DE1042075B - Schaltanlage, deren Geraete in Behaeltern untergebracht sind, die unter UEberdruck stehen oder mit elektronegativen Gasen gefuellt sind - Google Patents

Description

• Schaltanlage, deren Geräte in Behältern untergebracht sind, die unter Überdruck stehen oder mit elektronegativen Gasen gefüllt sind Das Hauptpatent 889 784 betrifft eine Schaltanlage, deren Geräte in Behältern untergebracht sind, die unter Überdruck stehen oder mit elektronegativen Gasen gefüllt sind. Jeder Leistungsschalter dieser Schaltanlage ist mit seinem Sammelschienentrennschalter und seiner Sammelschiene in einem gemeinsamen Behälter untergebracht.
• Die vorliegende Erfindung bringt eine Weiterbildung einer derartigen Schaltanlage mit mehrphasigen Leistungsschaltern dadurch, daß die in an sich bekannter Weise mit einer isolierenden Umhüllung versehenen Teile, insbesondere die Phasen des Leistungsschalters auf vorzugsweise niedrigen Stützisolatoren ruhen, die an einer in ebenfalls an sich bekannter Weise der Form des Behälters angepaßten Innenisolation, die zugleich als Tragkonstruktion dient, befestigt sind.
• Zwar ist schon eine Hochspannungsschaltzelle bekannt, bei der jeder Pol des in der Zelle eingebauten Leistungsschalters von einem Isolierzylinder umgeben ist, der die Isolation der spannungsführenden Schalterteile gegen das leitende und geerdete Gehäuse der Schaltzelle übernimmt. Dabei sind die Pole des Leistungsschalters auf Stützisolatoren aufgestellt. Auch ist eine Ausführung bekannt, bei welcher das geerdete Gehäuse der Zelle an seiner Innenseite mit einem isolierenden Belag versehen und die Schalterpole von Trennwänden in Form von isolierenden Bechern umhüllt sind. Zwischen dem Innenbelag des Gehäuses und den Isolierbechern befinden sich Lufträume. Dabei handelt es sich aber nicht um eine Tragkonstruktion wie beim Erfindungsgegenstand, bei dem der Tragkörper zwar die gleiche Form wie das Gußgehäuse, jedoch geringere Abmessungen als dieses aufweist.
• In der Zeichnung ist als ein Ausführungsbeispiel der Erfindung eine dreiphasige Ausführung schematisch dargestellt. In der Fig. 1 ist mit 1 das Gußgehäuse bezeichnet, in dem die Hochspannungsschaltanlage, beispielsweise der Leistungsschalter 2, die Trennschalter 3 und die Sammelschienen 4, untergebracht sind. Im Innern des Gußgehäuses herrscht Überdruck, wie im Hauptpatent angegeben. Das Gehäuse 1 ist durch einen in geeigneter Weise an ihm befestigten Deckel abgeschlossen. Die drei Phasen R, S, T des Leistungsschalters 2 ruhen unter Verwendung von niedrigen Stützisolatoren 5 auf einem der Gehäuseform ähnelnden Tragkörper 6. Der Tragkörper 6 ist zweiteilig mit einer Trennfuge zwischen dem Gehäuse und dem Deckel, seine Befestigung innerhalb dieser Teile erfolgt in irgendeiner üblichen Weise.
• Aus der Draufsicht Fig. 2 ist zu ersehen, daß der Tragkörper 6 die gleiche Form wie das Gußgehäuse 1 aufweist, jedoch geringere Abmessungen als dieses besitzt.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH: Schaltanlage, deren Leistungsschalter, Sammelschienentrennschalter und Sammelschienen in einem unter Überdruck stehenden oder mit elektronegativen Gasen gefüllten gemeinsamen Behälter untergebracht sind., nach Patent 889 78-1, dadurch gekennzeichnet, daß die in an sich bekannter Weise mit einer isolierenden Umhüllung versehenen Teile, insbesondere die Phasen des Leistungsschalters (2) auf vorzugsweise niedrigen Stützisolatoren (5) ruhen, die an einer in ebenfalls an sich bekannter Weise der Form des Behälters angepaßten Innenisolation, die zugleich als Tragkonstruktion dient, befestigt sind. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 738 070; schweizerische Patentschrift Nr. 200 798.