DE1033275B - Pendelrueckkopplungs-Empfangsschaltung mit einer rueckgekoppelten Empfangsstufe und einem besonderen Pendelfrequenzoszillator - Google Patents
Pendelrueckkopplungs-Empfangsschaltung mit einer rueckgekoppelten Empfangsstufe und einem besonderen PendelfrequenzoszillatorInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D11/00—Super-regenerative demodulator circuits
- H03D11/02—Super-regenerative demodulator circuits for amplitude-modulated oscillations
- H03D11/04—Super-regenerative demodulator circuits for amplitude-modulated oscillations by means of semiconductor devices having more than two electrodes
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft Pendelrückkopplungs- oder Superregenerativempfangsschaltungen und bezieht
sich auf Schaltungen, in denen Halbleiter an Stelle von Röhren benutzt werden.
Pendelrückkopplungsschaltungen sind in Hochfrequenzempfängern weit verbreitet, wiel sie eine
große Hochfrequenzverstärkung bei Frequenzen erlauben, die sich mit üblichen Mitteln nur schwer verstärken
lassen. Diese Schaltungen sind besonders einfach und machen in vielen Fällen Hochfrequenz- und
Zwischenfrequenzverstärkerstufen entbehrlich. Die einfachen Schaltungen ergeben einen leichten, kleinen
und wirkungsvollen Empfänger.
Der Pendelrückkopplungsdetektor wird von einem Pendelfrequenzoszillator abwechselnd in einen
schwingenden und nicht schwingenden Zustand im Takt einer Pendelfrequenz versetzt, die höher als die
zu empfangenden Modulationsfrequenzen ist. Im Pendelfrequenzoszillator wird eine Doppelbasisdiode
und in der Hochfrequenzempfangsstufe (Detektor) ein Flächentransistor benutzt. Ziel der Erfindung ist es,
eine besonders zweckmäßige Schaltung zur Verbindung des Pendelfrequenzoszillators mit der Hochfrequenzempfangsstufe
zu schaffen. Es wird damit angestrebt, die Pendelfrequenzschwingungen der Hochfrequenzempfangsstufe
aufzudrücken und dabei die Zeitdauer wirkungsvoll zu steuern, während der die Hochfrequenzempfangsstufe in den Zustand einer
Überrückkopplung gerät.
Gemäß der Erfindung werden in der Empfangsstufe ein Transistor und im Pendelfrequenzoszillator
eine Doppelbasisdiode verwendet, und es ist eine im Kreis des Pendelfrequenzoszillators vorhandene Induktivität
in den Basiskreis des Transistors als Koppelglied eingeschaltet.
Die Erfindung wird im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher beschrieben.
Fig. 1 ist ein Schaltplan gemäß der Erfindung, und
Fig. 2 stellt die Arbeitscharakteristik der Schaltung nach Fig. 1 dar.
Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Pendelrückkopplungsdetektors,
der einen Transistor in der rückgekoppelten Empfangsstufe benutzt.
Die Hochfrequenzempfangsstufe der Schaltung nach Fig. 1 enthält einen auf die Empfangsfrequenz
abgestimmten Resonanzkreis 35 und einen P-N-P-Transistor 11, der über den Resonanzkreis 35 rückgekoppelt
ist. Der Kollektor 20 des Transistors 11 ist mit dem einen Ende des Resonanzkreises 35 verbunden.
Eine in der Mitte der Schwingungskreisinduktivität 24 liegende Anzapfung des Resonanzkreises 35 ist mit
dem Emitter 18 des Transistors 11 über einen Koppelkondensator 23 verbunden und bildet den Rückkopplungsweg.
Der positive Pol einer Spannungsquelle 30
Pendelrückkopplungs-Empfangsschaltung mit einer rückgekoppelten Empfangsstufe
und einem besonderen
Pendelfrequenzoszillator
Anmelder:
General Electric Company,
Schenectady, N. J. (V. St. A.)
Schenectady, N. J. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. W. Reichel, Patentanwalt,
Frankfurt/M.-Eschersheim, Lichtenbergstr. 7
Frankfurt/M.-Eschersheim, Lichtenbergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 31. Januar 1955
V. St. v. Amerika vom 31. Januar 1955
Jerome Joseph Suran und Woo Foung Chow,
Syracuse, N. Y. (V. St. Α.),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
ist über eine Induktivität 21 mit dem Emitter 18 des Transistors 11 verbunden. Die niederfrequenten Ausgangsschwingungen
werden am Ausgangstransformator 28 abgenommen. Ein veränderlicher Widerstand 26 kann parallel zu dem Resonanzkreis 35 gelegt
sein. Durch die Hinzufügung des veränderbaren Widerstandes 26 wird der Resonanzkreis 35 belastet,
so daß der kritische Wert der Abstimmung der Hochfrequenzempfangsstufe
durch Steuerung des Gütefaktors Q des Resonanzkreises wirksam verringert wird. Die Kapazität 29, die zwischen dem Fußpunkt
des Resonanzkreises 35 und der Basis 19 des Transistors 11 liegt, wird dazu benutzt, um für die Hochfrequenz
einen Nebenschluß zu bilden. Der Kondensator 27, der die Primärwicklung des Transformators
28 überbrückt, bildet einen Nebenschluß für die Pendelfrequenzschwingungen. Ein veränderbarer
Widerstand 22 ist zwischen der Basis 19 und der Spannungsquelle 30 eingeschaltet, um die Amplitude
der dem Transistor zugeführten Pendelfrequenzschwingungen zu steuern.
Der Pendelfrequenzoszillator der Schaltung nach Fig. 1 enthält eine N-P-Doppelbasisdiode 10, die als
Kippschwingungserzeuger geschaltet ist. Die einzige Bedingung, die hierbei erfüllt werden muß, ist, daß
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die Doppelbasisdiode 10 in der Schaltung als Oszillator arbeitet. Die positiven und negativen Klemmen der
Spannungsquelle 30 sind mit den Außenanschlüssen 16 und 17 der Doppelbasisdiode 10 verbunden. Ein
veränderlicher Widerstand 12 ist zwischen dem Außenanschluß
16 und dem Mittelanschluß 15 der Doppelbasisdiode 10 eingeschaltet und wird dazu benutzt, die
Pendelfrequenz zu steuern. Der Übergang 15 der Doppelbasisdiode 10 ist auch über einen Kondensator
13, der in Reihe mit einer Induktivität 14 liegt, an
den Außenanschluß 17 angeschlossen. Bei dieser Schaltung wird der Kondensator 13 über den Übergang
15 und den Widerstand 12 aufgeladen. Die Spannung an dem Kondensator 13 wächst, bis das
N-Gebiet des Übergangs 15 negativ gegenüber dem P-Gebiet wird. In diesem Zeitpunkt entlädt sich der
Kondensator 13 über den Übergang 15 und die Induktivität 14. Die Induktivität 14 formt den Verlauf der
Schwingung der Doppelbasisdiode so um, daß sie angenähert eine Sinusschwingung wird. Da die Doppelbasisdiode
eine negative Widerstandscharakteristik aufweist und ein Arbeitspunkt in diesem negativen
Widerstandsbereich gewählt wird, setzt die Schaltung ihre Schwingung fort, so daß sie als Kippschwinger
arbeitet. Die Ausgangsspannung dieses Oszillators wird an der Induktivität 14 abgegriffen, um eine
direkte Belastung des Pendelfrequenzoszillators zu vermeiden.
Der Pendelrückkopplungsdetektor der Fig. 1 arbeitet, indem die Hochfrequenzempfangsstufe abwechselnd in
und aus dem selbsterregten Zustand gebracht wird. Dies wird dadurch erreicht, daß die Pendelfrequenzschwingungen,
die an der Induktivität 14 auftreten, direkt in den Kreis der Basis 19 des Transistors 11
eingeführt werden. Parallel zu der Induktivität 14 liegt der veränderbare Widerstand 22. Auch ohne den
veränderbaren Widerstand 22 würde ein Betrieb möglich sein, weil ein Gleichstromweg niedriger Impedanz
von der Spannungsquelle 30 über die Induktivität 14 zur Basis 19 des N-P-Transistors 11 führt. Der
Widerstand 22 schafft jedoch ein Mittel zur Steuerung der Amplitude der Pendelfrequenzschwingungen.
Wenn die Pendelspannung nach Fig. 2 b in der Zeit T1 negativ wird, dann ist die Basis 19 des
P-N-Transistors 11 so· vorgespannt, das der Transistor aktiv ist. In diesem Zustand bewirkt
eine Rauschspannung den Schwingungseinsatz. Die Schwingung wird immer stärker, bis die Pendelspannung
während der Zeit T2 positiv und der Transistor 11 gesperrt wird. Wenn die Schwingung in der
Zeit T1 einen Wert erreicht, bei dem der Transistor
nicht mehr linear arbeitet, dann hat der Kollektorstrom eine logarithmische Abhängigkeit von dem
Empfangssigna!. Diese Art des Betriebes ist in der oberen Kurve α der Fig. 2 dargestellt. Wenn jedoch
die Erregungszeit T1 nicht lang genug ist, um eine
Sättigung der Schwingung des Transistors 11 herbeizuführen, hat der Kollektorstrom eine lineare Beziehung
zu dem Signal. Diese Art des Betriebes ist in der unteren Kurve c der Fig. 2 dargestellt. Durch
Einfügung des veränderbaren Widerstandes 22 in die Basisleitung 19 und Zuführung der Pendelspannung
über den veränderbaren Widerstand 22 kann die Betriebsweise des Detektors gesteuert werden.
Die Hochfrequenz-Empfangssignale können dem Resonanzkreis 35 durch induktive Kopplung mit der
Induktivität 24 zugeführt werden, oder die Induktivität 24 kann direkt als Aufnahmespule benutzt
werden. Wenn die Pendelfrequenzschwingungen der Basis 19 des Transistors 11 zugeführt werden, beginnt
die Anregungsperiode der Schaltung. Das hochfrequente Signal erhöht den Emitterstrom des Transistors
11, der ebenfalls den Kollektorstrom erhöht. Die Amplitude der Schwingungen hängt von der Einhüllenden
der Hochfrequenzspannung ab, die von dem Pendelfrequenzoszillator erzeugt wird. Die Änderung
des Emitterstromes erscheint auch als Änderung des Kollektorstromes, und zwar entweder in logarithmischer oder in linearer Abhängigkeit, je nach der
benutzten Arbeitsweise. Fig. 2 zeigt die Wirkung eines Empfangssignals (schraffiert) auf die Amplitude
der Schwingung der Hochfrequenzempfangsstufe. Die Änderung des Kollektorstromes liefert ein Ausgangssignal,
das den Empfangssignalen entspricht. Der Transformator 28 wird dazu benutzt, das Niederfrequenzausgangssignal
abzugreifen und kann mit einem Niederfrequenzverstärker und einem nicht dargestellten
Lautsprecher gekoppelt sein, um den Empfänger zu vervollständigen. Bei manchen Anwendungszwecken kann der Transformator 28 durch einen
(nicht dargestellten) Kopfhörer ersetzt werden, so daß die angegebene Schaltung den vollständigen Empfänger
wiedergibt.
Unabhängig davon, ob die Betriebsweise linear oder logarithmisch ist, muß die Abklingzeit T2 nach Fig. 2
genügend lang sein, um sicherzustellen, daß die Amplitude der Schwingungen auf einen Wert abnimmt,
der kleiner als die Stör- bzw. Signalspannung ist. Wenn dies nicht der Fall ist, dann gibt die Einhüllende
der Schwingungen nicht die Form des Empfangssignals wieder. Es sei ferner bemerkt, daß die
beschriebene Schaltung auch in Abwesenheit eines Empfangssignals schwingt. Dies geschieht infolge der
in der Schaltung auftretenden Rauschspannungen. Wenn die Signalspannung größer als die anregende
Rauschspannung ist, dann werden die Schwingungen entsprechend der Amplitude der Empfangsspannung
und nicht in Übereinstimmung mit der Amplitude der kleineren Rauschspannung zunehmen.
Um eine Spannungsquelle verwenden zu können, wird eine N-P-Doppelbasisdiode in Verbindung mit
einem P-N-P-Flächentransistor benutzt. Es ist klar,:,
daß auch eine P-N-Doppelbasisdiode in Verbindung mit einem N-P-N-Flächentransistor in der gleichen
Schaltung verwendet werden kann, vorausgesetzt, daß die Polaritäten der Spannungsquelle umgekehrt
werden.
Wie Versuchsergebnisse zeigen, ergibt die beschriebene Schaltung einen hohen Verstärkungsgrad in der
Größenordnung von 50 bis 60 Dezibel bei einer Frequenz, bei der ein gewöhnlicher Verstärker nur eine
Verstärkung von 20 bis 30 Dezibel liefert. Bei einer Versuchsausführung gemäß der Erfindung wurde eine
Gesamtverstärkung von 53 Dezibel bei Verwendung der folgenden Werte erhalten:
a) Spannungsquelle 3 Volt;
b) Pendelsignal: 100 Millivolt, 15 kHz Sinusschwingung
an einer Impedanz von etwa 300 Ohm;
c) Schwingungskreisimpedanz: 80000 0hm;
d) HF-Signal: 10 Mikrovolt, 1,2-MHZ-Signal moduliert
mit 1000 Hz bei 60% Modulation;
e) Ausgangs widerstand: 11000 Ohm;
f) Ausgangssignal: 1000Hz, 2 Millivolt.
Claims (3)
1. Pendelrückkopplungs-Empfangsschaltung mit einer rückgekoppelten Empfangsstufe und einem
besonderen Pendelfrequenzoszillator, die über Induktivitäten bzw. Widerstände miteinander gekoppelt
sind, dadurch gekennzeichnet, daß in der
Empfangsstufe ein Transistor und im Pendelfrequenzoszillator eine Doppelbasisdiode verwendet
werden und daß eine im Kreis des Pendelfrequenzoszillators vorhandene Induktivität (14)
in den Basiskreis des Transistors als Koppelglied eingeschaltet ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Kopplungsinduktivität
(14) ein ohmscher Widerstand (22) geschaltet ist, welcher zwecks Einstellung der Amplitude der
Pendelfrequenzschwingungen veränderbar ist.
3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für den Transistor und die Doppelbasisdiode
ein und dieselbe Betriebsspannungsquelle (30) verwendet wird und daß dabei in die
Zuleitung zum Emitter (18) des Transistors (11) eine Induktivität (21) eingeschaltet ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 807 822;
Radiotechnik, 1954, Heft 12, S. 431 bis 434.
Deutsche Patentschrift Nr. 807 822;
Radiotechnik, 1954, Heft 12, S. 431 bis 434.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US484942A US2792494A (en) | 1955-01-31 | 1955-01-31 | Semiconductor superregenerative detector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1033275B true DE1033275B (de) | 1958-07-03 |
Family
ID=23926272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG18881A Pending DE1033275B (de) | 1955-01-31 | 1956-01-30 | Pendelrueckkopplungs-Empfangsschaltung mit einer rueckgekoppelten Empfangsstufe und einem besonderen Pendelfrequenzoszillator |
Country Status (5)
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DE (1) | DE1033275B (de) |
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US2992327A (en) * | 1958-05-15 | 1961-07-11 | Gen Dynamics Corp | Squelch circuit for transistor superregenerative receivers |
JPS61196625A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Sony Corp | オ−トダイン受信機 |
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0
- NL NL204063D patent/NL204063A/xx unknown
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1955
- 1955-01-31 US US484942A patent/US2792494A/en not_active Expired - Lifetime
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1956
- 1956-01-16 GB GB1435/56A patent/GB820492A/en not_active Expired
- 1956-01-20 GB GB2021/56A patent/GB820008A/en not_active Expired
- 1956-01-30 DE DEG18881A patent/DE1033275B/de active Pending
- 1956-01-31 FR FR1146730D patent/FR1146730A/fr not_active Expired
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Also Published As
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---|---|
NL204063A (de) | |
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GB820008A (en) | 1959-09-16 |
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FR1146730A (fr) | 1957-11-14 |
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