DE102016217452A1 - Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers und einer elektrischen Schaltung - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims 1
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 12
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 3
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 241001473877 Biserrula isolate Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001062472 Stokellia anisodon Species 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 210000002023 somite Anatomy 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
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Abstract
Ein Ausführungsbeispiel schafft ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers mit mindestens einem Kontaktierungspfad. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte Bereitstellen der Transferfolie, auf welche der mindestens eine Kontaktierungspfad auf einer Innenseite vorliegt und Vergießen eines Materials auf die Innenseite der Folie, so dass dieses nach dem Aushärten den Schaltungsträger formt. Nach dem Aushärten wird die Transferfolie entfernt, sodass der Kontaktierungspfad im ausgehärteten Material verbleibt, d. h. transferiert wurde.
Description
- Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers und einer komplexen elektrischen Schaltung sowie auf einen Schaltungsträger selbst, insbesondere einen Schaltungsträger bestehend aus Epoxy Molding Compound (EMC) und Leiterbahnen aus elektrisch leitfähigen Strukturen, und auf eine komplexe elektrische Schaltung.
- Elektrische Schaltungen werden häufig unter Zuhilfenahme von Basis-Schaltungsträgern, wie z. B. PCB (Printed Circuit Boards) aufgebaut. Diese PCB haben sich in den letzten Jahren am Markt etabliert. Dabei werden glasfaserverstärkte, duroplastische Lagen strukturiert, metallisiert und in einem Pressvorgang als Stapel schichtweise angeordnet und zusammen gepresst. Nachfolgend wird mittels Galvanisierungsprozesse und Bohrtechnologien ein Schaltungsbild, inklusive Durchkontakte erzeugt. U. a. werden Sensoren und Elektroniken auf diesen Leiterplatten aufgeklebt, elektrisch über, z. B. Drahtbonds kontaktiert und anschließend durch eine Pressmasse (EMC) eingehaust/verkapselt. Aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aller beteiligten Komponenten (Silizium-Chip, Leiterplatte, Pressmasse und Kleber) ergeben sich thermomechanische Spannungen (CTE Mismatch). Beispielsweise wird häufig das Packaging-Material so gewählt, dass dessen Wärmeausdehnungskoeffizient näher zum Chip als an die Leiterplatte angepasst ist. Bezogen auf das Temperatur-Einsatzspektrum kann das zum Drift von Sensorsignalen führen. Ferner führt das häufig zu Haft-Problemen an den Grenzflächen aufgrund von Spannungen zwischen Leiterplatte und Packaging-Material oder dazu, dass separate Mittel, wie z. B. Klebeschichten als Trennschicht zwischen Chip und Schaltungsträger, zur Verminderung bzw. Entkoppelung der Spannungen vorgesehen werden müssen.
- Alternativ zu PCBs sind aus der Literatur kupferkaschierte Folien (RSS-Resin Coated Cupper) bekannt (
DE 10 2009 029 201 A1 ), welche auf der freigestellten Seite der Siliziumchips aufgebracht und durch Via-Technologien elektrisch kontaktiert werden. Im Nachgang kann dann ebenfalls eine Einhausung, wie oben beschrieben, erfolgen. - Ein alternatives Verfahren zur Einhausung von Sensoren und Elektroniken sind substratlose Moldgehäuse (eWLB). Dabei werden Sensoren und Elektroniken auf einem temporären Träger angeordnet und mit einer duroplastischen Verguss- oder Pressmasse verkapselt. Nach dem Ablösen des temporären Trägers können die freigestellten Silizium-Chips durch nasschemische Umverdrahtungsprozesse verschalten und elektrisch kontaktiert werden.
- Dieser Prozess wird nachfolgend anhand der
5a –5d erläutert. Hierbei illustriert5a den ersten Schritt der Lamination der Folie10 (z. B. Klebefolie) auf den Träger20 (Carrier). Dazu kommt ein Laminationswerkzeug zum Einsatz. In5b ist der nächste Schritt das Positionieren der einzelnen elektrischen Bauelemente12a und12b , wie z. B. von (Logik-)Chips dargestellt. Diese werden auf einer Oberfläche der aufgebrachten Folie10 so positioniert, dass diese relativ zueinander ihre endgültige Endposition einnehmen. - In
5c ist dann der Träger20 nach dem „Mold-Prozess” (Verkapselungsprozess) dargestellt. Dabei wurde das EMC (Epoxy Molding Compound, Gussharz)14 , im Regelfall unter Temperatur- und/oder Druckeinsatz auf die Folie10 bzw. die aufgebrachten Bauelemente12a und12b transfergepresst. Wenn dann das EMC14 ausgehärtet ist, kann im nächsten Schritt (vgl.5d ) der Carrier20 und die Folie10 wieder entnommen werden, so dass die in den Träger (resultierend aus dem EMC14 ) eingegossenen und positionierten Bauelemente12a und12b zurückbleiben. Auf der Unterseite, auf welcher vorher die Folie10 anhaftete, bildet sich eine ebene Oberfläche aus, an welcher beispielsweise die Kontakte der elektrischen Bauelemente12a und12b herausragen. Durch dieses dargestellte Verfahren können Sensoren und andere Elektronikbauelemente effektiv eingehaust werden ohne auf einem Schaltungsträger aufgebracht worden zu sein und somit die gesamte Bauteilhöhe reduziert wird. - Zur Weiterverarbeitung wird dann im Regelfall eine nasschemische Umverdrahtung durchgeführt, wie sie in
5e dargestellt ist. Hierbei wird an der unteren Oberfläche (freigelegte Oberfläche) dann die endgültige Verdrahtung der Bauelemente nasschemisch oder additiv erzeugt, so dass final z. B. Solder Balls aufgebracht werden können, um die gehäusten Chips weiter zu verwenden. -
5f illustriert ein Werkzeug, welches beim Film-Assisted-Molding zum Einsatz kommt. Bei diesem Verfahren werden zwei Folien10a und10b , d. h. einmal für die Ober- und einmal für die Unterseite eingesetzt. - Das Werkzeug umfasst eine Form für die Unterseite
20a und eine Form für die Oberseite20b . Diese Folien10a und10b werden durch ein Werkzeug, hier unter Zuhilfenahme der Rollen20r auf Position geführt. Anschließend werden die Folien10a und10b durch ein Verfahren der Rollen20r nach oben für das obere Werkzeug20b und nach unten für das untere Werkzeug20a angelegt und mittels Unterdruck an die Werkzeugkavität10k fixiert. Danach wird der Prozessraum (abgebildet durch die Kavität10k ) mit z. B. Bestückten Leadframenutzen (12a /e mit Chip12c ) und dem EMC (nicht dargestellt) bestückt. Dann fahren beide Werkzeughälften20a und20b zusammen und zwischen den Folien10a und10b wird die Kavität10k ausgebildet. In einem nächsten Schritt wird dann in die Kavität10k das aufgeschmolzene EMC (nicht dargestellt) transfergepresst und unter Temperatur- und Druckeinfluss ausgehärtet. Nach dem Aushärten ist dieses Moldmaterial fest und umschließt die elektrischen Bauelemente12a /e und12c . Die Form der Werkzeugteile20a und20b legt die Form des hergestellten Gehäuses fest. Zum Auswerfen des so geformten Gehäuses mit den verkapselten Schaltungsträgers und den elektrischen Bauelementen wird nun das Werkzeug20a /20b geöffnet und mittels des Verfahrens der Rollen20r sowie des Zurückbewegen des Werkzeuge20a und20b (oberes Werkzeug20b nach unten sowie unteres Werkzeug20a nach oben) die Folien10a und10b vom Werkzeug entfernt, so dass das Gehäuse mit den eingeschlossenen Schaltungsträger12a /e und Bauelement12c ausgeworfen wird. Zum Schluss erfolgt ein Folientransport, wobei das Gehäuse mit den eingeschlossenen Schaltungsträger12a /e und Bauelement12c entnommen sowie der nächste Produktionszyklus begonnen wird. - Die hier dargestellten Schritte dieses sogenannten Film-Assisted Molding heben sich von dem üblichen Transfer Molding in der Art ab, dass durch den Einsatz der Folie
10a und10b die Standzeit des Werkzeuges20a und20b erhöht wird, da es dadurch nicht mit dem EMC in Berührung kommt. Des Weiteren werden Unebenheiten bist zu einem bestimmten Limit durch den Folieneinsatz10a und10b kompensiert und zudem wird eine gute Abdichtung der Kavität10k erreicht. Durch das Entwerfen des Gehäuses mittels der Folie10a und10b werden zusätzliche Auswerfersysteme eingespart. - Ausgehend von der sehr hohen Komplexität der hier erläuterten Prozesse und ausgehend davon, dass die resultierenden Produkte Nachteile, z. B. in Hinsicht auf das CTE Mismatch, haben sowie ausgehend davon, dass immer dünnere, platzsparende und hochintegrierte Gehäuselösungen benötigt werden, besteht der Bedarf nach einem verbesserten Ansatz.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es ein Herstellungsverfahren für Schaltungsträger und elektrische Schaltungen zu schaffen, das in Hinblick auf Komplexität sowie auf die Produktqualität des herzustellenden Produkts verbessert ist.
- Die Aufgabe wird durch die unabhängigen Patentansprüche gelöst.
- Ein Ausführungsbeispiel schafft ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers mit mindestens einem Kontaktierungspfad. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen der Transferfolie, auf welche der mindestens eine Kontaktierungspfad auf einer Innenseite vorliegt und Vergießen eines Materials auf die Innenseite der Folie, so dass dieses nach dem Aushärten den Schaltungsträger formt. Nach dem Aushärten wird die Transferfolie entfernt, sodass der Kontaktierungspfad allerdings im ausgehärteten Material verbleibt, d. h. transferiert wurde. Entsprechend weiteren Ausführungsbeispielen erfolgt bei dem Aushärten oder nach dem Aushärten ein Transfer des Kontaktierungspfads von der Transferfolie auf den Schaltungsträger, so dass beispielsweise hier auch eine mechanische Verbindung ausgebildet wird.
- Das oben beschrieben Verfahren kann entsprechend Ausführungsbeispielen auf die Herstellung einer elektrischen Schaltung mit mindestens einem elektrischen Bauelement, mindestens einem Kontaktierungspfad zur elektrischen Kontaktierung des elektrischen Bauelements sowie einem Schaltungsträger angewendet werden.
- Das Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung umfasst dann die Schritte Bereitstellen einer Transferfolie, Positionieren des mindestens einen elektrischen Bauelements auf der Innenseite der Transferfolie sowie Vergießen der elektrischen Schaltung. Das Bereitstellen der Transferfolie erfolgt derart, dass auf der Innenseite der Transferfolie der Kontaktierungspfad relativ zu dem mindestens einem elektrischen Bauelement ausgerichtet ist bzw. bevorzugterweise an Selbiges angrenzt so dass die elektrischen Kontakte des mindestens einen elektrischen Bauelements durch den Kontaktierungspfad mechanisch in Verbindung stehen. In dem letzten Schritt des Vergießens wird das Material (das Gussharz) so auf die Innenseite der Folie aufgebracht, so dass dieses dann dort aushärtet und nach dem Aushärten den Schaltungsträger formt. Durch dieses Formen erfolgt dann ein Einbetten des mindestens einen elektrischen Bauelements in den Schaltungsträger, wobei bei oder nach dem Aushärten das mindestens eine elektrische Bauelement durch den mindestens einen elektrischen Kontaktierungspfad elektrisch kontaktiert ist.
- Kern der Erfindung liegt also darin, dass durch Verwendung einer Trägerfolie als Transferelement für metallisierte Schaltkreise (Umverdrahtungsebene) das Erzeugen von metallisierten Moldsubstraten bzw. Moldgehäusen in einem Schritt realisiert werden kann. Hierbei können auch direkt elektrische Bauelemente, wie z. B. Antennen- oder RC-Elemente, durch die Metallisierungsebene hergestellt und weitere elektrische Bauelemente, wie z. B. ein Logikbauelement, in das Moldgehäuse eingebettet werden und zwar in der Art, dass eine Kontaktierung über die Umverdrahtungsebene erfolgt, um im Resultat in einem Vorgang hochkomplexe Schalungen, wie z. B. ein komplettes RFID-Tag, zu erzeugen. Dieser Transfer Molding-Prozess zum Übertragen der Metallisierungsebene direkt in das EMC ermöglicht im Resultat die Verminderung der Anzahl der Prozessschritte und damit eine Reduzierung der Prozesskosten. Des Weiteren wird das CTE-Mismatch im System erheblich vermindert, da das EMC, welches beispielsweise das Substrat bzw. das Trägersystem bildet, an die Siliziumchips (ASIC, MEMS) besser angepasst ist als viele Materialien der PCB-Technologie, d. h. für spannungssensitive und druckempfindliche Sensoren werden durch die angepassten CTE-Verhältnisse des EMCs auf den Sensor eine schonendere Verkapselung erfahren und damit bleiben diese funktionsfähig und nahezu offsetlos.
- Entsprechend weiteren Ausführungsbeispielen kann dem Schritt des Bereitstellens der Transferfolie ein Schritt des Abscheidens von mindestens einem Kontaktierungspfad auf der Innenseite der Transferfolie vorausgehen, wobei bevorzugterweise das Abscheiden derart erfolgt, dass nach dem späteren Vergießen bzw. späteren Aushärten sich der aufgebrachte Kontaktierungspfad von der Innenseite der Transferfolie löst. Entsprechend einem weiteren Ausführungsbeispiel wäre es auch denkbar, dass statt bzw. additiv zu den Kontaktierungspfaden auch Isolierungspfade, z. B. zur Isolierung der elektrischen Bauelemente oder zur Isolierung der Kontaktpfade auf die Transferfolie aufgebracht sind oder aufgebracht werden, so dass gleichzeitig beim Übertragen der Kontaktpfade auch die entsprechende Isolierung mit übertragen werden kann.
- Entsprechend einem weiteren Ausführungsbeispiel kann das oben beschriebene Verfahren auch den Schritt des Entfernens der Transferfolie nach dem Vergießen und Aushärten aufweisen, so dass dann in einem weiteren Prozessschritt die elektrische Schaltung (mit den in den Träger eingegossenen oder auf den Träger aufgesetzten Bauelementen) finalisiert werden kann.
- Entsprechend weiteren Ausführungsbeispielen kann, z. B. für den Fall, dass die Kontaktierungspfade nicht ausreichend dick sind, diese dadurch verbessert werden bzw. dadurch verstärkt werden, dass ein nasschemisches Metallisieren derselben nach dem Entfernen der Folie erfolgt.
- Entsprechend einem weiteren Ausführungsbeispiel ist nicht nur eine Transferfolie auf einer Seite der elektrischen Schaltung/Träger, sondern auch eine weitere Transferfolie auf der Oberseite der elektrischen Schaltung/Träger im Einsatz, so dass dann zwischen den zwei Innenseiten der zwei Transferfolien das eigentliche Gehäuse entsteht. Somit kann beispielsweise eine Realisierung der elektrischen Bauelemente sowohl von oben als auch von unten erfolgen. Hierbei wird dann entsprechend einem weiteren Ausführungsbeispiel der Gießvorgang über einen Seitenkanal derart durchgeführt, dass das geschmolzene EMC in dem Innenraum zwischen den zwei Innenseiten hineingepresst wird. Damit der Schaltungsträger bzw. die elektrische Schaltung eine definierte Form hat, kann entsprechend weiteren Ausführungsbeispielen ein Werkzeug eingesetzt werden, auf welches die Transferfolie in dem Vorfeld aufgebracht ist und das dann beim Aushärten bzw. beim Vergießen des Trägers/der elektrischen Schaltung die endgültige Form aufprägt. Um die eine oder zwei Transferfolien auf dem Werkzeug zu halten, kann entsprechend das Film-Assisted Molding Verfahren angewandt werden. Hierbei sei angemerkt, dass das Werkzeug im Regelfall, wie bereits oben dargestellt, ausgebildet ist, sowohl ein Temperatureintrag als auch ein Druckeintrag beim Transferpressen auf den Träger/die elektrische Schaltung ausübt.
- An dieser Stelle sei angemerkt, dass entsprechend weiteren Ausführungsbeispielen das Positionieren der elektrischen Bauelemente gegenüber der Transferfolie durch optische Unterstützungsmittel, wie z. B. eine Kamera oder ein Laser erfolgen kann. Da bereits im Vorfeld die elektrischen Kontaktpfade aufgebracht sind, kann die Positionierung der Bauelemente auch direkt zu den elektrischen Kontaktierungspfaden erfolgen. D. h. also dass beispielsweise durch eine Kamera die Kontaktierungspfade erkannt werden und die elektrischen Bauelemente auf selbe bzw. relativ zu diesen aufgebracht werden.
- Sollten zusätzlich zu den mittels der Transferfolien erfolgten Kontaktierung weitere elektrische Leitungen (z. B. nicht über die laterale, sondern über eine horizontale Ebene) notwendig sein, kann entsprechend weiteren Ausführungsbeispielen das ausgehärtete Gussmaterial gebohrt oder lasergebohrt werden, so dass dann diese gebohrten Kanäle im Nachgang metallisiert oder elektrisch leitend verfüllt werden. Hierdurch ist das Herstellen von Vias möglich, so dass beispielsweise Kontakte von der Unterseite mit Kontakten auf der Oberseite verbunden werden können.
- Entsprechend einem weiteren Ausführungsbeispiel wird ein Schaltungsträger gebildet, bei dem ein Kontaktierungspfad in den Schaltungsträger eingebettet ist. Wenn dieser Schaltungsträger, z. B. nach dem Bestücken, einem Verkapselungsprozess unterzogen und dabei vergossen wird, z. B. mit EMC, kann entsprechend Ausführungsbeispielen das Material, das den Schaltungsträger formt, einen vergleichbaren Wärmeausdehnungskoeffizenten haben wie das Material das zum Vergießen beim Verkapseln. Dies hat den Vorteil, dass ein CTE-Mismatch, Spannungen zwischen Träger und Behausung, vermieden werden können.
- Ein weiteres Ausführungsbeispiel bezieht sich auf eine elektrische Schaltung mit mindestens einem elektrischen Bauelement, mindestens einem Kontaktierungspfad zur elektrischen Kontaktierung des elektrischen Bauelements sowie ein Schaltungsträger. Hierbei ist sowohl das mindestens eine elektrische Bauelement als auch der mindestens eine elektrische Kontaktierungspfad in den Schaltungsträger eingebettet, so dass das elektrische Bauelement, der Kontaktierungspfad und der Schaltungsträger eine ebene Oberfläche ausbilden.
- Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen definiert. Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
-
1a –c schematische Illustrationen der herzustellenden elektrischen Schaltungen während der drei Basisherstellungsschritte gemäß Ausführungsbeispielen; -
1d ein schematisches Flussdiagramm des Herstellungsverfahrens gemäß Ausführungsbeispielen; -
1e ein schematisches Flussdiagramm eines erweiterten Herstellungsprozesses gemäß einem erweiterten Ausführungsbeispiel; -
2a –d schematische Darstellungen eines herzustellenden Schaltungsträgers während des Herstellungsprozesses; -
3a –e graphische Darstellungen weiterer Herstellungsmöglichkeiten eines hochintegrierten Schaltungsträgers während des Herstellungsprozesses; -
4a , b schematische Darstellungen eines zweilagigen und mit elektrischen Bauteilen bestückten Schaltungsträgers (a) vor und (b) nach dem TM-Prozess; und -
5g –f schematische Darstellungen von elektrischen Schaltungen zur Illustration von konventionellen Herstellungsverfahren. - Bevor Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung anhand der Figuren im Detail erläutert werden, sei darauf hingewiesen, dass gleiche Elemente und Strukturen mit gleichen Bezugszeichen versehen sind, so dass die Beschreibung derer aufeinander anwendbar bzw. austauschbar ist.
- Bezugnehmend auf
1a bis1d wird einerseits die Herstellung eines Schaltungsträgers und andererseits die Herstellung einer elektrischen Schaltung parallel erläutert. Wie nachfolgende Ausführungen zeigen werden unterscheiden sich diese zwei Herstellungsprozesse nur in einem Schritt. Der bezugnehmend1a bis1d erläuterte Vorgang stellt die Basisvariante dar, bei der bewusst auf optionale Schritte, wie z. B. die Nutzung von zwei Folien in Anlehnung an das Film-Assisted Molding, verzichtet wurde. -
1a trägt eine Trägerfolie10 , bei der auf der Innenseite10e eine elektrische Leiterbahn11 aufgebracht ist. Dies entspricht dem ersten Schritt110 des Herstellungsverfahrens100 , welches in1d dargestellt ist. Bei diesem Schritt wird eben die Trägerfolie10 mit der elektrischen Leiterbahn11 aufgebracht. An dieser Stelle sei angemerkt, dass die elektrische Leiterbahn11 derart aufgebracht ist, dass sie sich von der Innenseite10i der Trägerfolie10 bei Temperatureintrag oder Druckeintrag oder Verformung lösen kann. - Der nächste Schritt
120 , vgl.1d , ist ein optionaler Schritt, da dieser bei der Herstellung des Schaltungsträgers nicht notwendig ist, sondern nur bei der Herstellung der elektrischen Schaltung benötigt wird. Anders ausgedrückt heißt das, dass sich die Herstellung des Schaltungsträgers von der der elektrischen Schaltung in eben diesem Schritt unterscheiden. Beim Schritt120 des Herstellungsverfahrens für die elektrische Schaltung wird auf die Innenseite10i bzw., um genauer zu sein, auf die elektrische Leiterbahn11 ein elektrisches Bauelement12 , wie z. B. ein passives Bauelement oder ein aktives elektrisches Bauelement (z. B. Chip oder MEMS) positioniert. Die Positionierung erfolgt bevorzugterweise so, dass das elektrische Bauelement12 durch den mindestens einen Kontaktpfad11 elektrisch leitfähig kontaktiert wird. An dieser Stelle sei angemerkt, dass die Kontaktierung derzeit nur lose ist, wobei dann der eigentliche Befestigungsvorgang im Schritt130 erfolgt. - Der Schritt
130 entspricht dem Vergießen und Aushärten der bereits in der Topologie der Schaltung vorliegenden (elektrischen Bauelemente12 und) elektrischen Leiterbahnen11 . Hierbei wird ein Gussmaterial14 (EMC) auf die Innenseite10i der Trägerfolie10 aufgebracht, so dass dann nach dem Aushärten (das elektrische Bauelement12 und) der Kontaktierungspfad11 in das Gussharz14 eingebettet ist. Dieses Gussharz14 bildet im ausgehärteten Zustand den Schaltungsträger. Beim Vergießen bzw. beim Aushärten erfolgt der Transfer des elektrischen Kontaktpfads11 von der Innenseite10i auf den Schaltungsträger bzw. die elektrische Schaltung. - An dieser Stelle sei angemerkt, dass in
1c die Trägerfolie mit10* bezeichnet ist, da diese an dieser Stelle nur optional ist, da im Regelfall sich insbesondere die elektrischen Pfade12 von selbiger lösen. - Weiterhin sei angemerkt, dass die Positionierung des mindestens einem Kontaktierungspfads
11 und evtl. mindestens einem elektrischen Bauteils12 relativ zueinander mittels optischer Unterstützungsmittels positioniert werden kann, so dass die Positioniergenauigkeit maximal 500 μm, aber (alternativ) auch kleiner 50 μm sowie in der (alternativen) feinster Anwendung kleiner 5 μm betragen kann. - Nachfolgend wird Bezug nehmend auf
1e ein erweitertes Verfahren200 erläutert.1e zeigt ein Verfahren200 mit den fünf Prozessschritten210 ,220 ,230 ,240 und250 . - Der Schritt
210 bezieht sich auf das Abscheiden elektrisch leitfähiger Strukturen auf den Folienträger. Hierbei können elektr. leitfähige Tinten mittels Drucktechnik auf einen Folienträger gedruckt und vor- bis vollständig gesintert werden. Alternative kann die Metallisierung auch gewalzt, chemisch oder physikalisch abgeschieden, heißgeprägt oder aufgesprüht werden. Die Haftung der Metallisierung auf der Trägerfolie kann durch eine spezielle Oberflächenbehandlung der Folie, Antihaftschichten oder z. B. spezielle Beschichtungen, welche ihre Oberflächeneigenschaften im TM-Prozess, z. B. durch Temperatur oder Druck verändern eingestellt werden. Die so erzeugten Leiterbahnen sollen nur temporär auf dem Folienmaterial haften. Alternativ wären auch Walz- sowie PVD-Verfahren oder chemische Verfahren denkbar. - Der Schritt
220 bezieht sich auf das Übertragen der elektrisch leitfähigen Struktur auf einen EMC-Träger, z. B. mittels Transfer Molding (TM). - Der Folienträger mit elektr. leitfähigen Strukturen wird in der TM-Maschine mittels eines optischen Unterstützungsmittel und Referenzmarken auf der Folie relativ zur Kavität
10k positioniert und an das Werkzeug angelegt, so dass die Positioniergenauigkeit maximal 500 μm, aber auch kleiner 50 μm sowie in feinster Anwendung kleiner 5 μm betragen kann. Zudem kann mit Hilfe von Evakuierungsstrukturen im Moldwerkezug ein Unterdruck zwischen Folie und Werkzeug erzeugt werden, der die Folie an das Werkzeug fixiert. Die Ausrichtung der Strukturen kann dabei durch ein optisches Alignement erfolgen, da die Metallisierung exakt zu den elektrischen Anschlusskontakten der Sensoren und Elektroniken erfolgen muss. Dabei liegen die elektr. leitfähigen Strukturen auf der Werkzeugabgewandten Seite des Folienträgers. Das EMC wird in die Maschine gegeben und während des TM-Prozesses über die elektr. leitfähigen Strukturen transfergepresst. Nach der Aushärtezeit wird das ausgehärtete 2 D oder 2,5 D EMC-Substrat entnommen. Dabei lösen sich die elektr. leitfähigen Strukturen, aufgrund der schwächeren bzw. speziell eigestellten, oder im Moldprozessschritt veränderlichen (z. B. Temperatur oder Druck) Adhäsion zum Folienträger, von der Transferfolie und verbleiben haftfest direkt am EMC-Substrat. Die Metallisierung kann dabei auch dreidimensional über schräge gemoldete Flanken geführt werden. Der auf diese Weise erstellte Schaltungsträger wird fortlaufend als EMC-PCB bezeichnet. Für eine Übertragung der elektr. leitfähigen Strukturen von der Folie auf beide Seiten des EMC-PCB wird ein Folienträger mit elektr. leitfähig bedruckten Strukturen im Top- und ein weiterer im Bottom-Werkzeug eingebracht und fixiert. Sollten für eine z. B. tintenbasierte Metallisierung oder zur Steigerung der Haftung der Metallisierung an dem EMC weitere Sinterprozesse notwendig sein können diese im Temperschritt des EMC-PCBs nach dem TM-Prozess durchgeführt werden. - Der Schritt
230 ist ein rein optionaler Schritt und bezieht sich auf das Laserbohren zum Erzeugen von Vias. Bei Verwendung des EMC-PCB als reines Trägersubstrat für Sensoren und Elektronik wird dieses in diesem Prozessschritt mittels Lasertechnologie weiterverarbeitet. Der verwendete Laser soll ein Via zwischen der Top- und Bottom-Lage des EMC-PCB erzeugen. Die so erzeugten Vias können mittels Drucktechnik elektr. Leitfähig mit leitfähiger Tinte gefüllt werden oder im nächsten Prozessschritt nasschemisch metallisiert werden. Mittels der Via-Technologie können weiterhin, bei dieser Ausprägung der Erfindung, Durchkontakte durch das gesamte EMC-PCB erzeugt werden um z. B. dreilagige Stapel von einzelnen Schaltungsträger zu erzeugen und durch die Vias elektrische Verbindungen zwischen Schaltkreisen auf der Oberseite und der Unterseite des EMC-PCB zu erzeugen. - Im nächsten Schritt
240 erfolgt ein nasschemisches Metallisieren und Nachverstärken der übertragenen elektrischen Strukturen im EMC-PCB oder eine weitere Nachverarbeitung, wie z. B. ein Isolieren. Dieser Schritt240 ist ausgehend von dem Basisverfahren, das Bezug nehmend auf1d erläutert wurde, ebenfalls ein rein optionaler Schritt. - Da für einige Anwendungen eine dickere leitfähige Metallstruktur auf dem EMC-PCB, als mittels z. B. Drucktechnologie erzeugt werden kann, benötigt wird und die Zuverlässigkeit dieser Strukturen verbessert werden muss, können die elektr. leitfähigen Strukturen nasschemisch Nachverstärkt und damit auf eine beliebige Dicke aufmetallisiert werden. Bei gewalzter oder bereits auf der Transferfolie galvanisch aufgewachsener Metallisierung muss in der Regel nicht nochmals nachverstärkt werden. Die elektrisch leitfähigen Strukturen können eine Isolation nach außen benötigen. Diese kann in einem Folgeschritt durch Siebdruck eines Lötstopplackes strukturiert aufgebracht werden. Alternativ ist es denkbar, dass bei dem Transfer der Metallisierung im Moldprozess nicht nur die Metallisierung selbst, sondern auch eine Isolationsschicht mit übertragen wird. Beim Transferfolie würde es sich somit um einen hybriden Schichtaufbau handeln. Zudem würde die verminderte Adhäsion nicht zwischen Metallisierung und Transfertape, sondern zwischen Transferfolie und Isolationsschicht den Transfer gewährleisten.
- Im letzten Schritt
250 , welcher ebenfalls aus Sicht des Basisverfahrens optional ist, erfolgt das Packaging. Dieses umfasst Aufbau- und Verbindungstechnikprozesse (AVT-Prozesse), um beispielsweise zu ermöglichen, dass die mittels des Verfahrens200 hergestellte Schaltung von außen kontaktiert werden kann oder gegenüber Umwelteinflüssen geschützt ist. Das Material für die Behausung der Schaltung ist bevorzugt gleichartig oder vergleichbar wie das Material, welches den Träger formt, um eine CTE-Mismatch zu vermindern. - Je nachdem, ob bei dem Verfahren
200 ein Schaltungsträger oder eine Schaltung hergestellt wurde, kann vor dem Schritt250 entsprechend Ausführungsbeispielen ein Schritt des Bestückens des Trägers oder der Schaltung mit Bauelementen erfolgen, um die elektrische Schaltung herzustellen oder zu finalisieren. - Nachfolgend wird Bezug nehmend auf die
2a –d ein erweitertes Ausführungsbeispiel beschrieben. In2a –d wird das Erzeugen eines EMC-PCB ohne eingebettete Sensoren erläutert. Die Schaltkreise werden prozesskonform in TM-Verfahren durch Anwendung einer Transferfolie übertragen. Dieses Verfahren ist an das Film-Assisted Molding angelehnt und nutzt folglich zwei Folien zwischen welchen der Schaltungsträger hergestellt werden soll. - In dem ersten Schritt, welche in
2a dargestellt ist, wird die elektrisch leitfähige Struktur11'' auf die Folie, hier z. B. ETFE-Folien10a'' /10b'' übertragen. Dies erfolgt in dem Ausführungsbeispiel sowohl für eine Folie10a'' , die die Unterseite des EMC-Schaltungsträgers formen soll, als auch für eine Folie10b'' , die die Oberseite des EMC-Schaltungsträgers bilden soll. Diese zwei Folien10a'' /10b'' werden dann mit der Innenseite aneinanderliegend in die dargestellte Vorrichtung50 , umfassend aus einem Bodenelement50b und einem Deckelelement50d , eingelegt. Damit die Folien10a'' /10b'' an den jeweiligen Werkzeugen50b bzw.50d halten, werden diese über die Entlüftungskanäle501 über einen aufgebrachten Unterdruck an das jeweilige Werkzeug50b bzw.50d angesaugt. Beim Schließen des Werkzeugs50d und50b wird dann eine Kavität10k auf der Innenseite der zwei Folien10a'' /10b'' ausgebildet. - In einem nächsten Schritt wird dann über einen Stempel
50s des Werkzeugs50 , welcher in dem oberen Werkzeug50d eingelassen ist, eine Schmelz14'' , hier eine EMC-Schmelze, in die Kavität10k gepresst. Dieser Vorgang ist in2c dargestellt. Um die EMC-Schmelze14'' beim Fließvorgang in der Kavität10k zu unterstützen, kann entsprechend Ausführungsbeispielen das Werkzeug50b bzw.50d Heizelemente50h umfassen. Dieser Prozess wird FAM-Prozess genannt. - Das Ergebnis des FAM-Prozesses, nämlich die Leiterplatte
60 , d. h. also der EMC-Schaltungsträger (EMC-PCB)60 sind in einer Draufsicht und einer Bodendarstellung in2d dargestellt. Hierbei ist bereits die Folie10a'' /10b'' von dem ausgehärteten Material14'' , das den Leitungsträger bildet, entfernt. Wie zu erkennen ist, haben sich auf beiden Seiten die elektrischen Kontaktpfade11'' in eingebetteter Art und Weise auf der Oberfläche des ausgehärteten Leitungsträgers (vgl. Aushärtungsmaterials14'' ) ausgebildet. Bei diesen Ausführungsbeispielen umfasst die Leiterstruktur11'' auch Kontaktpunkte11''k , über die von extern aufgebrachte Bauelemente angeschlossen bzw. angelötet werden können. - Bezug nehmend auf
3a –e wird die Herstellung einer elektrischen Schaltung61 mit ebenfalls auf der Unter- und auf der Oberseite aufgebrachten Kontaktpfaden erläutert. Auch dieses Verfahren ist an das Film-Assisted Molding angelehnt. Hierbei ist zumindest ein Teil der elektrischen Kontaktpfade in eine Isolationsschicht eingebettet. -
3a zeigt eine Draufsicht und3b in der Schnittdarstellung zeigt die Folienträger10a'' /10b'' , bei dem eine Isolationsschicht13 aufgebracht ist, wobei in die Isolationsschicht13'' bzw. zumindest teilweise in die Isolationsschicht13'' der elektrische Leitungspfad11'' aufgebracht ist. Auf die eingebetteten elektrischen Pfade11'' ist ein elektrisches Bauelement12'' , wie z. B. ein ASIC aufgesetzt. Diese Einheit wird nun, wie oben erläutert, unter Zuhilfenahme des Werkzeugs50 zusammen mit einer zweiten Folie11'' , die ebenfalls Leiterbahnen11'' , Isolationsschicht13'' und elektrische Bauelemente12'' tragen kann, zusammengefügt, so dass die zwei Werkzeugeinheiten eine Kavität10k zwischen sich formen. Diese Situation ist in3c dargestellt. - Wie aus
3d ersichtlich wird, wird unter Zuhilfenahme des Stempels50s die Schmelze14'' in die Kavität10k eingepresst, die dann hier zum Aushärten kommt. - Nach dem Aushärten bildet die Schmelze
14'' den Leitungsträger, in welchem sowohl die Leitungspfade, als auch die elektrischen Bauelemente und die Isolierung eingebettet sind. Die Situation ist in der Draufsicht sowohl von unten als auch von oben in3e dargestellt. Hierbei sei angemerkt, dass in3e wiederum nur die elektrische Schaltung61 ohne die Folien10a'' /10b'' vorgesehen sind, da die Folien im Regelfall wieder entfernt werden. Insbesondere aus der Bodenansicht von3e wird ersichtlich, dass der Isolator13'' nicht vollflächig sein muss. - Da die bezugnehmend
2a –2d und3a –3e erläuterten Verfahren an das Film-Assisted Molding angelehnt sind, kann entsprechend Ausführungsbeispielen der Vorgang des Entfernens der Folien10a'' /10b'' durch Rollen (vgl. Bezugszeichen20r in5f bzw. zugehörige Beschreibung) unterstützt werden. -
4a zeigt einen EMC-Schaltungsträger, wie er beispielsweise mittels des Verfahrens aus2a –d hergestellt ist. Der EMC-Schaltungsträger hat das Bezugszeichen70 . In diesen Träger sind Leitungspfade11'' eingebettet, wobei auf die Oberfläche des Schaltungsträgers70 eine ICA-Schicht72 und ein ASIC74 aufgebracht ist. Der ASIC74 wird z. B. über Golddrähte76 mit den Leiterpfaden11'' verbunden. - Auf einer zweiten Seite des Trägers
70 befinden sich ebenfalls Leitungspfade11'' , wobei diese mittels nasschemischen Verfahrens nachverstärkt sind. Diese nasschemisch Nachverstärkungsstrukturen tragen das Bezugszeichen78 . Diese Nachverstärkungsstrukturen sind in diesem Ausführungsbeispiel derart ausgeführt, dass diese nicht nur auf der Oberfläche vorgesehen sind, sondern auch ein Via durch den Träger70 formen. Das Via hat das Bezugszeichen79 . - In diesem Ausführungsbeispiel dient die Nachverstärkungsstruktur
78 dazu, mittels eines QFN-Chips80 über ein Lot81 verbunden zu werden. - Diese gesamte Einheit mit dem auf der Oberfläche angeordnet QFN-Chip
80 und dem auf der anderen Oberfläche angeordneten ASIC74 wird in einem nachfolgenden Schritt verkapselt. - Dieser Schritt ist in
4b dargestellt. Hierbei wird die gesamte Einheit zu einem EMC-Package58 vergossen, d. h. sowohl auf einer ersten als auch auf einer zweiten Seite. Das EMC-Package58 ist in Hinsicht auf Material oder zumindest in Hinsicht auf die Wärmeausdehnungseigenschaften in einem Toleranzbereich (+/–5, 10 oder 20%) vergleichbar mit dem des EMC-Schaltungsträgers70 . - Auch wenn bei obigen Ausführungsbeispielen die Kontaktpfade
11 ,11'' in erster Linie zur Kontaktierung dienen, kann entsprechen Ausführungsbeispielen durch die Kontaktpfade selbst elektrische Bauelemente, wie Antennen-Elemente, Spulen, Widerstände oder RC-Elemente hergestellt werden. - Oben genannte Ausführungsbeispiele haben folgende Vorteile:
- • billigere Technologie für Sensorhausung als Metall-/Keramikgehäuse
- • trägt bei Ausführung als Sensorhausung zur Miniaturisierung des gesamten Bauteils bei (kein zusätzliches Substrat)
- • EMC-PCB kann sehr dünn hergestellt werden (unter 100 μm) ohne dass dies negative Auswirkungen auf das Handling im AVT-Prozess hat
- • Sensoren und andere Bauelemente können schon während des Herstellungsprozess des EMC-PCBs verkapselt und somit embedded werden (kein gesondertes Substrat, keine Klebeprozesse)
- • Weitere Funktionalisierung ohne zusätzliche Prozessschritte möglich, z. B. können Antennenstrukturen von der Folie direkt auf das Kunststoffgehäuse übertragen werden
- • durch mehrere Prozessdurchläufe sind auch flexible Mehrlagensysteme möglich mit verkapselten Bauteilen in mehreren EMC-PCB-Ebenen übereinander
- Obwohl manche Aspekte im Zusammenhang mit einer Vorrichtung beschrieben wurden, versteht es sich, dass diese Aspekte auch eine Beschreibung des entsprechenden Verfahrens darstellen, sodass ein Block oder ein Bauelement einer Vorrichtung auch als ein entsprechender Verfahrensschritt oder als ein Merkmal eines Verfahrensschrittes zu verstehen ist. Analog dazu stellen Aspekte, die im Zusammenhang mit einem oder als ein Verfahrensschritt beschrieben wurden, auch eine Beschreibung eines entsprechenden Blocks oder Details oder Merkmals einer entsprechenden Vorrichtung dar. Einige oder alle der Verfahrensschritte können durch einen Hardware-Apparat (oder unter Verwendung eines Hardware-Apparats), wie zum Beispiel einen Mikroprozessor, einen programmierbaren Computer oder eine elektronische Schaltung ausgeführt werden. Bei einigen Ausführungsbeispielen können einige oder mehrere der wichtigsten Verfahrensschritte durch einen solchen Apparat ausgeführt werden.
- Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele stellen lediglich eine Veranschaulichung der Prinzipien der vorliegenden Erfindung dar. Es versteht sich, dass Modifikationen und Variationen der hierin beschriebenen Anordnungen und Einzelheiten anderen Fachleuten einleuchten werden. Deshalb ist beabsichtigt, dass die Erfindung lediglich durch den Schutzumfang der nachstehenden Patentansprüche und nicht durch die spezifischen Einzelheiten, die anhand der Beschreibung und der Erläuterung der Ausführungsbeispiele hierin präsentiert wurden, beschränkt sei.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102009029201 A1 [0003]
Claims (20)
- Verfahren (
100 ,200 ) zur Herstellung eines Schaltungsträgers (60 ) mit mindestens einem Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) sowie einem Schaltungsträger, mit folgenden Schritten: Bereitstellen (110 ) einer Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ), auf welcher der mindestens eine Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) auf einer Innenseite (10i ) vorliegt; Vergießen (130 ) eines Materials (14 ,14'' ), so dass das Material (14 ,14'' ) auf der Innenseite (10i ) der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) aushärtet und nach dem Aushärten den Schaltungsträger (60 ) formt; und Entfernen (140 ) der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ), um den mindestens einen Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) freizulegen. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß Anspruch 1, wobei beim Vergießen der mindestens eine Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) von der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) auf den Schaltungsträger (14 ) transferiert wird. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der mindestens eine Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) bei oder nach dem Aushärten an dem Schaltungsträger (14 ) mechanisch anhaftet. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Verfahren (100 ,200 ) vor dem Bereitstellen der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) den Schritt des Abscheidens des mindestens einen Kontaktierungspfads (11 ,11'' ) auf der Innenseite (10i ) der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) aufweist; und/oder wobei das Abscheiden derart erfolgt, dass der mindestens eine Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) sich nach dem Vergießen und/oder nach dem Aushärten von der Innenseite (10i ) der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) löst. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die elektrische Schaltung mindestens einen Isolationspfad aufweist, wobei der Schritt des Bereitstellens (110 ) der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) derart ausgeführt wird, dass die Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) zusätzlich zu dem mindestens einen Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) den mindestens einen Isolationspfad aufweist und wobei bei oder nach dem Aushärten der mindestens eine Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) durch den mindestens einen Isolationspfad (13 ) isoliert wird. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Verfahren (100 ,200 ) den Schritt des Verstärkens des mindestens einen Kontaktierungspfads (11 ,11'' ) oder des Verstärkens des mindestens einen Kontaktierungspfads (11 ,11 ) durch nasschemisches Metallisieren nach dem Entfernen der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) aufweist. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Verfahren (100 ,200 ) des Bereitstellens einer weiteren Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ), auf welcher mindestens ein weiterer Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) auf einer Innenseite (10i ) vorliegt, aufweist und wobei die weitere Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) mit der Innenseite (10i ) auf der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) positioniert wird, so dass ein Innenraum zwischen der Innenseite (10i ) der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) und der Innenseite (10i ) der weiteren Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) gebildet wird. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß Anspruch 7, wobei das Vergießen derart erfolgt, dass der Innenraum (10k ) ausgefüllt wird. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Bereitstellen der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) unter Zuhilfenahme eines Moldwerkzeugs (50 ) erfolgt, das die negative Form des Schaltungsträgers (14 ) aufweist, wobei das Moldwerkzeug (50 ) auf der Außenseite der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) angeordnet ist. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß Anspruch 9, wobei die Außenseite der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) unter Zuhilfenahme von Unterdruck durch das Moldwerkzeug (50 ) gehalten wird. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß Anspruch 9 oder 10, wobei das Moldwerkzeug (50 ) ausgebildet ist, einen Temperatureintrag oder einen Druckeintrag beim Vergießen und/oder beim Aushärten bereitzustellen. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Verfahren (100 ,200 ) nach dem Vergießen und Aushärten einen weiteren Schritt des Bohrens (230 ) und/oder Laserbohrens des Schaltungsträgers (14 ) aufweist, um mindestens eine Bohrung zu erzeugen; und wobei das Verfahren (100 ,200 ) den Schritt des Füllens und/oder Metallisierens (240 ) der mindestens einen Bohrung aufweist, um mindestens ein Via im Schaltungsträger (14 ) zu erzeugen. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei das Verfahren (100 ,200 ) nach dem Vergießen und Aushärten das Packaging (250 ) des Schaltungsträgers (14 ) aufweist. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Schritt der Bereitstellen (110 ) der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) das Positionieren (120 ) des mindestens einen elektrischen Bauelements (12 ,12'' ) auf der Innenseite (10i ) der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) relativ zu dem mindestens einem Kontaktierungspfad (11 ,11'' ); und wobei bei oder nach dem Aushärten das mindestens eine elektrische Bauelement (12 ,12'' ) durch den mindestens einen Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) elektrisch kontaktiert wird. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß Anspruch 14, wobei das Positionieren des mindestens einen elektrischen Bauelements (12 ,12'' ) den Unterschritt des optischen Ausrichtens und/oder des Ausrichtens des mindestens einen elektrischen Bauelements (12 ,12'' ) gegenüber dem mindestens einen Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) aufweist. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem das Positionieren der Transferfolie relativ zum Bauelement und/oder das Positionieren des Leiterpfades auf der Transferfolie derart erfolgt, dass eine maximaler von der Deckungsgleichheit abweichenden Versatz des Leiterpfades zum Kontaktpad des Bauelement im Bereich kleiner 500 μm zulässig ist. - Verfahren (
100 ,200 ) gemäß Anspruch 14, 15 oder 16, wobei beim Vergießen des mindestens eine elektrische Bauelements (12 ,12'' ) von der Transferfolie (10 ,10a'' ,10b'' ) auf den Schaltungsträger (14 ) transferiert wird; und von dem Material (14 ,14'' ) umschlossen wird. - Schaltungsträger (
60 ) mit folgenden Merkmalen: einem ausgehärteten Material (14 ,14'' ), bei dem an einer Oberfläche mindestens ein Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) eingebettet ist, sodass der mindestens eine Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) und das ausgehärtete Material (14 ,14'' ) bündig sind. - Elektrische Schaltung (
61 ) mit folgenden Merkmalen: mindestens einem elektrischen Bauelements (12 ,12'' ), mindestens einem Kontaktierungspfad (11 ,11'' ), über welchen das elektrische Bauelements (12 ,12'' ) kontaktieret wird; und einem Schaltungsträger (14 ); wobei das mindestens eine elektrische Bauelement (12 ,12'' ) und der mindestens eine Kontaktierungspfad (11 ,11'' ) in den Schaltungsträger (14 ) eingebettet sind. - Elektrische Komponente mit einem Schaltungsträger (
60 ) nach Anspruch 17 oder einer elektrische Schaltung (61 ) nach Anspruch 19 und einer Behausung, die mit einer Toleranz von +/–10% denselben Wärmeausdehnungkoeffizienten aufweist wie der Schaltungsträger (14 ,60 ).
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