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DE102016109665A1 - Filament und leuchtvorrichtung - Google Patents

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DE102016109665A1
DE102016109665A1 DE102016109665.2A DE102016109665A DE102016109665A1 DE 102016109665 A1 DE102016109665 A1 DE 102016109665A1 DE 102016109665 A DE102016109665 A DE 102016109665A DE 102016109665 A1 DE102016109665 A1 DE 102016109665A1
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DE
Germany
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filament
strands
semiconductor chips
contact structures
electrically connected
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE102016109665.2A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas Schlereth
Hagen Luckner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
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Priority to DE112017002652.0T priority patent/DE112017002652A5/de
Priority to CN201780032055.2A priority patent/CN109155306A/zh
Priority to US16/303,887 priority patent/US10969063B2/en
Priority to PCT/EP2017/062381 priority patent/WO2017202833A1/de
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Filament. Das Filament weist mehrere Stränge aus elektrisch in Reihe verbundenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf. Ferner weist das Filament mehrere Kontaktstrukturen zur Kontaktierung der Stränge auf. Die Kontaktstrukturen sind mit Halbleiterchips an den Enden der Stränge elektrisch verbunden, so dass die Stränge über die Kontaktstrukturen elektrisch angesteuert werden können. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Leuchtvorrichtung.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Filament mit strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Leuchtvorrichtung mit einem solchen Filament.
  • Heutzutage kommen für Beleuchtungsanwendungen zunehmend LED-Lampen (Light Emitting Diode) zum Einsatz, welche Leuchtdiodenchips aufweisen. Hierzu gehören sogenannte Retrofit-Lampen, welche herkömmlichen Glühlampen ähnlich sehen und so eingesetzt werden können wie herkömmliche Glühlampen. Eine Retrofit-Lampe kann mehrere LED-Filamente aufweisen. Hierbei handelt es sich um Bauelemente mit einer Mehrzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Die Halbleiterchips eines Filaments können auf einem gemeinsamen linearen Substrat angeordnet und elektrisch in Reihe verbunden sein. Auch können die Halbleiterchips von einer Konversionsschicht zur Strahlungskonversion umschlossen sein. Zur elektrischen Kontaktierung kann das Filament zwei und an den entgegengesetzten Enden angeordnete Kontakte (Anode, Kathode) aufweisen. Die Leuchtwirkung des mit Halbleiterchips ausgestatteten Filaments kann vergleichbar sein zu derjenigen eines klassischen glühenden Filaments.
  • Die LED-Filamente von Retrofit-Lampen können zueinander seriell und/oder parallel geschaltet sein. Neben den Filamenten können die Retrofit-Lampen ferner eine Treiberschaltung aufweisen, so dass ein Betrieb an einem Wechselstromnetz möglich ist. Mit Hilfe des Treibers kann die Netzspannung derart umgewandelt werden, dass eine für den Betrieb der LED-Filamente geeignete Vorwärtsspannung bereitgestellt werden kann. Die Effizienz ist umso größer, je näher die bereitgestellte Vorwärtsspannung an die Netzspannung angeglichen werden kann.
  • Bei Retrofit-Lampen besteht eine Anforderung darin, im Leuchtbetrieb ein vorgegebenes Lumenpaket mit einer hinreichenden Genauigkeit bereitzustellen. In der Regel wird dem Lumenpaket eine höhere Priorität beigemessen als der Effizienz. Dies führt dazu, dass in Bezug auf die erreichte Spannung und damit die Effizienz ein Kompromiss eingegangen wird.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verbessertes Filament mit strahlungsemittierenden Halbleiterchips und eine entsprechende Leuchtvorrichtung anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Filament vorgeschlagen. Das Filament weist mehrere Stränge aus elektrisch in Reihe verbundenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf. Ferner weist das Filament mehrere Kontaktstrukturen zur elektrischen Kontaktierung der Stränge auf. Die Kontaktstrukturen sind mit Halbleiterchips an den Enden der Stränge elektrisch verbunden, so dass die Stränge über die Kontaktstrukturen elektrisch angesteuert werden können.
  • Die Ausgestaltung des Filaments mit den mehreren, d.h. wenigstens zwei Strängen aus seriell geschalteten Halbleiterchips, wobei die Stränge über die Kontaktstrukturen elektrisch kontaktiert werden können, bietet eine hohe Flexibilität in Bezug auf eine elektrische Verschaltung und Ansteuerung des Filaments. Die Verschaltung des Filaments kann infolgedessen weitgehend unabhängig von einem vorgegebenen Lumenpaket optimiert sein, so dass eine effiziente Betriebsweise möglich ist. Je nach Ausgestaltung des Filaments ist es zum Beispiel möglich, im Betrieb eine Vorwärtsspannung bereitzustellen, welche möglichst nahe an eine Netzspannung (beispielsweise mit einem Effektivwert von 230V, 110V oder 120V) angeglichen ist. Das vorgeschlagene Filament kann in einer als Retrofit-Lampe ausgebildeten Leuchtvorrichtung zur Anwendung kommen. Hierbei kann das Filament, gegebenenfalls mit weiteren sowie gegebenenfalls baugleich ausgeführten Filamenten, an einen Treiber angeschlossen sein.
  • Im Folgenden werden weitere mögliche Details und Ausführungsformen näher beschrieben, welche für das Filament in Betracht kommen können.
  • In einer Ausführungsform sind die strahlungsemittierenden Halbleiterchips der Stränge des Filaments entlang einer gemeinsamen fiktiven Linie, zum Beispiel entlang einer geraden Linie, angeordnet. Diese Ausgestaltung kann bezogen sein auf eine Draufsicht auf das Filament. In gleicher Weise kann das Filament eine sich entlang einer fiktiven und zum Beispiel geraden Linie erstreckende Ausgestaltung besitzen.
  • Die Kontaktstrukturen sind elektrisch leitfähig, und zum Beispiel aus einem metallischen Material ausgebildet. Des Weiteren sind die Kontaktstrukturen zugänglich, so dass die Kontaktstrukturen elektrisch kontaktiert und damit die Stränge über die Kontaktstrukturen elektrisch angesteuert werden können. Das Filament kann derart ausgebildet sein, dass die Stränge zumindest separat voneinander elektrisch angesteuert werden können. Je nach Ausgestaltung des Filaments können auch mehrere oder sämtliche Stränge des Filaments gemeinsam angesteuert werden. In diesem Zusammenhang können ferner folgende Ausgestaltungen in Betracht kommen.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament mehrere Stränge aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf, welche elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden sind. Hierbei sind zwei Kontaktstrukturen mit Halbleiterchips an den Enden der Reihenschaltung elektrisch verbunden. Ferner ist wenigstens eine weitere Kontaktstruktur vorhanden, über welche zwei Stränge der Reihenschaltung elektrisch in Reihe verbunden sind. Die wenigstens eine weitere Kontaktstruktur kann als Zwischenabgriff dienen. Diese Ausgestaltung ermöglicht eine flexible elektrische Ansteuerung des Filaments.
  • Hierbei kann wahlweise lediglich ein Strang, oder können mehrere oder sämtliche Stränge des Filaments gemeinsam mit elektrischer Energie versorgt und dadurch betrieben werden.
  • In Bezug auf die vorgenannte Ausführungsform können des Weiteren folgende Merkmale und Details zur Anwendung kommen. Das Filament kann mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Filamenten verwirklicht sein, und infolgedessen lediglich eine weitere Kontaktstruktur aufweisen, über welche die zwei Stränge elektrisch in Reihe verbunden sind. Die zwei Stränge können benachbarte bzw. gegenüberliegende Enden aufweisen, und die weitere Kontaktstruktur kann mit Halbleiterchips an diesen Enden elektrisch verbunden sein. Das Filament kann auch mit einer größeren Anzahl an seriell verbundenen Strängen und insofern mit einer entsprechend größeren Anzahl an weiteren Kontaktstrukturen verwirklicht sein. Hierbei können jeweils zwei benachbarte Stränge über eine weitere Kontaktstruktur elektrisch in Reihe verbunden sein. Die betreffenden zwei Stränge können jeweils benachbarte bzw. gegenüberliegende Enden aufweisen, und die dazugehörige weitere Kontaktstruktur kann mit Halbleiterchips an diesen Enden elektrisch verbunden sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament mehrere Stränge aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf, welche elektrisch getrennt sind. Bei jedem der getrennten Stränge sind zwei Kontaktstrukturen mit Halbleiterchips an den Enden des betreffenden Strangs elektrisch verbunden. Auch diese Ausgestaltung ermöglicht eine flexible elektrische Ansteuerung des Filaments. Hierbei kann wahlweise lediglich ein Strang, oder können mehrere oder sämtliche Strenge des Filaments zusammen, allerdings separat voneinander mit elektrischer Energie versorgt und dadurch betrieben werden.
  • In Bezug auf die vorgenannte Ausführungsform sind ferner folgende Ausgestaltungen denkbar. Das Filament kann mit zwei oder einer größeren Anzahl an elektrisch getrennten und damit unabhängigen Strängen verwirklicht sein. Die zwei Stränge bzw. jeweils zwei benachbarte Stränge können gegenüberliegende Enden aufweisen. Die an diesen Stellen befindlichen Halbleiterchips können an jeweils eigene Kontaktstrukturen angeschlossen sein. Hierbei können zwei Kontaktstrukturen, welche mit Halbleiterchips von gegenüberliegenden Enden zweier benachbarter Stränge elektrisch verbunden sind, einen geteilten Abgriff bilden.
  • In einer weiteren Ausführungsform sind wenigstens zwei Kontaktstrukturen an den entgegengesetzten Enden des Filaments zugänglich und dadurch kontaktierbar. Für den Fall, dass sämtliche Stränge des Filaments zu einer Reihenschaltung verbunden sind, können zwei und an den Enden des Filaments zugängliche Kontaktstrukturen ferner mit Halbleiterchips an den Enden der Reihenschaltung verbunden sein und dadurch als primäre Kontaktstrukturen dienen, mit deren Hilfe sämtliche Stränge in gemeinsamer Weise elektrisch angesteuert werden können.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist in einem Bereich zwischen den entgegengesetzten Enden des Filaments wenigstens eine Kontaktstruktur zugänglich. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit in Reihe geschalteten Strängen können über eine solche Kontaktstruktur zwei benachbarte Stränge elektrisch verbunden sein. Hierbei kann die Kontaktstruktur in einem Bereich zwischen den zwei benachbarten Strängen zugänglich sein, und als Zwischenabgriff dienen. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen kann es vorgesehen sein, dass in einem Bereich zwischen zwei benachbarten Strängen zwei Kontaktstrukturen zugänglich sind. Die zwei Kontaktstrukturen können mit Halbleiterchips an den Enden der benachbarten Stränge elektrisch verbunden sein, und als geteilter Abgriff dienen.
  • In einer weiteren Ausführungsform sind an einem Ende des Filaments zwei Kontaktstrukturen zugänglich, welche mit Halbleiterchips an den Enden eines Strangs elektrisch verbunden sind. In dieser Ausgestaltung kann der betreffende Strang mit Hilfe der an demselben Ende des Filaments zugänglichen Kontaktstrukturen elektrisch kontaktiert und angesteuert werden. An diesem Ende des Filaments kann gegebenenfalls noch wenigstens eine weitere und mit einem Halbleiterchip an einem Ende eines anderen Strangs elektrisch verbundene Kontaktstruktur vorhanden sein. Auf der Grundlage der vorgenannten Ausführungsform kann eine Ausgestaltung des Filaments verwirklicht sein, in welcher sämtliche Kontaktstrukturen des Filaments lediglich an dessen Enden zugänglich sind. Auf diese Weise kann das Filament einen homogenen und symmetrischen Aufbau besitzen.
  • Bei den strahlungsemittierenden Halbleiterchips des Filaments kann es sich um Leuchtdiodenchips (LED-Chips, Light Emitting Diode) handeln, so dass das Filament ein LED-Filament ist. Weiter kann das Filament mit einem Konversionsmaterial zur Strahlungskonversion ausgebildet sein. Auf diese Weise kann eine von den Halbleiterchips erzeugte Strahlung wenigstens teilweise konvertiert werden, und kann das Filament eine aus konvertierten und nicht konvertierten Strahlungsanteilen zusammengesetzte Lichtstrahlung, zum Beispiel eine weiße Lichtstrahlung, emittieren. In diesem Zusammenhang können ferner folgende Ausgestaltungen in Betracht kommen.
  • In einer weiteren Ausführungsform sind die Halbleiterchips der Stränge mit einer Konversionsschicht zur Strahlungskonversion bedeckt. Die Konversionsschicht, welche aus einem oder mehreren Konversionsmaterialien ausgebildet sein kann, kann sämtliche Halbleiterchips umschließen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ragen wenigstens zwei Kontaktstrukturen an den Enden des Filaments aus der Konversionsschicht heraus. Hierdurch sind die Kontaktstrukturen an diesen Stellen zugänglich und dadurch kontaktierbar. Sofern sämtliche Stränge des Filaments zu einer Reihenschaltung verbunden sind, können zwei und an den Enden des Filaments aus der Konversionsschicht herausragend Kontaktstrukturen als primäre Kontaktstrukturen dienen, mit deren Hilfe sämtliche Stränge gemeinsam elektrisch betrieben werden können.
  • In einer weiteren Ausführungsform ragt wenigstens eine Kontaktstruktur seitlich aus der Konversionsschicht heraus, so dass die betreffende Kontaktstruktur zugänglich und kontaktierbar ist. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit in Reihe geschalteten Strängen können über eine solche Kontaktstruktur zwei benachbarte Stränge elektrisch verbunden sein, und kann die Kontaktstruktur als Zwischenabgriff dienen. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen kann das Filament zwei seitlich aus der Konversionsschicht herausragende Kontaktstrukturen aufweisen, welche mit Halbleiterchips an den Enden zweier benachbarter Stränge elektrisch verbunden sind und daher als geteilter Abgriff dienen.
  • In einer weiteren Ausführungsform sind die Halbleiterchips der Stränge jeweils mit einem separaten und einem Strang zugeordneten Schichtabschnitt der Konversionsschicht bedeckt. In einem Zwischenbereich von zwei benachbarten Schichtabschnitten der Konversionsschicht ist wenigstens eine Kontaktstruktur zugänglich. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit zwei Strängen weist das Filament zwei Schichtabschnitte, und bei einer Ausgestaltung mit einer größeren Anzahl an Strängen weist das Filament eine entsprechende Anzahl an Schichtabschnitten der Konversionsschicht auf. Sofern die Stränge in Reihe geschaltet sind, können über eine in einem Zwischenbereich der Konversionsschicht zugängliche Kontaktstruktur zwei benachbarte Stränge elektrisch verbunden sein, und kann die betreffende Kontaktstruktur als Zwischenabgriff dienen. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen können in einem Zwischenbereich von zwei benachbarten Schichtabschnitten der Konversionsschicht zwei Kontaktstrukturen zugänglich sein. Diese zwei Kontaktstrukturen können mit Halbleiterchips an den Enden zweier benachbarter Stränge elektrisch verbunden sein und damit als geteilter Abgriff dienen.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament einen Träger auf, auf welchem die Halbleiterchips und die Kontaktstrukturen angeordnet sind. Der Träger kann aus einem strahlungsdurchlässigen Material, zum Beispiel Saphir oder einem Glasmaterial, ausgebildet sein. Möglich ist auch eine nicht transparente Ausgestaltung des Trägers aus zum Beispiel einem keramischen Material. Des Weiteren kann der Träger eine lineare, also eine sich entlang einer fiktiven, zum Beispiel geraden Linie erstreckende Form aufweisen. Diese Ausgestaltung kann bezogen sein auf eine Draufsicht auf das Filament. Die auf dem Träger angeordneten Kontaktstrukturen können in Form von flächigen Kontaktstrukturen bzw. Kontaktflächen verwirklicht sein.
  • Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips des Filaments können Kontakte aufweisen, über welche die Halbleiterchips kontaktiert und mit elektrischer Energie versorgt werden können. Bei jedem Halbleiterchip können die Kontakte auf derselben Chipseite angeordnet sein. In diesem Zusammenhang können ferner folgende Ausgestaltungen in Betracht kommen.
  • In einer weiteren Ausführungsform weisen die strahlungsemittierenden Halbleiterchips vorderseitige Kontakte auf. Hierbei können die Halbleiterchips auf einem Träger angeordnet sein, und in den Strängen mit Hilfe von Bonddrähten untereinander elektrisch in Reihe verbunden sein. Auch die an den Enden der Stränge befindlichen Halbleiterchips können über Bonddrähte an die dazugehörigen Kontaktstrukturen angeschlossen sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform weisen die strahlungsemittierenden Halbleiterchips rückseitige Kontakte auf. Hierbei kann das Filament einen Träger aufweisen, welcher zusätzlich zu den zur elektrischen Kontaktierung und Ansteuerung der Stränge vorgesehenen Kontaktstrukturen weitere Kontaktstrukturen aufweisen kann, über welche die Halbleiterchips in den Strängen untereinander elektrisch in Reihe verbunden sein können. Über die Rückseitenkontakte können die Halbleiterchips mit den Kontaktstrukturen und den weiteren Kontaktstrukturen elektrisch und mechanisch verbunden sein. An diesen Stellen kann die Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel wie zum Beispiel ein Lotmittel oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff hergestellt sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform, welche ebenfalls bei einer Verwendung von Halbleiterchips mit Kontakten auf einer Chipseite in Betracht kommen kann, sind die Halbleiterchips der Stränge abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordnet. Dies bezieht sich auf Vorder- und Rückseiten der Halbleiterchips. Hierbei können die Halbleiterchips oder kann zumindest ein Teil der Halbleiterchips über deren Kontakte elektrisch und mechanisch miteinander verbunden sein. An diesen Stellen kann die Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel wie zum Beispiel ein Lotmittel oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff hergestellt sein.
  • Ein Filament mit abwechselnd seitenverkehrt angeordneten Halbleiterchips kann zum Beispiel elektrisch in Reihe verbundene Stränge aufweisen. Hierbei können zwei benachbarte Stränge (jeweils) über eine Kontaktstruktur verbunden sein, indem Kontakte von Halbleiterchips an den Enden der benachbarten Stränge an die Kontaktstruktur angeschlossen sind. An einer solchen Stelle kann die Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel hergestellt sein. Gegebenenfalls kann zwischen einem an eine Kontaktstruktur angeschlossenen Halbleiterchip und einem weiteren Halbleiterchip desselben Strangs ein zusätzliches elektrisch leitfähiges bzw. metallisches Ausgleichselement angeordnet sein, mit welchem die beiden Halbleiterchips verbunden sind. Hierdurch kann ein an dieser Stelle aufgrund der Kontaktstruktur gegebenenfalls vorliegender vergrößerter Abstand ausgeglichen werden.
  • Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen aus abwechselnd seitenverkehrt angeordneten Halbleiterchips können Kontaktstrukturen, an welche Halbleiterchips von den Enden zweier verschiedener benachbarter Stränge angeschlossen sind, mechanisch miteinander verbunden sein, zum Beispiel über ein die Kontaktstrukturen verbindendes isolierendes Verbindungselement. Möglich ist es auch, dass die elektrisch getrennten Stränge über eine Konversionsschicht mechanisch verbunden sind.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament einen Träger auf, welcher die Halbleiterchips seitlich umgibt. Ein solcher Träger kann durch Umformen der Halbleiterchips hergestellt und aus einem reflektierenden Material ausgebildet sein. Das reflektierende Material kann zum Beispiel ein Kunststoffmaterial mit darin eingebetteten reflektierenden Partikeln sein. Auf dem Träger können Kontaktstrukturen, zum Beispiel an den Enden des Filaments zugängliche Kontaktstrukturen, angeordnet sein. Möglich ist es ferner, dass wenigstens eine Kontaktstruktur von dem Träger zumindest teilweise seitlich umgeben ist. Dies kann zum Beispiel in Bezug auf eine als Zwischenabgriff dienende Kontaktstruktur in Betracht kommen. Des Weiteren können Bonddrähte zum Einsatz kommen, über welche die Halbleiterchips in den Strängen untereinander elektrisch in Reihe verbunden und die an den Enden der Stränge befindlichen Halbleiterchips an die dazugehörigen Kontaktstrukturen angeschlossen sein können.
  • Die Stränge des Filaments weisen mehrere, d.h. wenigstens zwei elektrisch in Reihe verbundene Halbleiterchips auf. In einer weiteren Ausführungsform weisen die Stränge des Filaments unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips auf. Mit Hilfe dieser Ausführungsform kann, bei Anwendung eines geeigneten Treiberkonzepts, eine effiziente Betriebsweise begünstigt werden. Durch die unterschiedlichen Anzahlen an Halbleiterchips in den Strängen können die Stränge derart angesteuert werden, dass eine bereitgestellte Vorwärtsspannung möglichst nahe an eine Netzspannung angeglichen ist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird eine Leuchtvorrichtung mit einem Filament vorgeschlagen. Das Filament weist den oben beschriebenen Aufbau bzw. einen Aufbau gemäß einer oder mehrerer der oben beschriebenen Ausführungsformen auf. Aufgrund der Ausgestaltung des Filaments mit den mehreren Strängen aus elektrisch in Reihe verbundenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips, wobei die Stränge über Kontaktstrukturen elektrisch kontaktierbar und ansteuerbar sind, kann das Filament derart in der Leuchtvorrichtung verschaltet sein, dass das Filament mit einer hohen Effizienz betrieben werden kann.
  • In einer Ausführungsform ist die Leuchtvorrichtung eine Retrofit-Lampe. In dieser Ausgestaltung kann die Leuchtvorrichtung einen Kolben aufweisen, innerhalb welchem das Filament angeordnet ist. Ein weiterer möglicher Bestandteil ist ein mit einem Schraubgewinde ausgebildeter Lampensockel zur elektrischen Kontaktierung der Leuchtvorrichtung.
  • Die Leuchtvorrichtung kann des Weiteren einen mit dem Filament verbundenen Treiber aufweisen, mit dessen Hilfe eine Netzspannung in eine für den Betrieb der Stränge des Filaments geeignete Vorwärtsspannung umgewandelt werden kann. Wie oben angegeben wurde, ist es aufgrund des Aufbaus des Filaments möglich, die Vorwärtsspannung nahe an die Netzspannung angepasst bereitzustellen.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament einen mehrstufigen Treiber zum Ansteuern der Stränge des Filaments auf. In Bezug auf diese Ausführungsform kann eine Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch in Reihe verbundenen Strängen zur Anwendung kommen. Der mehrstufige Treiber ermöglicht eine Ansteuerung der Stränge derart, dass eine bereitgestellte Netzspannung möglichst nahe an eine Netzspannung angeglichen ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform sind die Stränge des Filaments in separaten Schaltkreisen verschaltet. In Bezug auf diese Ausführungsform kann eine Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen zur Anwendung kommen. Zur Ansteuerung der Stränge kann die Leuchtvorrichtung den einzelnen Strängen zugeordnete und mit diesen verbundene Treibereinheiten aufweisen. Die Treibereinheiten können in einem gemeinsamen Treiber zusammengefasst sein.
  • Die Leuchtvorrichtung kann ferner mit mehreren Filamenten des oben beschriebenen Aufbaus ausgebildet sein. Die Filamente können baugleich ausgeführt sein. Auch können die Filamente seriell und/oder parallel verschaltet sein. Aufgrund des Aufbaus der Filamente bestehen große Freiheiten für unterschiedliche Serien- und/oder Parallelschaltungen. Hierbei kann die Verschaltung weitestgehend unabhängig von einem vorgegebenen Lumenpaket optimiert sein.
  • Die vorstehend erläuterten und/oder in den Unteransprüchen wiedergegebenen vorteilhaften Aus- und Weiterbildungen der Erfindung können – außer zum Beispiel in Fällen eindeutiger Abhängigkeiten oder unvereinbarer Alternativen – einzeln oder aber auch in beliebiger Kombination miteinander zur Anwendung kommen.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen:
  • 1 und 2 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines Filaments, welches zwei in Reihe geschaltete Stränge aus Halbleiterchips, eine Konversionsschicht und eine zwischen den Strängen zugängliche Kontaktstruktur aufweist;
  • 3 und 4 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches einen Träger mit hierauf angeordneten Halbleiterchips mit vorderseitigen Kontakten aufweist;
  • 5 und 6 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches eine seitlich aus einer Konversionsschicht herausragende Kontaktstruktur aufweist;
  • 7 bis 9 eine seitliche Darstellung und Aufsichtsdarstellungen eines weiteren Filaments, welches eine sich bis zu einem Ende des Filaments erstreckende Kontaktstruktur aufweist;
  • 10 und 11 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches elektrisch getrennte Stränge aus Halbleiterchips aufweist;
  • 12 und 13 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches drei in Reihe geschaltete Stränge aus Halbleiterchips aufweist;
  • 14 und 15 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches zwei in Reihe geschaltete Stränge aus Halbleiterchips mit rückseitigen Kontakten aufweist;
  • 16 und 17 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches eine seitlich aus einer Konversionsschicht herausragende Kontaktstruktur aufweist;
  • 18 und 19 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches Stränge aus abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordneten Halbleiterchips aufweist;
  • 20 und 21 eine seitliche Darstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments mit abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordneten Halbleiterchips und einer seitlich aus einer Konversionsschicht herausragenden Kontaktstruktur;
  • 22 bis 24 eine seitliche Darstellung und Aufsichtsdarstellungen eines weiteren Filaments mit einem Halbleiterchips seitlich umgebenden Träger;
  • 25 bis 27 eine seitliche Darstellung und Aufsichtsdarstellungen eines weiteren Filaments mit einem Halbleiterchips seitlich umgebenden Träger und einer seitlich aus einer Konversionsschicht herausragenden Kontaktstruktur;
  • 28 eine Retrofit-Lampe mit einem Filament;
  • 29 eine Verschaltung von Strängen eines Filaments mit separaten Treibereinheiten;
  • 30 eine Verschaltung von Strängen eines Filaments mit einem mehrstufigen Treiber; und
  • 31 ein Diagramm mit Spannungsverläufen.
  • Anhand der folgenden schematischen Figuren werden mögliche Ausgestaltungen eines zur Emission von Lichtstrahlung ausgebildeten Filaments 100 beschrieben. Die Filamente 100, welche in einer Leuchtvorrichtung in Form einer Retrofit-Lampe 200 eingesetzt werden können, weisen einen solchen Aufbau auf, dass eine hohe Flexibilität in Bezug auf unterschiedliche elektrische Verschaltungen und Betriebsweisen möglich sind.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die Figuren lediglich schematischer Natur sind und nicht maßstabsgetreu sind. In diesem Sinne können in den Figuren gezeigte Komponenten und Strukturen zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein. Auch können die Filamente 100 mit anderen Anzahlen an gezeigten Komponenten wie zum Beispiel Halbleiterchips 120 verwirklicht sein. In gleicher Weise können die Filamente 100 neben gezeigten und beschriebenen Komponenten weitere Komponenten und Strukturen aufweisen.
  • 1 zeigt eine seitliche Darstellung, und 2 zeigt eine Aufsichtsdarstellung eines lichtemittierenden Filaments 100. Der hier gezeigte Aufbau kann als Grundprinzip aufgefasst werden, auf welchem die anhand der nachfolgenden Figuren beschriebenen Ausgestaltungen eines Filaments 100 basieren und von welchem diese Ausgestaltungen abgeleitet werden können. Das Filament 100 weist zwei Stränge 111, 112 aus elektrisch in Reihe verbundenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 auf. Die beiden Stränge 111, 112 umfassen unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips 120. Ferner sind die Stränge 111, 112 selbst elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden. Sämtlich Halbleiterchips 120 des Filaments 100 sind entlang einer gemeinsamen geraden Linie, in Draufsicht auf das Filament 100 gesehen, angeordnet.
  • Das Filament 100 weist des Weiteren eine die Halbleiterchips 120 bedeckende Konversionsschicht 160 zur Strahlungskonversion auf. Vorliegend ist die Konversionsschicht 160 in zwei separate und den einzelnen Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt, von welchen die Halbleiterchips 120 umschlossen sind. Die aufgrund der umhüllenden Konversionsschicht 160 nicht sichtbaren Halbleiterchips 120 sind in den 1, 2 gestrichelt angedeutet.
  • Bei den Halbleiterchips 120 kann es sich um Leuchtdiodenchips handeln. Mit Hilfe der Konversionsschicht 160 kann eine im Betrieb von den Halbleiterchips 120 erzeugte primäre Lichtstrahlung wenigstens teilweise in eine oder mehrere sekundäre Lichtstrahlungen umgewandelt werden. Auf diese Weise kann das Filament eine Lichtstrahlung abgeben, welche primäre und sekundäre, also nichtkonvertierte und konvertierte Strahlungsanteile, umfassen kann. Es ist zum Beispiel möglich, dass die primäre Lichtstrahlung eine blaue Lichtstrahlung ist, welche mit Hilfe der Konversionsschicht 160 in eine gelbe Lichtstrahlung umgesetzt wird, so dass durch eine Überlagerung dieser Lichtstrahlungen eine weiße Lichtstrahlung von dem Filament 100 abgegeben werden kann. Möglich ist auch zum Beispiel eine teilweise Umwandlung der blauen Lichtstrahlung in eine rote Lichtstrahlung und in eine grüne oder gelbgrüne Lichtstrahlung, so dass durch eine Überlagerung ebenfalls eine weiße Lichtstrahlung erzeugt werden kann.
  • Zur elektrischen Kontaktierung und Ansteuerung weist das in den 1, 2 gezeigte Filament 100 drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 auf. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133, welche aus einem elektrisch leitfähigen bzw. metallischen Material ausgebildet sind, sind mit Halbleiterchips 120 von den entgegengesetzten Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden.
  • Von den drei Kontaktstrukturen sind zwei Kontaktstrukturen 131, 132 mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 befinden sich an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 und sind an diesen Stellen zugänglich. Eine weitere Kontaktstruktur 133 ist in einem Bereich zwischen den Enden des Filaments 100, und zwar zwischen den Strängen 111, 112 in einem Zwischenbereich zwischen den separaten Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich. Die Kontaktstruktur 133 ist mit Halbleiterchips 120 von den sich gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden, so dass die Stränge 111, 112 über die Kontaktstruktur 133 elektrisch in Reihe geschaltet sind.
  • Der Aufbau des Filaments 100 ermöglicht eine hohe Flexibilität in Bezug auf eine elektrische Verschaltung und Ansteuerung. Die beiden endseitigen Kontaktstrukturen 131, 132 können als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden, mit deren Hilfe die beiden Stränge 111, 112 gemeinsam mit elektrischer Energie versorgt werden können. Die weitere Kontaktstruktur 133 kann als Zwischenabgriff genutzt werden, um wahlweise lediglich einen der Stränge 111, 112 zu betreiben. Hierbei kann der Strang 111 mit Hilfe der Kontaktstrukturen 131, 133, und kann der andere Strang 112 mit Hilfe der Kontaktstrukturen 132, 133 elektrisch angesteuert werden.
  • Im Folgenden werden weitere mögliche Ausgestaltungen und Varianten beschrieben, welche für ein lichtemittierendes Filament 100 in Betracht kommen können. Übereinstimmende Merkmale und Vorteile sowie gleiche und gleich wirkende Komponenten werden im Folgenden nicht erneut detailliert beschrieben. Für Details hierzu wird stattdessen auf die vorstehende Beschreibung Bezug genommen. Des Weiteren können Aspekte und Details, welche in Bezug auf eine Ausgestaltung eines Filaments 100 genannt werden, auch in Bezug auf eine andere Ausgestaltung zur Anwendung kommen und können Merkmale von zwei oder mehreren Ausgestaltungen miteinander kombiniert werden.
  • Die 3, 4 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100 mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Strängen 111, 112 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 und drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132, welche als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden können, sind mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden. An die Kontaktstruktur 133, welche als Zwischenabgriff genutzt werden kann, sind Halbleiterchips 120 von gegenüberliegenden Enden der Stränge 111, 112 angeschlossen, so dass die Stränge 111, 112 über die Kontaktstruktur 133 in Reihe verbunden sind.
  • Das in den 3, 4 gezeigte Filament 100 weist ferner einen linearen Träger 150 auf, auf welchem die Halbleiterchips 120 und die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 angeordnet sind. Der Träger 150 kann aus einem transparenten Material wie zum Beispiel Saphir oder einem Glasmaterial ausgebildet sein. Denkbar ist auch eine nicht transparente Ausgestaltung des Trägers 150 aus zum Beispiel einem keramischen Material. Die auf dem Träger 150 angeordneten Kontaktstrukturen 131, 132, 133 können, wie in den 3, 4 angedeutet ist, in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein.
  • In 3 ist eine mögliche Ausgestaltung der Halbleiterchips 120 mit jeweils zwei vorderseitigen Kontakten 121 angedeutet, an welche Bonddrähte 170 angeschlossen sind. Mit Hilfe der Bonddrähte 170 sind die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander elektrisch in Reihe verbunden. In gleicher Weise sind die sich an den Enden der Stränge 111, 112 befindenden Halbleiterchips 120 über Bonddrähte 170 mit den dazugehörigen Kontaktstrukturen 131, 132, 133 elektrisch verbunden. Die Halbleiterchips 120 können zum Beispiel mit Hilfe eines nicht dargestellten Klebstoffs auf dem Träger 150 befestigt sein.
  • Das in den 3, 4 gezeigte Filament 100 weist des Weiteren eine Konversionsschicht 160 auf, welche in zwei und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist. Hierbei sind der Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die auf dem Träger 150 angeordneten Halbleiterchips 120 nebst Bonddrähten 170 von der Konversionsschicht 160 umschlossen. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 sind lediglich teilweise mit der Konversionsschicht 160 bedeckt und ragen im Falle der Kontaktstrukturen 131, 132 zusammen mit dem Träger 150 an den Enden des Filaments 100 aus der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 für eine Kontaktierung zugänglich sind.
  • Die 5, 6 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100 mit einem gegenüber den 3, 4 leicht abgewandelten Aufbau. Auch dieses Filament 100 weist zwei elektrisch in Reihe verbundene Stränge 111, 112 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 mit Vorderseitenkontakten 121 und einen Träger 150 mit drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 auf. Ein weiterer Bestandteil ist eine Konversionsschicht 160, welche den Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die auf dem Träger 150 angeordneten Halbleiterchips 120 umschließt. In der in den 5, 6 gezeigten Ausgestaltung ist die Konversionsschicht 160 nicht in separate Schichtabschnitte unterteilt, sondern besitzt eine durchgehende Form.
  • Ein weiterer Unterschied des in den 5, 6 gezeigten Filaments 100 besteht in der Ausgestaltung der Kontaktstruktur 133. Die Kontaktstruktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist, steht seitlich aus der Konversionsschicht 160 heraus. Auf diese Weise ist die Kontaktstruktur 133 an dieser Stelle für eine Kontaktierung zugänglich, und kann daher als seitlicher Zwischenabgriff verwendet werden. Es ist gegebenenfalls möglich, dass auch der Träger 150 einen aus der Konversionsschicht 160 seitlich herausragenden Teilabschnitt aufweist, auf welchem die Kontaktstruktur 133 angeordnet ist (nicht dargestellt).
  • Die 7 bis 9 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und zwei Aufsichtsdarstellungen eines weiteren Filaments 100 mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Strängen 111, 112 aus Halbleiterchips 120 mit Vorderseitenkontakten 121, einem Träger 150 mit drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 und einer durchgehenden Konversionsschicht 160, welche den Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die Halbleiterchips 120 umschließt. In der Aufsichtsdarstellung von 8 ist das Filament 100 ohne die Konversionsschicht 160 gezeigt. Hierdurch wird deutlich, dass die als Zwischenabgriff dienenden Kontaktstruktur 133 eine zur Seite gezogene und sich zu einem Ende des Filaments 100 erstreckende Form aufweist.
  • Hierbei weist die Kontaktstruktur 133 einen Abschnitt 141 zwischen den Strängen 111, 112 auf, an welchen Halbleiterchips 120 an den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 über Bonddrähte 170 elektrisch angeschlossen sind. Weiter weist die Kontaktstruktur 133 einen flächigen Abschnitt 143 auf, welcher an einem Ende des Filaments 100 zugänglich ist und nicht mit der Konversionsschicht 160 bedeckt ist. Die Abschnitte 141, 143 sind über einen weiteren Abschnitt 142 der Kontaktstruktur 133 verbunden, welcher sich ausgehend von dem Abschnitt 141 seitlich der Halbleiterchips 120 des Strangs 112 bis zu dem endseitigen Abschnitt 143 erstreckt. An diesem Ende des Filaments 100 befindet sich seitlich des Abschnitts 143 ferner die Kontaktstruktur 132. Wie in 8 dargestellt ist, kann die Kontaktstruktur 132 eine an den Abschnitt 143 angepasste, zum Beispiel L-förmige Aufsichtsform aufweisen.
  • Auch bei dem in den 7 bis 9 gezeigten Filament 100 sind die Kontaktstrukturen 132, 133 mit Halbleiterchips 120 an den entgegengesetzten Enden des Strangs 112 elektrisch verbunden, so dass der Strang 112 über die Kontaktstrukturen 132, 133 elektrisch angesteuert werden kann. Im Unterschied zu den vorhergehend beschriebenen Ausgestaltungen sind die beiden Kontaktstrukturen 131, 132 jedoch an demselben Ende des Filaments 100 zugänglich für eine Kontaktierung.
  • In einer nicht dargestellten möglichen Abwandlung kann ein Filament 100 derart ausgebildet sein, dass sich die Kontaktstruktur 133 abweichend von 8 zu dem entgegengesetzten Ende des Filaments 100 erstreckt, und somit die Kontaktstrukturen 131, 133 an demselben Ende des Filaments 100 zugänglich sind. Hierbei kann die Kontaktstruktur 131 eine angepasste, zum Beispiel L-förmige Aufsichtsform aufweisen.
  • Die 10, 11 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100 mit zwei Strängen 111, 112 aus seriell verbundenen Halbleiterchips 120, einem Träger 150 und einer Konversionsschicht 160, welche in zwei separate und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist. Die Stränge 111, 112 sind im Unterschied zu den vorhergehend beschriebenen Ausgestaltungen nicht in Reihe verbunden, sondern elektrisch voneinander getrennt. Daher sind auf dem Träger 150 vier elektrisch leitfähige bzw. metallische Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 angeordnet. Diese können, wie in den 10, 11 angedeutet ist, in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein.
  • Bei jedem Strang 111, 112 sind zwei Kontaktstrukturen mit Halbleiterchips 120 an den entgegengesetzten Enden des betreffenden Strangs 111, 112 elektrisch verbunden, und zwar bei dem Strang 111 die Kontaktstrukturen 131, 133 und bei dem Strang 112 die Kontaktstrukturen 132, 134. Die Kontaktstrukturen 131, 132 befinden sich an den Enden des Filaments 100, und ragen an diesen Stellen zusammen mit dem Träger 150 aus den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132 zugänglich sind. Die anderen Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 an den gegenüberliegenden Enden der verschiedenen Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind, sind zwischen den Strängen 111, 112 in einem Zwischenbereich zwischen den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich und ragen an dieser Stelle aus den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 heraus. Die Kontaktstrukturen 133, 134 bilden einen geteilten Abgriff.
  • Das Filament 100 weist erneut, wie in 10 gezeigt ist, Halbleiterchips 120 mit Vorderseitenkontakten 121 auf. Elektrische Verbindungen zwischen den Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 sowie zwischen Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 und den Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 sind über Bonddrähte 170 hergestellt.
  • Das in den 10, 11 abgebildete Filament 100 mit den elektrisch getrennten Strängen 111, 112 aus Halbleiterchips 120 bietet ebenfalls eine hohe Flexibilität in Bezug auf eine elektrische Verschaltung und Ansteuerung. Es ist wahlweise möglich, lediglich einen Strang 111, 112 mit Hilfe der dazugehörigen Kontaktstrukturen, d.h. den Strang 111 mit Hilfe der Kontaktstrukturen 131, 133 oder den Strang 112 mit Hilfe der Kontaktstrukturen 132, 134, elektrisch anzusteuern und zu betreiben. Es können auch beide Stränge 111, 112 zusammen, allerdings separat voneinander über die dazugehörigen Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 angesteuert werden.
  • Für ein Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112 sind alternative Ausgestaltungen denkbar, bei welchen Merkmale der vorhergehend beschriebenen Bauformen zur Anwendung kommen können. Beispielsweise kann ein solches Filament 100, abweichend von den 10, 11, mit einer durchgehenden Konversionsschicht 160 verwirklicht sein. In Bezug auf Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von gegenüberliegenden Enden verschiedener Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind und welche als geteilter Abgriff genutzt werden, ist eine Ausgestaltung entsprechend des in den 5, 6 gezeigten Filaments 100 möglich. Hierbei können die Kontaktstrukturen 133, 134 seitlich aus der Konversionsschicht 160 herausragen und dadurch für eine Kontaktierung zugänglich sein. Ein Träger 150 des Filaments 100 kann gegebenenfalls seitlich aus der Konversionsschicht 160 herausragende Teilabschnitte aufweist, auf welchen die Kontaktstrukturen 133, 145 angeordnet sind (nicht dargestellt).
  • Für ein Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112 kann ferner ein zu den 7 bis 9 vergleichbarer Aufbau in Betracht kommen. Auch hierbei kann das Filament 100 eine durchgehende Konversionsschicht 160 aufweisen. Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von gegenüberliegenden Enden verschiedener Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind und welche als geteilter Abgriff dienen, können derart ausgebildet sein, dass sich jede Kontaktstruktur 133, 134 zu einem Ende des Filaments 100 erstreckt. Hierbei kann es sich um die entgegengesetzten Enden des Filaments 100 handeln. An diesen Stellen kann jeweils eine weitere Kontaktstruktur 131 bzw. 132 vorhanden und zugänglich sein, welche mit einem Halbleiterchip 120 eines entgegengesetzten Endes des betreffenden Strangs 111 bzw. 112 elektrisch verbunden ist. In dieser Ausgestaltung können die Stränge 111, 112 mit Hilfe von jeweils an demselben Ende des Filaments 100 zugänglichen Kontaktstrukturen 131, 133 bzw. 132, 134 elektrisch angesteuert werden (nicht dargestellt).
  • Es ist des Weiteren möglich, ein Filament 100 nicht nur mit zwei, sondern mit einer größeren Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 und infolgedessen mit mehrfachen Zwischenabgriffen oder geteilten Abgriffen zu verwirklichen. Zur beispielhaften Veranschaulichung zeigen die 12, 13 eine seitliche Schnittdarstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100, welches einen zu den 3, 4 vergleichbaren Aufbau besitzt. Das Filament 100 weist drei elektrisch in Reihe verbundene Stränge 111, 112, 113 mit unterschiedlichen Anzahlen an strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 und vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 auf, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112, 113 elektrisch verbunden sind. Die Halbleiterchips 120 und die Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 sind auf einem Träger 150 angeordnet. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 können in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein. Elektrische Verbindungen zwischen den Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112, 113 untereinander sowie zwischen Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112, 113 und dazugehörigen Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 sind über Bonddrähte 170 hergestellt, welche an Vorderseitenkontakte 121 der Halbleiterchips 120 angeschlossen sind. Ein weiterer Bestandteil des Filaments 100 ist eine den Träger 150 und die Halbleiterchips 120 umschließende Konversionsschicht 160, welche vorliegend in drei und den Strängen 111, 112, 113 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist.
  • Wie in 12 gezeigt ist, sind zwei Kontaktstrukturen 131, 132 mit Halbleiterchips 120 an den entgegengesetzten Enden der Reihenschaltung aus den drei Strängen 111, 112, 113 elektrisch verbunden. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 befinden sich an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 und ragen an diesen Stellen aus der Konversionsschicht 160 heraus, wodurch die Kontaktstrukturen 131, 132 zugänglich sind für eine elektrische Kontaktierung. Die weiteren und wie die Kontaktstrukturen 131, 132 lediglich teilweise mit der Konversionsschicht 160 bedeckten Kontaktstrukturen 133, 134 sind zwischen den Strängen 111, 112, 113 in Zwischenbereichen zwischen den separaten Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich. Hierbei befindet sich die Kontaktstruktur 133 zwischen den zwei benachbarten Strängen 111, 112, und ist mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der Stränge 111, 112 elektrisch verbunden. Die andere Kontaktstruktur 134 befindet sich zwischen den zwei benachbarten Strängen 112, 113, und ist mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der Stränge 112, 113 elektrisch verbunden. Auf diese Weise sind die jeweils benachbarten Stränge 111, 112 und 112, 113, und damit sämtliche Stränge 111, 112, 113, über die Kontaktstrukturen 133, 134 elektrisch in Reihe geschaltet.
  • Die beiden endseitigen Kontaktstrukturen 131, 132 können als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden, mit deren Hilfe sämtliche Stränge 111, 112, 113 des Filaments 100 gemeinsam mit elektrischer Energie versorgt werden können. Die weiteren Kontaktstrukturen 133, 134 können als Zwischenabgriffe genutzt werden, um wahlweise lediglich einen einzelnen Strang 111, 112, 113, oder einen Teil, d.h. zwei der Stränge 111, 112, 113 elektrisch anzusteuern.
  • Auch im Hinblick auf das in den 12, 13 gezeigte Filament 100 mit drei Strängen 111, 112, 113 aus Halbleiterchips 120 können alternative Ausgestaltungen in Betracht kommen. Denkbar ist zum Beispiel eine Ausgestaltung entsprechend des in den 5, 6 gezeigten Aufbaus. Hierbei kann das Filament 100 eine durchgehende Konversionsschicht 160 aufweisen, und können als Zwischenabgriffe dienende Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von gegenüberliegenden Enden zweier benachbarter Stränge 111, 112 bzw. 112, 113 elektrisch verbunden sind, seitlich aus der Konversionsschicht 160 herausragen (nicht dargestellt).
  • Möglich ist ferner ein zu den 7 bis 9 vergleichbarer Aufbau. Auch hierbei kann das Filament 100 eine durchgehende Konversionsschicht 160 aufweisen. Kontaktstrukturen 133, 134, welche als Zwischenabgriffe dienen, können derart ausgebildet sein, dass sich die Kontaktstrukturen 133, 134 zu entgegengesetzten Enden des Filaments 100 erstrecken. Auf diese Weise können an einem Ende des Filaments 100 zwei Kontaktstrukturen 131, 133 und an dem anderen Ende des Filaments 100 zwei Kontaktstrukturen 132, 134 zugänglich und dadurch elektrisch kontaktierbar sein (nicht dargestellt).
  • Des Weiteren kann auch ein zu den 10, 11 vergleichbarer Aufbau eines Filaments 100 mit drei elektrisch getrennten Strängen 111, 112, 113 in Betracht kommen. Hierbei weist das Filament 100 insgesamt sechs Kontaktstrukturen auf, und sind jedem Strang 111, 112, 113 zwei Kontaktstrukturen zugeordnet, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden des betreffenden Strangs 111, 112, 113 elektrisch verbunden sind. In dieser Bauform kann das Filament 100 eine Konversionsschicht 160 aufweisen, welche in drei und den Strängen 111, 112, 113 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist. Zwei Kontaktstrukturen können an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 zugänglich sein. Zwischen den Strängen 111, 112, 113 und in Zwischenbereichen zwischen den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 können jeweils zwei Kontaktstrukturen zugänglich sein. Abweichend von dieser Ausprägung können auch auf den anderen der oben erläuterten Bauformen basierende Ausgestaltungen vorgesehen sein, zum Beispiel mit einer durchgehenden Konversionsschicht 160 und mit seitlich aus der Konversionsschicht 160 herausragenden Kontaktstrukturen, oder mit sich zu Enden des Filaments 100 erstreckenden Kontaktstrukturen (jeweils nicht dargestellt).
  • Basierend auf den oben aufgezeigten Ansätzen können darüber hinaus Filamente 100 verwirklicht sein, welche eine noch größere Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 aufweisen. Die Stränge können elektrisch in Reihe verbunden oder elektrisch getrennt sein. Möglich sind ferner zum Beispiel Ausgestaltungen, in welchen ein Filament 100 mehrere seriell verbundene Stränge und wenigstens einen hiervon elektrisch getrennten Strang aufweist (jeweils nicht dargestellt).
  • Weitere mögliche Abwandlungen bestehen darin, andere Bauformen von strahlungsemittierenden Halbleiterchips bzw. Leuchtdiodenchips 120 einzusetzen. Zur beispielhaften Veranschaulichung zeigen die 14, 15 eine seitliche Schnittdarstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100, welches einen zu den 3, 4 vergleichbaren Aufbau besitzt. Das Filament 100 weist zwei Stränge 111, 112 aus elektrisch in Reihe verbundenen Halbleiterchips 120 und drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 zur elektrischen Kontaktierung und Ansteuerung der Stränge 111, 112 auf, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind. Die Stränge 111, 112 umfassen unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips 120. Ferner sind die Stränge 111, 112 selbst elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden. Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 weisen keine vorderseitigen Kontakte, sondern rückseitige Kontakte 122 auf. In dieser Ausgestaltung kann es sich bei den Halbleiterchips 120 um sogenannte Flip-Chips handeln.
  • Ein weiterer Bestandteil des in den 14, 15 gezeigten Filaments 100 ist ein Träger 150, welcher zusätzlich zu den zur Kontaktierung der Stränge 111, 112 vorgesehenen Kontaktstrukturen 131, 132, 133 weitere Kontaktstrukturen 137 aufweist. Über die Kontaktstrukturen 137 sind die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander elektrisch in Reihe verbunden. Die Kontaktstrukturen 137 sind wie die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 aus einem elektrisch leitfähigen bzw. metallischen Material ausgebildet. Auch können die auf dem Träger 150 angeordneten Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 137 in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein.
  • Die Halbleiterchips 120 sind über deren Rückseitenkontakte 122 elektrisch und mechanisch mit entsprechenden Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 137 verbunden. An diesen Stellen kann eine Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel, zum Beispiel ein Lotmittel oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff, hergestellt sein (nicht dargestellt).
  • Das in den 14, 15 gezeigte Filament 100 weist des Weiteren eine Konversionsschicht 160 auf, welche in zwei und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist. Hierbei sind der Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die auf dem Träger 150 angeordneten Halbleiterchips 120 von der Konversionsschicht 160 umschlossen.
  • Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 sind mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden. Auf diese Weise können die Kontaktstrukturen 131, 132 als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden, mit deren Hilfe die beiden Stränge 111, 112 gemeinsam mit elektrischer Energie versorgt werden können. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 befinden sich an den Enden des Filaments 100 und ragen an diesen Stellen zusammen mit dem Träger 150 aus der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132 für eine Kontaktierung zugänglich sind. Die weitere Kontaktstruktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist, so dass die Stränge 111, 112 über die Kontaktstruktur 133 elektrisch in Reihe geschaltet sind, ist zwischen den Strängen 111, 112 in einem Zwischenbereich zwischen den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich. Die Kontaktstruktur 133 kann als Zwischenabgriff genutzt werden, um wahlweise lediglich einen der Stränge 111, 112 elektrisch anzusteuern.
  • Für das in den 14, 15 gezeigte Filament 100 mit den Halbleiterchips 120 mit Rückseitenkontakten 122 und dem zusätzlich mit Kontaktstrukturen 137 ausgestatteten Träger 150, über welche die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander elektrisch verbunden sind, können in gleicher Weise alternative und von den oben aufgezeigten Bauformen abgeleitete Ausgestaltungen in Betracht kommen.
  • Denkbar ist zum Beispiel eine Ausgestaltung entsprechend des in den 5, 6 gezeigten Aufbaus. In diesem Sinne zeigen die 16, 17 eine seitliche Schnittdarstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100, welches zwei elektrisch in Reihe verbundene Stränge 111, 112 aus strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 mit Rückseitenkontakten 122 und einen Träger 150 mit Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 137 aufweist. Das Filament 100 weist ferner eine den Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die Halbleiterchips 120 umschließende Konversionsschicht 160 auf, welche eine durchgehende Form besitzt. Eine Kontaktstruktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist und welche als Zwischenabgriff eingesetzt werden kann, steht seitlich aus der Konversionsschicht 160 heraus. Der Träger 150 kann gegebenenfalls einen aus der Konversionsschicht 160 seitlich herausragenden Teilabschnitt aufweisen, auf welchem die Kontaktstruktur 133 angeordnet ist (nicht dargestellt).
  • Für ein Filament 100 mit Halbleiterchips 120 mit Rückseitenkontakten 122 ist ferner eine Ausgestaltung möglich, bei welcher sich eine Kontaktstruktur 133 entsprechend des in den 7 bis 9 gezeigten Aufbaus zu einem Ende des Filaments 100 erstreckt, so dass sämtliche Kontaktstrukturen 131, 132, 133 an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 zugänglich sind. Eine weitere in Betracht kommende Abwandlung ist ein Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112, was mit einem Aufbau vergleichbar zu den 10, 11 verwirklicht sein kann. Hierbei kann ein Träger 150 mit Kontaktstrukturen 137 und mit vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 zur Kontaktierung der Stränge 111, 112 zum Einsatz kommen. Über die Kontaktstrukturen 137 können die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander elektrisch verbunden sein. Von den vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 können jeweils zwei mit Halbleiterchips 120 von den Enden eines Strangs 111, 112 elektrisch verbunden sein. Darüber hinaus können, entsprechend den oben erläuterten Bauformen, Varianten mit einer größeren Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 in Betracht kommen (jeweils nicht dargestellt).
  • Die 18, 19 zeigen in einer seitlichen Schnittdarstellung und in einer Aufsichtsdarstellung eine weitere Bauform, welche für ein Filament 100 mit strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 mit rückseitigen Kontakten 122 in Betracht kommen kann. Das Filament 100 weist zwei Stränge 111, 112 aus elektrisch in Reihe verbundenen Halbleiterchips 120 und drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 zur elektrischen Kontaktierung und Ansteuerung der Stränge 111, 112 auf, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 können mit einer flächigen Form verwirklicht sein. Die Stränge 111, 112 umfassen unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips 120, und sind selbst elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden. Ein weiterer Bestandteil ist eine die Halbleiterchips 120 umschließende Konversionsschicht 160, welche in zwei und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist.
  • Wie in 18 gezeigt ist, sind die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 in Bezug auf die Vorder- und Rückseiten abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordnet und über deren Kontakte 122 elektrisch und mechanisch miteinander verbunden. An diesen Stellen kann eine Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel, zum Beispiel ein Lotmittel oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff, hergestellt sein. Auch die sich an den Enden der Stränge 111, 112 befindenden Halbleiterchips 120 können in dieser Art und Weise an die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 angeschlossen sein (nicht dargestellt).
  • Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 sind mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden. Hierdurch können die Kontaktstrukturen 131, 132 als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden, mit deren Hilfe die beiden Stränge 111, 112 gemeinsam elektrisch angesteuert werden können. Die Kontaktstrukturen 131, 132 befinden sich an den Enden des Filaments 100 und ragen an diesen Stellen aus den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132 für eine Kontaktierung zugänglich sind. Die weitere und mit einer länglichen Form ausgebildete Kontaktstruktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist, so dass die Stränge 111, 112 elektrisch in Reihe geschaltet sind, ist zwischen den Strängen 111, 112 in einem Zwischenbereich zwischen den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich. Die Kontaktstruktur 133 kann als Zwischenabgriff dienen, um wahlweise lediglich einen der Stränge 111, 112 elektrisch zu betreiben.
  • 18 veranschaulicht des Weiteren die mögliche Verwendung eines elektrisch leitfähigen bzw. metallischen Ausgleichselements 139 in dem Strang 112 zur Verbindung eines an die Kontaktstruktur 133 angeschlossenen Halbleiterchips 120 mit einem weiteren Halbleiterchip 120 desselben Strangs 112. Auf diese Weise kann ein an dieser Stelle aufgrund der Kontaktstruktur 133 vorliegender vergrößerter Abstand ausgeglichen werden. Die betreffenden Halbleiterchips 120 bzw. deren Rückseitenkontakte 122 können über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel mit dem Ausgleichselement 139 verbunden sein (nicht dargestellt).
  • Für das in den 18, 19 gezeigte Filament 100 mit den zueinander seitenverkehrt angeordneten Halbleiterchips 120 können in gleicher Weise abgewandelte und von den oben aufgezeigten Bauformen abgeleitete Ausgestaltungen in Betracht kommen.
  • Möglich ist zum Beispiel ein zu den 5, 6 vergleichbarer Aufbau. In diesem Sinne zeigen die 20, 21 eine seitliche Schnittdarstellung und eine Aufsichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100 mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Strängen 111, 112 aus Halbleiterchips 120 mit Rückseitenkontakten 122, welche zueinander seitenverkehrt angeordnet und über die Kontakte 122 miteinander verbunden sind. Ein weiterer Bestandteil ist eine die Halbleiterchips 120 umschließende Konversionsschicht 160 mit einer durchgehenden Form. Eine Kontaktstruktur 133, welche mit benachbarten Halbleiterchips 120 von den Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist und sich zwischen deren Rückseitenkontakten 122 befindet, und welche als Zwischenabgriff eingesetzt werden kann, steht seitlich aus der Konversionsschicht 160 heraus. Die Kontaktstruktur 133 kann eine längliche Form mit einer geringen Breite besitzen. In dem Strang 112 ist des Weiteren ein elektrisch leitfähiges Ausgleichselement 139 vorgesehen, über welches der an die Kontaktstruktur 133 angeschlossene Halbleiterchip 120 mit einem weiteren Halbleiterchip 120 desselben Strangs 112 verbunden ist.
  • Für ein Filament 100 mit zueinander seitenverkehrt angeordneten Halbleiterchips 120 können ferner weitere Ausgestaltungen in Betracht kommen. Es ist zum Beispiel möglich, eine Kontaktstruktur 133 ähnlich zu dem in den 7 bis 9 gezeigten Aufbau mit einer sich zu einem Ende des Filaments 100 erstreckenden Form auszubilden, so dass sämtliche Kontaktstrukturen 131, 132, 133 an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 zugänglich sind. Eine weitere mögliche Bauform ist ein Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112 und vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134, von welchen jeweils zwei mit Halbleiterchips 120 an den Enden eines Strangs 111, 112 elektrisch verbunden sind. Hierbei können Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von benachbarten Enden der verschiedenen Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind und welche als geteilter Abgriff dienen, zum Beispiel mechanisch miteinander verbunden und elektrisch voneinander isoliert ausgeführt sein, beispielsweise unter Verwendung eines die Kontaktstrukturen 133, 134 verbindenden isolierenden Verbindungselements. Möglich ist es auch, dass die Stränge 111, 112 über eine Konversionsschicht 160 mechanisch zusammengehalten werden. Darüber hinaus können, entsprechend den oben erläuterten Ausgestaltungen, Varianten mit einer größeren Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 in Betracht kommen (jeweils nicht dargestellt).
  • Weitere mögliche Abwandlungen bestehen darin, andere Bauformen eines Trägers einzusetzen. In diesem Sinne zeigen die 22 bis 24 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und zwei Aufsichtsdarstellungen eines weiteren Filaments 100 mit zwei Strängen 111, 112 aus elektrisch in Reihe verbundenen Halbleiterchips 120 und drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 zur elektrischen Kontaktierung und Ansteuerung der Stränge 111, 112, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind. Die Stränge 111, 112 umfassen unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips 120. Ferner sind die Stränge 111, 112 selbst elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden. Ein weiterer Bestandteil ist eine Konversionsschicht 160, welche in zwei und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist. In der Aufsichtsdarstellung von 23 ist das Filament 100 ohne die Konversionsschicht 160 gezeigt.
  • Wie in den 22, 23 gezeigt ist, weist das Filament 100 einen Träger 151 auf, welcher die Halbleiterchips 120 seitlich umgibt. Der Träger 151 und die Halbleiterchips 120 besitzen übereinstimmenden Dicken. Auch die mit einer länglichen Form ausgebildete Kontaktstruktur 133 ist von dem Träger 151 seitlich umgeben, und zu diesem Zweck mit einer mit den Halbleiterchips 120 und dem Träger 151 übereinstimmenden Dicke ausgebildet. Die zwei anderen Kontaktstrukturen 131, 132, welche sich an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 befinden, sind auf dem Träger 151 angeordnet und in Form von Kontaktflächen ausgebildet.
  • Der Träger 151 kann zum Beispiel aus einem reflektierenden Material ausgebildet sein. Hierbei kann es sich um ein Kunststoffmaterial (beispielsweise Silikon oder Epoxid) mit darin eingebetteten reflektierenden Partikeln (beispielsweise TiO2) handeln. Im Rahmen der Herstellung können die Halbleiterchips 120 und die Kontaktstruktur 133 mit Material des Trägers 151 umformt werden, zum Beispiel durch Durchführen eines Formprozesses (Molding) oder durch Vergießen von Material des Trägers 151.
  • In den 22, 23 ist eine Bauform der Halbleiterchips 120 mit nicht dargestellten Vorderseitenkontakten angedeutet, an welche Bonddrähte 170 angeschlossen sind. Über die Bonddrähte 170 sind elektrische Verbindungen zwischen den Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander sowie zwischen Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 und den dazugehörigen Kontaktstrukturen 131, 132, 133 hergestellt.
  • Der Träger 151 ist im Bereich der Halbleiterchips 120 mit den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 umschlossen. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 sind lediglich teilweise mit der Konversionsschicht 160 bedeckt und ragen im Falle der Kontaktstrukturen 131, 132 zusammen mit dem Träger 150 an den Enden des Filaments 100 aus der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 für eine Kontaktierung zugänglich sind.
  • Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 sind mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden, und können als primäre Kontaktstrukturen zur gemeinsamen elektrischen Ansteuerung der beiden Stränge 111, 112 genutzt werden. Die weitere Kontaktstruktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist, so dass die Stränge 111, 112 elektrisch in Reihe geschaltet sind, und welche zwischen den separaten Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich ist, kann als Zwischenabgriff genutzt werden, um wahlweise lediglich einen der Stränge 111, 112 elektrisch anzusteuern.
  • Für das in den 22 bis 24 gezeigte Filament 100 mit dem umformten Träger 151 sind alternative Ausgestaltungen denkbar. Es ist zum Beispiel möglich, dass auch die endseitigen Kontaktstrukturen 131, 132 von dem Träger 151 seitlich umgeben sind und die Kontaktstrukturen 131, 132 zu diesem Zweck mit einer mit den Halbleiterchips 120 und dem Träger 151 übereinstimmenden Dicke ausgebildet sind. In entsprechender Weise kann die Kontaktstruktur 133 auf dem Träger 151 angeordnet und in Form einer Kontaktfläche ausgebildet sein. Darüber hinaus können alternative und von den oben aufgezeigten Bauformen abgeleitete Ausgestaltungen in Betracht kommen.
  • Möglich ist zum Beispiel ein zu den 5, 6 vergleichbarer Aufbau. In diesem Sinne zeigen die 25 bis 27 eine seitliche Schnittdarstellung und Aufsichtsdarstellungen eines weiteren Filaments 100 mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Strängen 111, 112 aus Halbleiterchips 120, drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 und einem die Halbleiterchips 120 seitlich umgebenden Träger 151. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 sind auf dem Träger 151 angeordnet, wohingegen die Kontaktstruktur 133 zu einem Teil von dem Träger 151 seitlich umgeben ist. Ein weiterer Bestandteil ist eine den Träger 151 umschließende Konversionsschicht 160 mit einer durchgehenden Form, welche in der Aufsichtsdarstellung von 26 weggelassen ist. Die Kontaktstruktur 133 steht seitlich aus der Konversionsschicht 160 heraus.
  • Für ein Filament 100 mit einem Halbleiterchips 120 seitlich umgebenden Träger 151 ist ferner eine zu den 7 bis 9 vergleichbare Ausgestaltung mit einer sich zu einem Ende des Filaments 100 erstreckenden Kontaktstruktur 133 denkbar. Hierbei kann die Kontaktstruktur 133 zum Beispiel auf dem Träger 151 angeordnet sein. Des Weiteren kann eine zu den 10, 11 vergleichbare Bauform vorgesehen sein, also mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112 und vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134, von welchen jeweils zwei mit Halbleiterchips 120 an den Enden eines Strangs 111, 112 elektrisch verbunden sind. Hierbei können Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von benachbarten Enden der verschiedenen Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind und welche als geteilter Abgriff dienen, von dem Träger 151 seitlich umgeben sein. Darüber hinaus können, entsprechend den oben erläuterten Ausgestaltungen, Varianten mit einer größeren Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 in Betracht kommen (jeweils nicht dargestellt).
  • Wie oben angedeutet wurde, können die anhand der 1 bis 27 erläuterten Ausgestaltungen und Varianten eines lichtemittierenden Filaments 100 in einer Retrofit-Lampe 200 zum Einsatz kommen. Zur Veranschaulichung ist in 28 eine solche Retrofit-Lampe 200 mit einem gestrichelt angedeuteten Filament 100 dargestellt. Die Retrofit-Lampe 200 weist einen Kolben 201 auf, innerhalb welchem das Filament 100 angeordnet ist. Des Weiteren weist die Retrofit-Lampe 200 einen Lampensockel 202 mit einem Schraubgewinde auf. Zur elektrischen Kontaktierung und damit Verbindung mit einem Stromnetz kann die Retrofit-Lampe 200 mit dem Lampensockel 202 in eine geeignete Fassung eingeschraubt werden (nicht dargestellt).
  • Die Retrofit-Lampe 200 weist darüber hinaus eine mit dem Filament 100 verbundene Treiberschaltung auf, mit deren Hilfe eine Netzspannung in eine für den Betrieb der Stränge des Filaments 100 geeignete Vorwärtsspannung umgewandelt werden kann. Die oben beschriebenen Ausgestaltungen des Filaments 100 ermöglichen in diesem Zusammenhang eine hohe Flexibilität in Bezug auf eine elektrische Verschaltung. Hierbei kann die Verschaltung weitestgehend unabhängig von einem vorgegebenen Lumenpaket optimiert sein, um eine effiziente Betriebsweise zu erzielen. Details zu möglichen Verschaltungen werden anhand der folgenden Figuren näher erläutert.
  • Die Stränge des Filaments 100 können zum Beispiel in separaten Schaltkreisen verschaltet sein. Eine solche Ausgestaltung kann zum Beispiel bei einem Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen zur Anwendung kommen. Zur Veranschaulichung ist in 29 eine mögliche Verschaltung eines solchen Filaments 100 dargestellt, wobei das beispielhaft dargestellte Filament 100 zwei elektrisch getrennte Stränge 111, 112 aus Halbleiterchips aufweist. Das Filament 100 kann zum Beispiel einen Aufbau entsprechend der 10, 11 besitzen. Wie in 29 dargestellt ist, sind die Stränge 111, 112 mit separaten Treibereinheiten 210 elektrisch verbunden. Mit Hilfe der Treibereinheiten 210 können die Stränge 111, 112 separat voneinander elektrisch angesteuert, also mit einer Vorwärtsspannung beaufschlagt werden. Die Treibereinheiten 210 sind zu diesem Zweck an die zur Kontaktierung der Stränge 111, 112 vorgesehenen Kontaktstrukturen angeschlossen. Die Treibereinheiten 210 können Bestandteil einer gemeinsamen und in der Retrofit-Lampe 200 angeordneten Treiberschaltung sein (nicht dargestellt).
  • Bei einer Ausgestaltung des Filaments 100 mit elektrisch in Reihe verbundenen Strängen kann zur Ansteuerung des Filaments 100 ein mehrstufiger Treiber 220 eingesetzt werden, wie in 30 gezeigt ist. Das hier beispielhaft dargestellte Filament 100 weist drei seriell verbundene Stränge 111, 112, 113 aus Halbleiterchips auf. Das Filament 100 kann zum Beispiel einen Aufbau entsprechend der 12, 13 besitzen. Der in der Retrofit-Lampe 200 angeordnete Treiber 220 ist an die zur Kontaktierung der Stränge 111, 112, 113 vorgesehenen Kontaktstrukturen angeschlossen, und im Betrieb mit einer Spannungsquelle 225 (Stromnetz) verbunden. Die Spannungsquelle 225 kann zum Beispiel eine Wechselspannung mit einem Effektivwert von 230V bereitstellen. Mit Hilfe des Treibers 220 können einzelne, mehrere oder auch sämtliche Stränge 111, 112, 113 des Filaments 100 elektrisch angesteuert werden. Hierbei kann der Treiber 220 eine Vorwärtsspannung bereitstellen, welche möglichst nahe an die Netzspannung angeglichen ist.
  • Zur Veranschaulichung dieses Aspekts ist in 31 ein Diagramm mit Verläufen 231, 232 einer Spannung U in Abhängigkeit der Zeit t gezeigt. Der sinusförmige Spannungsverlauf 231 bezieht sich auf die Netzspannung. Der stufenförmige Spannungsverlauf 232 bezieht sich auf eine durch eine unterschiedliche Ansteuerung von Strängen 111, 112, 113 (mit unterschiedlichen Anzahlen an Halbleiterchips) bereitgestellte Vorwärtsspannung. Hierbei werden die Stränge 111, 112, 113 zu unterschiedlichen Zeitpunkten zu- und abgeschaltet. Es wird deutlich, dass der Spannungsverlauf 232 nahe an den Spannungsverlauf 231 angepasst ist. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist eine Spannungsgleichrichtung, wie sie in dem Treiber 220 für den Betrieb des Filaments 100 vorgenommen wird, und welche ein Vorliegen von lediglich positiven Halbwellen zur Folge hat, in Bezug auf den Spannungsverlauf 232 weggelassen.
  • Bei einer Verschaltung von Strängen eines Filaments 100 in separaten Schaltkreisen kann eine Vorwärtsspannung durch eine geeignete Ansteuerung der Stränge in entsprechender Weise an eine Netzspannung angeglichen werden.
  • Eine Retrofit-Lampe 200 kann nicht nur mit einem einzelnen Filament 100, sondern mit mehreren sowie gegebenenfalls baugleich ausgeführten Filamenten 100 ausgebildet sein. Auch in diesem Zusammenhang ermöglichen die oben beschriebenen Ausgestaltungen eines Filaments 100 eine hohe Flexibilität in Bezug auf eine elektrische Verschaltung und Betriebsweise. Hierbei können in entsprechender Weise separate Treiber bzw. Treibereinheiten, oder auch ein oder mehrere mehrstufige Treiber zur Ansteuerung der Filamente 100 zur Anwendung kommen. Die mehreren Filamente 100 können seriell und/oder parallel verschaltet sein (nicht dargestellt).
  • Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    Filament
    111
    Strang
    112
    Strang
    113
    Strang
    120
    Halbleiterchip
    121
    Kontakt
    122
    Kontakt
    131
    Kontaktstruktur
    132
    Kontaktstruktur
    133
    Kontaktstruktur
    134
    Kontaktstruktur
    137
    Kontaktstruktur
    139
    Ausgleichselement
    141
    Abschnitt
    142
    Abschnitt
    143
    Abschnitt
    150
    Träger
    151
    Träger
    160
    Konversionsschicht
    170
    Bonddraht
    200
    Retrofit-Lampe
    201
    Kolben
    202
    Lampensockel
    210
    Treibereinheit
    220
    Treiber
    225
    Spannungsquelle
    231
    Spannungsverlauf
    232
    Spannungsverlauf

Claims (18)

  1. Filament (100), aufweisend: mehrere Stränge (111, 112, 113) aus elektrisch in Reihe verbundenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips (120); und mehrere Kontaktstrukturen (131, 132, 133, 134) zur Kontaktierung der Stränge (111, 112, 113), wobei die Kontaktstrukturen (111, 112, 113) mit Halbleiterchips (120) an den Enden der Stränge (111, 112, 113) elektrisch verbunden sind, so dass die Stränge (111, 112, 113) über die Kontaktstrukturen (131, 132, 133, 134) elektrisch ansteuerbar sind.
  2. Filament nach Anspruch 1, wobei mehrere Stränge (111, 112, 113) elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden sind, wobei zwei Kontaktstrukturen (131, 132) mit Halbleiterchips (120) an den Enden der Reihenschaltung elektrisch verbunden sind, und wobei wenigstens eine weitere Kontaktstruktur (133, 134) vorhanden ist, über welche zwei Stränge der Reihenschaltung elektrisch in Reihe verbunden sind.
  3. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mehrere Stränge (111, 112, 113) elektrisch getrennt sind, und wobei bei den getrennten Strängen jeweils zwei Kontaktstrukturen (131, 132, 133, 134) mit Halbleiterchips (120) an den Enden der Stränge elektrisch verbunden sind.
  4. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterchips (120) der Stränge (111, 112, 113) entlang einer gemeinsamen Linie angeordnet sind.
  5. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei wenigstens zwei Kontaktstrukturen (131, 132, 133) an den Enden des Filaments zugänglich sind.
  6. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in einem Bereich zwischen den Enden des Filaments wenigstens eine Kontaktstruktur (133, 134) zugänglich ist.
  7. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an einem Ende des Filaments zwei Kontaktstrukturen (132, 133) zugänglich sind, welche mit Halbleiterchips (120) an den Enden eines Strangs (112) elektrisch verbunden sind.
  8. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterchips (120) der Stränge (111, 112, 113) mit einer Konversionsschicht (160) zur Strahlungskonversion bedeckt sind.
  9. Filament nach Anspruch 8, wobei wenigstens zwei Kontaktstrukturen (131, 132, 133) an den Enden des Filaments aus der Konversionsschicht (160) herausragen.
  10. Filament nach einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei wenigstens eine Kontaktstruktur (133) seitlich aus der Konversionsschicht (160) herausragt.
  11. Filament nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die Halbleiterchips (120) der Stränge (111, 112, 113) jeweils mit einem separaten Schichtabschnitt der Konversionsschicht (160) bedeckt sind, und wobei in einem Zwischenbereich von zwei benachbarten Schichtabschnitten der Konversionsschicht (160) wenigstens eine Kontaktstruktur (133, 134) zugänglich ist.
  12. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, aufweisend einen Träger (150), auf welchem die Halbleiterchips (120) und die Kontaktstrukturen (131, 132, 133, 134) angeordnet sind.
  13. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterchips (120) der Stränge abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordnet sind.
  14. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, aufweisend einen Träger (151), welcher die Halbleiterchips (120) seitlich umgibt.
  15. Filament nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Stränge unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips (120) aufweisen.
  16. Leuchtvorrichtung (200), aufweisend ein Filament (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
  17. Leuchtvorrichtung nach Anspruch 16, aufweisend einen mehrstufigen Treiber (220) zum Ansteuern der Stränge des Filaments.
  18. Leuchtvorrichtung nach Anspruch 16, wobei die Stränge des Filaments in separaten Schaltkreisen verschaltet sind.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11997768B2 (en) 2014-09-28 2024-05-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11543083B2 (en) * 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11073248B2 (en) 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US12007077B2 (en) 2014-09-28 2024-06-11 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US12359779B1 (en) * 2015-09-25 2025-07-15 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US10982048B2 (en) 2018-04-17 2021-04-20 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd Organosilicon-modified polyimide resin composition and use thereof
US10964852B2 (en) * 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
WO2021052899A1 (en) * 2019-09-19 2021-03-25 Signify Holding B.V. Flexible light emitting diode filament comprising at least one alignment member
WO2022042431A2 (en) * 2020-08-24 2022-03-03 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd Led filament and light bulb using led filament

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130235592A1 (en) * 2010-11-04 2013-09-12 Panasonic Corporation Light bulb shaped lamp and lighting apparatus
DE202014001943U1 (de) * 2014-02-28 2014-05-08 Vosla Gmbh LED-Streifen, Lampe
CN203907532U (zh) * 2014-05-30 2014-10-29 惠州市华瑞光源科技有限公司 Led灯丝及应用该led灯丝的led灯泡
US20150008835A1 (en) * 2013-07-08 2015-01-08 Panasonic Corporation Light-emitting device, and light source for lighting and lighting apparatus using the same
CN104319345A (zh) * 2014-11-10 2015-01-28 北京大学东莞光电研究院 一种led灯丝的封装方法及led灯丝
CN104505455A (zh) * 2014-12-19 2015-04-08 苏州天微工业技术有限公司 Led灯丝及其成型方法
CN105161608A (zh) * 2015-07-03 2015-12-16 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led灯丝发光条及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8398261B2 (en) * 2005-12-30 2013-03-19 Ge Lighting Solutions Llc Lighting strips with improved manufacturability
US8132935B2 (en) * 2008-09-01 2012-03-13 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting module
CN201412723Y (zh) * 2009-06-19 2010-02-24 郑汉国 下雪或流水景象的装饰灯
CN201466003U (zh) * 2009-06-25 2010-05-12 品格卫厨（浙江）有限公司 多功能红外灯泡
WO2012060058A1 (ja) 2010-11-04 2012-05-10 パナソニック株式会社 電球形ランプ及び照明装置
WO2013116833A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 John Bogart Low voltage led lighting system
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI642874B (zh) * 2013-09-11 2018-12-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件以及相關之照明裝置
TWI516709B (zh) 2013-10-25 2016-01-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其發光二極體燈具
TWI613391B (zh) 2014-04-01 2018-02-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件及應用此發光二極體組件的發光二極體燈泡
DE102014114851A1 (de) * 2014-10-14 2016-04-14 Atlas Elektronik Gmbh Schaltung zum netzkonformen Betreiben von Leuchtdioden sowie Leuchtmittel und Leuchte
US10184648B2 (en) * 2015-05-04 2019-01-22 Terralux, Inc. Adjustable and reconfigurable light source
CN104952864B (zh) * 2015-06-24 2017-06-23 厦门多彩光电子科技有限公司 Led灯丝及其制造方法
CN206918712U (zh) * 2015-12-19 2018-01-23 嘉兴山蒲照明电器有限公司 Led球泡灯

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130235592A1 (en) * 2010-11-04 2013-09-12 Panasonic Corporation Light bulb shaped lamp and lighting apparatus
US20150008835A1 (en) * 2013-07-08 2015-01-08 Panasonic Corporation Light-emitting device, and light source for lighting and lighting apparatus using the same
DE202014001943U1 (de) * 2014-02-28 2014-05-08 Vosla Gmbh LED-Streifen, Lampe
CN203907532U (zh) * 2014-05-30 2014-10-29 惠州市华瑞光源科技有限公司 Led灯丝及应用该led灯丝的led灯泡
CN104319345A (zh) * 2014-11-10 2015-01-28 北京大学东莞光电研究院 一种led灯丝的封装方法及led灯丝
CN104505455A (zh) * 2014-12-19 2015-04-08 苏州天微工业技术有限公司 Led灯丝及其成型方法
CN105161608A (zh) * 2015-07-03 2015-12-16 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led灯丝发光条及其制备方法

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Publication number Publication date
US10969063B2 (en) 2021-04-06
CN109155306A (zh) 2019-01-04
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US20200278087A1 (en) 2020-09-03
WO2017202833A1 (de) 2017-11-30

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