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DE1037014B - Process for the production of a hermetically sealed rectifier suitable for high currents - Google Patents

Process for the production of a hermetically sealed rectifier suitable for high currents

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Publication number
DE1037014B
DE1037014B DEB26660A DEB0026660A DE1037014B DE 1037014 B DE1037014 B DE 1037014B DE B26660 A DEB26660 A DE B26660A DE B0026660 A DEB0026660 A DE B0026660A DE 1037014 B DE1037014 B DE 1037014B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cup
plate
semiconductor
soldered
rectifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEB26660A
Other languages
German (de)
Inventor
Robert Guy Hibberd
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
British Thomson Houston Co Ltd
Original Assignee
British Thomson Houston Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by British Thomson Houston Co Ltd filed Critical British Thomson Houston Co Ltd
Publication of DE1037014B publication Critical patent/DE1037014B/en
Pending legal-status Critical Current

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Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines für Starkstrom geeigneten, hermetisch verschlossenen Gleichrichters mit Kontaktfläche, die durch einen hitzeempfindlichen Halbleiter gebildet wird, wobei ein napfförmiges keramisches Glied als Teil des hermetisch verschlossenen Gehäuses des Gleichrichters verwandt wird, an dem die den Halbleiter und seine Zuleitungen tragenden Metallteile mit einem Lötmittel von niedrigem Schmelzpunkt angelötet sind.The invention relates to a method for producing a hermetically sealed one suitable for high current Rectifier with contact area formed by a heat-sensitive semiconductor with a cup-shaped ceramic member as part of the hermetically sealed housing of the Rectifier is used on which the metal parts carrying the semiconductor and its leads with soldered with a low melting point solder.

Bei der Herstellung von mit Wechselstrom üblicher Frequenz betriebenen Starkstromgleichrichtern unter Verwendung eines hitzeempfindlichen Halbleiters, wie Germanium, als Kontakfläche ergibt sich das Problem des Schutzes des Gleichrichterelements gegenüber atmosphärischen Einflüssen. Während einerseits ein hermetisch verschlossenes Gehäuse für den angegebenen Zweck erforderlich ist, ist es andererseits bei der Herstellung eines solchen Gehäuses wesentlich, einen unzulässigen Anstieg der Temperatur des EIements nach Herstellung der Gleichrichterverbindung an seiner Oberfläche zu vermeiden. Es ist ferner wesentlich, das Gleichrichterelement gegen Überhitzung während des Betriebs zu sichern, indem die durch den durchfließenden Strom erzeugte Wärme vom Element abgeleitet wird. Diese Maßnahme ist erforderlich, da das Gleichrichterelement durch übermäßige Erwärmung ungünstig beeinflußt wird. Das erwähnte Problem liegt nicht im selben Maße bei Gleichrichtern für Hochfrequenz vor, die verwandt werden, wenn die in Frage kommende Energie verhältnismäßig klein ist. Es erscheint deshalb wesentlich, den Gleichrichter und sein Gehäuse derart auszubilden, daß etwaige Lötstellen im Gehäuse genügend weit entfernt vonIn the manufacture of high-voltage rectifiers operated with alternating current of the usual frequency Using a heat-sensitive semiconductor such as germanium as the contact surface poses the problem the protection of the rectifier element against atmospheric influences. While on the one hand a hermetically sealed housing is required for the stated purpose, on the other hand it is at the manufacture of such a housing is essential, an unacceptable rise in the temperature of the element to avoid after making the rectifier connection on its surface. It is also essential secure the rectifier element against overheating during operation by using the The heat generated by the current flowing through the element is diverted from the element. This measure is necessary because the rectifier element is adversely affected by excessive heating. The problem mentioned is not to the same extent present in high frequency rectifiers that are used when the the energy in question is relatively small. It therefore seems essential to have the rectifier and to design its housing in such a way that any soldering points in the housing are sufficiently far away from

Verfahren zur HerstellungMethod of manufacture

eines für Starkstrom geeigneten,one suitable for heavy current,

hermetisch verschlossenen Gleichrichtershermetically sealed rectifier

Anmelder:Applicant:

The British Thomson-Houston Company Limited, LondonThe British Thomson-Houston Company Limited, London

Vertreter: Dr. M. Herzfeld, Patentanwalt,
Düsseldorf, Kreuzstr. 32
Representative: Dr. M. Herzfeld, patent attorney,
Düsseldorf, Kreuzstr. 32

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 8. August 1952
Claimed priority:
Great Britain 8 August 1952

Robert Guy Hibberd,Robert Guy Hibberd,

Rugby, Warwickshire (Großbritannien),Rugby, Warwickshire (Great Britain),

ist als Erfinder genannt wordenhas been named as the inventor

dung einer Überhitzung des Elements während der Herstellung der die keramische Buchse einschließenden Verkleidung nicht auf.overheating of the element during manufacture of the ceramic bushing enclosing Disguise not on.

Es ist ferner bekannt, den Halbleiterkörper mit einem Träger vermittels eines Lots von niedrigem Schmelzpunkt zu verlötendIt is also known, the semiconductor body with a carrier by means of a solder of low Melting point to be soldered

Es sind, ferner Kristalldetektoren zur Spannungsmessung oder Demodulation elektrischer Wellen, ins-There are also crystal detectors for voltage measurement or demodulation of electrical waves, especially

dem Gleichrichterelement vorgesehen werden, um eine 35 besondere im Zentimetergebiet, bekannt, also in einem Erhitzung des letzteren während der Lötarbeit zu ver- Wellengebiet, in dem mit verhältnismäßig hohen F remeiden, wobei ferner bei der- Konstruktion eine Metallfläche nahe dem Element vorgesehen wird, die mit
wärmestrahlenden Ansätzen versehen werden kann.
the rectifier element should be provided in order to avoid a special in the centimeter area, i.e. in a heating of the latter during the soldering work. with
heat radiating approaches can be provided.

Es ist bereits bekannt, einen Halbleiter-Kontakt- 40
gleichrichter mit einer Buchse oder einem napfförmigen Glied aus keramischem- Material zu versehen, das das Gehäuse bildet, wobei eine Öffnung im
Unterbau der Buchse vorgesehen wird, die zur Aufnahme der Zuleitung zu dem Kontaktdraht dient, 45 ringer Kapazität ausgebildet sein, während die Ladeweich letzterer mit der Leitung verlötet wird. Bei kapazität durch einen dem Kristall dicht benachbart einer derartigen Konstruktion wird der Halbleiter- angeordneten Kondensator dargestellt wird, körper auf einem hohlen Metallsockel angeordnet, der Die Metallbeläge desselben bestehen aus Metallin das andere Ende der keramischen Buchse hinein- schichten, die auf die Innen- und Außenflächen der ragt und innerhalb desselben befestigt ist, so daß er 50 gleichzeitig als.Dielektrikum dienenden Wandung des mit der Buchse und einer äußeren Metallverkleidung keramischen Rohres des Detektors aufgebracht sind, derselben einen Kondensator bildet, der in dem mit Ein solcher Kristalldetektor muß, um die vorstehendem Gleichrichter verbundenen Stromkreis liegt. Bei den Bedingungen möglichst weitgehend zu erfüllen, dieser Konstruktion tritt das Problem der Vermei- äußerst geringe Abmessungen besitzen. "
It is already known to use a semiconductor contact 40
rectifier to be provided with a socket or a cup-shaped member made of ceramic material that forms the housing, with an opening in the
Substructure of the socket is provided, which serves to receive the supply line to the contact wire, 45 ringer capacitance can be formed, while the charging switch of the latter is soldered to the line. In the case of capacitance through a construction of this type close to the crystal, the semiconductor-arranged capacitor is represented, body arranged on a hollow metal base, which is made of metal in the other end of the ceramic socket, which is placed on the inner and outer surfaces Outer surfaces that protrudes and is fixed within the same, so that it is applied at the same time as. Dielektrikum serving wall of the ceramic tube with the socket and an outer metal cladding of the detector, the same forms a capacitor that must be in the with such a crystal detector the above rectifier connected circuit. If the conditions are to be met as far as possible, this construction leads to the problem of avoiding extremely small dimensions. "

809 598/434809 598/434

quenzen gearbeitet wird, von deren Spannung die vom Detektor erzeugte Richtspannung proportional abhängig ist.Sequences is worked, the voltage of which is proportional to the directional voltage generated by the detector is dependent.

Bei einem solchen Kristalldetektor kommt es darauf an, die Hochfrequenzspannung möglichst unmittelbar an die Kontaktstelle zwischen Kontaktstift und Kristall heranzubringen. Uni dies zu erreichen, müssen die Leitungen möglichst .kurz und mit möglichst ge-With such a crystal detector, it is important to have the high-frequency voltage as direct as possible bring it to the point of contact between the contact pin and the crystal. Uni to achieve this must have the lines as short as possible and as short as possible

3 43 4

Mit dem vorliegenden Verfahren wird ein ganz gungselements ist. Ein für diesen Zweck geeignetes andersartiger Zweck verfolgt. Es soll nämlich ein Lötmetall kann Antimon enthalten. Die Platte 9 wird Starkstromgleichrichter geschaffen werden, der bei mit dem Rand des Körpers 1 mittels des Haftmittels normalen, für solche Verstärker üblichen Frequenzen 10 verbunden, während die Verbindung zwischen der arbeitet. Die Kapazität an der Kontaktstelle hat für 5 äußeren Oberfläche des Randes des Körpers 1 und dem die Funktion eines solchen Gleichrichters keinerlei Flansch 4 ebenso wie die in der öffnung 2 gelegene Bedeutung, wie auch das Problem, die Hochfrequenz- Verbindung zwischen dem Körper 1 und dem Pflock3 spannung in unmittelbare Nähe der Spitzenberührung durch eine Verlötung 11 gebildet wird. Um die Wirkzu bringen, nicht auftritt. samkeit dieser Verbindungen zu sichern, werden die Die Aufgabe der Schaffung eines solchen für Stark- io Oberflächenteile 12 des napfförmigen Keramikstrom geeigneten, hermetisch verschlossenen Gleich- körpers 1 wie angezeigt metallisiert, richters wird nun erfindungsgemäß dadurch erreicht, Beim Zusammenbau der in der Zeichnung gezeigten daß zwecks Vermeidung schädlicher Erhitzung des Vorrichtung wird vorzugsweise das folgende ZuHalbleiters bei der Zusammenfügung der Metallteile sammenbauverfahren befolgt:The present method is a very positive element. A suitable one for this purpose pursued a different purpose. Namely, it is said that a soldering metal can contain antimony. The plate 9 is Power rectifiers are created, which at the edge of the body 1 by means of the adhesive normal frequencies 10 common for such amplifiers, while the connection between the is working. The capacitance at the contact point has for 5 the outer surface of the edge of the body 1 and the the function of such a rectifier does not have any flange 4 as well as the one located in the opening 2 Significance, as well as the problem, the high frequency connection between the body 1 and the stake 3 voltage is formed in the immediate vicinity of the tip contact by soldering 11. To the effect bring, does not occur. The task of creating such a for Stark- io surface parts 12 of the cup-shaped ceramic stream will be ensured suitable, hermetically sealed body 1 metallized as indicated, Richter is now achieved according to the invention when assembling the shown in the drawing that in order to avoid harmful heating of the device, the following semiconductor is preferably used When assembling the metal parts assembly procedure follows:

und des napfförmigen keramischen Gliedes zunächst 15 Nachdem der napfförmige Keramikkörper 1 an den ein durch ein Bodenloch des napfförmigen Gliedes Oberflächenteilen 12 metallisiert worden ist, wird der eingeführter, mit Flansch versehener Metallstopfen Pflock 3 in die öffnung in der Grundfläche des Koran dem Napf angelötet wird, worauf alsdann die mit pers eingeführt und darin verlötet; ein blindes Loch dem Halbleiter verbundene Zuleitung an einer Ver- 13 in dem Pflock 3 wird hierauf mit Lot von niedritiefung des Stopfens angelötet wird, worauf das Ge- 20 gerem Schmelzpunkt als dem zum Verlöten des häuse geschlossen wird, indem unter Zwischenfügung Pflockes 3 im Körper 1 verwendeten gefüllt. Der Zueiner mit einer in Kontakt mit der Fläche des Halb- sammenbau des Kristalls 6 mit dem daran befestigten leiters stehenden Abschlußscheibe zweckmäßig durch zugehörigen Leiter 7 mittels eines Verunreinigungseinen hitzebeständigen Kunststoffkitt mit dem Rand elements 8 wird vorbereitet, indem der Kristall mit des Napfes verbunden und alsdann ein die Platte und 25 der Platte 9 mittels des vorher erwähnten geeigneten den Napf umfassender Metallnapf an seinem ringsum Lötmetalls verbunden wird. Die Verlötung des Kri-1 auf enden Flansch mit der Außenwand des Napfes stalls mit der Platte 9 erfolgt in geeigneter Weise \'erlötet wird, mit der Maßgabe, daß für die drei auf- durch dieselbe Operation wie die Hineindiffusion des ei nan derf olgenden Verlötungen des Stopfens mit dem Verunreinigungselements in den Kristall zwecks Her-Napf, der Zuleitung mit dem Stopfen und des Napfes 30 stellung der Gleichrichterverbindung unter Verwenmit der Außenwand des Napfes Lötmetall mit fort- dung eines Lötmetalls von niedrigerem Schmelzpunkt schreitend niedrigerem Schmelzpunkt verwandt wird, als das zur Diffusion erforderliche. so daß durch jede folgende Verlötung die vorher- Der keramische Körperl mit dem daran befestigten gehende nicht beeinflußt wird. Pflock 3 wird dann mit dem Kristalleitersatz zu-and the cup-shaped ceramic member first 15 After the cup-shaped ceramic body 1 to the a surface part 12 has been metallized through a bottom hole of the cup-shaped member, becomes the introduced, flanged metal plug peg 3 into the opening in the base of the Koran is soldered to the bowl, whereupon the with pers is inserted and soldered into it; a blind hole The lead connected to the semiconductor at a connection 13 in the peg 3 is then deepened with solder of the stopper is soldered, whereupon the Ge 20 lower melting point than that for soldering the housing is closed by filling with the interposition of peg 3 used in the body 1. The zueiner with one in contact with the face of the semi-assembly of the crystal 6 with the one attached to it conductor standing cover plate expediently through associated conductor 7 by means of a Verfassungseine Heat-resistant plastic putty with the edge elements 8 is prepared by using the crystal of the cup and then connected to the plate and 25 of the plate 9 by means of the aforementioned suitable The metal cup encompassing the cup is connected to its all around solder. The soldering of the Kri-1 on ends flange with the outer wall of the bowl stalls with the plate 9 takes place in a suitable manner \ 'is soldered, with the proviso that for the three on- through the same operation as the inward diffusion of the the following soldering of the plug with the impurity element in the crystal for the purpose of being well, the supply line with the stopper and the cup 30 position the rectifier connection using the outer wall of the cup solder with the continuation of a solder with a lower melting point progressively lower melting point is used than that required for diffusion. so that with each subsequent soldering the previous The ceramic body with the attached to it going is not affected. Post 3 is then attached with the crystal ladder set.

Zusätzlich kann zweckmäßig unterhalb des Napfes 35 sammengebaut.In addition, 35 can expediently be assembled below the cup.

eine die Wärmestrahlung des Gleichrichters aufneh- Hierzu wird der keramische Körper auf eine gemende und ableitende Platte, gegebenenfalls unter nügend hohe Temperatur gebracht, um das Lot in dem Zwischenschaltung einer wärmeleitenden Metallplatte, Loch 13 zu erweichen, so daß das Eindringen in das z. B. einer Bleiplatte, vorgesehen werden, wobei die Loch des Leiters 7 ermöglicht wird. Der Leiter 7 wird Platten durch eine auf einem Gewindeamsatz des 40 auf diese Art beim nachfolgenden Abkühlen des ZuNapfes aufgeschraubte Mutter mit dem Napf zu- sammenbaues in dem Loch befestigt, sammengehalten werden. Ein geeignetes Haftmittel wird zwischen den Rand Zum leichteren Verständnis des Verfahrens gemäß des Körpers 1 und den Umfang der Platte 9 eingeder Erfindung wird eine Ausführungskonstruktion führt. Man läßt dieses erweichen und sichert so die gemäß desselben im Querschnitt in der Zeichnung ge- 45 Verbindung zwischen dem Kristallsatz und dem Körzeigt, per 1, in dem der napfförmige Körper erhitzt wird. In der Zeichnung bedeutet das Bezugszeichen 1 Die letzte Stufe der Herstellung besteht darin, den den napfförmigen Körper aus keramischem Material. Kristallsatz, den napfförmigen Körper und das Er besitzt eine öffnung 2 in seiner Grundfläche, in Flanschteil 5 zusammenzubauen und die überlappenwelcher der Metallpflock 3 angeordnet wird, dessen 50 den Oberflächen des Randes des Körpers und des äußere Oberfläche vorzugsweise wie angedeutet mit Flansches 4 zu verlöten. Durch die Verwendung eines Schraubengewinde versehen ist. Lötmetalls 11 mit niedrigerem Schmelzpunkt als die Der Rand des napfförmigen Körpers 1 überlappt zur Bildung der vorhergehenden Verbindungen beden aufwärts gerichteten Flansch 4 eines Metall- nutzten Lötmetalle wird sichergestellt, daß die vorher körpers 5, welcher den Kristall 6 trägt und mit dem- 55 erzielten Verbindungen nicht beschädigt werden und selben verbunden ist. Der mitwirkende Leiter 7 ist mit daß der Kristall nur so hoch erhitzt wird, daß die dem Pflock 3 verbunden und stellt den Kontakt mit Gleichrichterwirkung der Berührungsstelle zwischen dem Kristall her. Germanium und Indium nicht schädlich beeinflußt Der Kristall 6 besteht vorzugsweise aus Germa- wird. Die durch das Haftmittel erzielte Abdichtung nium. 60 verhindert völlig, daß flüssiges Metall aus der Löt-Eine Gleichrichterverbindung vom Typ P-N wird verbindung in das Innere des vom Körperl gebildeten im Körper des Kristalls gebildet, indem man in den Gehäuses eindringen und den Kristall angreifen kann. Kristall ein Verunreinigungselement, wie z. B. In- Um den Gleichrichter an einen äußeren Stromkreis dium, hineindiffundieren läßt, welches auch, wie bei 8 anschließen zu können, ist der Teil 5 mit einem Zapfen angedeutet, als Lötmetall zum Verbinden des mit- 65 14 versehen, welcher vorzugsweise außen mit Gewirkenden Leiters 7 mit dem Kristall dient. Der Kri- winde, ähnlich dem Pflock 3, versehen ist. Um die stall ist auf eine Stützplatte9 aufmontiert, mit welcher die Ableitung der Wärme von dem Gleichrichter wäher mittels eines Lötmetalls verbunden wird, dessen rend des Betriebs zu erhöhen, kann eine Strahlungs-Schmelzpunkt niedriger als der des zur Bildung der platte 15 auf der rückwärtigen Fläche des Teiles 5 Gleichrichterverbindung verwendeten Verunreini- 7° mittels einer Mutter 16 auf dem Zapfen aufgeschraubta absorb the thermal radiation of the rectifier. For this purpose, the ceramic body is placed on a mixed and dissipative plate, possibly under a sufficiently high temperature to soften the solder in the interposition of a thermally conductive metal plate, hole 13, so that the penetration into the z. B. a lead plate can be provided, wherein the hole of the conductor 7 is made possible. The conductor 7 is fastened to the plates by a nut screwed onto a thread extension of the 40 in this way during the subsequent cooling of the cup with the cup assembly in the hole. A suitable adhesive is applied between the edge. To facilitate understanding of the method according to the body 1 and the periphery of the plate 9 in the invention, an execution construction is carried out. This is allowed to soften and thus the connection between the crystal set and the body shown in cross section in the drawing is secured, per 1, in which the cup-shaped body is heated. In the drawing, the reference numeral 1 denotes. The last stage of manufacture consists in making the cup-shaped body made of ceramic material. Crystal set, the cup-shaped body and the He has an opening 2 in its base, to be assembled in flange part 5 and which overlap which the metal peg 3 is placed, whose 50 surfaces of the edge of the body and the outer surface are preferably to be soldered to flange 4 as indicated. By using a screw thread is provided. Solder 11 with a lower melting point than the edge of the cup-shaped body 1 overlaps to form the previous connections due to the upwardly directed flange 4 of a metal-used solder ensures that the previous body 5, which carries the crystal 6 and with the 55 achieved connections are not damaged and are connected to the same. The co-operating conductor 7 is with that the crystal is only heated so high that the stake 3 is connected and establishes the contact with rectifying effect of the contact point between the crystal. Germanium and indium not adversely affected. The crystal 6 preferably consists of Germanium. The sealing achieved by the adhesive nium. 60 completely prevents liquid metal from being formed from the solder A rectifier connection of the PN type connection into the interior of that formed by the body in the body of the crystal by penetrating into the housing and attacking the crystal. Crystal is an impurity element such as B. In order to allow the rectifier to diffuse into an external circuit, which can also be connected as at 8, the part 5 is indicated with a pin, provided as solder to connect the 6 5 14, which is preferably outside with knitted conductor 7 is used with the crystal. The windlass, similar to peg 3, is provided. Around the stall is mounted on a support plate 9, with which the dissipation of heat from the rectifier is connected by means of a solder, whose end of operation can increase a radiation melting point lower than that of the formation of the plate 15 on the rear surface of the part 5 rectifier connection used impurities 7 ° screwed onto the pin by means of a nut 16

Claims (2)

werden. Eine Bleischeibe 17 kann zwischen die Strahlungsplatte 15 und die ihr zugekehrte Oberfläche des Teiles 5 zwecks besserer Wärmeleitung eingelegt werden. Zwischen der Mutter 16 und der Strahlungsplatte wird vorzugsweise eine Unterlagscheibe 18 verwendet. P A T Ii N T A N S P R C C H B:will. A lead disk 17 can be inserted between the radiation plate 15 and the surface of the part 5 facing it for the purpose of better heat conduction. A washer 18 is preferably used between the nut 16 and the radiant panel. P A T Ii N T A N S P R C C H B: 1. Verfahren zur Herstellung eines für Starkstrom geeigneten, hermetisch verschlossenen Gleichrichters mit Kontaktfläche, die durch einen hitzeempfindlichen Halbleiter gebildet wird, wobei ein napfförmiges keramisches Glied als Teil des hermetisch verschlossenen Gehäuses des Gleichrichters verwandt wird, an dem die den Halbleiter und seine Zuleitung tragenden Metallteile mit einem Lötmittel von niedrigem Schmelzpunkt angelötet sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwecks Vermeidung schädlicher Erhitzung des Halbleiters bei der Zusammenfügung der Metallteile und des keramischen Gliedes zunächst ein durch ein Bodenloch des napfförmigen Gliedes (1) eingeführter, mit Flansch versehener Metallstopfen (3) an dem Napf (1) angelötet wird, worauf alsdann die mit dem Halbleiter verbundene Zuleitung an einer Vertiefung des Stopfens (3) angelötet wird, worauf das Gehäuse geschlossen wird, indem unter Zwischenfügung einer mit einer in Kontakt mit der Fläche des Halbleiters (6) stehende Abschlußscheibe (9) zweckmäßig durch einen hitzebeständigen Kunststoffkitt mit dem Rand des Napfes (1) verbunden und alsdann ein die Platte (9) und den Napf (1) umfassender Metallnapf an seinem ringsum laufenden Flansch (4) mit der Außenwand des Napfes (1) verlötet wird, mit der Maßgabe, daß für die drei aufeinanderfolgenden Verlotungen des Stopfens (3) mit dem Napf (1), der Zuleitung (7) mit dem Stopfen (3) und des Napfes (4) mit der Außenwand des Napfes (1) Lötmetall mit fortschreitend niedrigerem Schmelzpunkt verwandt wird, so daß durch jede folgende Lötung die vorhergehende nicht beeinflußt wird.1. Process for the production of a hermetically sealed one suitable for heavy current Rectifier with contact area formed by a heat-sensitive semiconductor, wherein a cup-shaped ceramic member as part of the hermetically sealed housing of the rectifier is used on which the metal parts carrying the semiconductor and its supply line with a solder of low melting point are soldered, characterized in that for the purpose Avoidance of harmful heating of the semiconductor when assembling the metal parts and the ceramic member first a through a bottom hole of the cup-shaped member (1) introduced, Flanged metal plug (3) is soldered to the cup (1), whereupon then the lead connected to the semiconductor is soldered to a recess in the plug (3), whereupon the housing is closed by interposing one with one in contact with the surface of the semiconductor (6) standing cover plate (9) expediently by a heat-resistant Plastic putty connected to the edge of the cup (1) and then a plate (9) and the Cup (1) comprising metal cup on its circumferential flange (4) with the outer wall of the cup (1) is soldered, with the proviso that for the three successive solderings the stopper (3) with the cup (1), the supply line (7) with the stopper (3) and the cup (4) with the outer wall of the cup (1) related to solder with progressively lower melting point so that each subsequent soldering does not affect the previous one. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich unterhalb des Napfes (4) eine die Wärmestrahlung des Gleichrichters aufnehmende und ableitende Platte (15), gegebenenfalls unter Zwischenschaltung einer wärmeleitenden Metallplatte, z.B. Bleiplatte (17), vorgesehen ist, wobei die Platten (15) und (17) durch eine auf einen Gewindeansatz (14) des Napfes (4) aufgeschraubte Mutter (16) mit dem Napf zusammengehalten werden.2. The method according to claim 1, characterized in that additionally below the cup (4) a plate (15) which absorbs and dissipates the thermal radiation from the rectifier, if necessary with the interposition of a thermally conductive metal plate, e.g. lead plate (17) is, the plates (15) and (17) being screwed onto a threaded shoulder (14) of the cup (4) Nut (16) are held together with the bowl. In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 863 372, 872 602;
USA.-Patentschrift Nr. 2 595 475;
belgische Patentschrift Nr. 502 229.
Considered publications:
German Patent Nos. 863 372, 872 602;
U.S. Patent No. 2,595,475;
Belgian patent specification No. 502 229.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings © 809 594/434 8.58© 809 594/434 8.58
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1148660B (en) * 1960-01-06 1963-05-16 Pacific Semiconductors Inc Method for assembling a semiconductor crystal array

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1094755A (en) * 1955-01-20 1955-05-24
US3299331A (en) * 1955-05-10 1967-01-17 Texas Instruments Inc Transistor structure with heatconductive housing for cooling
NL207356A (en) * 1955-05-23
NL209559A (en) * 1955-08-09
US2922092A (en) * 1957-05-09 1960-01-19 Westinghouse Electric Corp Base contact members for semiconductor devices
CH393547A (en) * 1962-05-03 1965-06-15 Bbc Brown Boveri & Cie Housing for a semiconductor rectifier
JPS5946434B2 (en) * 1978-01-10 1984-11-12 キヤノン株式会社 semiconductor laser equipment
EP3845508A4 (en) * 2018-08-30 2022-05-04 Kyocera Corporation Ceramic structure

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE502229A (en) * 1950-03-31
US2595475A (en) * 1949-12-23 1952-05-06 Rca Corp Electrode support for semiconductor devices
DE863372C (en) * 1944-09-30 1953-01-15 Siemens Ag Crystal detector for voltage measurement or demodulation of electrical waves
DE872602C (en) * 1951-03-20 1953-04-02 Siemens Ag Method of fastening semiconductors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE863372C (en) * 1944-09-30 1953-01-15 Siemens Ag Crystal detector for voltage measurement or demodulation of electrical waves
US2595475A (en) * 1949-12-23 1952-05-06 Rca Corp Electrode support for semiconductor devices
BE502229A (en) * 1950-03-31
DE872602C (en) * 1951-03-20 1953-04-02 Siemens Ag Method of fastening semiconductors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1148660B (en) * 1960-01-06 1963-05-16 Pacific Semiconductors Inc Method for assembling a semiconductor crystal array

Also Published As

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IT504354A (en)
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