DE10246063A1 - Verfahren zum anisotropen Ätzen eines Siliziumsubstrates - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in einem Siliziumsubstrat mittels eines Plasmas vorgeschlagen, wobei zumindest zeitweilig ein Ätzgas und zumindest zeitweilig ein Polymerisationsgas eingesetzt wird. Das Polymerisationsgas ist ein Gas, ausgewählt aus der Gruppe C¶4¶F¶6¶, C¶5¶F¶8¶ oder C¶2¶H¶2¶F¶2¶, oder eine Gasmischung mit mindestens einem dieser Gase.
Description
- Die Endung betrifft ein Verfahren zum anisotropen Einätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in ein Siliziumsubstrat mittels eines Plasmas nach der Gattung des Hauptanspruches.
- Aus
DE 42 41 045 C1 ist ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in Silizium mittels eines Plasmas bekannt. Dabei wird neben einer hohen Maskenselektivität ein hohes Aspektverhältnis (Verhältnis von Tiefe zu Breite) von in das Siliziumsubstrat eingeätzten Trenchgräben erreicht. Der anisotrope Ätzvorgang erfolgt in separaten, alternierend aufeinander folgenden Polymerisations- und Ätzschritten, wobei als Polymerisationsgas zum Beispiel Trifluormethan (CHF3) eingesetzt wird. - In
DE 43 17 623 A1 wird ein Verfahren zum anisotropen Plasmaätzen von Silizium beschrieben, wobei in einem Prozessraum ein Plasma erzeugt wird, dem ein Ätzgas und ein Passiviergas, das polymerbildende Monomere enthält, zugeführt wird. Das Passiviergas ist CHF3, C2F4 oder C2F6. - Aus
DE 197 36 370 A1 ist ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von Mikro- und Nanostrukturen in Siliziumsubstraten mittels alternierend aufeinander folgenden, unabhängig voneinander gesteuerten Ätzschritten und Polymerabscheideschritten bekannt, wobei die Menge an deponiertem Polymere im Laufe der Polymerabscheideschritte abnimmt. Das eingesetzte Polymerisationsgas ist dort Trifluormethan (CHF3), Octafluorcyclobutan (C4F8) oder Hexafluorpropen (C3F6) bzw. dessen Dimeres (C3F6)2. Aufgabe der vorliegenden Erfindung war die Bereitstellung eines Verfahrens zum anisotropen Einätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in ein Siliziumsubstrat mit gegenüber dem Stand der Technikerhöhten Ätzraten, besserer Profilkontrolle und höherer Maskenselektivität. - Die erfindungsgemäß eingesetzten Polymerisationsgase C4F6 oder C5F8 sowie in geringerem Ausmaß auch C2H2F2 haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil einer besonders effektiven Polymerbildung, d.h. die Polymerabscheidung aus dem Plasma erfolgt bei sonst vergleichbaren Plasmakenndaten schneller, und das erhaltene Polymer ist dichter und stärker quervernetzt als beispielsweise bei bekannten Polymerisationsgasen wie C4F8 oder C3F6.
- Weiter ist voreilhaft, dass die erfindungsgemäß eingesetzten Polymerisationsgase zu akzeptablen Preisen und auch in für den industriellen Maßstab erforderlichen Mengen angeboten werden, so dass auch die Liefersicherheit dieser an sich „exotischen" Gase gegeben ist.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
- So ist besonders vorteilhaft, dass die erläuterten Polymerisationsgase in einem Prozess nach Art der
DE 42 41 045 C1 , derDE 43 17 623 A1 oder derDE 197 36 370 A1 an Stelle der dort jeweils eingesetzten Polymerisationsgase eingesetzt werden können, ohne dass diese Prozesse nennenswert modifiziert werden müssen. Insbesondere eignet sich das Gas C4F6 besonders gut zum Ersatz des Gases C4F8 oder des Gases C3F6. - Vorteilhaft ist weiter, dass eine mit Hilfe der genannten Polymerisationsgase erzeugte teflonartige Seitenwandpassivierung auf der Oberfläche der in dem Siliziumsubstrat erzeugten Ätzgräben einen höheren Kohlenstoffgehalt aufweist als eine entsprechende Seitenwandpassivierung, die beispielsweise ausgehend von dem Polymerisationsgas C4F8 erzeugt worden ist. Dieser erhöhte Kohlenstoffgehalt und die gleichzeitig stärkere Quervernetzung des Polymermaterials, die vor allein von den angebotenen polymerisationsfähigen Doppelbindungen des Ausgangsstoffes herrührt, macht die Seitenwandpassivierung widerstandsfähiger gegenüber einem Ätzabtrag, so dass die Dauer der Polymerisationsschritte entsprechend insbesondere relativ zur Dauer der Ätzschritte deutlich verkürzt werden kann, um eine gleiche bzw. noch ausreichende Passivierung zu erreichen. Daneben geht durch den höheren Kohlenstoffgehalt und den verringerten Seitenwandabtrag des widerstandsfähigeren Polymers weniger Fluor durch Wechselwirkung mit während der Ätzschritte ionengetrieben vorwärts transportierten Polymermaterialien verloren.
- Andererseits wird vor allem bei dem Prozess gemäß
DE 42 41 045 C1 auch weiterhin ein zunächst während eines Polymerisationsschrittes erzeugter Seitenwandpolymerfilm während des nachfolgenden, an sich isotropen Ätzschrittes zumindest teilweise wieder abgetragen, vorwärts getrieben und in tieferen Regionen der erzeugten Struktur redeponiert, welche gerade während des laufenden Ätzschrittes eröffnet werden. Dank der höheren Beständigkeit des Seitenwandpolymerfilm ist dabei nun auch in insgesamt geringerem Ausmaß deponiertes Seitenwandpolymermaterial ausreichend für die gewünschte lokale Passivierung bzw. den gewünschten temporären Ätzstopp und die damit verbundene lokale Anisotropie des Ätzschrittes. - Insgesamt führt der Einsatz der Polymerisationsgase C4F6, C5F8 oder C2H2F2, wobei vor allem C4F6 vorteilhaft ist, zu einer gesteigerten Polymerisationseffizienz und verbesserten Seitenwandfilmeigenschaften hinsichtlich Dichtheit, Quervernetzung und einer erhöhten Widerstandsfähigkeit gegenüber einem Ätzabtrag, was sich vor allem bei einem Prozess gemäß
DE 42 41 045 C1 unmittelbar in Form deutlich verkürzter Polymerisationszyklen und relativ dazu verlängerter Ätzzyklen umsetzen lässt. So kann die Dauer eines Polymerisationsschrittes nunmehr von zuvor ca. 4 s bis 8 s auf 1 s bis 2 s verkürzt werden, während gleichzeitig die Ätzschritte von bisher 10 s bis 15 s auf 20 s bis 30 s verlängert werden können. Insbesondere kann das Verhältnis von Ätzzeit zu Passivierzeit deutlich zu Gunsten der Ätzzeit auf Werte von nunmehr 3 : 1 bis 50 : 1, vorzugsweise von 8 : 1 bis 30 : 1, beispielsweise 5 : 1, 10 : 1 oder 15 : 1, im Vergleich zu etwa 2 : 1 bis 3 : 1 nach dem Stand der Technik angepasst werden, so dass durch das höhere zeitliche Gewicht der Ätzschritte an der Gesamtprozesszeit insgesamt auch eine höhere Ätzrate erzielt wird. - Die erläuterten Polymerisationsgase führen daneben vorteilhaft auch zu einer verbesserten Maskenselektivität, da die auch auf der Ätzmaske abgeschiedenen Polymerfilme bzw. Passivierschichten beständiger sind als vergleichbare Schichten nach dem Stand der Technik. Dies führt zu einem verbesserten Schutz der Ätzmaske vor einem Ätzangriff was vor allein bei Verwendung einer Fotolackmaske wichtig ist, und damit zu einer sehr zuverlässigen und präzisen Maskierung.
- Vorteilhaft ist weiter, wenn der Einsatz der erläuterten Polymerisationsgase mit der Verwendung eines hochdichten Plasmas mit mindestens 1012 reaktiven Spezies/cm3 verbunden wird, und/oder wenn bevorzugt zumindest zeitweilig während der Ätzschritte ein Ionenbeschuss des Substrates, insbesondere mit einer Ionenenergie von 1 eV bis 100 eV, vorzugsweise 1 eV bis 50 eV, erfolgt. Der Ionenbeschuss ist weiterhin bevorzugt gepulst mit einem Puls-Pause-Verhältnis von vorzugsweise 1:1 bis 1:5. In diesem Fall wird die genannten Ionenenergie im zeitlichen Mittel eingesetzt.
- Darüber hinaus ist vorteilhaft, wenn die während der einzelnen Polymerisationsschritte jeweils eingesetzte Menge an Polymerisationsgas mit dem Fortschreiten des Einätzens insbesondere kontinuierlich oder schrittweise reduziert wird. Dies vermeidet ein Übermaß an deponiertem Polymer mit dem Ätzfortschritt, das immer weniger benötigt wird.
- Schließlich ist vorteilhaft, wenn bei dem anisotropen Einätzen mit separaten, alternierend aufeinander folgenden Ätzschritten und Polymerisationsschritten der erste Schritt zu Beginn des Einätzens ein Polymerisationsschritt ist, um so einer unerwünschten Unterätzung oder einem Maskenangriff von Beginn an zu begegnen.
- Ein erstes Ausführungsbeispiel geht zunächst von dem aus
DE 42 41 045 C1 bekannten Verfahren aus. In diesem Verfahren wird das während der Polymerisationsschritte eingesetzte Gas, das eine teflonartige Seitenwandpassivierung der erzeugten Strukturen in Silizium bewirkt, durch C4F6, C5F8 oder C2H2F2 ersetzt. Bevorzugt ist die Verwendung von C4F6. - In einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird bei dem Verfahren gemäß
DE 197 36 370 A1 das dort während der Polymerisationsschritte eingesetzte Passiviergas durch C4F6, C5F8 oder C2H2F2 ersetzt. Auch hier ist die Verwendung von C4F6 bevorzugt. - In einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird bei dem Verfahren gemäß
DE 43 17 623 A1 das dort eingesetzte Passiviergas, das polymerbildende Monomere enthält, durch C4F6, C5F8 oder C2H2F2 ersetzt. Daneben kann auch eine Gasmischung mit mindestens einem dieser Gase eingesetzt werden. Bevorzugt ist erneut die Verwendung des Passiviergases C4F6. - Ansonsten werden die Verfahren gemäß den vorstehenden Ausführungsbeispielen jeweils entsprechend dem Stand der Technik durchgeführt, wobei im Fall der
DE 197 36 370 A1 oder derDE 42 41 045 C1 bevorzugt zusätzlich die dort jeweils eingesetzten alternierend aufeinander folgenden Ätz- und Polymerisationsschritte der Gestalt modifiziert werden, dass die Dauer der Polymerisationsschritte verkürzt und die Dauer der Ätzschritte entsprechend verlängert wird. Insbesondere wird die Dauer der Polymerisationsschritte um einen Faktor 3 bis 50 kürzer als die Dauer der Ätzschritte eingestellt. Besonders bevorzugt wird die Dauer der Polymerisationsschritte um einen Faktor 10 bis 30 kürzer als die Dauer der Ätzschritte eingestellt. Weiter wird die während der einzelnen Polymerisationsschritte jeweils eingesetzte Menge an Polymerisationsgas mit dem Fortschreiten des Einätzens kontinuierlich oder schrittweise reduziert, und als erster Schritt zu Beginn des Einätzens bevorzugt ein Polymerisationsschritt eingesetzt.
Claims (11)
- Verfahren zum anisotropen Einätzen von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen in ein Siliziumsubstrat mittels eines Plasmas, wobei zumindest zeitweilig ein Ätzgas und zumindest zeitweilig ein Polymerisationsgas eingesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass als Polymerisationsgas ein Gas ausgewählt aus der Gruppe C4F6, C5F8 oder C2H2F2 oder eine Gasmischung mit mindestens einem dieser Gase eingesetzt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das anisotrope Einätzen in separaten, alternierend aufeinander folgenden Ätzschritten und Polymerisationsschritten erfolgt, wobei mit Hilfe des Polymerisationsgases während des Polymerisationsschrittes auf die durch die Ätzmaske definierte laterale Begrenzung der Strukturen ein insbesondere teflonartiges Polymer aufgebracht wird, das während des nachfolgenden Ätzschrittes zumindest teilweise wieder abgetragen wird.
- Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das abgetragene Polymer teilweise während der Ätzschritte in tieferen Regionen der erzeugten Struktur redeponiert wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dauer der Polymerisationsschritte kürzer, insbesondere um einen Faktor 3 bis 50 kürzer, als die Dauer der Ätzschritte eingestellt wird.
- Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Dauer der Polymerisationsschritte um einen Faktor 10 bis 30 kürzer als die Dauer der Ätzschritte eingestellt wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymerisationsgas zumindest weitgehend lediglich während der Polymerisationsschritte und das Ätzgas, insbesondere SF6, zumindest weitgehend lediglich während der Ätzschritte eingesetzt wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein hochdichtes Plasma mit mindestens 1012 reaktive Spezies/cm3 erzeugt wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zeitweilig während der Ätzschritte ein insbesondere gepulster Ionenbeschuss des Substrates, insbesondere mit einer Ionenergie von 1 eV bis 100 eV im Dauerstrichbetrieb oder im zeitlichen Mittel, erfolgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zeitweilig während der Ätzschritte ein gepulster Ionenbeschuss des Substrates mit einer Ionenergie von 1 eV bis 50 eV im zeitlichen Mittel erfolgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die während der einzelnen Polymerisationsschritte jeweils eingesetzte Menge an Polymerisationsgas mit einem Fortschreiten des Einätzens insbesondere kontinuierlich oder schrittweise reduziert wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das anisotrope Einätzen in separaten, alternierend aufeinander folgenden Ätzschritten und Polymerisationsschritten erfolgt, wobei als erster Schritt zu Beginn des Einätzens ein Polymerisationsschritt eingesetzt wird.
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|---|---|
| DE (1) | DE10246063A1 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007013686A1 (de) | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Entec Consulting Gmbh | Verbrennungskraftmaschine mit drosselfreier Laststeuerung zum Betrieb flüssiger und gasförmiger Kraftstoffe |
| CN108780748A (zh) * | 2016-03-17 | 2018-11-09 | 日本瑞翁株式会社 | 等离子体蚀刻方法 |
| CN112520688A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-03-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种纳米森林结构的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498312A (en) * | 1993-05-27 | 1996-03-12 | Robert Bosch Gmbh | Method for anisotropic plasma etching of substrates |
| DE19826382A1 (de) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
| US6071822A (en) * | 1998-06-08 | 2000-06-06 | Plasma-Therm, Inc. | Etching process for producing substantially undercut free silicon on insulator structures |
| US6159862A (en) * | 1997-12-27 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Ltd. | Semiconductor processing method and system using C5 F8 |
| DE19736370C2 (de) * | 1997-08-21 | 2001-12-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silizium |
| US20020000422A1 (en) * | 1999-06-29 | 2002-01-03 | Micron Technology, Inc. | Etching methods and apparatus and substrate assemblies produced therewith |
| US6451703B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas |
-
2002
- 2002-10-02 DE DE2002146063 patent/DE10246063A1/de not_active Ceased
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498312A (en) * | 1993-05-27 | 1996-03-12 | Robert Bosch Gmbh | Method for anisotropic plasma etching of substrates |
| DE19736370C2 (de) * | 1997-08-21 | 2001-12-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silizium |
| US6159862A (en) * | 1997-12-27 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Ltd. | Semiconductor processing method and system using C5 F8 |
| US6071822A (en) * | 1998-06-08 | 2000-06-06 | Plasma-Therm, Inc. | Etching process for producing substantially undercut free silicon on insulator structures |
| DE19826382A1 (de) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
| US20020000422A1 (en) * | 1999-06-29 | 2002-01-03 | Micron Technology, Inc. | Etching methods and apparatus and substrate assemblies produced therewith |
| US6451703B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007013686A1 (de) | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Entec Consulting Gmbh | Verbrennungskraftmaschine mit drosselfreier Laststeuerung zum Betrieb flüssiger und gasförmiger Kraftstoffe |
| CN108780748A (zh) * | 2016-03-17 | 2018-11-09 | 日本瑞翁株式会社 | 等离子体蚀刻方法 |
| EP3432346A4 (de) * | 2016-03-17 | 2019-10-16 | Zeon Corporation | Plasmaätzverfahren |
| US10629447B2 (en) | 2016-03-17 | 2020-04-21 | Zeon Corporation | Plasma etching method |
| CN108780748B (zh) * | 2016-03-17 | 2023-02-17 | 日本瑞翁株式会社 | 等离子体蚀刻方法 |
| CN112520688A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-03-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种纳米森林结构的制备方法 |
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