DE102024201763A1 - Method for measuring an actual orientation of a reflection surface of an actuator-tiltable individual mirror and measuring device for carrying out the method - Google Patents
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Abstract
Zur Vermessung einer Ist-Orientierung einer Reflexionsfläche eines aktorisch verkippbaren Nutz-Einzelspiegels (18i) einer Einzelspiegel-Gruppe einer Facetten-Spiegeleinrichtung wird ein Deformationsverhalten einer Einzelspiegel-Halterung (35) ermittelt, an der die Einzelspiegel (18i) der Einzelspiegel-Gruppe montiert sind. Einer der Einzelspiegel der Einzelspiegel-Gruppe wird als Mess-Einzelspiegel (43) vorgegeben. Messlicht (50) wird von einer Messlichtquelle (51) über eine Mess-Reflexionsfläche des Mess-Einzelspiegels (43) hin zu einem ortsauflösenden Sensor (49) zum Messen einer Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des Mess-Einzelspiegels (43) geführt. Die zu vermessende Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des Nutz-Einzelspiegels (18i) wird aus der gemessenen Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des Mess-Einzelspiegels (43) und dem ermittelten Deformationsverhalten der Einzelspiegel-Halterung (35) ermittelt. Dieses Verfahren ist Teil eines Korrekturverfahrens der Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des aktuierbaren Nutz-Einzelspiegels (18i). Zur Durchführung des Verfahrens dient eine Messeinrichtung (48), aufweisend den mindestens einen Mess-Einzelspiegel (43) und mindestens einen ortsauflösenden Sensor (49). Mit dem Messverfahren lässt sich eine Reflexionsflächen-Orientierung von aktorisch verkippbaren Nutz-Einzelspiegeln, die in Facetten-Spiegeleinrichtungen entsprechender lithographischer Projektionsbelichtungsanlagen zum Einsatz kommen können, mit ausreichender Präzision angeben und korrigieren. To measure an actual orientation of a reflection surface of an actuator-tiltable useful individual mirror (18 i ) of an individual mirror group of a facet mirror device, a deformation behavior of an individual mirror holder (35) on which the individual mirrors (18 i ) of the individual mirror group are mounted is determined. One of the individual mirrors of the individual mirror group is specified as the individual measuring mirror (43). Measuring light (50) is guided from a measuring light source (51) across a measuring reflection surface of the individual measuring mirror (43) to a spatially resolving sensor (49) for measuring an actual orientation of the reflection surface of the individual measuring mirror (43). The actual orientation of the reflection surface of the individual useful mirror (18 i ) to be measured is determined from the measured actual orientation of the reflection surface of the individual measuring mirror (43) and the determined deformation behavior of the individual mirror holder (35). This method is part of a correction method of the actual orientation of the reflection surface of the actuatable individual useful mirror (18 i ). A measuring device (48) having at least one individual measuring mirror (43) and at least one spatially resolving sensor (49) is used to carry out the method. The measuring method can be used to specify and correct a reflection surface orientation of actuator-tiltable individual useful mirrors, which can be used in facet mirror devices of corresponding lithographic projection exposure systems, with sufficient precision.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vermessung einer Ist-Orientierung einer Reflexionsfläche eines aktorisch verkippbaren Nutz-Einzelspiegels einer Einzelspiegel-Gruppe einer Facetten-Spiegeleinrichtung. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Korrektur einer derartigen Ist-Orientierung, eine Messeinrichtung zur Durchführung eines derartigen Verfahrens, eine Korrekturvorrichtung zur Durchführung eines derartigen Verfahrens, eine optische Baugruppe mit einer derartigen Messeinrichtung oder mit einer derartigen Korrekturvorrichtung, eine Beleuchtungsoptik mit einer derartigen optischen Baugruppe, ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Herstellungsverfahren für ein mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil unter Verwendung einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauelement.The invention relates to a method for measuring an actual orientation of a reflection surface of an actuator-tiltable individual useful mirror of an individual mirror group of a facet mirror device. The invention further relates to a method for correcting such an actual orientation, a measuring device for carrying out such a method, a correction device for carrying out such a method, an optical assembly with such a measuring device or with such a correction device, an illumination optics with such an optical assembly, an optical system with such an illumination optics, a projection exposure system with such an optical system, a manufacturing method for a micro- or nanostructured component using such a projection exposure system and a micro- or nanostructured component manufactured using this method.
Die
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Reflexionsflächen-Orientierung von aktorisch verkippbaren Nutz-Einzelspiegeln, die in Facetten-Spiegeleinrichtungen entsprechender lithographischer Projektionsbelichtungsanlagen zum Einsatz kommen können, mit ausreichender Präzision anzugeben.It is an object of the present invention to provide a reflection surface orientation of actuator-tiltable individual mirrors, which can be used in facet mirror devices of corresponding lithographic projection exposure systems, with sufficient precision.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Messverfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved according to the invention by a measuring method having the features specified in claim 1.
Bei der Facetten-Spiegeleinrichtung kann es sich um eine Facetten-Spiegeleinrichtung einer Beleuchtungsoptik einer lithographischen Projektionsbelichtungsanlage handeln.The facet mirror device can be a facet mirror device of an illumination optics of a lithographic projection exposure system.
Der zu vermessende Nutz-Einzelspiegel führt beim Einsatz innerhalb einer derartigen Facettenspiegeleinrichtung Beleuchtungslicht hin zu einem Objektfeld.When used within such a facet mirror device, the individual useful mirror to be measured directs illumination light towards an object field.
Der Nutz-Einzelspiegel kann eine Feldfacette und/oder eine Pupillenfacette sein. Beispiele hierfür sind angegeben in der
Das Deformationsverhalten der Einzelspiegel-Halterung kann bei Messverfahren über mindestens eine der nachfolgenden Varianten ermittelt werden:
- - Durch eine Kalibrierungsmessung, bei der einer jeweiligen Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des Mess-Einzelspiegels eine Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des zu vermessenden Nutz-Einzelspiegels zugeordnet wird;
- - Eine Simulation eines Deformationsverhaltens der Einzelspiegel-Halterung;
- - Eine Berechnung eines Deformationsverhaltens der Einzelspiegel-Halterung, beispielsweise in Form einer Biegebalken-Deformation, insbesondere durch Einsatz numerischer Verfahren wie beispielsweise Finite Elemente.
- - By means of a calibration measurement in which an actual orientation of the reflection surface of the individual measuring mirror is assigned to an actual orientation of the reflection surface of the individual useful mirror to be measured;
- - A simulation of the deformation behavior of the single mirror mount;
- - A calculation of a deformation behavior of the single mirror holder, for example in the form of a bending beam deformation, in particular by using numerical methods such as finite elements.
Im Rahmen des Vermessungsverfahrens kann genau ein Einzelspiegel der Einzelspiegel-Gruppe als Mess-Einzelspiegel vorgegeben werden. Alternativ kann auch eine Mehrzahl der Einzelspiegel der Einzelspiegel-Gruppe als Mess-Einzelspiegel vorgegeben werden, beispielsweise zwei oder drei Einzelspiegel.As part of the measurement procedure, exactly one individual mirror from the individual mirror group can be specified as the individual measuring mirror. Alternatively, a majority of the individual mirrors from the individual mirror group can be specified as the individual measuring mirrors, for example two or three individual mirrors.
Eine Orientierungsvermessung gemäß dem angegebenen Verfahren ermöglicht das Überwachen einer Verkippung bzw. Deformation der Einzelspiegel der Einzelspiegel-Gruppe, die an der Einzelspiegel-Halterung angebracht ist.An orientation measurement according to the specified method enables the monitoring of a tilt or deformation of the individual mirrors of the individual mirror group attached to the individual mirror holder.
Eine jeweilige Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des vermessenen Nutz-Einzelspiegels kann sich aufgrund von Aktorkräften beispielsweise einer Einzelspiegel-Aktorik oder auch aufgrund von Temperaturänderungen von Komponenten der Facetten-Spiegeleinrichtung ergeben. Ursächlich hierfür kann beispielsweise ein thermisches Ungleichgewicht zwischen Nutz-Einzelspiegeln, die mit Beleuchtungslicht beaufschlagt werden, und Einzelspiegeln ergeben, die nicht mit dem Beleuchtungslicht beaufschlagt werden. Ein solches thermisches Ungleichgewicht kann wiederum ursächlich sein für eine thermische Deformation der Einzelspiegel-Halterung.The respective actual orientation of the reflection surface of the measured individual useful mirror can result from actuator forces, for example from an individual mirror actuator, or from temperature changes of components of the facet mirror device. The cause of this can be, for example, a thermal imbalance between individual useful mirrors that are exposed to illumination light and individual mirrors that are not exposed to the illumination light. Such a thermal imbalance can in turn be the cause of thermal deformation of the individual mirror holder.
Die Orientierungsvermessung mehrerer Nutz-Einzelspiegel der Einzelspiegel-Gruppe nach Anspruch 2 führt zu einem besonders aussagekräftigen Messergebnis. Diese mehreren Nutz-Einzelspiegel-Orientierungen können sequentiell und/oder parallel vermessen werden. Insbesondere können alle Nutz-Einzelspiegel der Einzelspiegel-Gruppe hinsichtlich ihrer Ist-Orientierung vermessen werden.The orientation measurement of several useful individual mirrors of the individual mirror group according to
Eine Temperaturerfassung nach Anspruch 3 ermöglicht es, das Messverfahren auch hinsichtlich einer Temperatur der jeweils vermessenen Komponente thermisch zu kalibrieren. Dies kann im Rahmen einer temperaturabhängigen Korrektur oder Kompensation entsprechender Ist-Orientierungen der Nutz-Einzelspiegel genutzt werden.A temperature detection according to
Ein Korrekturverfahren nach Anspruch 4 nutzt das Ergebnis des Messverfahrens zur Verbesserung einer Präzision einer Vorgabe einer Beleuchtungslicht-Führung über den jeweiligen Nutz-Einzelspiegel. Insbesondere ein Beleuchtungssetting, also eine Beleuchtungswinkelverteilung und/oder Beleuchtungsintensitätsverteilung des Beleuchtungslichts über das Objektfeld, kann dann präzise vorgegeben werden. Mit dem Korrekturverfahren kann eine Regelung der Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des mindestens einen Nutz-Einzelspiegels und insbesondere aller Nutz-Einzelspiegel der jeweiligen Einzelspiegel-Gruppe erreicht werden.A correction method according to
Ein Korrekturverfahren mit einer Grundjustage nach Anspruch 5 erzeugt gut reproduzierbare Startbedingungen insbesondere für das Korrekturverfahren. Das Messverfahren und/oder das Korrekturverfahren können im Rahmen einer derartigen Grundjustage durchgeführt werden. Bei der vorgegebenen Referenz-Kraft, die die Einzelspiegel-Aktorik auf die Nutz-Einzelspiegel ausübt, kann es sich um eine minimale Kraft handeln. Eine derartige minimale Kraft kann im Rahmen einer Kalibrierungsmessung bestimmt werden.A correction method with a basic adjustment according to
Bei der Referenz-Kraft kann es sich alternativ auch um einen vorgegebenen Bruchteil einer Maximalkraft handeln, die die Einzelspiegel-Aktorik auf die Nutz-Einzelspiegel ausüben kann, beispielsweise um die halbe Maximalkraft. Die Maximalkraft kann im Rahmen einer Kalibrierungsmessung bestimmt werden.Alternatively, the reference force can be a specified fraction of a maximum force that the individual mirror actuator can exert on the individual mirrors, for example half the maximum force. The maximum force can be determined as part of a calibration measurement.
Eine Messeinrichtung nach Anspruch 6 hat diejenigen Vorteile, die vorstehend unter Bezugnahme auf das Messverfahren einerseits und auf das Korrekturverfahren andererseits bereits erläutert wurden. Mithilfe des ortsauflösenden Sensors lässt sich eine Ist-Orientierung des Mess-Einzelspiegels mit hoher Präzision vermessen. Bei dem ortsauflösenden Sensor kann es sich um ein Array aus Sensorpixeln handeln. Der ortsauflösende Sensor kann als CMOS-Array, als CCD-Array oder auch als PSD (Position Sensitive Device)-Detektor ausgeführt sein. Bei einer Messlichtquelle zur Erzeugung von Messlicht, das mit dem ortsauflösenden Sensor der Messeinrichtung detektiert wird, kann es sich um eine Nutz-Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage handeln, deren Bestandteil der Nutz-Einzelspiegel ist. Alternativ kann die Messeinrichtung auch eine separate Messlichtquelle aufweisen. Im Regelfall hat die Facetten-Spiegeleinrichtung mehrere Einzelspiegel-Gruppen. Bei einer Variante kann die Facetten-Spiegeleinrichtung genau eine Einzelspiegel-Gruppe aufweisen.A measuring device according to
Bei einer weiteren Ausführung der Messeinrichtung kann ein Mess-Einzelspiegel der Messeinrichtung auch mehreren, miteinander insbesondere in Wirkverbindung stehenden, Einzelspiegel-Gruppen zugeordnet sein.In a further embodiment of the measuring device, an individual measuring mirror of the measuring device can also be assigned to several individual mirror groups, in particular those that are operatively connected to one another.
Die Vorteile einer Korrekturvorrichtung nach Anspruch 7 entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit dem Korrekturverfahren bereits erläutert wurden.The advantages of a correction device according to
Die Vorteile einer optischen Baugruppe nach Anspruch 8, einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 9, eines optischen Systems nach den Ansprüchen 10 oder 11, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 13 und eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 14 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das Messverfahren, auf das Korrekturverfahren und auf die Messeinrichtung bereits erläutert wurden. Hergestellt werden kann mit dem Verfahren insbesondere ein hochintegriertes HalbleiterBauelement, beispielsweise ein Mikrochip, insbesondere ein Speicherchip.The advantages of an optical assembly according to
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
-
1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie, wobei eine Beleuchtungsoptik geschnitten und eine Projektionsoptik stark schematisch gezeigt ist; -
2 eine Aufsicht auf einen Feldfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik nach1 ; -
3 und4 Aufsichten auf weitere Ausführungen eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik nach1 ; -
5 perspektivisch eine Ansicht einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage; -
6 in einem schematischen Querschnitt ein Facettenmodul des Feldfacettenspiegels mit mehreren Facetten bzw. mehreren zu Facetten gruppierbaren Einzelspiegeln, angeordnet auf einem Spiegelträger des Feldfacettenspiegels, wobei das Facettenmodul und der Spiegelträger bei den vorstehend dargestellten Ausführungen des Feldfacettenspiegels zum Einsatz kommen können; -
7 eine Aufsicht auf das Facettenmodul nach6 , gesehen aus Blickrichtung VII in6 ; -
8 im Vergleich zu6 stärker schematisch das Facettenmodul in einer Seitenansicht, wobei eine Facettenhalterung des Facettenmoduls in verschiedenen, übertrieben dargestellten Durchbiegungs-Situationen gezeigt ist; -
9 in einer zu8 ähnlichen Darstellung das Facettenmodul einschließlich einer Messeinrichtung zur Durchführung eines Verfahrens zur Vermessung einer Ist-Orientierung einer Reflexionsfläche eines aktorisch verkippbaren Nutz-Einzelspiegels, also einer Feldfacette bei der Ausführung der Feldfacettenspiegel nach den2 bis 4 oder eines Einzelspiegels bei der Ausführung des Feldfacettenspiegels nach5 ; -
10 in einem Diagramm kumulierte Aktorkräfte, die auf eine Aktorik zur Verkippung der Nutz-Einzelspiegel des Feldfacettenspiegels bei verschiedenen, mit der Beleuchtungsoptik einstellbaren Beleuchtungssettings einwirken; und -
11 in einem zu10 vergleichbaren Diagramm, gemessene Verkippungen der Reflexionsfläche eines Mess-Einzelspiegels der Messeinrichtung bei den Beleuchtungssettings nach10 .
-
1 schematically shows a projection exposure system for EUV microlithography, with an illumination optics sectioned and a projection optics shown highly schematically; -
2 a top view of a field facet mirror of the illumination optics according to1 ; -
3 and4 Top views of further versions of a field facet mirror of the illumination optics according to1 ; -
5 a perspective view of another embodiment of the illumination optics of the projection exposure system; -
6 in a schematic cross-section a facet module of the field facet mirror with several facets or several individual mirrors that can be grouped into facets, arranged on a mirror carrier of the field facet mirror, wherein the facet module and the mirror carrier can be used in the above-described designs of the field facet mirror; -
7 a top view of the facet module after6 , seen from direction VII in6 ; -
8 compared to6 more schematically, the facet module in a side view, showing a facet holder of the facet module in various, exaggerated deflection situations; -
9 in a8 similar representation, the facet module including a measuring device for carrying out a method for measuring an actual orientation of a reflection surface of an actuator-tiltable individual useful mirror, i.e. a field facet when designing the field facet mirror according to the2 to 4 or a single mirror when designing the field facet mirror according to5 ; -
10 in a diagram cumulative actuator forces acting on an actuator for tilting the useful individual mirrors of the field facet mirror in different lighting settings adjustable with the illumination optics; and -
11 in one10 comparable diagram, measured tilts of the reflection surface of a single measuring mirror of the measuring device in the lighting settings according to10 .
Das von der Lichtquelle emittierte Beleuchtungslicht 3 wird zunächst von einem Kollektor 4 gesammelt. Hierbei kann es sich, abhängig vom Typ der Lichtquelle 2, um einen Ellipsoid-Spiegel oder um einen genesteten Kollektor handeln. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das Beleuchtungslicht 3 einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 5 und trifft anschließend auf einen Feldfacettenspiegel 6. Ausführungsbeispiele des Feldfacettenspiegels 6 werden nachfolgend noch erläutert. Vom Feldfacettenspiegel 6 wird das Beleuchtungslicht 3 hin zu einem Pupillenfacettenspiegel 7 reflektiert. Über die Facetten des Feldfacettenspiegels 6 einerseits und des Pupillenfacettenspiegels 7 andererseits wird das Beleuchtungslichtbündel in eine Mehrzahl von Ausleuchtungskanälen aufgeteilt, wobei jedem Ausleuchtungskanal genau ein Facettenpaar mit einer Feldfacette und einer Pupillenfacette zugeordnet ist. Die jeweilige Feldfacette und/oder die jeweilige Pupillenfacette eines der Ausleuchtungskanäle kann ihrerseits aus einer Gruppe von dieser Facette zugeordneten Einzelspiegeln aufgebaut sein, wie nachfolgend ebenfalls noch erläutert wird.The
Eine dem Pupillenfacettenspiegel 7 nachgeordnete Folgeoptik 8 führt das Beleuchtungslicht 3, also das Licht aller Ausleuchtungskanäle, hin zu einem Objektfeld 9. Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 7 sowie die Folgeoptik 8 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 10 zur Ausleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, das mit dem Objektfeld 9 zusammenfällt und daher nachfolgend ebenfalls als Objektfeld bezeichnet wird. Das Objektfeld 9 liegt in einer Objektebene 11 einer der Beleuchtungsoptik 10 nachgeordneten Projektionsoptik 12 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Die Form des Objektfeldes 9 hängt von der nachfolgend noch erläuterten Ausführung der Beleuchtungsoptik 10 einerseits und der Projektionsoptik 12 andererseits ab.A follow-up
Für die gesamte Projektionsbelichtungsanlage 1 nach
Eine im Objektfeld 9 angeordnete Struktur auf einem Retikel 12a, also auf einer zu projizierenden Maske, wird mit der Projektionsoptik 12 um einen Verkleinerungsmaßstab verkleinert auf ein Bildfeld 13 in einer Bildebene 14 abgebildet. Das Retikel 12a wird von einem Retikelhalter 12b getragen.A structure arranged in the
Der Verkleinerungsmaßstab beträgt bei der Projektionsoptik 12 4x. Auch andere Verkleinerungsmaßstäbe, z. B. 5x, 6x, 8x oder 10x, sind möglich.The reduction scale for the projection optics is 12 4x. Other reduction scales, e.g. 5x, 6x, 8x or 10x, are also possible.
Am Ort des Bildfeldes 13 ist ein Wafer 13a angeordnet, auf den die Struktur des Retikels zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils, beispielsweise eines Halbleiterchips, übertragen wird. Der Wafer wird von einem Waferhalter 13b getragen. Der Retikelhalter 12b ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 12c längs der y-Richtung, die auch als Objektverlagerungsrichtung bezeichnet ist, verlagerbar. Über einen Waferverlagerungsantrtieb 13c ist der Waferhalter 13b synchronisiert zum Retikelverlagerungsantrieb 12c ebenfalls längs der y-Richtung verlagerbar. Je nach Auslegung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder Stepper kann diese Verlagerung kontinuierlich und/oder schrittweise erfolgen.A
Die Folgeoptik 8 zwischen dem Pupillenfacettenspiegel 7 und dem Objektfeld 9 hat drei weitere EUV-Spiegel 15, 16, 17. Der letzte EUV-Spiegel 17 vor dem Objektfeld 9 ist als Spiegel für streifenden Einfall (grazing incidence-Spiegel) ausgeführt. Bei alternativen Ausführungen der Beleuchtungsoptik 10 kann die Folgeoptik 8 auch mehr oder weniger Spiegel aufweisen oder sogar ganz entfallen. Im letzteren Fall wird das Beleuchtungslicht 3 vom Pupillenfacettenspiegel 7 direkt zum Objektfeld 9 geführt.The follow-up
Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein xyz-Koordinatensystem verwendet. In der
Eines der Facettenmodule 19 ist in der
Der Feldfacettenspiegel 6 nach
Die Feldfacetten 18 haben eine in Bezug auf eine Projektion auf die xy-Ebene, also in Bezug auf eine Haupt-Reflexionsebene des Feldfacettenspiegels 6, eine zueinander kongruente Bogen- bzw. Teilringform, die zur Form mit dem Feldfacettenspiegel nach
Das Objektfeld 9 (vgl. auch
Insgesamt hat der Feldfacettenspiegel 6 nach
Die Feldfacetten 18 des Feldfacettenspiegels 6 nach
Die Projektionsflächen der Reflexionsflächen von mindestens zwei der Feldfacetten 18 auf die Basisebene des Feldfacettenspiegels 6, also auch die xy-Ebene unterscheidet sich aufgrund ihrer variierenden Erstreckung längs der x-Richtung auch in dem Bogenwinkel, den sie überstreichen. Anders ausgedrückt, haben nicht alle der Feldfacetten 18 des Feldfacettenspiegels 6 nach
Die Gesamtheit aller 416 Feldfacetten 18 des Feldfacettenspiegels 6 nach
Längs der Spalten Si ist die Anordnung der Feldfacetten 18 des Feldfacettenspiegels 6 nach
Auch Ausgestaltungen des Feldfacettenspiegels 6 sind möglich, bei denen sich die Projektionen der Reflexionsflächen von mindestens zwei der Feldfacetten 18 auf die xy-Basisebene in ihrer Form unterscheiden. So können beispielsweise Feldfacetten 18 mit unterschiedlicher y-Erstreckung zum Einsatz kommen.Designs of the
Der Feldfacettenspiegel 6 nach
Über die aktorisch einstellbaren Kippwinkel der Einzelspiegel ES sind der Feldfacette 261 über den Ausleuchtungskanal 31 vier Einzelspiegel ES des Pupillenfacettenspiegels 25 zugeordnet, die in Form eines 2 x 2-Arrays die Pupillenfacette 271 des Pupillenfacettenspiegels 25 bilden. Über eine entsprechende aktorische Kipp-Einstellung, die wiederum Beleuchtungssetting-abhängig ist, sind die Einzelspiegel ES dieser Pupillenfacette 271 so vorgegeben, dass über den Ausleuchtungskanal 31 das Objektfeld 9 ausgeleuchtet wird.Via the actuator-adjustable tilt angles of the individual mirrors ES, four individual mirrors ES of the
Entsprechend hervorgehoben sind in der
Die beiden Facettenspiegel 24 und 25 können, insbesondere nach Art von MEMS-Spiegeln, in gleicher Weise aufgebaut sein und jeweils eine Vielzahl der Einzelspiegel ES aufweisen. Diese Einzelspiegel ES sind wiederum in Module gruppiert, die, was deren grundsätzlichen Aufbau angeht, den Facettenmodulen 19 der vorstehend erläuterten Ausführungen des Feldfacettenspiegels 6 entsprechen. Bei der nachfolgenden Beschreibung eines derartigen Moduls wird ein Modul, aufweisend eine Mehrzahl von Feldfacetten beschrieben; entsprechend kann ein derartiges Modul aber auch eine Mehrzahl von Einzelspiegeln ES oder auch eine Mehrzahl von monolithischen Pupillenfacetten eines entsprechenden Pupillenfacettenspiegels aufweisen.The two facet mirrors 24 and 25 can be constructed in the same way, in particular in the manner of MEMS mirrors, and each have a plurality of individual mirrors ES. These individual mirrors ES are in turn grouped into modules which, in terms of their basic structure, correspond to the
Das Facettenmodul 19 hat ein Aktuatormodul 33 zur aktorischen Verkippung der einzelnen Spiegel des Facettenmoduls 19, bei denen es sich entsprechend den vorstehenden Ausführungen um monolithische Feldfacetten nach Art der Feldfacetten 18, um monolithische Pupillenfacetten oder auch um Einzelspiegel ES handeln kann.The
Die nachfolgende Beschreibung bezieht sich auf die Varianten, bei denen es sich bei den einzelnen Spiegeln um Feldfacetten 18 handelt. In gleicher Weise kann eine aktorische Verkippung von monolithischen Pupillenfacetten oder auch von Einzelspiegeln erfolgen. Diese monolithischen Feldfacetten, monolithischen Pupillenfacetten und Einzelspiegel werden nachfolgend insgesamt als Nutz-Einzelspiegel der jeweiligen Facettenspiegeleinrichtung bezeichnet.The following description refers to the variants in which the individual mirrors are
Dargestellt sind in der
Die Einzelspiegel-Halterung 35 ist als Halteplatte mit jeweils einer Durchtrittsöffnung am Ort der Gelenkverbindung 34i ausgeführt. Die Einzelspiegel-Halterung 35 ist über Lagerpunkte 36, 37 an einem Gehäuse 38 des Aktuatormoduls 33 gelagert.The
Über einen jeweiligen Facetten- oder Spiegelstift 39i ist ein Grundkörper der jeweiligen Feldfacette 18i mit einem Aktuator-Permanentmagnet 40i fest verbunden. Über den Facettenstift 39i erfolgt zudem eine Verbindung der jeweiligen Feldfacette 18i an der Gelenkverbindung 34i.A base body of the
Die Aktuator-Permanentmagneten 40i sind jeweiligen Aktuator-Elektromagneten 41i zugeordnet, die im Gehäuse 38 des Aktuatormoduls 33 untergebracht sind.The actuator permanent magnets 40 i are assigned to respective actuator electromagnets 41 i , which are housed in the
Durch Ansteuerung und entsprechende Bestromung der Aktuator-Elektromagnete 41i können die Aktuator-Permanentmagnete 40i der jeweiligen Feldfacetten 18i unabhängig voneinander ausgelenkt werden, wie in der
Elf der zwölf Feldfacetten 18 sind Nutz-Einzelspiegel zur Vorgabe entsprechender Ausleuchtungskanäle 3i. Eine zwölfte Facette, die in der
Aufgrund der Durchbiegung der Einzelspiegel-Halterung 35 in der durchgebogenen Lagesituation 45 ergibt sich insbesondere im äußeren Randbereich der Einzelspiegel-Halterung 45 benachbart zu den äußeren Lagerpunkten 36, 37 eine deutliche Abweichung zwischen den Richtungen der Referenz-Normalen 46, 47 am Ort des entsprechenden, von der Einzelspiegel-Halterung 35 gehaltenen Nutz-Einzelspiegel. Um eine entsprechende Richtungsänderung wird aufgrund dieser Durchbiegung ein Ist-Kippwinkel des jeweiligen Nutz-Einzelspiegels beeinflusst.Due to the deflection of the
Wie die
Zur Messeinrichtung 48 gehört neben dem Mess-Einzelspiegel 43 noch ein ortsauflösender Sensor 49, der als CMOS- oder als CCD-Sensorpixelarray oder als PSD-Detektor ausgeführt sein kann. Der ortsauflösende Sensor 49 ist in einem Messlicht-Strahlengang von Messlicht 50 angeordnet, das über den Mess-Einzelspiegel 43 geführt ist. Bei dem Messlicht 50 kann es sich um das Beleuchtungslicht 3 handeln. Dargestellt ist der Messlicht-Strahlengang ausgehend vom Zwischenfokus IF des Beleuchtungslichts 3 in der Zwischenfokusebene 5.In addition to the
Alternativ kann die Messeinrichtung 48 auch eine von der Lichtquelle separate Messlichtquelle 51 aufweisen, was in der
Eine Position eines Auftrefforts A des Messlichts 50 auf dem ortsauflösenden Sensor 49 ist ein Maß für die Richtungsdifferenz ΔR (x, y) am Ort des Mess-Einzelspiegels 43 und somit ein Maß für eine Deformation, insbesondere für eine Durchbiegung der Einzelspiegel-Halterung 35 aufgrund kumulierter Aktorkräfte, die zur Verkippung auf die Nutz-Einzelspiegel, also insbesondere auf die Feldfacetten 18i über das Aktuatormodul 33, ausgeübt werden.A position of an impact point A of the measuring
Die Messeinrichtung 48 ist Bestandteil einer Korrekturvorrichtung 52, zu der zusätzlich noch eine Steuer/Regeleinrichtung 53 gehört, die mit dem Aktuatormodul 33 in Signalverbindung steht, was in der
Die Messeinrichtung 48 kann grundsätzlich noch mindestens einen Temperatursensor 54 aufweisen.The measuring device 48 can in principle also have at least one
Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 7, der Feldfacettenspiegel 24 und der Pupillenfacettenspiegel 25 sind Beispiele einer Facetten-Spiegeleinrichtung einer optischen Baugruppe, zu der die Messeinrichtung 48 bzw. die Korrekturvorrichtung 52 gehört. The
Eine Ist-Orientierung einer Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 182 also Beispiel für einen aktorisch verkippbaren Nutz-Einzelspiegel einer Einzelspiegel-Gruppe einer derartigen Facetten-Spiegeleinrichtung kann mithilfe der Messeinrichtung 48 wie folgt vermessen werden:
- Initial wird bei dem Messverfahren ein Deformationsverhalten der Einzelspiegel-
Halterung 35 ermittelt. Dies kann durch eine analytische Simulation eines Deformationsverhaltens der Einzelspiegel-Halterung 35 und/oder durch eine Finite-Elemente-Rechnung und/oder durch eine Simulation des Deformationsverhaltens erfolgen.
- Initially, the measurement method determines a deformation behavior of the
individual mirror holder 35. This can be done by an analytical simulation of a deformation behavior of theindividual mirror holder 35 and/or by a finite element calculation and/or by a simulation of the deformation behavior.
Zur Vorbereitung des Messverfahrens wird einer der Einzelspiegel der Einzelspiegel-Gruppe, also im vorstehend beschriebenen Beispiel eine der Feldfacetten 18i des Facettenmoduls 19 als der Mess-Einzelspiegel 43 vorgegeben. Auch eine Mehrzahl entsprechender Mess-Einzelspiegel 43 kann vorgegeben und im weiteren Messverfahren zur Messlicht-Führung und Messlicht-Detektion genutzt werden.To prepare the measuring process, one of the individual mirrors of the individual mirror group, i.e. in the example described above one of the
Es wird dann das Messlicht 50 von einer Messlichtquelle, bei der es sich um die Lichtquelle 2 oder um die separate Messlichtquelle 51 handeln kann, über eine Mess-Reflexionsfläche des Mess-Einzelspiegels 43 hin zum ortsauflösenden Sensor 49 zum Messen einer entsprechenden Ist-Orientierung der Mess-Reflexionsfläche des Mess-Einzelspiegels 43 geführt.The measuring
Aus der gemessenen Ist-Orientierung der Mess-Reflexionsfläche des Mess-Einzelspiegels 43 und dem ermittelten Deformationsverhalten können dann die Ist-Orientierungen der anderen Reflexionsflächen der Nutz-Einzelspiegel 18i des Facettenmoduls 19 ermittelt werden.From the measured actual orientation of the measuring reflection surface of the
Das Deformationsverhalten der Einzelspiegel-Halterung 35 kann auch durch eine Kalibrierungsmessung ermittelt werden, bei der einer jeweiligen Ist-Orientierung einer Mess-Reflexionsfläche des Mess-Einzelspiegels 43 eine Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des zu vermessenden Nutz-Einzelspiegels zugeordnet wird.The deformation behavior of the
Mittels des Temperatursensors 54 der Messeinrichtung 48 kann eine Temperatur der Einzelspiegel-Halterung 35 und/oder des Mess-Einzelspigels 43 und/oder mindestens eines der Nutz-Einzelspiegels 18i des Facettenmoduls 19 erfasst und einer gemessenen Ist-Orientierung des Mess-Einzelspiegels 43 zugeordnet werden. Hierdurch kann ein Temperatureinfluss auf vorgegebene Kippwinkel der Nutz-Einzelspiegel verringert und gegebenenfalls sogar vollständig eliminiert werden.By means of the
Das Messverfahren kann Teil eines Verfahrens zur Korrektur einer Ist-Orientierung einer Reflexionsfläche des aktuierbaren Nutz-Einzelspiegels 18i bzw. ES des Facettenmoduls 19 sein. Hierbei wird zunächst eine Soll-Orientierung der entsprechenden Reflexionsfläche des Nutz-Einzelspiegels 18i bzw. ES vorgegeben. Nach Durchführung des beschriebenen Messverfahrens kann dann ein Abgleich der ermittelten Ist-Orientierung der Reflexionsfläche des Nutz-Einzelspiegels 18i bzw. ES mit der vorgegebenen Soll-Orientierung durchgeführt werden. Abhängig von dem Vergleichsergebnis kann dann die Aktorik des Nutz-Einzelspiegels 18i bzw. ES zur Annäherung der Ist-Orientierung an die Soll-Orientierung angesteuert werden, sobald der Vergleich ergibt, dass eine Orientierungsdifferenz zwischen der Soll-Orientierung und der Ist-Orientierung größer ist, als ein vorgegebener Toleranzwert.The measuring method can be part of a method for correcting an actual orientation of a reflection surface of the actuatable individual
Zur Vorbereitung des Korrekturverfahrens kann eine Grundjustage der jeweiligen Facetten-Spiegeleinrichtung 6, 7, 24, 25 durchgeführt werden, bei der eine initiale Ist-Orientierung der Nutz-Einzelspiegel 18i bzw. ES bei einer Beleuchtungswinkelverteilung aktorisch angesteuert wird, bei der eine Einzelspiegel-Aktorik, gemittelt über die Nutz-Einzelspiegel 18i bzw. ES dieser Facetten-Spiegeleinrichtung und insbesondere eines betrachteten Facettemoduls der Facetten-Spiegeleinrichtung integral eine minimale Kraft auf die Nutz-Einzelspiegel ausübt. Eine derartige Grundjustage bei geringster kumulativer aktorischer Kraft auf die Nutz-Einzelspiegel verringert störende Aktorik-Einflüsse auf eine initiale Kippstellung der Nutz-Einzelspiegel.In preparation for the correction process, a basic adjustment of the respective
Nach Durchführung insbesondere des Orientierungs-Korrekturverfahrens kann ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauteil mittels der Projektionsbelichtungsanlage 1 hergestellt werden.After carrying out the orientation correction process in particular, a micro- or nanostructured component can be produced by means of the projection exposure system 1.
Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden das Retikel und der Wafer bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikrostruktur auf dem Wafer und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.To produce a micro- or nanostructured component, the projection exposure system 1 is used as follows: First, the reticle and the wafer are prepared. A structure on the reticle is then projected onto a light-sensitive layer of the wafer using the projection exposure system 1. By developing the light-sensitive layer, a microstructure is then created on the wafer and thus the microstructured component.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Das Retikel wird dabei in der y-Richtung während der Projektionsbelichtung kontinuierlich verlagert. Alternativ ist auch eine Ausgestaltung als Stepper möglich, bei der das Retikel schrittweise in der y-Richtung verlagert wird. The projection exposure system 1 is designed as a scanner. The reticle is continuously displaced in the y-direction during the projection exposure. Alternatively, a design as a stepper is also possible, in which the reticle is displaced step by step in the y-direction.
Soweit die Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner ausgeführt ist, verläuft die Scanrichtung y parallel zur Querdimension x des Objektfeldes 9.If the projection exposure system 1 is designed as a scanner, the scanning direction y runs parallel to the transverse dimension x of the
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
-
DE 10 2017 204 104 A1 [0002]
DE 10 2017 204 104 A1 [0002] -
DE 10 2017 212 622 A1 [0002]
DE 10 2017 212 622 A1 [0002] -
DE 10 2012 218 155 A1 [0002]
DE 10 2012 218 155 A1 [0002] - US 8,958,053 B2 [0002]US 8,958,053 B2 [0002]
- US 2011/0122389 A1 [0002]US 2011/0122389 A1 [0002]
-
DE 10 2009 030 501 A1 [0007]
DE 10 2009 030 501 A1 [0007] -
DE 10 2012 224 022 A1 [0060]
DE 10 2012 224 022 A1 [0060] - US 10,303,065 B2 [0060]US 10,303,065 B2 [0060]
Claims (14)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102024201763.9A DE102024201763A1 (en) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | Method for measuring an actual orientation of a reflection surface of an actuator-tiltable individual mirror and measuring device for carrying out the method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102024201763.9A DE102024201763A1 (en) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | Method for measuring an actual orientation of a reflection surface of an actuator-tiltable individual mirror and measuring device for carrying out the method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102024201763A1 true DE102024201763A1 (en) | 2025-02-20 |
Family
ID=94391083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102024201763.9A Pending DE102024201763A1 (en) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | Method for measuring an actual orientation of a reflection surface of an actuator-tiltable individual mirror and measuring device for carrying out the method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102024201763A1 (en) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009030501A1 (en) | 2009-06-24 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging optics for imaging an object field in an image field and illumination optics for illuminating an object field |
US20110122389A1 (en) | 2008-07-30 | 2011-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102012224022A1 (en) | 2012-12-20 | 2013-10-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Arrangement for actuation of optical element in optical system, has actuator for exerting force on optical element, where actuator is arranged within vacuum-tight housing, and optical element is arranged outside the housing |
DE102012218155A1 (en) | 2012-10-04 | 2014-06-12 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Method for preparation of input for rider of e.g. passenger car on touch-sensitive display, involves displaying a section of graphical interface on display unit, in response to detecting that driver needs to perform the input process |
US8958053B2 (en) | 2010-08-11 | 2015-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and alignment method |
DE102017204104A1 (en) | 2017-03-13 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV collector for use in an EUV projection exposure system |
DE102017212622A1 (en) | 2017-07-24 | 2017-09-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Measuring device for determining a spatial position of an illumination light beam path of an EUV projection exposure apparatus |
US10303065B2 (en) | 2012-11-29 | 2019-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Arrangement for actuating at least one optical element in an optical system |
-
2024
- 2024-02-27 DE DE102024201763.9A patent/DE102024201763A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110122389A1 (en) | 2008-07-30 | 2011-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102009030501A1 (en) | 2009-06-24 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging optics for imaging an object field in an image field and illumination optics for illuminating an object field |
US8958053B2 (en) | 2010-08-11 | 2015-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and alignment method |
DE102012218155A1 (en) | 2012-10-04 | 2014-06-12 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Method for preparation of input for rider of e.g. passenger car on touch-sensitive display, involves displaying a section of graphical interface on display unit, in response to detecting that driver needs to perform the input process |
US10303065B2 (en) | 2012-11-29 | 2019-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Arrangement for actuating at least one optical element in an optical system |
DE102012224022A1 (en) | 2012-12-20 | 2013-10-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Arrangement for actuation of optical element in optical system, has actuator for exerting force on optical element, where actuator is arranged within vacuum-tight housing, and optical element is arranged outside the housing |
DE102017204104A1 (en) | 2017-03-13 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV collector for use in an EUV projection exposure system |
DE102017212622A1 (en) | 2017-07-24 | 2017-09-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Measuring device for determining a spatial position of an illumination light beam path of an EUV projection exposure apparatus |
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