DE10226392C1 - Longitudinally extending superconducting structure comprises a biaxially textured support made from nickel, an intermediate system deposited on the support and a superconducting layer made from a high Tc superconducting material - Google Patents
Longitudinally extending superconducting structure comprises a biaxially textured support made from nickel, an intermediate system deposited on the support and a superconducting layer made from a high Tc superconducting materialInfo
- Publication number
- DE10226392C1 DE10226392C1 DE10226392A DE10226392A DE10226392C1 DE 10226392 C1 DE10226392 C1 DE 10226392C1 DE 10226392 A DE10226392 A DE 10226392A DE 10226392 A DE10226392 A DE 10226392A DE 10226392 C1 DE10226392 C1 DE 10226392C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- intermediate layer
- layer
- superconducting
- structure according
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 41
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 6
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 132
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- -1 metal oxide compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000005548 dental material Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen langgestreckten Supra leiteraufbau zur Führung eines elektrischen Stromes in einer vorbestimmten Richtung. Dieser Aufbau soll wenigstens folgen de Teile aufweisen, nämlich einen biaxial texturierten Träger aus Nickel-Material, ein auf dem Träger abgeschiedenes Zwi schenschichtsystem mit mindestens zwei Zwischenschichten aus oxidischem Material sowie eine auf dem Zwischenschichtsystem abgeschiedene Supraleitungsschicht aus einem Hoch-Tc- Supraleitermaterial vom Typ (RE)M2Cu3Ox, wobei die Komponente RE wenigstens ein Seltenes Erdmetall (einschließlich Yttrium) und die Komponente M wenigstens ein Erdalkalimetall enthal ten. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstel lung eines solchen Supraleiteraufbaus. Ein entsprechender Supraleiteraufbau und ein Verfahren zu dessen Herstellung sind z. B. aus "Applied Superconductivity", Vol. 4, Nos. 10- 11, 1996, Seiten 403 bis 427 zu entnehmen.The invention relates to an elongated super conductor structure for carrying an electric current in a predetermined direction. This structure should have at least the following parts, namely a biaxially textured carrier made of nickel material, an intermediate layer system deposited on the carrier with at least two intermediate layers made of oxidic material and a superconducting layer made of a high-T c superconducting material of the type deposited on the intermediate layer system (RE) M 2 Cu 3 O x , wherein the component RE contains at least one rare earth metal (including yttrium) and the component M contains at least one alkaline earth metal. The invention further relates to a method for producing such a superconductor structure. A corresponding superconductor structure and a method for its production are, for. B. from "Applied Superconductivity", Vol. 4, Nos. 10-11, 1996, pages 403 to 427.
Es sind supraleitende Metalloxidverbindungen mit hohen Sprungtemperaturen Tc von über 77 K bei Normaldruck bekannt, die deshalb auch als Hoch-Tc-Supraleitermaterialien oder HTS- Materialien bezeichnet werden und insbesondere eine Flüssig- Stickstoff(LN2)-Kühltechnik erlauben. Unter solche Metall oxidverbindungen fallen insbesondere Cuprate aus der Materi alfamilie vom Typ (RE)-M-Cu-O, wobei die Komponente RE we nigstens ein Seltenes Erdmetall (einschließlich Y) und die Komponente M wenigstens ein Erdalkalimetall enthalten. Haupt vertreter dieser Familie ist das Material YBa2Cu3Ox, sogenann tes YBCO.Superconducting metal oxide compounds with high transition temperatures T c of over 77 K at normal pressure are known, which are therefore also referred to as high-T c superconductor materials or HTS materials and in particular allow liquid nitrogen (LN 2 ) cooling technology. Such metal oxide compounds include, in particular, cuprates from the family of materials of the (RE) -M-Cu-O type, the component RE comprising at least one rare earth metal (including Y) and the component M containing at least one alkaline earth metal. The main representative of this family is the material YBa 2 Cu 3 O x , so-called YBCO.
Diese bekannten HTS-Materialien versucht man, auf verschiede nen Trägern (Substraten) für unterschiedliche Anwendungszwe cke abzuscheiden, wobei im Hinblick auf eine hohe Stromtrag fähigkeit nach möglichst phasenreinem, texturiertem Supralei termaterial getrachtet wird.These known HTS materials are tried in various ways NEN carriers (substrates) for different purposes deposit, taking into account a high current carrying capacity Ability for phase-pure, textured Supralei term material is sought.
Bei einem entsprechenden langgestreckten Supraleiteraufbau für Leiteranwendungen wird das genannte HTS-Material im All gemeinen nicht unmittelbar auf einem als Substrat dienenden metallischen Trägerband abgeschieden; sondern dieses Träger band wird zunächst mit mindestens einer dünnen Zwischen schicht, die auch als Pufferschicht ("Buffer"-Schicht) be zeichnet wird, abgedeckt. Diese Zwischenschicht mit einer Di cke in der Größenordnung bis etwa 1 µm soll das Eindiffundie ren von Metallatomen aus dem Trägermaterial in das HTS- Material verhindern, um eine damit verbundene Verschlechte rung der supraleitenden Eigenschaften des HTS-Materials zu vermeiden. Zugleich kann mit einer solchen als Diffusionsbar riere dienenden Zwischenschicht auch die Oberfläche geglättet und die Haftung des HTS-Materials verbessert werden. Entspre chende Zwischenschichten bestehen insbesondere aus Metalloxi den und sind somit in der Regel elektrisch isolierend.With a corresponding elongated superconductor structure the HTS material mentioned is used for conductor applications in space not mean directly on a serving as a substrate deposited metallic carrier tape; but this carrier band is first with at least one thin intermediate layer, which can also be used as a buffer layer ("buffer" layer) is covered. This intermediate layer with a Di The diffusion should be about 1 µm in size metal atoms from the carrier material into the HTS Prevent material from deteriorating tion of the superconducting properties of the HTS material avoid. At the same time it can be used as a diffusion bar serving intermediate layer also smoothed the surface and the liability of the HTS material can be improved. Entspre Intermediate layers consist in particular of metal oxi and are therefore usually electrically insulating.
Neben der Eigenschaft als Diffusionsbarriere soll diese min destens eine Zwischenschicht darüber hinaus die Forderung er füllen, dass sie ein texturiertes Wachstum des auf ihr aufzu bringenden HTS-Materials ermöglicht. Folglich muss die Zwi schenschicht selbst eine entsprechende Textur besitzen. Der Übertrag der kristallographischen Orientierung beim Wachstum einer Schicht auf einer chemisch andersartigen Unterlage ist unter dem Begriff "Heteroepitaxie" bekannt. Hierbei muss die Zwischenschicht an die Gitterkonstanten des HTS-Materials möglichst gut angepasste Abmessungen ihrer Einheitszellen be sitzen. Darüber hinaus sollte sie einen thermischen Ausdeh nungskoeffizienten aufweisen, der mit dem des HTS-Materials zumindest annähernd übereinstimmt, um so unerwünschte mecha nische Spannungen bei den für Anwendungen der Supraleitungs technik und eine Schichtpräparation vermeidbaren Temperatur zyklen oder -unterschieden und gegebenenfalls dadurch beding ten Schädigungen wie Abplatzen zu vermeiden.In addition to the property as a diffusion barrier, this min at least an intermediate layer beyond the requirement fill that they have a textured growth of on top of it bringing HTS material. Consequently, the Zwi layer itself have a corresponding texture. The Transfer of the crystallographic orientation during growth a layer on a chemically different kind of base known as "heteroepitaxy". Here the Interlayer to the lattice constants of the HTS material dimensions of their unit cells that are as well adapted as possible sit. In addition, it should have thermal expansion have coefficient of that with that of the HTS material matches at least approximately, so undesirable mecha tensions in the superconducting applications technology and a layer preparation avoidable temperature cycles or differences and possibly due to this to avoid damage such as flaking.
Ähnliche Anforderungen sind auch an die Auswahl des Systems "Träger-Zwischenschicht" zu stellen. Auch hier sind gute Hafteigenschaften anzustreben, wobei zugleich die gewünschte Heteroepitaxie zwischen der Zwischenschicht und der darauf aufwachsenden HTS-Schicht nicht beeinträchtigt werden darf.Similar requirements apply to the selection of the system To provide "carrier intermediate layer". Here are good ones too Strive for adhesive properties, while at the same time the desired Heteroepitaxy between and between the intermediate layer growing HTS layer must not be impaired.
Aus den vorerwähnten Gründen ist gemäß der eingangs genannten Literaturstelle ein durch einen Walzprozess an seiner Ober fläche biaxial texturiertes Metallband aus Nickel-Material als Trägerband vorgesehen. Entsprechende Metallbänder sind unter der Bezeichnung "RABiTS" ("Rolling-Assisted-Biaxially- Textured-Substrates") bekannt. Auf einem solchen Metallband ist bei dem bekannten Supraleiteraufbau ein Zwischenschicht system in Form einer CeO2-Schicht (als eine erste Puffer schicht) und eine dickere Schicht aus mit Y-stabilisiertem ZrO2, sogenanntem YSZ (als eine zweite Pufferschicht) abge schieden. Dabei wird davon ausgegangen, dass mit einer CeO2- Schicht ein guter Texturübertrag zu erreichen ist, wenn diese Schicht selbst eine gute In-plane- sowie Out-of- plane(001)Textur besitzt. Da aber wegen der Verwendung eines Ni-haltigen Bandes die erste Pufferschicht in reduzierender Atmosphäre aufwachsen muss und wegen des erforderlichen Hoch vakuums auch während des weiteren Herstellungsprozesses nicht genug Sauerstoff angeboten werden kann, wächst das CeO2 immer leicht sauerstoffdefizitär auf. Dies führt dazu, dass sich das CeO2-Material zusammenzieht, sobald es einer sauerstoff haltigen Atmosphäre (< 1 mbar) ausgesetzt wird. Durch dieses Zusammenziehen der CeO2-Pufferschicht entstehen dann Risse bei gut orientierten Schichten schon ab einer Schichtdicke von 50 nm. Die Folge davon ist, dass eine solche Puffer schicht als Diffusionsbarriere nicht mehr wirksam wird. So neutralisieren zwar (111)-orientierte Körner unerwünschte Schichtspannungen; solche Körner wachsen aber säulenartig auf. Dies führt dazu, dass bei Auftreten von Schichtspannun gen die Säulen auseinander klaffen und somit keine dichte O berfläche bzw. Schicht mehr gegeben ist. An solchen Fehlstel len, d. h. (111)-orientierten Körnern, besteht also die Gefahr einer unerwünschten Diffusion. Aus diesem Grunde wird bei dem genannten Stand der Technik die erste Pufferschicht mit einer zweiten, gesputterten Pufferschicht aus YSZ oder Y2O3 abge deckt. Nicht-gesputterte Schichten sind jedoch nicht dicht genug, da YSZ und Y2O3 säulenartig aufwachsen und das Ni zwi schen den Säulen hindurch in das YBCO-Material diffundiert. In einem solchen Falle könnten Risse mit einer porösen, keine Schichtspannungsprobleme erzeugenden weiteren Pufferschicht mit verhältnismäßig großer Dicke zwischen 500 nm und 2000 nm zugedeckt werden. Da sich bei der Abscheidung von YBCO auf YSZ jedoch Zirkonatkomplexe bilden können, die auch die kri tische Stromdichte Jc des KTS-Materials absenken, muss diese ihrerseits mit einer dritten Pufferschicht z. B. aus CeO2 ab gedeckt werden. Ein solches 3-Lagen-Schichtensystem als Puf fer ist jedoch technisch sehr aufwendig, daher teuer und au ßerdem zeitaufwendig wegen der gesputterten Zwischenschicht. Eine YSZ-Schicht direkt auf Ni ist sehr schwer herzustellen, da die (001)-Orientierung beim Sputtern nur schwer zu errei chen ist.For the reasons mentioned above, a metal strip made of nickel material and biaxially textured on its surface by a rolling process is provided as a carrier strip according to the above-mentioned literature reference. Corresponding metal strips are known under the name "RABiTS"("Rolling-Assisted-Biaxially-Textured-Substrates"). On such a metal strip in the known superconductor structure, an interlayer system in the form of a CeO 2 layer (as a first buffer layer) and a thicker layer of Y-stabilized ZrO 2 , so-called YSZ (as a second buffer layer), are separated. It is assumed that a good texture transfer can be achieved with a CeO 2 layer if this layer itself has a good in-plane and out-of-plane (001) texture. However, since the first buffer layer has to grow in a reducing atmosphere due to the use of a Ni-containing tape and because of the high vacuum required it is not possible to offer enough oxygen during the further manufacturing process, the CeO 2 always grows up slightly deficient in oxygen. As a result, the CeO 2 material contracts as soon as it is exposed to an oxygen-containing atmosphere (<1 mbar). This contraction of the CeO 2 buffer layer then creates cracks in well-oriented layers from a layer thickness of 50 nm. The consequence of this is that such a buffer layer is no longer effective as a diffusion barrier. Thus, ( 111 ) -oriented grains neutralize undesirable layer tensions; however, such grains grow in a columnar manner. This means that when layer stresses occur, the columns gap apart and there is no longer a dense surface or layer. At such defects, ie ( 111 ) -oriented grains, there is a risk of undesired diffusion. For this reason, in the prior art mentioned, the first buffer layer is covered with a second, sputtered buffer layer made of YSZ or Y 2 O 3 . However, non-sputtered layers are not dense enough, since YSZ and Y 2 O 3 grow in columnar form and the Ni diffuses between the columns into the YBCO material. In such a case, cracks could be covered with a porous buffer layer with a relatively large thickness between 500 nm and 2000 nm, which does not cause any layer stress problems. However, since zirconate complexes can form during the deposition of YBCO on YSZ, which also lower the critical current density J c of the KTS material, this in turn must be covered with a third buffer layer, e.g. B. from CeO 2 to be covered. Such a 3-layer system as a buffer is technically very complex, therefore expensive and also time-consuming because of the sputtered intermediate layer. A YSZ layer directly on Ni is very difficult to produce because the (001) orientation is difficult to achieve during sputtering.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, für den Schichtaufbau der eingangs genannten Art ein Schichtensystem anzugeben, welches die genannten Forderungen erfüllt, so dass auch längere Trägerstücke, insbesondere von mehr als einem Meter, vorzugsweise über 100 m, mit gleichbleibender Qualität beschichtet werden können. Dabei soll eine Diffusion von Me tallatomen aus dem Trägermaterial insbesondere in eine YBCO- Schicht ebenso wie eine Diffusion von Sauerstoff, der bei der Abscheidung und Ausbildung des YBCOs erforderlich ist, zur Metalloberfläche verhindert werden. Eine derartige Sauer stoffdiffusion würde nämlich bei den üblichen Abscheide- und Glühtemperaturen des YBCO-Materials im Bereich von etwa 600 bis 800°C zu einer Metalloxidation führen und damit die Haft festigkeit des Zwischenschichtsystems herabsetzen. Aus diesem Grunde sind im Allgemeinen Dicken des Zwischenschichtsystems zwischen etwa 0,05 und 2 µm zu wählen, wobei diese Dicke vom gewählten Zwischenschichtmaterial abhängig sind. Ferner soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem ein entsprechender Supraleiteraufbau auf verhältnismäßig einfache Weise her stellbar ist.The object of the present invention is therefore for Layer structure of the type mentioned a layer system indicate which meets the requirements mentioned so that also longer carrier pieces, in particular of more than one Meters, preferably over 100 m, with constant quality can be coated. A diffusion of Me tallatoms from the carrier material in particular in a YBCO Layer as well as a diffusion of oxygen, which at the Separation and training of the YBCO is required to Metal surface can be prevented. Such a sour material diffusion would namely with the usual separation and Annealing temperatures of the YBCO material in the range of about 600 up to 800 ° C lead to metal oxidation and thus adhesion reduce the strength of the interlayer system. For this The reason is generally the thickness of the interlayer system to choose between about 0.05 and 2 microns, this thickness from selected interlayer material are dependent. Furthermore should a procedure can be specified with which a corresponding Superconductor structure in a relatively simple manner is adjustable.
Die genannte Aufgabe wird bzgl. des Leiteraufbaus mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Dementsprechend soll das Zwischenschichtsystem eine dem Träger zugewandte, erste Zwischenschicht aus einem Cer-Oxid und einem der Supralei tungsschicht zugewandte, zweite Zwischenschicht aus einem Cer-Oxid aufweisen. Unter einem Schichtensystem wird in die sem Zusammenhang eine sukzessive Abscheidung von diskreten Schichten verstanden, die, wie im vorliegenden Falle, aus i dentischem Material bestehen können.The stated task is carried out with regard to the conductor construction with the in Claim 1 specified measures solved. Accordingly, it should the interlayer system is a first, facing the carrier Interlayer made of a cerium oxide and one of the Supralei tion layer facing, second intermediate layer of a Have cerium oxide. Under a layer system is in the a gradual separation of discrete Understood layers that, as in the present case, from i can consist of dental material.
Es wurde nämlich erkannt, dass es nicht unbedingt nötig ist, die erwähnten Teilaufgaben bzgl. des Schichtensystems, näm lich bzgl. einer Texturübertragung und bzgl. einer Diffusi onsbarriere, auf Schichten aus unterschiedlichen Materialien zu verteilen. Durch eine Sauerstoffbeladung nach einem Auf dampfen der ersten Pufferschicht kann nämlich unstöchiometri sches, aber (200)-orientiertes CeO2 in stöchiometrisches CeO2 umgewandelt werden. Dadurch zieht sich das CeO2 zusammen und es entstehen Risse in der ersten Pufferschicht. Durch diese absichtlich herbeigeführten Risse wird die erste Puffer schicht mechanisch relaxiert, so dass es möglich wird, diese Risse mit einer zweiten Pufferschicht wieder zu versiegeln, ohne dass die Risse von der zweiten Pufferschicht bis zum Substrat hindurchreichen. Es ist also nunmehr möglich, mit einer zweiten, vorzugsweise höchstens ebenso dicken CeO2- Schicht die Risse in der darunterliegenden ersten CeO2- Schicht völlig abzudecken. Dabei kann die zweite Schicht na türlich aus denselben Gründen Risse aufweisen wie die erste Schicht. Allerdings treten diese Risse zumindest weitgehend nicht an den gleichen Stellen wie in der ersten Schicht auf, da an diesen Stellen die Schichtspannung minimal ist.It was recognized that it is not absolutely necessary to distribute the sub-tasks mentioned with regard to the layer system, namely with regard to texture transfer and with regard to a diffusion barrier, to layers of different materials. By loading the first buffer layer with oxygen, an unstoichiometric but ( 200 ) -oriented CeO 2 can be converted into stoichiometric CeO 2 . As a result, the CeO 2 contracts and cracks appear in the first buffer layer. These deliberately created cracks mechanically relax the first buffer layer so that it is possible to seal these cracks again with a second buffer layer without the cracks reaching from the second buffer layer to the substrate. It is therefore now possible to completely cover the cracks in the underlying first CeO 2 layer with a second, preferably at most equally thick, CeO 2 layer. The second layer can of course have cracks for the same reasons as the first layer. However, at least largely these cracks do not appear in the same places as in the first layer, since the layer stress is minimal at these points.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Aufbaus ist die Möglichkeit, hohe Stromdichten auch auf Trägern zu erzielen, deren Pufferschicht wegen schlechter Epitaxie nur einen CeO2(200)-Anteil in der Größenordnung des CeO2(111)-Anteils zeigt. Normalerweise ist eine derartige Pufferschicht un dicht, da sich an Korngrenzen von (111)- und (200)- orientierten Körnern wie vorstehend erwähnt mechanische Span nungen abbauen. Die somit erzeugten Bruchstellen zwischen den Körnern werden jedoch mit der zweiten Pufferschicht aus dem CeO2 aufgefüllt. Dieses ist an den betroffenen Stellen zwar immer noch (111)-orientiert, stellt aber vorteilhaft eine dichte Barriere dar. Dabei ist von Vorteil, dass YBCO über kleinere (111)-orientierte Stellen problemlos hinüberwachsen kann.Another advantage of the structure according to the invention is the possibility of achieving high current densities even on supports whose buffer layer shows only a CeO 2 ( 200 ) portion in the order of magnitude of the CeO 2 ( 111 ) portion due to poor epitaxy. Such a buffer layer is normally impervious since mechanical stresses break down at grain boundaries of ( 111 ) and ( 200 ) oriented grains, as mentioned above. The fractures between the grains thus generated are filled with the second buffer layer made of CeO 2 . Although this is still ( 111 ) -oriented at the affected areas, it advantageously represents a dense barrier. It is advantageous here that YBCO can easily grow over smaller ( 111 ) -oriented areas.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Supralei teraufbaus gehen aus den von Anspruch 1 abhängigen Sachan sprüchen hervor.Advantageous embodiments of the supralei according to the invention teraufbaus go from the Sachan dependent on claim 1 sayings.
So kann vorzugsweise das Supraleitermaterial vom Typ YBa2Cu32Ox (YBCO) sein. Stattdessen kann auch ein Material vorgesehen werden, bei dem, ausgehend von YBCO, die Y- Komponente und/oder die Komponente Ba zumindest teilweise durch ein Element aus der jeweils entsprechenden Gruppe er setzt sind/ist.The superconductor material may preferably be of the YBa 2 Cu 32 O x (YBCO) type. Instead, a material can also be provided in which, based on YBCO, the Y component and / or the component Ba are / are at least partially replaced by an element from the corresponding group.
Vorteilhaft hat die erste Zwischenschicht aus dem Cer-Oxid eine Dicke von unter 200 nm, vorzugsweise 100 nm, und von mindestens 10 nm. Bei dieser Schichtdicke ist eine gute Hete roepitaxie zu gewährleisten.The first intermediate layer made of cerium oxide is advantageous a thickness of less than 200 nm, preferably 100 nm, and of at least 10 nm. With this layer thickness is a good hete to ensure roepitaxy.
Ferner ist es als vorteilhaft anzusehen, wenn die zweite Zwi schenschicht aus dem Cer-Oxid eine vergleichsweise kleinere Dicke als die erste Zwischenschicht, insbesondere zwischen 50 nm und 200 nm hat. Eine derartige, verhältnismäßig dünne zweite Zwischenschicht gewährleistet die Dichtheit des gesam ten Zwischenschichtsystems auch über große Längen des Supra leiteraufbaus und stellt dennoch eine gute Epitaxie-Unterlage für das darauf abzuscheidende HTS-Material dar. Außerdem ist mit dieser Dickenbemessung zu gewährleisten, dass die Schichtspannungen in der zweiten Zwischenschicht hinreichend klein genug sind, dass diese die erste Zwischenschicht nicht aufzureißen vermag.Furthermore, it is to be regarded as advantageous if the second two layer of cerium oxide is a comparatively smaller one Thickness than the first intermediate layer, especially between 50 nm and 200 nm. Such a, relatively thin second intermediate layer ensures the tightness of the whole th interlayer system also over great lengths of the Supra ladder structure and still provides a good epitaxial base for the HTS material to be deposited on it with this thickness dimension to ensure that the Layer tensions in the second intermediate layer are sufficient are small enough that these are not the first intermediate layer is able to tear open.
Um ein dickeres Zwischenschichtsystem zu erhalten, ist es selbstverständlich möglich, mehrere solcher Doppelschichten übereinander zu erzeugen, solange jede einzelne der Zwischen schichten nach dem Aufdampfen mit Sauerstoff beladen und da mit relaxiert wird.To get a thicker interlayer system, it is of course possible, several such double layers to generate one on top of the other as long as each one of the intermediate layers loaded with oxygen after vapor deposition and there is relaxed with.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Supraleiteraufbaus gehen aus den vorstehend nicht angespro chenen, von Anspruch 1 abhängigen Sachansprüchen hervor.Further advantageous embodiments of the invention Superconductor structures are not addressed from the above Chen, dependent on claim 1 dependent claims.
Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung eines entsprechen den Supraleiteraufbaus nach der Erfindung ist dadurch gekenn zeichnet, dass nach einer Abscheidung der ersten Zwischen schicht unter sauerstoffarmer oder -freier oder -reduzieren der Bedingung diese Schicht einer sauerstoffhaltigen Atmo sphäre ausgesetzt wird, bevor die zweite Zwischenschicht ab geschieden wird. Ein derartiges Verfahren ist besonders ein fach durchzuführen. So lässt sich z. B. durch Belüften der ersten Zwischenschicht mit Sauerstoff oder einer sauerstoff haltigen Atmosphäre bewerkstelligen, da sich unstöchiometri sches Cer-Oxid nach dem Fluten mit Sauerstoff zusammenzieht. Hierfür reicht schon ein Sauerstoffdruck oder Sauerstoffpar tialdruck höher als bei der Beschichtung, insbesondere von mindestens 50 mbar, vorzugsweise 100 mbar aus, um die ge wünschte Ausbildung von Rissen in dieser Zwischenschicht zu gewährleisten.A preferred method of making a match the superconductor structure according to the invention is characterized records that after a separation of the first intermediate layer under or deoxygenated or reduced the condition of this layer of an oxygen-containing atmosphere sphere is exposed before the second intermediate layer is removed is divorced. Such a method is particularly one professionally. For example, B. by venting the first intermediate layer with oxygen or an oxygen manage a stable atmosphere, because unstoichiometri cerium oxide contracts with oxygen after flooding. An oxygen pressure or oxygen par is sufficient for this tial pressure higher than in the coating, especially of at least 50 mbar, preferably 100 mbar from the ge desired formation of cracks in this intermediate layer too guarantee.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird nachfolgend auf die Zeichnung verwiesen. Dabei zeigen jeweils schematischTo further explain the invention, below referred to the drawing. Each shows schematically
deren Fig. 1 eine prinzipielle Ausbildungsmöglichkeit eines Supraleiteraufbaus nach der Erfindung sowiewhich Fig. 1 shows a basic form is a superconductor construction according to the invention, and
deren Fig. 2 einen Ausschnitt aus dem Schichtensystem dieses Supraleiteraufbaus.their Fig. 2 a detail of the system of layers of this superconducting structure.
In den Figuren sind sich entsprechende Teile jeweils mit den selben Bezugszeichen versehen.In the figures, corresponding parts are each with the provided with the same reference numerals.
Bei der Gestaltung des Supraleiteraufbaus nach der Erfindung wird von an sich bekannten Ausführungsformen ausgegangen (vgl. die eingangs genannte Literaturstelle "Appl. Super cond." oder die WO 00/468663). Der Supraleiteraufbau, der in Fig. 1 allgemein mit 2 bezeichnet ist, umfasst deshalb zu mindest einen auch als Substrat zu bezeichnenden, langge streckten Träger 3 mit einer Dicke d1. Auf dem Träger sind wenigstens zwei auch als Pufferschichten zu beschichtende Zwischenschichen 4 bzw. 5 mit Dicken d2 bzw. d3 abgeschieden. Auf dem so gebildeten Zwischenschichtsystem 6 ist eine Schicht 7 mit einer Dicke d4 aus einem speziellen HTS- Material aufgebracht.When designing the superconductor structure according to the invention, it is assumed that the embodiments are known per se (cf. the "Appl. Super cond." Reference mentioned at the beginning or WO 00/468663). The superconductor structure, which is generally designated 2 in FIG. 1, therefore comprises at least one elongated carrier 3 with a thickness d1, which can also be referred to as a substrate. At least two intermediate layers 4 and 5, which are also to be coated as buffer layers, are deposited on the carrier with thicknesses d2 and d3. A layer 7 with a thickness d4 of a special HTS material is applied to the intermediate layer system 6 thus formed.
Für den Träger 3 wird eine Platte oder ein Band oder eine sonstige langgestreckte Struktur aus einem besonderen metal lischen Material mit der an sich beliebigen Dicke d1 und den für den jeweiligen Anwendungsfall geforderten Abmessungen seiner Fläche verwendet. Der Träger kann dabei auch Teil ei nes Verbundkörpers mit mindestens noch einem weiteren, in der Figur nicht dargestellten Element sein. Dieses Element kann zur mechanischen Verstärkung und/oder zur elektrischen Stabi lisierung vorgesehen werden und befindet sich beispielsweise auf der dem Zwischenschichtsystem 6 abgewandten Seite des Trägers. Ein solches weiteres Element kann beispielsweise aus Cu bestehen. For the carrier 3 , a plate or a tape or other elongated structure made of a special metallic material with the thickness d1 and the dimensions of its area required for the respective application are used. The carrier can also be part of a composite body with at least one further element, not shown in the figure. This element can be provided for mechanical reinforcement and / or for electrical stabilization and is located, for example, on the side of the carrier facing away from the interlayer system 6 . Such a further element can consist of Cu, for example.
Für den erfindungsgemäßen Aufbau soll als metallisches Mate rial für den Träger 3 Nickel (Ni) oder eine Ni-Legierung ge wählt sein. Seine dem Zwischenschichtsystem 6 zugewandte Oberfläche soll dabei eine biaxiale Textur aufweisen (soge nannte "Würfellagentextur"). Entsprechende Träger werden auch als "RABiTS" bezeichnet (vgl. die genannten WO 00/46863).For the structure according to the invention, 3 nickel (Ni) or a Ni alloy should be selected as the metallic material for the carrier. Its surface facing the interlayer system 6 should have a biaxial texture (so-called "cube-layer texture"). Corresponding carriers are also referred to as "RABiTS" (cf. WO 00/46863 mentioned).
Als HTS-Materialien kommen alle bekannten metalloxidischen Hoch-Tc-Supraleitermaterialien in Frage, die sich vom Typ (RE)1M2Cu3Ox ableiten lassen. Bevorzugt wird ein YBCO-Material vorgesehen. Die Dicke d4 der entsprechenden HTS-Schicht 7 ist an sich unkritisch und liegt im Allgemeinen unter 5 µm. Im Hinblick auf eine hohe Stromtragfähigkeit können aber auch noch größere Schichtdicken gewählt werden. Gegebenenfalls kann auf dieser Schicht noch mindestens eine weitere Schicht wie z. B. eine Schutzschicht oder eine Stabilisierungsschicht, insbesondere aus Ag oder einer Ag-Legierung aufgebracht sein.All known metal oxide high-T c superconductor materials that can be derived from the (RE) 1 M 2 Cu 3 O x type are suitable as HTS materials. A YBCO material is preferably provided. The thickness d4 of the corresponding HTS layer 7 is not critical per se and is generally less than 5 μm. In view of a high current carrying capacity, even larger layer thicknesses can be selected. If necessary, at least one further layer such as e.g. B. a protective layer or a stabilizing layer, in particular made of Ag or an Ag alloy.
Abweichend von der bekannten Ausführungsform eines Supralei teraufbaus gemäß der WO 00/46863 bestehen die beiden Zwi schenschichten 4 und 5 des Schichtensystems 6 des Schichtauf baus 2 nach der Erfindung aus einem Ce-Oxid, insbesondere CeO2. Dabei liegt die Dicke d2 der ersten, dem Träger 3 zuge wandten Schicht 5 vorzugsweise über 10 nm und kann im Allge meinen bis 200 nm, gegebenenfalls bis 2 µm reichen. Die zwei te, der YBCO-Schicht 7 zugewandte Zwischenschicht 5 kann die selbe Dicke d3 haben; im Allgemeinen ist diese Schicht jedoch vergleichsweise dünner oder höchstens gleich dick. Beispiels weise liegt die Dicke d3 zwischen 50 nm und 200 nm.In a departure from the known embodiment of a superstructure according to WO 00/46863, the two intermediate layers 4 and 5 of the layer system 6 of the layer structure 2 according to the invention consist of a Ce oxide, in particular CeO 2 . The thickness d2 of the first layer 5 facing the carrier 3 is preferably above 10 nm and can generally mean up to 200 nm, optionally up to 2 μm. The second te, the YBCO layer 7 facing intermediate layer 5 may have the same thickness d3; in general, however, this layer is comparatively thinner or at most of the same thickness. For example, the thickness d3 is between 50 nm and 200 nm.
Alle Schichten des Supraleiteraufbaus werden mit Hilfe an sich bekannter Abscheideverfahren unter Aufheizung des Trä gers aufgebracht. Die Abscheidung erfolgt dabei im Allgemei nen unter einer sauerstoffarmen oder -freien oder -reduzie renden Bedingung, z. B. bei einem Sauerstoffpartialdruck p (O2) mit 10-6 mbar < p (O2) < 10-2 mbar. All layers of the superconductor structure are applied with the aid of known deposition processes while heating the carrier. The deposition takes place in general under a low-oxygen or -free or -reduzie-reducing condition, for. B. at an oxygen partial pressure p (O 2 ) with 10 -6 mbar <p (O 2 ) <10 -2 mbar.
Fig. 2 zeigt als Ausschnitt des Supraleiteraufbaus 2 nach Fig. 1 die beiden Zwischenschichten 4 und 5 des Schichten systems 6 in vergrößerter Darstellung. Dabei wurde von einer Ausführungsform ausgegangen, bei der die Schichtdicken d2 und d3 etwa gleich groß sind und beispielsweise jeweils 100 nm betragen. Wie aus der stark schematisierten Figur ersichtlich ist, zeigen beide Schichten aus dem CeO2-Material unvermeid lich auftretende Risse 9 bzw. 10. Vorteilhaft liegen jedoch diese Risse in unterschiedlichen Bereichen des Schichtensys tems, so dass dieses eine praktisch nicht-durchbrochene Dif fusionsbarriere zwischen dem Ni-Material des Trägers 3 und einer aufzubringenden YBCO-Schicht 7 bildet. Dies lässt sich dadurch gewährleisten, dass bei der Herstellung des Schicht systems 6 dafür gesorgt wird, dass die Risse 9 schon in der ersten Zwischenschicht 4 entstehen, noch bevor die zweite Zwischenschicht 5 aufgebracht wird. Hierzu kann vorteilhaft eine Belüftung der ersten Zwischenschicht mit Sauerstoff, insbesondere unmittelbar nach deren Abscheidung, erfolgen, da sich unstöchiometrisches CeO2 nach einem Fluten mit Sauer stoff zusammenzieht. Eine Vakuumanlage zum Abscheiden der Zwischenschicht z. B. unter dem vorgenannten geringen Sauer stoffpartialdruck p (O2) kann einfach vor dem Aufbringen der zweiten Schicht einmal belüftet und/oder geöffnet werden. Hierbei ist ein solcher Sauerstoffdruck oder ein Sauerstoff partialdruck zu wählen, dass eine vollständige Oxidation der ersten CeO2-Zwischenschicht 4 sichergestellt ist. So würde eine O2-Atmosphäre von 10-3 mbar nur zu einer unstöchiometri schen CeO2-Zwischenschicht führen. Im Allgemeinen reicht aber ein O2-Druck von 50 mbar, vorzugsweise von mindestens 100 mbar, aus. Erfahrungsgemäß sollte aber dieser Druck deut lich höher als bei dem Beschichtungsprozess liegen. Bei spielsweise wird ein Druck von 200 mbar p (O2) gewählt. Ein Abkühlen des Aufbaus aus Träger 3 und erster Zwischenschicht 4 bei der Herstellung ist für eine Entstehung der Risse in der ersten Schicht nicht erforderlich. Danach werden die zweite Zwischenschicht 5 aus CeO2 und anschließend die YBCO- Schicht 7 erzeugt. Fig. 2 shows a detail of the superconductor structure 2 of FIG. 1, the two intermediate layers 4 and 5 of the layer system 6 in an enlarged view. An embodiment was assumed in which the layer thicknesses d2 and d3 are approximately the same size and are each 100 nm, for example. As can be seen from the highly schematic figure, both layers of the CeO 2 material inevitably show cracks 9 and 10 respectively. However, these cracks are advantageously in different areas of the layer system, so that it forms a practically non-perforated diffusion barrier between the Ni material of the carrier 3 and a YBCO layer 7 to be applied . This can be ensured by making sure that the cracks 9 already form in the first intermediate layer 4 before the second intermediate layer 5 is applied during the production of the layer system 6 . To this end, the first intermediate layer can advantageously be aerated with oxygen, in particular immediately after its deposition, since unstoichiometric CeO 2 contracts after flooding with oxygen. A vacuum system for separating the intermediate layer z. B. under the aforementioned low oxygen partial pressure p (O 2 ) can be easily ventilated and / or opened once before the application of the second layer. In this case, such an oxygen pressure or an oxygen partial pressure is to be selected that complete oxidation of the first CeO 2 intermediate layer 4 is ensured. An O 2 atmosphere of 10 -3 mbar would only lead to an unstoichiometric CeO 2 intermediate layer. In general, however, an O 2 pressure of 50 mbar, preferably at least 100 mbar, is sufficient. Experience has shown that this pressure should be significantly higher than in the coating process. For example, a pressure of 200 mbar p (O 2 ) is selected. A cooling of the structure of the carrier 3 and the first intermediate layer 4 during production is not necessary for the cracks to form in the first layer. Then the second intermediate layer 5 made of CeO 2 and then the YBCO layer 7 are produced.
Bei dem vorstehend geschilderten Ausführungsbeispiel wurde davon ausgegangen, dass das Zwischenschichtsystem 6 lediglich aus zwei diskreten CeO2-Zwischenschichten 4 und 5 gebildet wird. Selbstverständlich kann das Zwischenschichtsystem auch eine größere Anzahl von einzelnen Zwischenschichten aufwei sen, insbesondere wenn es um eine bessere Diffusionsdichtheit geht. So können beispielsweise beliebig viele 100 nm dicke Zwischenschichten aufgebracht werden, solange nach jeder ein zelnen Schicht eine Sauerstoffbeladung z. B. durch Belüftung erfolgt. Die maximale Dicke der einzelnen Zwischenschichten hängt dabei im Wesentlichen nur von dem maximal möglichen O2- Partialdruck während des Abscheidungsvorganges ab. Die Ge samtdicke des Zwischenschichtsystems und damit die Anzahl der einzelnen Zwischenschichten hängt dabei auch von dem Ausdeh nungskoeffizienten des Zwischenschichtsystems ab, der im All gemeinen auf die Ausdehnungskoeffizienten des Trägermaterials und/oder Supraleitermaterials abgestimmt sein sollte.In the exemplary embodiment described above, it was assumed that the intermediate layer system 6 is only formed from two discrete CeO 2 intermediate layers 4 and 5 . Of course, the intermediate layer system can also have a larger number of individual intermediate layers, especially when it comes to better diffusion tightness. For example, any number of 100 nm thick intermediate layers can be applied, as long as an individual load of z. B. done by ventilation. The maximum thickness of the individual intermediate layers essentially depends only on the maximum possible O 2 partial pressure during the deposition process. The overall thickness of the interlayer system and thus the number of individual interlayers also depends on the expansion coefficient of the interlayer system, which should generally be matched to the expansion coefficient of the carrier material and / or superconductor material.
Claims (10)
einem biaxial texturierten Träger (3) aus Nickel-Material,
einem auf dem Träger (3) abgeschiedenes Zwischenschicht system (6), das zumindest eine dem Träger (3) zugewandten, erste Zwischenschicht (4) aus einem Cer-Oxid und eine dar auf aufgebrachte, zweite Zwischenschicht (5) aus einem Cer-Oxid aufweist
und
einer auf dem Zwischenschichtsystem (6) abgeschiedenen Supraleitungsschicht (7) aus einem Hoch-Tc- Supraleitermaterial vom Typ (RE)M2Cu3Ox, wobei die Kompo nente RE wenigstens ein Seltenes Erdmetall (einschließlich Yttrium) und die Komponente M wenigstens ein Erdalkalime tall enthalten.1. Elongated superconductor structure ( 2 ) for carrying an electric current in a predetermined direction with at least the following parts, namely with
a biaxially textured carrier ( 3 ) made of nickel material,
an intermediate layer system ( 6 ) deposited on the carrier ( 3 ), the at least one first intermediate layer ( 4 ) facing the carrier ( 3 ) made of a cerium oxide and a second intermediate layer ( 5 ) made of a cerium oxide applied thereon having
and
one on the interlayer system ( 6 ) deposited superconducting layer ( 7 ) made of a high-T c - superconducting material of the type (RE) M 2 Cu 3 O x , wherein the component RE at least one rare earth metal (including yttrium) and the component M at least contain an alkaline earth metal tall.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10226392A DE10226392C1 (en) | 2002-06-13 | 2002-06-13 | Longitudinally extending superconducting structure comprises a biaxially textured support made from nickel, an intermediate system deposited on the support and a superconducting layer made from a high Tc superconducting material |
| PCT/DE2003/001755 WO2003107446A2 (en) | 2002-06-13 | 2003-05-28 | Elongate superconductor structure comprising a high-tc superconductor material, an oxidic intermediate layer system, and a nickel support, and method for the production of said structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10226392A DE10226392C1 (en) | 2002-06-13 | 2002-06-13 | Longitudinally extending superconducting structure comprises a biaxially textured support made from nickel, an intermediate system deposited on the support and a superconducting layer made from a high Tc superconducting material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10226392C1 true DE10226392C1 (en) | 2003-08-28 |
Family
ID=27635344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10226392A Expired - Fee Related DE10226392C1 (en) | 2002-06-13 | 2002-06-13 | Longitudinally extending superconducting structure comprises a biaxially textured support made from nickel, an intermediate system deposited on the support and a superconducting layer made from a high Tc superconducting material |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10226392C1 (en) |
| WO (1) | WO2003107446A2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004060615B4 (en) * | 2004-02-10 | 2006-07-06 | Siemens Ag | superconductor composite |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046863A1 (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-10 | Siemens Aktiengesellschaft | HIGH Tc SUPERCONDUCTOR STRUCTURE PLACED ON A METALLIC SUBSTRATE AND COMPRISING AN INTERMEDIATE LAYER CONSISTING OF MULTIPLE LAYERS |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5741377A (en) * | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
-
2002
- 2002-06-13 DE DE10226392A patent/DE10226392C1/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-28 WO PCT/DE2003/001755 patent/WO2003107446A2/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046863A1 (en) * | 1999-02-01 | 2000-08-10 | Siemens Aktiengesellschaft | HIGH Tc SUPERCONDUCTOR STRUCTURE PLACED ON A METALLIC SUBSTRATE AND COMPRISING AN INTERMEDIATE LAYER CONSISTING OF MULTIPLE LAYERS |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| A. GOYAL, et al.: Epitaxial superconductors on rolling assisted biaxially-textured substrates (RABITS): a route towards high optical current density wire. In: Applied Superconductivity, Vol. 4, 10-11, Oct. 96, S. 403-427 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004060615B4 (en) * | 2004-02-10 | 2006-07-06 | Siemens Ag | superconductor composite |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003107446A2 (en) | 2003-12-24 |
| WO2003107446A3 (en) | 2004-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1797599B1 (en) | Resistive type superconductive current-limiting device comprising a strip-shaped high-tc-superconductive path | |
| DE69115209T2 (en) | Method for producing a superconducting component with a reduced thickness of the superconducting oxide layer and superconducting component produced thereby. | |
| EP1155461B1 (en) | HIGH Tc SUPERCONDUCTOR STRUCTURE PLACED ON A METALLIC SUBSTRATE AND COMPRISING AN INTERMEDIATE LAYER CONSISTING OF MULTIPLE LAYERS | |
| DE3878884T2 (en) | JOSEPHSON FACILITIES, CONSTRUCTED FROM A JOSEPHSON TRANSITIONAL STRUCTURE, SUITABLE FOR AN OXIDE SUPER LADDER. | |
| DE3810243C2 (en) | Superconducting thin films and process for their preparation | |
| DE69218735T2 (en) | Method of making an artificial Josephson grain boundary transition element | |
| DE10226392C1 (en) | Longitudinally extending superconducting structure comprises a biaxially textured support made from nickel, an intermediate system deposited on the support and a superconducting layer made from a high Tc superconducting material | |
| DE69218388T2 (en) | Superconducting device with an extremely thin channel made of superconducting oxide and its manufacturing process | |
| DE4444937A1 (en) | Process for producing an elongated high-T¶c¶ superconductor with a Bi-2223 phase | |
| DE69210523T2 (en) | Process for the production of superconducting layers of superconducting oxide in which non-superconducting regions occur and process for the production of a component which contains such layers | |
| DE69132038T2 (en) | Superconductor junction structure and method of manufacturing the same | |
| DE69010445T2 (en) | Superconducting device. | |
| DE4120258A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A LAYER FROM A HIGH-TEMPERATURE SUPER-CONDUCTOR MATERIAL ON A SILICON SUBSTRATE | |
| EP0922307B1 (en) | Series of layers and component containing such | |
| DE4104592A1 (en) | Epitaxial deposition of high temp. ceramic superconductor on silicon@ - using an intermediate layer of which the first part is deposited by sputtering in an oxygen-free high pressure ambient | |
| DE3822905C2 (en) | ||
| DE4208952C2 (en) | Superconducting connecting device between two conductor elements made of high-temperature superconductor material | |
| EP0405677B1 (en) | Superconducting electronic thin-layer device and method for fabricating the same | |
| DE19754669C1 (en) | Process for producing a ribbon-shaped superconductor with high-T¶c¶ superconductor material, and superconductor produced using the process | |
| DE4109766C2 (en) | Process for making grain boundary Josephson contact | |
| DE4141228A1 (en) | GRAIN LIMIT JOSEPHONE ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
| DE3018510A1 (en) | JOSEPHSON TRANSITIONAL ELEMENT | |
| DE3924022C2 (en) | Process for producing a Josephson tunnel element with metal oxide superconductor material | |
| DE4227163C2 (en) | Josephson contact between two conductor pieces made of high-T¶c¶ superconductor material and method for producing this contact | |
| WO2006037742A1 (en) | Device for resistively limiting current, comprising a strip-shaped high-tc-super conductor path |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
| 8304 | Grant after examination procedure | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |