 3 bis 6 und. den Sekundärwicklungen 32> bis 35 des Transformators liegen Gleichrichter 41 bis 44.In FIG. 4, the characteristic curve of one transistor is denoted by 61 and that of the other is denoted by 62. It can be seen that in this case the transistor characteristics have a more saturation character. Characterized the Spannungsaufteirung on the transistors will be different than in FIG. 3. In still just permissible for the transistor having the characteristic 62 highest voltage U _oi a current I _ci at which the transistor having the characteristic 61, only a vanishingly small Voltage U ₀₅ belongs. So this transistor will take almost no voltage. Here, too, compensation can be achieved by connecting a resistor in parallel to the transistor with the characteristic 62, so that a StTOmZ ₁₇₃ flows through the transistor with the characteristic 61, at which the voltage limit value U ' _c3 belongs. Man. thus recognizes that, with the most varied voltage characteristics of the transistors, each transistor can be set to the maximum reverse voltage by connecting appropriately dimensioned resistors in parallel. The same applies analogously to several transistors connected in series. Resistors 17 to 20 can optionally also be used to adjust the blocking voltages of the individual transistors. ■; Another advantageous embodiment is shown in FIG. Here the ohmic value of the resistors connected between the control electrodes of the transistors 3 to 6 is almost infinitely large, ie the control electrodes are insulated from one another. In this case, a transformer 31 serves as a common control element. whose primary side is connected to a variable voltage and whose secondary side has a plurality of galvanically separated windings 32 to 35, each connected to the controlling electrode of a semiconductor. Two transistors connected in parallel are used to control the primary voltage of the transformer, for example an npn transistor 36 and a pnp transistor 37 with upstream rectifiers 38 and 39 in the opposite direction. Between the base electrodes of transistors 3 to 6 and. Rectifiers 41 to 44 are connected to the secondary windings 32 to 35 of the transformer.

Die Wirkungsweise dieser Anordnung ist aus der Figur ohne Schwierigkeiten erkennbar. Durch Veränderung des an den Basiselektroden der beiden Transistoren 36 und 37 liegenden Gleichstromes wird der Primärstrom ^! des Transformators 31 und damit auch der "die einzelnen Ströme der Transistoren 3 bis 6 steuernde Sekundärstrom beeinflußt. Diese Methode der Umwandlung der Gleichstromkommandos in Wechselströme und anschließende Gleichrichtung ermöglicht eine gleichzeitige Aussteuerung sämtlicher in Reihe geschalteter Transistoren trotz Potentialtrennung zwischen den einzelnen Steuerelektroden.The mode of operation of this arrangement can be seen from the figure without difficulty. By changing the direct current applied to the base electrodes of the two transistors 36 and 37, the primary current ^! of the transformer 31 and thus also the "secondary current controlling the individual currents of the transistors 3 to 6. This method of converting direct current commands into alternating currents and subsequent rectification enables simultaneous control of all transistors connected in series despite potential separation between the individual control electrodes.

In der in Fig. 2 beschriebenen Anordnung kann die Steuerung der Transistoren 3 bis 6 kontinuierlich erfolgen, indem die Amplitude der dem Transformator 31 primärseitig zugeführte Wechselspannung in ihrer Höhe verändert wird. Eine derartige kontinuierliche Aussteuerung der Transistoren ist jedoch nur möglich, solange die Widerstandskennlinie des Verbrauchers sich mit der Leistungshyperbel der Transistoren nicht schneidet, d. h., solange an keiner Stelle des Steuerbereiches die zulässige Leistung der einzelnen Transistoren überschritten wird. In vielen Fällen ist es jedoch erforderlich, mit den Transistoren eine größere Leistung zu schalten, als es im Hinblick auf ihre Erwärmung zulässig ist. Für diesen Fall sind bereits Maßnahmen vorgeschlagen, worden, die auch die Steuerung von Leistungen ermöglichen, welche oberhalb der zulässigen Leistung der Transistoren liegen. Diese Maßnahmen beruhen auf der Erkenntnis, daß die Verlustleistung eines Halbleiters infolge der hyperbolischen Leistungskennlänie im ungesteuerten und im ganz ausgesteuerten Zustand wesentlich kleiner ist als bei Zwischensteuerwerten, insbesondere in der Mitte des Aussteuerbereiches. Es ist deshalb vorgeschlagen worden, diesen Zwischenbereich möglichst schnell zu durchsteuern, so daß sich der Halbleiter überwiegend im gesperrten oder geöffneten Zustand befindet und die in der Umsteuerzeit auftretenden Verlustleistungen nur während verschwindend kurzer Zeit auftreten, so daß eine unzulässige Erwärmung und damit eine Zerstörung vermieden wird. Die Steuerung erfolgt dabei in Abhängigkeit von dem Verhältnis auf/zu.In the arrangement described in Fig. 2, the control of the transistors 3 to 6 can take place continuously, in that the amplitude of the AC voltage supplied to the transformer 31 on the primary side in their Height is changed. Such a continuous modulation of the transistors is only possible, however, as long as the resistance characteristic of the consumer matches the power hyperbola of the transistors does not cut, d. That is, as long as the permissible performance of the individual at no point in the tax area Transistors is exceeded. In many cases, however, it is necessary to use the transistors to switch greater power than is permissible with regard to their heating. For this case are Measures have already been proposed, which also enable the control of services, which are above the permissible power of the transistors. These measures are based on the knowledge that the power loss of a semiconductor due to the hyperbolic power characteristic in the uncontrolled and in the fully modulated state is significantly smaller than in the case of intermediate control values, in particular in the middle of the dynamic range. It has therefore been proposed to use this intermediate area as possible to be controlled quickly, so that the semiconductor is mostly in the locked or open state is located and the power losses occurring in the reversing time only for an extremely short period of time Time occur so that impermissible heating and thus destruction is avoided. The control takes place depending on the ratio open / closed.

In dieser Weise können auch die Transistoren 3 bis 6 in Fig. 2 gesteuert werden. Zu diesem Zweck wird beispielsweise dem Transformator 31 primärseitig eine rechteokförmige Spannung oder ein sägezahnförmiger Strom zugeführt, je nach der Art des verwendeten Wandlers. In Fig. 5 ist der dem Wandler eingeprägte, sägezahnförmige Primärstrom där-The transistors 3 to 6 in FIG. 2 can also be controlled in this way. To this end For example, a square-wave voltage or a sawtooth voltage is applied to the transformer 31 on the primary side Power supplied depending on the type of converter used. In Fig. 5, that is the converter impressed, sawtooth-shaped primary current

gestellt. Solange in Fig. 5 der Differentialquotient -77posed. As long as the differential quotient in Fig. 5 is -77

positiv ist, d. h. in dem Bereich AB, entsteht sekundärseitig eine negative Spannung DE von solcher Höhe, daß sämtliche Transistoren 3 bis 6 der Fig. 2is positive, ie in the area AB, a negative voltage DE is generated on the secondary side of such a level that all transistors 3 to 6 of FIG

g geöffnet sind. Sobald der Differentiailquotient — negativ wird (Bereich BC), steigt die Sekundärspannung auf. einen entsprechend hohen positiven Wert FG, so daß die Transistoren gesperrt sind. Wird nun der dem Transformator primärseitig zugeführte Strom so verändert, daß er beispielsweise die in Fig. 5 ge-g are open. As soon as the differential quotient - becomes negative (area BC), the secondary voltage rises. a correspondingly high positive value FG, so that the transistors are blocked. If the current supplied to the transformer on the primary side is now changed so that, for example, the current shown in FIG.

strichelt eingezeichnete Form AB'C erhält, so wird die Einschaltdauer D'E' des Transistors verkürzt, während die Ausschaltdauer F'G' länger wird. Auf diese Weise läßt sich eine Aussteuerung in dem an sich unzulässigen Zwischenbereich ermöglichen, ohne daß die Transistoren überlastet werden. Eine derartige Anordnung hat zugleich den Vorteil, daß die in Fig. 2 sekundärseitig vorgesehenen Gleichrichter nicht erforderlich sind.The form AB'C drawn in dashed lines is obtained, the switch-on duration D'E 'of the transistor is shortened, while the switch-off duration F'G' is longer. In this way, a modulation in the inherently impermissible intermediate range can be made possible without the transistors being overloaded. Such an arrangement also has the advantage that the rectifiers provided on the secondary side in FIG. 2 are not required.

Die Anmeldung beschränkt sich nicht auf die be- ίο schriebenen Ausführungsbeispiele. So können mit ihrer Hilfe statt Transistoren auch andere steuerbare Halbleiter, beispielsweise magnetfeldabhängige Halbleiterwiderstände gesteuert werden.The registration is not limited to the be ίο written embodiments. With their help, other controllable ones can be used instead of transistors Semiconductors, for example magnetic field-dependent semiconductor resistors, are controlled.

1515th

Claims

Patent claims.

1. Device for the joint control of several controllable semiconductors connected in series, in particular transistors, characterized in that those controlling the semiconductors Electrodes are connected to a common control member that the potentials of the controlling electrodes are separated.

2. Device according to claim 1, characterized in that between the controlling electrodes electrical resistors are connected, the ohmic value of which is preferably approximately the same the blocking resistance of the semiconductor.

3. Device according to claim 1 and 2, characterized in that the between the controlling Electrodes connected electrical resistors are connected in series and can be changed are.

4. Device according to claim 1 to 3, characterized by such an arrangement of the changeable Resistors that the taps of these resistors with the controlling electrodes, the Semiconductors are connected.

5. Device according to claim 4, characterized in that the control of the semiconductors by changing all tapping potentials at the same time he follows.

6. Device according to claim 4, characterized in that a parallel to the semiconductors another series of resistors is connected.

7. Device according to claim 4 and 6, characterized in that the control of the semiconductor takes place by changing the potential of the series of resistors.

8. Device according to claim 3 to 7, characterized in that to compensate for different Semiconductor characteristics assigned to each semiconductor correspondingly rated resistances are.

9. Device according to claim 1 and 2, characterized in that the ohmic value of the between the electrodes switched. Resistance is almost infinite and as a common control organ a transformer is used, the primary side of which is connected to a variable voltage and its secondary side is several each with the controlling electrode of a semiconductor has connected, galvanically separated windings.

10. Device according to claim 9, characterized in that for controlling the primary voltage of the transformer two transistors connected in parallel with upstream rectifiers opposite transmission direction are provided.

11. Device according to claim 9 and 10, characterized characterized in that between the controlling electrodes of the transistors and the secondary windings of the transformer rectifiers are connected.

12. Device according to claim 3 to 11, characterized in that the primary voltage of the transformer a pulse voltage is used.

1 sheet of drawings