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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Belichten eines
mit einer photoempfindlichen Schicht bedeckten Substrates in einem
Projektionsapparat mit einem Strukturmuster. Die Erfindung betrifft
insbesondere eine Belichtung von Halbleiterwafern.
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Das
Ziel einer Erhöhung
der Integrationsdichte von elektronischen Bauelementen wurde in den
vergangen zwei Jahrzehnten insbesondere durch verbesserte Verfahren
und Geräte
im Bereich der Photolithographie mittels einer stetigen Reduzierung
der von Masken auf Substrate minimal übertragbaren Strukturbreite
erreicht. Zum einen wurde dabei die jeweils für eine Belichtung verwendete
Wellenlänge
stufenweise reduziert, welche aktuell beispielsweise 193 nm beträgt(ArF-Excimer Laser).
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Zum
anderen wurde die Verringerung der Strukturbreiten durch eine Vergrößerung der
Numerischen Apertur der Projektionsobjektive sowie durch Anwendung
sogenannter lithographischer Enhancement-Techniken in den Bereichen
Beleuchtungssystem (z.B. Schräglichtbeleuchtung),
Maskentechnik (z.B. Phasenmasken, OPC) sowie durch verbesserte Resisttechniken
bewerkstelligt. Die genannten Verbesserungen beziehen sich auf optische
Abbildungsverfahren.
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Nicht-optische
Abbildungsverfahren werden in näherer
Zukunft noch nicht die für
den Fertigungseinsatz erforderliche technische Reife aufweisen. Aus
diesem Grund besteht das Bestreben darin, durch eine weitere Vergrößerung der
Numerischen Apertur die Grenzen optischer oder im Wellenlängenbereich
daran angrenzender Abbildungssysteme, z.B. im extrem ultravioletten
(EW) Wellenlängenbereich,
weiter auszudehnen.
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Einer
Vergrößerung der
Numerischen Apertur steht allerdings der Polarisationscharakter
des für die
Projektion eines Strukturmusters von einer Maske auf das Substrat
verwendeten Lichtes entgegen. Gegenwärtig eingesetzte Projektionssysteme
verwenden unpolarisiertes oder zirkular polarisiertes Licht für die Abbildung.
Die jeweiligen Lichtanteile sind auf alle Polarisationsrichtungen
mit einer gleichen Wahrscheinlichkeit verteilt. 1 zeigt
das normierte, in einem photoempfindlichen Resist auf dem Substrat
entstehende Intensitätsverlauf
eines von einer Maske projizierten Linienmusters. Der durch die Abbildung
erreichbare Kontrast ist durch den Unterschied zwischen einem Minimal-
und Maximalwert geteilt durch die Summe aus Minimal- und Maximalwert
des Profils gegeben. Die Belichtung wurde mit einem Linien-Spalten-Muster
von jeweils 70 nm Breite bei 193 nm Wellenlänge und einer Numerischen Apertur
von 0.85 mit Dipolbeleuchtung durchgeführt.
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Für den Fall
unpolarisierten Lichtes (1a) ergibt
sich ein Strukturkontrast von 62 %. 1b zeigt
den Fall der Abbildung des Strukturelementes mittels linear polarisierten
Lichtes, wobei die Polarisationsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors parallel
zur Ausrichtung des Strukturelementes orientiert ist (im Folgenden „TE-polarisiertes" Licht genannt).
Hier wird ein wesentlich besserer Strukturkontrast von 85 % erreicht.
Senkrecht zu den Linien linear polarisiertes Licht (im Folgenden „TM-polarisiertes" Licht genannt) erreicht
hingegen nur einen Strukturkontrast von 57 % (1c).
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In 7 sind
die Geometrien für
TE- und TM-polarisiertes Licht veranschaulicht. Die y-Richtung ist
durch die Ausrichtung der auf einem transparenten Trägermaterial 101 einer
Maske angeordneten opaken Linien 105 bzw. Spalten definiert.
Der elektrische Feldvektor des TE-polarisierten Lichtes ist in genau
dieser y-Richtung orientiert, bevor das Licht auf die Maske trifft.
Der elektrische Feldvektor des TM- polarisierten Lichtes ist hingegen in
der dazu senkrechten y-Richtung
innerhalb der Maskenebene orientiert.
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Wie
in 2 gezeigt ist, erhöht sich mit steigendem Einfallswinkel
stetig die Reflektivität
des unpolarisierten Lichtes, vielmehr aber noch diejenige des TE-polarisierten
Lichtes, welches den höheren Strukturkontrast
liefert. Die Reflektivität
des TM-polarisierten Lichtes, welches den niedrigen Strukturkontrast
liefert, verringert sich dagegen bis zu Einfallswinkeln von circa
70 Grad. Infolge dessen nimmt der Lichtanteil mit geringer erzielbarem
Strukturkontrast gegenüber
demjenigen mit höherem
Strukturkontrast zu.
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3 zeigt
das Kontrastverhältnis
des Luftbildes des TM-polarisierten
zu dem TE-polarisierten Licht im Resist in Abhängigkeit von der Numerischen Apertur
NA des Projektionssystems (sin α =
NA) für verschiedene
Linienbreiten CD, wobei sich diese aus der Beziehung CD
= k1·(193nm/NA)Ergeben.
k1 bezeichnet einen Skalierungsfaktor, welcher
in Figur die mit verschiedenen Maskentechniken erreichbaren Gitterperioden
beschreibt. Man erkennt den sich verstärkenden Verfall des Bildkontrastes
mit zunehmender Numerischer Apertur des Objektivs, der durch den
Verfall des Kontrastes des Luftbildes derjenigen Polarisationskomponente
verursacht wird, deren elektrischer Feldstärkevektor des Lichtes senkrecht
zu den Gitterlinien ausgerichtet ist, d.h. der TM-polarisierten Lichtkomponente.
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Einer
Vergrößerung der
Numerischen Apertur steht somit der vorgenannte Effekt entgegen. Durch
den Polarisationscharakter des Lichtes kann daher das nutzbare Auflösungsvermögen nicht
linear mit der Vergrößerung der
Numerischen Apertur des Objektivs des Projektionssystems, sondern
nur in deutlich reduziertem Maße
gesteigert werden. Weil sich die Schärfentiefe der Abbildung mit
zunehmender Numerischer Apertur NA außerdem noch im Verhältnis (λ/NA)2 reduziert, ist der durch eine Ver größerung der
Numerischen Apertur erzielbare Gewinn nur sehr gering.
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Eine
Minderung des Problems kann in der Verwendung sogenannter Immersionsobjektive
bestehen. Dabei werden Immersionsflüssigkeiten mit erhöhter Brechzahl
(n = 1,3...1,5) zwischen die Objektivlinse (n = 1,4...1,5) und den
Resist (n = 1,6...1,7) gebracht, so daß der Unterschied im Reflektionsgrad für die beiden
aufeinander senkrecht stehenden Polarisationsrichtungen des zusammengesetzt
unpolarisierten Lichtes reduziert wird. Die Lichtanteile beider
Polarisationsrichtungen trügen
bei perfekter Übereinstimmung
der Brechzahlen im gleichen Verhältnis
zum Bildaufbau im Resist bei. Der Anteil der kontrastreicheren TE-polarisierten
Komponente würde
sich verstärken
und sich somit der Luftbildkontrast im Resist vergrößern.
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Nutzt
man die Immersionstechnik unter Verwendung einer effektiv höheren Numerischen
Apertur (NAeff = n·sin(α), n Brechzahl, α Einfallswinkel)
zur weiteren Steigerung der Auflösung,
so verstärken sich
die Kontrastverluste des mit TM-polarisierten Licht
erzeugten Luftbildes, während
der Bildkontrast mit TE-polarisiertem Licht stabil bleibt. Somit
tritt bei Verwendung unpolarisierten Lichtes eine weitere stetige
Verschlechterung des Bildkontrastes ein.
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Außerdem stehen
der Realisierung einer solchen technischen Lösung enorme material- und feinwerkstechnische
Probleme gegenüber.
Eine Lösung dieser
Probleme darf erst in einigen Jahren erwartet werden und wird mit
Einbußen
in der Effektivität
des Belichtungsprozesses sowie mit erhöhten Kosten verbunden sein.
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In
der
US 5,739,89 A wird
beschrieben, einen photoempfindlichen Lack mit nichtlinearem Abbildungsverhalten
bezüglich
der Intensität
des auf ihn einfallenden Lichtes zu verwenden. Da durch die Mehrfachbelichtung
Muster und Intensitäten
auf gespalten werden und das Ergebnis im Lack nicht mehr nur einer
einfachen Addition der lokalen Dosis entspricht, kann die Auflösung des
auf dem Substrat verbessert werden. Dazu wird ein strukturiertes
Muster in horizontale und vertikale Teilmuster jeweils mit hoher
Auflösung
zerlegt.
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In
der JP 06-14030 A wird beschrieben, ein aus senkrechten und waagerechten
Linien zusammengesetztes Muster in Teilmuster mit jeweils nur solchen
Linien aufzuspalten, welche parallel zueinander liegen. Die Muster
werden auf getrennten Reticle abgebildet. Zur Verbesserung der jeweils
erreichbaren Auflösung
wird bei der Projektion jeweils eine lineare Polarisation eingestellt,
deren Polarisationsrichtung senkrecht zur Ausrichtung der Linienanordnung
auf dem betreffenden Reticle liegt.
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Es
ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren sowie ein
Mittel bereitzustellen, mit dem die Belichtung von Substraten mit
Strukturmustern hoher Strukturdichte und mit Strukturmustern geringerer
Strukturdichte bei weiter vergrößerten Numerischen
Aperturen durchgeführt
werden kann, ohne daß Einbußen beim
Strukturkontrast entstehen. Es ist außerdem eine Aufgabe der vorliegenden
Erfindung die Qualität
des Belichtungsprozesses zu verbessern.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch ein Verfahren zum Belichten eines mit einer photoempfindlichen Schicht
bedeckten Substrates in einem Projektionsapparat mit einem Strukturmuster,
das einen ersten Bereich mit ersten Strukturelementen und wenigstens
einen zweiten Bereich mit zweiten Strukturelementen aufweist, umfassend
die Schritte: Bereitstellen des Substrates, Auswählen einer ersten Maske, auf
welcher der erste Bereich mit den ersten Strukturelementen gebildet
ist, Bestrahlen der ersten Maske mit Licht aus einer ersten Strahlungsquelle
zur Projektion des ersten Bereiches des Strukturmusters in die photoempfindliche
Schicht, wobei der erste Bereich auf der ersten Maske wenigstens
eine Gruppe von periodisch angeordne ten ersten Strukturelementen
aufweist, welche projiziert auf das Substrat eine Periode kleiner
als dem 0.8-fachen der Wellenlänge des
zur Abbildung verwendeten Lichtes bilden, wobei das Licht der Strahlungsquelle
in einer ersten Richtung linear polarisiert wird, Auswählen einer
zweiten Maske, auf welcher der zweite Bereich mit den zweiten Strukturelementen
gebildet ist, Bestrahlen der zweiten Maske mit Licht aus der ersten
oder einer weiteren Strahlungsquelle zur Projektion des zweiten Bereiches
des Strukturmusters in die photoempfindliche Schicht, wobei der
zweite Bereich auf der zweiten Maske wenigstens eine Gruppe von
periodisch angeordneten zweiten Strukturelementen aufweist, welche
projiziert auf das Substrat eine Periode größer als das 0.8-fache der Wellenlänge des
zur Abbildung verwendeten Lichtes bilden, Auswählen von zirkular oder elliptisch
polarisiertem oder im wesentlichen unpolarisiertem Licht für die Abbildung
der zweiten Maske auf das Substrat, Durchführen des Bestrahlens der ersten
und der zweiten Maske zur Belichtung der photoempfindlichen Schicht,
ohne dass zwischen beiden Schritten ein Entwicklungs- und/oder Ätzschritt
durchgeführt
wird, so dass die photoempfindliche Schicht mit dem Strukturmuster des
ersten und zweiten Bereiches belichtet wird.
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Zur Übertragung
des Strukturmusters auf ein Substrat wird das Strukturmuster in
zwei oder auch mehr Bereiche mit entsprechenden Teilinhalten des Strukturmusters
aufgespalten und jeweils auf verschiedenen Masken ausgebildet. Für die Übertragung
jedes Teilinhaltes wird eine an dessen zweidimensionale Strukturanordnung
angepaßte
Lichtpolarisation eingesetzt. Hierbei wird ausgenutzt, daß entsprechend
dem in 1 dargestellten Verhalten linear
polarisiertes Licht, welches eine zu den Strukturelementen des Teilbereiches
parallele Orientierung seines elektrischen Feldstärkevektors
aufweist, einen größeren Strukturkontrast
bei der Belichtung im Resist liefert. Oder anders ausgedrückt, die
den diesen Vorteil zunichte machende, dazu senkrechte Komponente
linear polarisierten Lichtes wird herausgefiltert bzw. gar nicht
erst bei einer Belichtung mit der betreffenden Maske diesen Teilinhalts
berücksichtigt.
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Gemäß der Erfindung
ist auf der mit linearer Polarisation abzubildenden ersten Maske
wenigstens eine Gruppe von periodisch angeordneten ersten Strukturelementen
eingerichtet, welche projiziert auf das Substrat eine Periode kleiner
als das 0.8-fache der Wellenlänge
des zur Abbildung verwendeten Lichtes bilden. Mit der zweiten Maske
werden Teilinhalte mit Gruppen von Strukturen, deren Perioden größer als
das 0.8-fache der
für die
Abbildung verwendeten Wellenlänge
sind, also im wesentlichen unkritisch sind, mit unpolarisiertem
oder zirkular bzw. elliptisch polarisierten Licht abgebildet.
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Während demnach
eine für
die verschiedenen Anforderungen durch die unterschiedlich ausgerichteten
Strukturelemente in einem typischen Strukturmuster erforderliche
Belichtung aus den eingangs genannten Gründen zu einem kaum noch durch
Vergrößerung der
Numerischen Apertur zu verbessernden Belichtungsergebnis führt, kann
erfindungsgemäß durch
eine Aufteilung der Bereiche eines Strukturmusters auf verschiedene
Masken jeweils individuell eine vorteilhafte Projektion mit linear
polarisiertem Licht durchgeführt
werden.
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Die
Bereiche müssen
nicht notwendigerweise zusammenhängend
in dem Strukturmuster vorliegen. Es kann sich beispielsweise auch
um eine Ansammlung einzeln gruppierter Teilbereiche mit jeweils ähnlichen
oder identischen Anforderungen an die räumliche Ausrichtung und/oder
Strukturbreite handeln, die über
das Strukturmuster an verschiedenen Positionen verteilt sind.
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Die
auf diese Weise ausgebildeten Masken werden mit einer zur Erzielung
eines optimalen Ergebnisses weitgehend linearen Polarisation verknüpft. Die
das Gesamtmuster zusammensetzenden Masken mit den Teilinhalten/Bereichen
werden sukzessive zur Belichtung des photoempfindlichen Resists
verwendet. Mit jeder Maske wird eine individuell angepaßte Polarisation
einge stellt. Beispielsweise können
Linienmuster umfassend eine x-Richtung
in dem Strukturmuster auf einer ersten Maske, Linienmuster umfassend
eine y-Richtung auf einer zweiten Maske sowie gemischte Muster mit
Strukturelementen einer unkritischen Breite auf einer dritten Maske gebildet
werden. Bei der Belichtung des Substrates mit der ersten Maske wird
eine lineare Polarisation des Feldstärkevektors in x-Richtung, bei
der anschließenden
Belichtung mit der zweiten Maske eine Polarisation in y-Richtung
und bei der Belichtung mit der dritten Maske unpolarisiertes Licht
verwendet.
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Der
der Belichtung mit der jeweiligen Maske korrespondierende Polarisationszustand
des Lichtes wird erfindungsgemäß entweder
direkt durch die Strahlungsquelle zur Verfügung gestellt oder im Strahlengang
durch Verwendung geeigneter Polarisationskonverter oder Anordnungen
von Polarisationskonvertern erzeugt. Erfindungsgemäß ist ebenso vorgesehen,
daß Linsenelemente
des optischen Linsensystems Eigenschaften eines Polarisationskonverters
aufweisen. Es ist auch möglich,
das Polarisationskonverter in der Fourierebene des Projektionssystems
oder zwischen dem Projektionssystem und dem Substrat zu plazieren.
Dabei sind die optischen Eigenschaften der dabei verwendeten optischen
Elemente beim Design des Projektionssystems vorab zu berücksichtigen.
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Mit
dem Begriff „Polarisationskonverter" faßt man Polarisationsfilter
und Polarisationsdreher zusammen: Polarisationsfilter werden für einen
ursprünglich
beliebigen Polarisationszustand (unpolarisiert, elliptisch polarisiert,
zirkular polarisiert) des Lichtes eingesetzt und sind mit einem
Intensitätsverlust
verbunden. Um zirkular oder elliptisch polarisiertes Licht ohne
Intensitätsverlust
in linear polarisiertes Licht umzuwandeln, können Polarisationsdreher, d.h. in
der Regel doppelt brechende Materialien mit geeigneter Dicke und
Ausrichtung verwendet werden.
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Auch
der Einsatz polarisierender Spiegel, insbesondere Umlenkspiegel
oder weitere, auf die Polarisation von Licht einwirkende Medien
im Strahlengang sind denkbar und von der Erfindung eingeschlossen.
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Für die ersten,
zweiten oder weiteren Masken sind beliebige Typen anwendbar, beispielsweise Chrommasken,
Halbtonphasenmasken, alternierende Phasenmasken, chromlose Phasenmasken,
etc.
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Die
periodisch angeordneten ersten Strukturelemente können dabei
jeweils auch eine oder mehrere ihnen zugeordnete Blindstrukturen
(sog. sub-resolution assist features) umfassen, welche im Falle
einer Abbildung nicht als Strukturelemente auf dem Substrat abgebildet
werden. Sie tragen vielmehr nur zu einer verbesserten Strukturbildung
der Mutterstruktur, also des eigentlichen Strukturelementes auf dem
Substrat bei. Die Periode ist in diesem Fall durch den Abstand des
Schwerpunktes der Mutterstruktur zum Schwerpunkt der ersten benachbarten
Blindstruktur gegeben.
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Die
durch die vorliegende Erfindung erreichte höhere Auflösung ermöglicht die Übertragung von Strukturen höherer Packungsdichte,
somit kleinere Bauelemente und daher eine höhere Anzahl elektronischer
Bauelemente je Substrat. Die Folge sind geringere Fertigungskosten
und mithin auch bessere Bauelemen teeigenschaften, wie beispielsweise
höhere
elektronische Taktfrequenzen.
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Die
Erfindung soll nun anhand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe einer
Zeichnung näher
erläutert
werden. Darin zeigen
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1 ein Intensitätsprofil in einer photoempfindlichen
Schicht, welches jeweils mittels unpolarisiertem Licht (a), linear
TE-polarisiertem Licht (b) und linear TM-polarisiertem Licht (c)
gebildet wurde,
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2 die
Abhängigkeit
der Reflektivität
der in 1 gezeigten Polarisationen
in Abhängigkeit vom
Einfallswinkel,
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3 den
erzielbaren Kontrast in Abhängigkeit
von der Numerischen Apertur für
verschiedene Strukturbreiten (repräsentiert durch den K1-Parameter),
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4 eine
erfindungsgemäße Anordnung mit
Polarisationskonvertern im Strahlengang eines Projektionsapparates,
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5 wie 4,
jedoch mit Drehtellern zum Verstellen der Polarisationskonverter,
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6 ein
Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Verfahrens
in schematischer Darstellung,
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7 eine
schematische Skizze mit den ausgerichteten Feldvektoren des TE-
bzw. TM-polarisierten Lichtes.
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Im
oberen Teil der 6 ist schematisch der Aufbau
einer Gate-Ebene eines elektronischen Bauelementes gezeigt. Ohne
Beschränkung
der Erfindung auf bestimmte Arten von Schaltungen ist hier ein Speicherschaltkreis
mit vier Speicherzellenfeldern 10 und zugehöriger Peripherie 20 gezeigt.
Das Struk turmuster ist hinsichtlich der Strukturdichte in zwei Bereiche
aufteilbar. Ein erster idealisierter Bereich umfaßt die vier
Speicherzellenfelder 10 und ein zweiter idealisierter Bereich
umfaßt
die Peripherie 20. Die Speicherzellenfelder umfassen gitterartige Strukturelemente,
die in y-Richtung als lange, schmale, im wesentlichen parallel angeordnete
Linien ausgerichtet sind. Die Gitterortsfrequenz beträgt 140 nm.
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Das
periphere Gebiet 20 umfaßt linienartige Strukturelemente
verschiedenster Geometrie und Ausrichtung, wobei das auftretende
Minimalgitter eine Gitterkonstante vom 260 nm und die kleinste Struktur
eine Breite von 130 nm aufweist.
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Es
wird somit der Strukturinhalt, welcher herkömmlich auf nur einer Maske
ausgebildet ist, auf zwei Masken aufgeteilt. Dabei werden die in
y-Richtung ausgerichteten Strukturelemente des ersten Bereiches 10 mit
hoher Ortsfrequenz auf einer ersten Maske in einem Maskenherstellungsprozeß plaziert. Die
peripheren Strukturelemente des zweiten Bereiches 20 werden
auf einer zweiten Maske 2 plaziert.
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In
einem Belackungsschritt 61 wird ein Substrat 4 mit
einem photoempfindlichen Resist belackt und anschließend einem
Projektionsapparat zugeführt.
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In
dem Projektionsapparat mit einer eingestellten Numerischen Apertur
von 0.63 wird das gebildete Teil-Muster des zweiten Bereiches mit
unpolarisiertem Licht 44 auf das in dem Projektionsapparat bereitgestellte
Substrat 4 abgebildet. Dies hat kaum Nachteile zur Folge,
weil für
Strukturelemente in diesem Bereich der Einfallswinkel der strukturbildenden Strahlen
klein ist (vgl. 2) und somit Polarisationseffekte
kaum eine Beeinträchtigung
der Abbildung verursachen.
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Anschließend wird
eine Numerische Apertur von 0.85 eingestellt. Die erste Maske mit
den Strukturelementen des ersten Bereiches wird in den Projektionsapparat
eingelegt und mit hochgradig linear polarisiertem Licht 46 auf
das Substrat 4 abgebildet. Ein im Strahlengang nach der
ersten Maske 1 angeordnetes Polarisationskonverter 8 bewirkt
diese Polarisation 46 des von der Strahlungsquelle 100' noch unpolarisiert
emittierten Lichtes. Das Konverter ist derart eingestellt, daß der Polarisationsvektor (E-Feld)
der Ausrichtung der Linien auf der ersten Maske folgt. Aufgrund
dieser relativen Ausrichtung liegt TE-polarisiertes Licht vor.
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Anschließend wird
der zweifach belichtete Resist 5 einem Entwicklungsvorgang
unterzogen.
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Würden die
Strukturelemente des Speicherzellenfeldes im Strukturmuster/Layout
in x-Richtung ausgerichtet sein, so könnte die Polarisationsrichtung
durch Drehung des Konverters 8 um 90 Grad angepaßt werden.
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Treten
dagegen in beiden Richtungen, x und y, gitterartige Strukturen mit
vergleichbar kritischer Gitterkonstante auf, so ist erfindungsgemäß vorgesehen,
den Strukturinhalt in Gruppen vertikaler und horizontaler Orientierung
zu zerlegen und auf zwei Masken 1, 2 aufzuteilen.
Die Abbildung beider Masken 1, 2 erfolgt dann
sequentiell mit der erfindungsgemäß angepaßten linearen Polarisation 46,
wobei die Gesamtstruktur durch Zusammensetzen der Einzelstrukturelemente
auf dem Substrat 4 bzw. dem Wafer nach dem Stand der Technik
erfolgt. Mit diesem Verfahren wird gewährleistet, daß Strukturelemente
mit in beiden Koordinatenrichtungen mit kritischer Strukturbreite
mit hoher Auflösung
und mit hinreichend großem
Prozeßfenster
abgebildet werden können.
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Es
liegt auch im Rahmen der Erfindung, den Strukturinhalt auf zwei
oder mehr Masken zu verteilen, wobei die in x- und y-Richtung ausgerichteten Strukturelemente
kritisch hoher Ortsfrequenz getrennt auf zwei ersten Masken und
die auflösungsunkritischen
Strukturen auf einer dritten Maske planiert werden. Die beiden Masken
mit auflösungskritischen
Strukturen werden – wie
oben beschrieben – mit
Licht angepaßter
Polarisation abgebildet sowie die Maske mit den unkritischen Strukturen
mit Hilfe von unpolarisiertem Licht.
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Für das erfindungsgemäße Abbildungsverfahren
können
ohne Einschränkung
alle bekannten lichtoptischen Maskentypen verwendet werden. Eine Anwendung
auch auf Reflektionsmasken ist allerdings nicht ausgeschlossen.
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Die 4 und 5 zeigen
schematisch den Aufbau eines erfindungsgemäßen Projektionsapparates mit
einer Strahlungsquelle 100, etwa einem ArF-Laser mit einer
Wellenlänge
von 193 nm, mit einem System von Linsen 9a-9e und
den Positionen der Masken 1 und Substrate 4, die
durch entsprechende Halterungen vorgegeben sind. Es sind auch eine
Anzahl von Positionen gekennzeichnet, in denen Eingriffe in den
optischen Strahlengang zur Einstellung der Polarisation des Lichtes
durchführbar sind.
Hier können
Polarisationskonverter 8a-8e in den Strahlengang
hinein- oder herausgeschoben werden.
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Eine
z.B. programmgesteuerte Einführung der
Polarisationskonverter kann dabei entweder durch mechanische Schieber
erfolgen (4) oder mittels Drehteller (5)
erfolgen, wobei auf den Positionen verschiedene Polarisationskonverter 8a-e bzw. 8a'-d' plaziert sind. Diese
bewirken eine jeweils gewünschte
Veränderung
der Lichtpolarisation in Abhängigkeit
vom Teilinhalt auf der aktuell in dem Projektionsapparat eingelegten
Maske 1, 2.
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- 1
- erste
Maske
- 2
- zweite
Maske
- 4
- Resist
- 5
- Substrat,
Wafer
- 8
- Polarisationskonverter
- 9
- Linsen
- 10
- erster
Bereich
- 12
- Mittel
zum Einstellen der Polarisationsrichtung des Konverters, Drehen,
Schwenken oder Austauschen des Konverters
- 20
- zweiter
Bereich
- 44
- unpolarisiertes
Licht
- 46
- linear
polarisiertes Licht
- 61
- Belackungsschritt
- 62
- Entwicklungsschritt
- 100'
- erste
Strahlungsquelle
- 100
- weitere
Strahlungsquelle