DE102013202551A1 - Substrate manufacturing method for LED chip in LED module, involves providing metal layer with cavity, and allowing edge of cavity of substrate to be deformable frontward through deformation that is thicker than metal layer - Google Patents
Substrate manufacturing method for LED chip in LED module, involves providing metal layer with cavity, and allowing edge of cavity of substrate to be deformable frontward through deformation that is thicker than metal layer Download PDFInfo
- Publication number
- DE102013202551A1 DE102013202551A1 DE201310202551 DE102013202551A DE102013202551A1 DE 102013202551 A1 DE102013202551 A1 DE 102013202551A1 DE 201310202551 DE201310202551 DE 201310202551 DE 102013202551 A DE102013202551 A DE 102013202551A DE 102013202551 A1 DE102013202551 A1 DE 102013202551A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal layer
- cavity
- substrate
- led chip
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 113
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 15
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats für zumindest einen LED-Chip und ein Verfahren zur Herstellung eines LED-Moduls mit einem LED-Chip, bei dem ein Substrat bereitgestellt wird, das mit einem solchen Verfahren hergestellt wird. Die Erfindung betrifft ferner ein Substrat zur Herstellung eines LED-Moduls mit zumindest einem LED-Chip und ein LED-Modul welches ein solches Substrat aufweist.The invention relates to a method for producing a substrate for at least one LED chip and to a method for producing an LED module with an LED chip, in which a substrate is produced, which is produced by such a method. The invention further relates to a substrate for producing an LED module with at least one LED chip and an LED module which has such a substrate.
Um eine kompakte Bauweise zu gewährleisten werden LED-Chips auf dünnen Substraten angeordnet. Die Substrate dienen der elektrischen Kontaktierung des LED-Chips. Insbesondere bei LED-Chips mit höherer Leistung muss auch die Wärme aus dem Chip abgeführt werden, so dass an das Substrat auch gewisse Anforderungen bezüglich der Wärmeableitung aus dem LED-Chip durch das Substrat gestellt werden.In order to ensure a compact design, LED chips are arranged on thin substrates. The substrates are used for electrical contacting of the LED chip. Especially with LED chips with higher power and the heat must be dissipated from the chip, so that certain requirements are placed on the substrate with respect to the heat dissipation from the LED chip through the substrate.
Die
Einige Patentanmeldungen wie beispielsweise die
Die
Aus der
Die Aufgabe der Erfindung besteht also darin, die Nachteile des Stands der Technik zu überwinden. Insbesondere soll ein kostengünstiges Substrat und ein möglichst wenig aufwendiges Verfahren bereitgestellt werden, mit dem ein Substrat bereitgestellt wird, das zur Aufnahme, Kontaktierung und/oder Wärmeableitung eines oder mehrerer LED-Chips geeignet ist und das gleichzeitig eine Kavität zur Aufnahme des LED-Chips bereitstellt. Das Substrat und das damit hergestellte LED-Modul sollen dabei aber auch robust und kompakt sein. Ferner soll aus dem Substrat auch ein kostengünstiges und kleinteiliges LED-Modul gefertigt werden können und mit der Erfindung ein solches LED-Modul bereitgestellt werden. Das mit dem Substrat hergestellte LED-Modul soll möglichst leicht weiterverarbeitet und elektrisch kontaktiert werden können. The object of the invention is therefore to overcome the disadvantages of the prior art. In particular, a cost-effective substrate and a least expensive process should be provided, with which a substrate is provided, which is suitable for receiving, contacting and / or heat dissipation of one or more LED chips and simultaneously provides a cavity for receiving the LED chip , The substrate and the LED module produced with it should also be robust and compact. Furthermore, a cost-effective and small-scale LED module should be made of the substrate and be provided with the invention, such an LED module. The LED module produced with the substrate should be processed as easily as possible and electrically contacted.
Die Aufgaben der Erfindung werden gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats für zumindest einen LED-Chip, wobei eine Metalllage bereitgestellt wird und die Metalllage derart umgeformt wird, dass eine Kavität zur Aufnahme des wenigstens einen LED-Chips entsteht und der Rand der Kavität des Substrats durch die Umformung dicker als die Metalllage vor der Umformung wird.The objects of the invention are achieved by a method for producing a substrate for at least one LED chip, wherein a metal layer is provided and the metal layer is reshaped such that a cavity for receiving the at least one LED chip is formed and the edge of the cavity of the Substrate by forming thicker than the metal layer before forming is.
Anstatt dicker kann die Metalllage nach der Umformung auch als höher bezeichnet werden.Instead of thicker, the metal layer after forming can also be called higher.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird kein zusätzliches Material zur Bildung des Rands der Kavität aufgebracht. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich also dadurch aus, dass die Kavität ohne Aufbringen eines zusätzlichen Materials auf die Metalllage erzeugt wird.In the method according to the invention, no additional material is applied to form the edge of the cavity. The inventive method is thus characterized by the fact that the cavity is produced without applying an additional material to the metal layer.
Die Ausprägung der Kavität ist vorzugsweise tassenförmig, also umlaufend geschlossen, sie kann jedoch auch teilweise Unterbrechungen besitzen und die inneren Seitenwände können gerade, vorzugsweise jedoch nach innen hin schräg verlaufen. The expression of the cavity is preferably cup-shaped, so circumferentially closed, but it may also have partial interruptions and the inner side walls may be straight, but preferably obliquely inward.
Als LED-Chips kommen vor allem und erfindungsgemäß bevorzugt LED-Halbeiterchips in Frage.Above all and according to the invention, LED semiconductor chips are preferably used as LED chips.
Bei erfindungsgemäßen Verfahren kann vorgesehen sein, dass die Umformung der Metalllage durch Prägen (auch Massivumformen oder Rückwärtsfließpressen genannt) der Metalllage erfolgt.In the method according to the invention, it can be provided that the deformation of the metal layer is effected by embossing (also called massive forming or reverse flow extrusion) of the metal layer.
Das Prägen ist besonders gut zur Umformung geeignet, da dadurch auf einfache Weise die notwendige Materialverschiebung beziehungsweise Materialbewegung in der Metalllage erreicht werden kann, um die Metalllage so umzuformen, dass die Kavität entsteht. Damit unterscheidet sich das vorgeschlagene Verfahren zu existierenden Ätzverfahren, welche zumindest einen höheren Materialeinsatz benötigen und es nicht ermöglichen, Bereiche mit größerer Banddicke als die Ausgangsbanddicke zu erzeugen.The embossing is particularly well suited for forming, since in a simple manner, the necessary material displacement or material movement in the metal layer can be achieved in order to reshape the metal layer so that the cavity is formed. Thus, the proposed method differs from existing etching methods which require at least a higher material input and do not make it possible to produce regions with greater strip thickness than the output strip thickness.
Mit einer Weiterbildung der Erfindung wird vorgeschlagen, dass zumindest zwei Ausnehmungen in die Metalllage gestanzt werden, so dass Anschlussflächen für den LED-Chip durch die Ausnehmungen zumindest bereichsweise voneinander getrennt werden, wobei die Anschlussflächen durch die Ausnehmungen elektrisch voneinander getrennt sind oder die Anschlussflächen nur über schmale Stege miteinander und/oder mit der restlichen Metalllage verbunden sind, wobei vorzugsweise das Stanzen nach oder gleichzeitig mit der Umformung durchgeführt wird.In a development of the invention, it is proposed that at least two recesses be punched into the metal layer so that connection surfaces for the LED chip are at least partially separated from one another by the recesses, the connection surfaces being electrically separated from one another by the recesses or the connection surfaces only over narrow webs are connected to each other and / or with the remaining metal layer, wherein preferably the punching is carried out after or simultaneously with the forming.
Durch das Stanzen (auch Trimmen genannt) können auf einfache Weise die nötigen Anschlussflächen geformt oder vorgeformt werden. Die Anschlussflächen werden bevorzugt auch durch die Umformung bearbeitet und besonders bevorzugt durch das Prägen eben ausgestaltet. So werden bei erfindungsgemäßen Verfahren bevorzugt die außerhalb der Kavität und benachbart zur Kavität angeordneten Flächen oder Anschlussflächen derart geprägt oder zusammengepresst, dass das Substrat an den Flächen oder Anschlussflächen zumindest bereichsweise dünner ist als die Metalllage vor der Umformung.By punching (also called trimming), the necessary connection surfaces can be easily formed or preformed. The connection surfaces are preferably also processed by the deformation and particularly preferably designed by embossing. Thus, in methods according to the invention, the surfaces or connection surfaces arranged outside the cavity and adjacent to the cavity are preferably embossed or pressed in such a way that the substrate is at least partially thinner at the surfaces or connection surfaces than the metal layer before the deformation.
Es kann auch prozessbedingt vorteilhaft oder sogar nötig sein, die Materialdicke außerhalb der Kavität zu verjüngen und nicht-eben zu gestalten, um das für die Kavität benötigte Material bereitzustellen. Der in dieser Erfindung zugrunde liegende Umformprozess ermöglicht es jedoch, in diesem schrägen Bereich ebene Flächen zu erzeugen, welche insbesondere zur Bauteilplatzierung (z.B. ESD-Schutzdiode – zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen „ESD“) oder Kontaktierung (Bond-Ball) benötigt werden.It may also be advantageous or even necessary for the process to taper the material thickness outside the cavity and to make it non-planar in order to provide the material required for the cavity. The forming process underlying this invention, however, makes it possible to produce flat surfaces in this oblique area, which are required in particular for component placement (for example ESD protection diode - for protection against electrostatic discharges "ESD") or bonding (bonding ball).
Mit der Erfindung wird auch vorgeschlagen, dass die außerhalb der Kavität und benachbart zur Kavität angeordneten Flächen oder Anschlussflächen (
Die schräg zur Kavität ansteigenden Verläufe haben den fertigungstechnischen Vorteil, dass bei der Umformung das Material der Metalllage bei der Umformung leichter zum Rand der Kavität hin gedrückt werden kann, als wenn diese Bereiche eben zusammengepresst werden.The gradients rising obliquely to the cavity have the manufacturing advantage that in the forming process, the material of the metal layer can be pressed during the forming easier towards the edge of the cavity, as if these areas are just pressed together.
Erfindungsgemäß kann ferner vorgesehen sein, dass die Kavität umlaufend geschlossen geformt wird oder die Kavität bis auf kurze Unterbrechungen umlaufend geschlossen geformt wird, wobei vorzugsweise Bereiche des Rands der Kavität mit geringerer Höhe erzeugt werden.According to the invention, it can further be provided that the cavity is formed so as to be circumferentially closed, or that the cavity is formed so as to be circumferentially closed except for brief interruptions, wherein preferably regions of the edge of the cavity are produced at a lower height.
Durch den umlaufend geschlossenen Rand oder weitgehend umlaufend geschlossenen Rand kann sichergestellt werden, dass die Kavität anschließend ohne viel Ausschuss mit einem Phosphor und gegebenenfalls auch mit Mold gefüllt werden kann. Die Unterbrechungen können zum Durchführen mit Kontaktelementen, wie beispielsweise Bonddrähten verwendet werden.By the circumferentially closed edge or largely circumferentially closed edge can be ensured that the cavity can then be filled without much waste with a phosphor and possibly also with mold. The breaks can be used for passing through contact elements, such as bonding wires.
Mit der Erfindung wird auch vorgeschlagen, dass zumindest zwei Elektroden als Anschlussflächen in die Metalllage geformt werden oder zumindest zwei Elektroden und zumindest eine elektrisch neutrale Auflagefläche als Anschlussflächen in die Metalllage geformt werden, wobei vorzugsweise die Kavität in der zumindest einen elektrisch neutralen Auflagefläche ausgeformt wird.The invention also proposes that at least two electrodes are formed as connection surfaces in the metal layer or at least two electrodes and at least one electrically neutral support surface are formed as connection surfaces in the metal layer, wherein preferably the cavity is formed in the at least one electrically neutral support surface.
Der dadurch erzeugte Aufbau ist besonders einfach weiterzuverarbeiten. Unter einer elektrisch neutralen Auflagefläche ist zu verstehen, dass die Auflagefläche bei einem späteren Betrieb des fertig aufgebauten LED-Moduls Spannungsfrei ist.The structure thus created is particularly easy to process further. Under an electrically neutral support surface is to be understood that the support surface is voltage-free in a later operation of the finished LED module.
Des Weiteren kann vorgesehen sein, dass die Höhe des Rands der Kavität durch die Umformung um zumindest 10%, bevorzugt um zumindest 25%, besonders bevorzugt um zumindest 50% dicker wird als die Dicke der ursprünglichen Metalllage. Die Höhe des Rands der Kavität ist durch die Banddicke im Bereich des Rands der Kavität gegeben. Furthermore, it can be provided that the height of the edge of the cavity is at least 10%, preferably at least 25%, particularly preferably at least 50% thicker than the thickness of the original metal layer by the deformation. The height of the edge of the cavity is given by the band thickness in the region of the edge of the cavity.
Hierdurch können bei gegebener Dicke der Metalllage vor der Umformung möglichst hohe Wände, das heißt möglichst hohe Ränder der Kavität erzeugt werden. Dies ist insbesondere für die Reflexionseigenschaften der Kavitätsinnenwände (beziehungsweise Kavitätsinnenränder) günstig. Zudem wird das Aufnahmevolumen der Kavität optimiert und die Ränder der Kavität können auch höhere LED-Chips überragen und damit die Kavität größere und höhere LED-Chips aufnehmen.As a result, for a given thickness of the metal layer before forming as high as possible walls, that is the highest possible edges of the cavity can be generated. This is particularly favorable for the reflection properties of the Kavitätsinnenwände (or Kavitätsinnenränder). In addition, the receiving volume of the cavity is optimized and the edges of the cavity can also protrude higher LED chips and thus accommodate the cavity larger and higher LED chips.
Mit erfindungsgemäßen Verfahren wird auch vorgeschlagen, dass die Dicke des gesamten Substrats im Bereich des Rands der Kavität durch die Umformung um zumindest 25%, bevorzugt um zumindest 50%, besonders bevorzugt um zumindest 100% größer wird als die Dicke der ursprünglichen Metalllage.With the method according to the invention, it is also proposed that the thickness of the entire substrate in the region of the edge of the cavity is greater than the thickness of the original metal layer by at least 25%, preferably by at least 50%, particularly preferably by at least 100%.
Durch eine derart starke Umformung kann aus dem Substrat eine Kavität mit großer Höhe erzeugt werden, ohne dass dadurch der Materialaufwand steigt oder ohne dass zusätzliche Verfahrensschritte zum Aufbringen eines zusätzlichen Materials notwendig würden.By such a strong deformation can be generated from the substrate, a cavity with high altitude, without thereby increasing the cost of materials or without additional process steps for applying an additional material would be necessary.
Das der Erfindung zugrunde liegende Verfahren ermöglicht es auch, die Banddicke innerhalb der Kavität, dort wo üblicherweise der LED-Chip platziert wird, dicker oder dünner werden zu lassen als die Ausgangsbanddicke der Metalllage wobei gleichzeitig die Ränder der Kavität eingebracht werden können. Durch eine Erhöhung der Materialdicke in diesem Bereich können bessere thermische Eigenschaften wie Wärmespreizung und Wärmeabfuhr erreicht werden.The method on which the invention is based also makes it possible to make the strip thickness inside the cavity, where the LED chip is usually placed, thicker or thinner than the starting strip thickness of the metal layer, at the same time allowing the edges of the cavity to be introduced. By increasing the material thickness in this area better thermal properties such as heat spreading and heat dissipation can be achieved.
Mit einer alternativen Ausführung der Erfindung wird vorgeschlagen, dass eine isolierende Schicht auf die Metalllage laminiert wird, wobei vorzugsweise das Laminieren und das Strukturieren der Metalllage in getrennten Schritten erfolgen.With an alternative embodiment of the invention, it is proposed that an insulating layer is laminated to the metal layer, wherein preferably the lamination and the structuring of the metal layer take place in separate steps.
Hierdurch kann eine teilweise einfachere Prozessierung des so erzeugten zweilagigen Substrats sichergestellt werden. Grundsätzlich sind einlagige Substrate jedoch kostengünstiger und für das vorliegende Verfahren besonders gut geeignet. Das Laminieren erfolgt nach dem Umformen der Metalllage.As a result, a partially simpler processing of the thus produced two-layer substrate can be ensured. Basically, single-layer substrates are less expensive and particularly suitable for the present method. The lamination takes place after forming the metal layer.
Es wird mit der Erfindung auch vorgeschlagen, dass die Metalllage nach dem Umformen mit einer Schicht beschichtet wird, welche vorzugsweise metallisch ist aber auch aus z.B. keramischen Materialien bestehen kannIt is also proposed with the invention that the metal layer is coated after forming with a layer which is preferably metallic but also made of e.g. ceramic materials can exist
Die Beschichtung verbessert die optischen Reflexionseigenschaften der Kavitätsinnenwände und durch eine Veredelung der Oberfläche wird auch eine bessere Kontaktierbarkeit der Anschlussflächen möglich. Besonders bevorzugt wird eine Beschichtung mit Silber oder einer Silberlegierung. Im Bereich der Kavität können auch andere reflektierende Schichten zum Einsatz kommen welche vorzugsweise Lichtstrahlung reflektiert, aber auch andere elektromagnetische Strahlen reflektieren kann.The coating improves the optical reflection properties of the Kavitätsinnenwände and by refining the surface is also a better contactability of the pads possible. Particularly preferred is a coating with silver or a silver alloy. In the region of the cavity, other reflective layers can also be used, which preferably reflects light radiation but can also reflect other electromagnetic radiation.
Die Aufgaben der Erfindung bezüglich eines herzustellenden LED-Moduls wie einer LED-Lampe werden auch gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines LED-Moduls mit einem LED-Chip, bei dem ein Substrat bereitgestellt wird, das mit einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wird, wobei zumindest ein LED-Chip in der Kavität befestigt wird und der LED-Chip oder die LED-Chips elektrisch mit den Elektroden kontaktiert wird oder werden.The objects of the invention with regard to an LED module to be manufactured, such as an LED lamp, are also achieved by a method for producing an LED module with an LED chip, to which a substrate produced by a method according to the invention is provided, wherein at least an LED chip is mounted in the cavity and the LED chip or the LED chips are or are electrically contacted with the electrodes.
Das erfindungsgemäße LED-Modul weist im Wesentlichen die gleichen Vorteile auf, wie das erfindungsgemäße Substrat.The LED module according to the invention has substantially the same advantages as the substrate according to the invention.
Dabei kann vorgesehen sein, dass zumindest ein weiteres elektronisches Bauteil außerhalb Kavität befestigt wird und dieses elektrisch mit den Elektroden (
Diese zusätzlichen elektronischen Bauteile können zur Steuerung beziehungsweise zum Schutz des so erzeugten LED-Moduls verwendet werden.These additional electronic components can be used to control or protect the LED module thus produced.
Ferner kann vorgesehen sein, dass die Kavität nach dem Befestigen des LED-Chips mit einem phosphoreszierenden Material befüllt wird.Furthermore, it can be provided that the cavity is filled after the attachment of the LED chip with a phosphorescent material.
Das phosphoreszierende Material, auch kurz Phosphor genannt, dient dazu, dass mit dem LED-Modul die gewünschten Wellenlängen abgestrahlt werden können. Solche phosphoreszierenden Materialien für LEDs sind bekannt und können flüssig, pulverförmig als auch fester Art seinThe phosphorescent material, also called phosphor for short, serves to enable the LED module to emit the desired wavelengths. Such phosphorescent materials for LEDs are known and may be liquid, powdery as well as solid type
Ferner kann vorgesehen sein, dass der LED-Chip oder die LED-Chips mit einem Mold eingegossen werden, wobei sich der Mold vorzugsweise über die Ausnehmungen bis auf die benachbarten Elektroden und besonders bevorzugt die im Substrat eingebrachten Aussparungen und ganz besonders bevorzugt in Abstufungen der Aussparungen erstreckt, wobei hierbei hierdurch eine mechanische Verankerung erzeugt wird. Der Mold ist transparent und dient als Schutz des LED-Chips und der Bonddrähte, kann aber auch als Linse zur gerichteten Abstrahlung des vom LED-Chip oder den LED-Chips ausgesandten Lichts verwendet werden. Ferner kann auch ein farbiger Mold verwendet werden wobei dann keine Linse erzeugt wird.Furthermore, it can be provided that the LED chip or the LED chips are cast with a mold, wherein the mold preferably via the recesses to the adjacent electrodes and more preferably the recesses introduced in the substrate and most preferably in increments of the recesses extends, thereby thereby a mechanical Anchoring is generated. The mold is transparent and serves as a protection of the LED chip and the bonding wires, but can also be used as a lens for the directed emission of light emitted by the LED chip or the LED chips. Furthermore, a colored mold can also be used, in which case no lens is produced.
Es kann des Weiteren vorgesehen sein, dass das Substrat mit einem Mold überzogen wird, welcher nach dem Vereinzeln der Substrate aus dem Endlosverbund die zumindest zwei Elektroden zusammenhält. It can further be provided that the substrate is coated with a mold, which holds together the at least two electrodes after the separation of the substrates from the endless composite.
Mit einer Weiterentwicklung wird vorgeschlagen, dass auf der Kavität eine Linse befestigt wird, wobei bevorzugt die Linse mit dem Mold befestigt wird.With a further development, it is proposed that a lens be mounted on the cavity, with the lens preferably being fastened to the mold.
Mit diesem Aufbau ist eine spezifischere Bündelung des abgestrahlten Lichts möglich, wenn der Mold selbst als Linse nicht ausreicht.With this structure, a more specific bundling of the emitted light is possible if the mold itself is insufficient as a lens.
Die Aufgaben der Erfindung werden auch gelöst durch ein Substrat zur Herstellung eines LED-Moduls mit zumindest einem LED-Chip, insbesondere hergestellt mit einem erfindungsgemäßen Verfahren, wobei das Substrat eine strukturierte Metalllage aufweist, die Metalllage eine Kavität zur Aufnahme des zumindest einen LED-Chips umfasst, die Metalllage zumindest zwei Anschlussflächen aufweist, die voneinander elektrisch isoliert sind oder die über Stege miteinander und/oder mit der restlichen Metalllage verbunden sind, wobei die Metalllage am Rand der Kavität dicker als die Aufnahmefläche für den zumindest einen LED-Chip ist und auch dicker ist als die Bereiche um die Kavität herum.The objects of the invention are also achieved by a substrate for producing an LED module having at least one LED chip, in particular produced by a method according to the invention, wherein the substrate has a structured metal layer, the metal layer has a cavity for receiving the at least one LED chip comprises, the metal layer has at least two pads which are electrically insulated from each other or which are connected by webs with each other and / or with the remaining metal layer, wherein the metal layer at the edge of the cavity is thicker than the receiving surface for the at least one LED chip and also thicker than the areas around the cavity.
Das Besondere an dem erfindungsgemäßen Substrat ist, dass die Kavität einteilig mit der restlichen Metalllage ausgeführt ist. Die Metalllage umfasst dabei auch die Anschlussflächen zur Befestigung und elektrischen Kontaktierung des oder der LED-Chips.The special feature of the substrate according to the invention is that the cavity is made in one piece with the remaining metal layer. The metal layer also includes the connection surfaces for fastening and electrical contacting of the LED chip or chips.
Bei dem erfindungsgemäßen Substrat kann vorgesehen sein, dass die Metalllage aus Kupfer oder einer Kupfer-Legierung besteht und/oder die Metalllage metallisch beschichtet ist. Bevorzugt ist die Metalllage mit Silber oder einer Silberlegierung beschichtet.In the case of the substrate according to the invention it can be provided that the metal layer consists of copper or a copper alloy and / or the metal layer is metallically coated. Preferably, the metal layer is coated with silver or a silver alloy.
Kupfer ist aufgrund seiner guten elektrischen und thermischen Leitfähigkeit besonders geeignet. Die metallische Beschichtung stellt die Eignung für Kontaktierungsmethoden, wie z.B. Drahtbonden und/oder Löten bereit. Copper is particularly suitable because of its good electrical and thermal conductivity. The metallic coating provides the suitability for contacting methods, e.g. Wire bonding and / or soldering ready.
Ferner kann vorgesehen sein, dass die Metalllage mit einer isolierenden Schicht laminiert ist.Furthermore, it can be provided that the metal layer is laminated with an insulating layer.
Das so erzeugte zweilagige Substrat hat die oben genannten Vorteile und Nachteile.The two-layered substrate thus produced has the above-mentioned advantages and disadvantages.
Ein erfindungsgemäßes Substrat kann sich auch dadurch auszeichnen, dass es eine ebene Unterseite unterhalb der Kavität und zumindest bereichsweise unterhalb der Anschlussflächen aufweist.A substrate according to the invention can also be characterized in that it has a flat bottom underneath the cavity and at least partially below the connection surfaces.
Die ebene Unterseite vereinfacht den Einbau und die elektrische Kontaktierung eines damit erzeugten LED-Moduls erheblich.The flat bottom simplifies the installation and the electrical contacting of an LED module produced thereby considerably.
Schließlich werden die Aufgaben der Erfindung auch gelöst durch ein LED-Modul aufweisend ein solches Substrat, wobei zumindest ein LED-Chip auf der Aufnahmefläche angeordnet ist und der LED-Chip oder die LED-Chips mit zumindest zwei Anschlussflächen der Metalllage elektrisch kontaktiert sind. Bevorzugt ist der LED-Chip oder sind die LED-Chips mit den beiden Elektroden elektrisch kontaktiert. Die elektrische Kontaktierung erfolgt mit zumindest einem Bonddraht zu einer zur Auflagefläche des LED-Chips benachbarten Elektrode.Finally, the objects of the invention are also achieved by an LED module comprising such a substrate, wherein at least one LED chip is arranged on the receiving surface and the LED chip or the LED chips are electrically contacted with at least two pads of the metal layer. Preferably, the LED chip or the LED chips are electrically contacted with the two electrodes. The electrical contacting takes place with at least one bonding wire to an electrode adjacent to the contact surface of the LED chip.
Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren kann auch vorgesehen sein, dass ein bandförmiges Trägersubstrat zur Herstellung von Substraten für die LED-Chip-Montage oder elektronischen Bauelementen hergestellt wird, aufweisend die folgenden Schritte:
- – Bereitstellen einer bandförmigen Metallfolie,
- – Strukturieren der Metallfolie durch Schneiden/Trimmen und Umformen (Stanzen), so dass ein bandförmiges Trägersubstrat erzeugt wird, das durch eine Parkettierung mit gleichartigen Einheiten, die sich wiederholende Ausnehmungen umfassen, wobei jede Einheit zwei Elektroden und eine dazwischen angeordnete Aufnahmefläche sowie einen Restbereich umfassen, die durch schmale Stege miteinander verbunden sind, und wobei jede Elektrode zumindest einen Steg umfasst, der oder die die Elektrode mit dem Restbereich im Bereich von Ecken der Einheiten verbindet.
- Providing a band-shaped metal foil,
- Patterning the metal foil by cutting / trimming and reshaping (punching) so as to produce a band-shaped carrier substrate comprising a unitary tiling comprising similar units comprising repeating recesses, each unit comprising two electrodes and a receiving surface disposed therebetween and a remainder portion which are interconnected by narrow webs, and wherein each electrode comprises at least one web which connects the electrode to the remainder area in the area of corners of the units.
Dabei kann vorgesehen sein, dass beim Stanzprägen eine Bondanschlussfläche als Teil jeder Elektrode erzeugt wird, die durch Verankerungsschlitze von dem durch eine äußere Kontaktfläche gebildeten Rest der Elektrode bereichsweise getrennt wird, so dass die Bondanschlussflächen zwischen den äußeren Kontaktflächen und den Aufnahmeflächen liegt.In this case, it can be provided that during punch embossing a bond pad is produced as part of each electrode, which is partially separated by anchoring slots of the remainder of the electrode formed by an outer contact surface, so that the bonding pads lies between the outer contact surfaces and the receiving surfaces.
Bei dem Verfahren zur Herstellung eines LED-Moduls mit einem solchen Trägersubstrat können erfindungsgemäß auch die folgenden chronologischen Schritte vorgesehen sein:
- – Anordnen zumindest eines LED-Chips auf einer Aufnahmefläche innerhalb der Kavität des Trägersubstrats,
- – Kontaktieren des LED-Chips mit zumindest einem Bonddraht mit zumindest einer Elektrode des Trägersubstrats, bevorzugt mit zumindest einer Bondanschlussfläche der Elektrode des Trägersubstrats,
- – Befestigen des LED-Chips mit einer Moldmasse auf dem Trägersubstrat, wobei vorzugsweise der LED-Chip und der oder die Bonddrähte durch die Moldmasse abgedeckt werden, und
- – Freistanzen des LED-Moduls aus dem Trägersubstrat, so dass jedes elektronische Bauelement zumindest einen LED-Chip, eine Aufnahmefläche und wenigstens zwei Elektroden umfasst.
- Arranging at least one LED chip on a receiving surface within the cavity of the carrier substrate,
- Contacting the LED chip with at least one bonding wire with at least one electrode of the carrier substrate, preferably with at least one bonding pad of the electrode of the carrier substrate,
- - Fixing the LED chip with a molding compound on the carrier substrate, wherein preferably the LED chip and the bonding wire (s) are covered by the molding compound, and
- - Free punching of the LED module from the carrier substrate, so that each electronic component comprises at least one LED chip, a receiving surface and at least two electrodes.
Dabei kann vorgesehen sein, dass das Freistanzen in zwei Schritten erfolgt, wobei zunächst das Trägersubstrat elektrisch freigestanzt wird, so dass die Elektroden von den Aufnahmeflächen elektrisch getrennt werden, anschließend eine Überprüfung der elektrischen Kontaktierung des LED-Chips durch die Bonddrähte durchgeführt wird und daran anschließend die LED-Module materiell freigestanzt werden, so dass diese anschließend vereinzelt vorliegen.It can be provided that the free punching takes place in two steps, wherein first the carrier substrate is electrically punched, so that the electrodes are electrically separated from the receiving surfaces, then a check of the electrical contacting of the LED chip is performed by the bonding wires and thereafter the LED modules are material punched material, so that they are then isolated.
Der Erfindung liegt die überraschende Erkenntnis zugrunde, dass es durch die Umformung beziehungsweise das Prägen der Metalllage gelingt, ein Substrat für ein LED-Bauteil beziehungsweise LED-Modul mit einer Vertiefung beziehungsweise Kavität zu erzeugen, wobei das Substrat beziehungsweise die Metalllage mit der Kavität als massives Bauteil aus dem Metall der Metalllage erzeugt wird. Dadurch kann zum einen ein kompaktes Substrat erzeugt werden, das zum anderen eine ebene Unterseite aufweist und das auch die Strukturen zum Anschließen des LED-Chips aufweist. Daher bietet das erfindungsgemäße Verfahren die Möglichkeit auf einfache Weise aus einer einfachen Metallfolie beziehungsweise einer einfachen Metalllage ein kompaktes Substrat bereitzustellen, das neben allen nötigen Anschlussflächen auch eine Kavität bereitstellt deren Höhe die Ausgangsbanddicke stark übersteigen kann. Ebenso kann mit einem erfindungsgemäßen Verfahren ein kompaktes und kostengünstiges LED-Modul erzeugt werden.The invention is based on the surprising finding that it is possible by forming or embossing the metal layer to produce a substrate for an LED component or LED module with a recess or cavity, wherein the substrate or the metal layer with the cavity as a solid Component is produced from the metal of the metal layer. As a result, on the one hand, a compact substrate can be produced which on the other hand has a flat underside and which also has the structures for connecting the LED chip. Therefore, the method according to the invention offers the possibility of providing in a simple manner from a simple metal foil or a simple metal layer a compact substrate which, in addition to all necessary connection surfaces, also provides a cavity whose height can greatly exceed the initial strip thickness. Likewise, a compact and inexpensive LED module can be produced with a method according to the invention.
Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist dabei darin zu sehen, dass aus einer denkbar einfachen Grundform, wie einer Metallfolie, ohne großen Aufwand durch die Umformung, beispielsweise und bevorzugt durch eine Prägung, ein Substrat mit einer Kavität erzeugt werden kann, ohne dass ein Aufsetzen zusätzlichen Materials oder ein Falzen oder Biegen der Metalllage erfolgen muss. Dadurch entsteht ein erfindungsgemäßes Substrat mit einer zumindest bereichsweise flachen Unterseite. Das derart erzeugte Substrat hat den Vorteil, dass es sehr kompakt und flach ist.An advantage of the method according to the invention is to be seen in the fact that from a very simple basic form, such as a metal foil, without great effort by the forming, for example, and preferably by an embossing, a substrate with a cavity can be produced without additional placement Material or folding or bending of the metal layer must be made. This results in a substrate according to the invention having an underside that is at least partially flat. The substrate thus produced has the advantage that it is very compact and flat.
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand von elf schematisch dargestellten Figuren erläutert, ohne jedoch dabei die Erfindung zu beschränken. Dabei zeigt:Embodiments of the invention will be explained below with reference to eleven diagrammatically illustrated figures, without, however, limiting the invention. Showing:
Die
In einem ersten Verarbeitungsschritt wird die Metalllage
Beim Prägen der Metalllage
In einem weiteren Schritt wird die Metalllage
Dadurch werden die Elektroden
In einem weiteren Schritt kann das in
Aus einem solchen Substrat kann dann ein LED-Modul, wie beispielsweise ein LED-Modul für eine LED-Lampe erzeugt werden. Dazu wird ein LED-Chip
Die Kavität wird dann mit einer phosphoreszierenden Substanz
Eine weitere Variante eines erfindungsgemäßen LED-Moduls ist schematisch als Querschnitt in
Bei allen Ausführungsvarianten kann im Inneren der Kavität auch mehr als ein LED-Chip
Die Herstellung eines einlagigen LED-Moduls, wie dies beispielhaft in den
Es sind horizontale Chiptypen (
Die Metalllage
Hierbei wirkt die in die Metalllage
Die Metalllage
Nach dem Aushärten des Phosphors
Der Moldprozess erlaubt es, dass jedes Modul einzeln abgedichtet wird (bis auf die zwei Mold-Runner) und sich zwischen den Modulen kein Linsenmaterial, zum Beispiel Silikon befindet, welches beim Vereinzeln durch Schneiden stören würde.The molding process allows each module to be individually sealed (except for the two mold runners) and there is no lens material between the modules, for example silicon, which would interfere with separation by cutting.
Die ausgehärtete Linse
Die unteren Anschlusspads bleiben frei von dem Linsenmaterial so dass sei größtmögliche Anschlussgeometrien (elektrisch und / oder thermisch) bieten.The lower connection pads remain free of the lens material so that the greatest possible connection geometries (electrical and / or thermal) offer.
Im Gegensatz zu zwei- oder mehrlagigen Trägersubstraten (
Das LED-Modul kann bis zum Zeitpunkt des Vereinzelns durch Schneiden (Stanzen) auf Rollen (endlos) oder in Streifen (Sheets) transportiert werden.The LED module can be transported until the time of separation by cutting (punching) on rolls (endless) or in strips (sheets).
Als Metallfolie kann beispielsweise eine Folie aus Kupfer oder einer Kupferlegierung verwendet werden. Die Dicke der Metallfolie kann beispielsweise zwischen 0,1 mm bis 0,5 mm liegen, vorzugsweise eine 3 mm dicke Metallfolie.As the metal foil, for example, a foil made of copper or a copper alloy can be used. The thickness of the metal foil may for example be between 0.1 mm to 0.5 mm, preferably a 3 mm thick metal foil.
Die gestrichelten Linien in den Ausnehmungen
Ferner kann auf der Unterseite der Metallfolie eine isolierende Kunststofffolie laminiert sein, indem sie beispielsweise mit der Metallfolie auf der Unterseite verklebt ist. Die Kunststofffolie, die beispielsweise aus PET bestehen kann, hat die breiteren Ausnehmungen (gestrichelte Linien) an den gleichen Stellen, wie die Metallfolie. Die Dicke der Kunststofffolie liegt zwischen 0,02 mm und 0,2 mm.Furthermore, an insulating plastic film may be laminated on the underside of the metal foil by, for example, adhering it to the metal foil on the underside. The plastic film, which may for example consist of PET, has the wider recesses (dashed lines) in the same places as the metal foil. The thickness of the plastic film is between 0.02 mm and 0.2 mm.
Das bandförmige Trägersubstrat
Jede Einheit
Die Elektrode
Jede Einheit
Die Elektroden
Dadurch, dass die Stege
Durch diese Maßnahme ist es möglich, die Verbindungselemente
Beispielsweise kann die Länge und Breite einer erfindungsgemäßen Aufnahmefläche
Des Weiteren umfassen die Ausnehmungen
Das Substrat ist aus einer Metalllage gefertigt, in dem diese durch Umformen, wie zum Beispiel Tiefziehen, Prägen, Stanzen und/oder Trimmen geformt wurde. Das Substrat weist drei voneinander getrennte Bereiche auf. Ein mittlerer Bereich
Im mittleren Bereich
Auf der Unterseite sind im mittleren Bereich und den beiden äußeren Bereichen Abstufungen
Da die Übergänge zum Rand
Jede Einheit weist eine Aufnahmefläche
Jede Einheit stellt damit ein Zwischenprodukt für ein Substrat dar, wie es in den
In
In einem zweiten Schritt wird das gezeigte Substrat galvanisch beschichtet. Dieses Zwischenprodukt ist in B) gezeigt. Anschließend werden vier LED-Chips
Anschließend wird ein Phosphor in die Kavität zwischen und auf die LED-Chips
Schließlich wird das mit
Die in der voranstehenden Beschreibung sowie den Ansprüchen, Figuren und Ausführungsbeispielen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln, als auch in jeder beliebigen Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein.The features of the invention disclosed in the foregoing description as well as the claims, figures and embodiments may be essential both individually and in any combination for the realization of the invention in its various embodiments.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 11
- Metalllage metal sheet
- 2, 622, 62
- Rand der Kavität Edge of the cavity
- 44
- Aufnahmefläche für den LED-Chip Recording surface for the LED chip
- 6, 76, 7
- Elektrodenfläche / Anschlussfläche Electrode surface / pad
- 88th
- Endbereich end
- 1010
- Ausnehmung recess
- 1212
- Abstufung gradation
- 14, 6014, 60
- LED-Chip LED chip
- 1616
- Lot solder
- 18, 6118, 61
- Bonddraht bonding wire
- 2020
- Phosphoreszierende Substanz Phosphorescent substance
- 2222
- Mold Mold
- 2424
- Isolator insulator
- 3232
- Einheit unit
- 3333
- Aufnahmefläche receiving surface
- 3434
- Elektrode electrode
- 3535
- Äußere Kontaktfläche External contact surface
- 3636
- Bondanschlussfläche Bonding pad
- 3737
- Verankerungsschlitz / Ausnehmung / Ausstanzung Anchoring slot / recess / punching
- 3838
- Restbereich rest area
- 3939
- Ausnehmung / Ausstanzung Recess / punching
- 40, 41, 4240, 41, 42
- Steg web
- 4343
- Förderstreifen conveyor strip
- 4444
- Förderloch feed hole
- 4545
- Verbindungselement connecting element
- 4646
- Kante edge
- 5151
- Trägersubstrat carrier substrate
- 56, 57, 5856, 57, 58
- Entlastungsschlitz relief slot
- 6565
- Anschlussfläche terminal area
- 66, 6766, 67
- Elektrode electrode
- 7070
- Elektronisches Bauteil Electronic component
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- US 8115299 B2 [0003] US 8115299 B2 [0003]
- US 2007/252157 A1 [0003] US 2007/252157 A1 [0003]
- EP 1503433 A2 [0003] EP 1503433 A2 [0003]
- DE 102010025319 A1 [0004] DE 102010025319 A1 [0004]
- DE 102010052541 A1 [0004] DE 102010052541 A1 [0004]
- EP 1753036 A2 [0004] EP 1753036 A2 [0004]
- EP 2161765 A2 [0004] EP 2161765 A2 [0004]
- EP 2323183 A1 [0004] EP 2323183 A1 [0004]
- EP 2418700 A2 [0004] EP 2418700 A2 [0004]
- US 2009/050925 A1 [0004] US 2009/050925 A1 [0004]
- DE 10159695 A1 [0005] DE 10159695 A1 [0005]
- EP 1162669 A2 [0006] EP 1162669 A2 [0006]
- EP 2469613 A2 [0006] EP 2469613 A2 [0006]
- EP 2418702 A2 [0006] EP 2418702 A2 [0006]
Claims (18)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201310202551 DE102013202551A1 (en) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | Substrate manufacturing method for LED chip in LED module, involves providing metal layer with cavity, and allowing edge of cavity of substrate to be deformable frontward through deformation that is thicker than metal layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201310202551 DE102013202551A1 (en) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | Substrate manufacturing method for LED chip in LED module, involves providing metal layer with cavity, and allowing edge of cavity of substrate to be deformable frontward through deformation that is thicker than metal layer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013202551A1 true DE102013202551A1 (en) | 2014-08-21 |
Family
ID=51263828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201310202551 Withdrawn DE102013202551A1 (en) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | Substrate manufacturing method for LED chip in LED module, involves providing metal layer with cavity, and allowing edge of cavity of substrate to be deformable frontward through deformation that is thicker than metal layer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102013202551A1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109983548A (en) * | 2017-09-08 | 2019-07-05 | 新确有限公司 | Busbar assembly |
EP3675142A4 (en) * | 2017-09-04 | 2021-04-07 | Suncall Corporation | METHOD OF MANUFACTURING A BUS RAIL ARRANGEMENT |
EP4170685A4 (en) * | 2020-07-09 | 2024-03-13 | Suncall Corporation | BUSBAR ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1162669A2 (en) | 2000-06-09 | 2001-12-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device |
DE10159695A1 (en) | 2001-09-27 | 2003-06-26 | United Epitaxy Co | Light emitting diode for a cellular phone comprises a transparent resin for sealing flip-chip light emitting diode chip provided within center hole of cover |
EP1503433A2 (en) | 2003-07-31 | 2005-02-02 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Mount for semiconductor light emitting device |
EP1753036A2 (en) | 2005-08-08 | 2007-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and fabrication method thereof |
US20070252157A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Delta Electronics Inc. | Light emitting apparatus |
US20090050925A1 (en) | 2006-05-18 | 2009-02-26 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
EP2161765A2 (en) | 2008-09-09 | 2010-03-10 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2323183A1 (en) | 2009-11-17 | 2011-05-18 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system |
DE102010025319A1 (en) | 2010-06-28 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | A method of manufacturing a surface mount semiconductor device |
US8115299B2 (en) | 2007-02-27 | 2012-02-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device, lead frame and method of manufacturing semiconductor device |
EP2418700A2 (en) | 2010-08-09 | 2012-02-15 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system having the same |
EP2418702A2 (en) | 2010-08-09 | 2012-02-15 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
DE102010052541A1 (en) | 2010-11-25 | 2012-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor device has housing having main portion that is formed with recess for mounting optoelectronic semiconductor chip, where main portion is made of silicon material |
EP2469613A2 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Panasonic Corporation | Light emitting device and illumination apparatus using the same |
-
2013
- 2013-02-18 DE DE201310202551 patent/DE102013202551A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1162669A2 (en) | 2000-06-09 | 2001-12-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device |
DE10159695A1 (en) | 2001-09-27 | 2003-06-26 | United Epitaxy Co | Light emitting diode for a cellular phone comprises a transparent resin for sealing flip-chip light emitting diode chip provided within center hole of cover |
EP1503433A2 (en) | 2003-07-31 | 2005-02-02 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Mount for semiconductor light emitting device |
EP1753036A2 (en) | 2005-08-08 | 2007-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and fabrication method thereof |
US20070252157A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Delta Electronics Inc. | Light emitting apparatus |
US20090050925A1 (en) | 2006-05-18 | 2009-02-26 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
US8115299B2 (en) | 2007-02-27 | 2012-02-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device, lead frame and method of manufacturing semiconductor device |
EP2161765A2 (en) | 2008-09-09 | 2010-03-10 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2323183A1 (en) | 2009-11-17 | 2011-05-18 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system |
DE102010025319A1 (en) | 2010-06-28 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | A method of manufacturing a surface mount semiconductor device |
EP2418700A2 (en) | 2010-08-09 | 2012-02-15 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system having the same |
EP2418702A2 (en) | 2010-08-09 | 2012-02-15 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
DE102010052541A1 (en) | 2010-11-25 | 2012-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor device has housing having main portion that is formed with recess for mounting optoelectronic semiconductor chip, where main portion is made of silicon material |
EP2469613A2 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Panasonic Corporation | Light emitting device and illumination apparatus using the same |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3675142A4 (en) * | 2017-09-04 | 2021-04-07 | Suncall Corporation | METHOD OF MANUFACTURING A BUS RAIL ARRANGEMENT |
CN109983548A (en) * | 2017-09-08 | 2019-07-05 | 新确有限公司 | Busbar assembly |
EP3675141A4 (en) * | 2017-09-08 | 2021-04-07 | Suncall Corporation | BUS RAIL ARRANGEMENT |
CN109983548B (en) * | 2017-09-08 | 2022-01-07 | 新确有限公司 | Bus bar assembly |
CN114334233A (en) * | 2017-09-08 | 2022-04-12 | 新确有限公司 | Busbar assembly |
CN114334233B (en) * | 2017-09-08 | 2024-06-11 | 新确有限公司 | Bus assembly |
EP4170685A4 (en) * | 2020-07-09 | 2024-03-13 | Suncall Corporation | BUSBAR ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102012109905B4 (en) | Process for the production of a large number of optoelectronic semiconductor components | |
DE102012002605B4 (en) | Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component | |
EP2269238B1 (en) | Housing for high-power leds and fabrication method thereof | |
DE112018005740B4 (en) | Production of optoelectronic components and optoelectronic component | |
EP3360167B1 (en) | Optoelectronic component having a lead frame having a stiffening structure | |
DE102015114292A1 (en) | Laser component and method for its production | |
EP2601439B1 (en) | Optoelectrical light module and corresponding vehicle light | |
DE102010045390A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component | |
WO2015010997A1 (en) | Surface-mountable optoelectronic semiconductor component and method for producing at least one surface-mountable optoelectronic semiconductor component | |
DE102012106660A1 (en) | PCB having an individual refractive structure and method of manufacturing an LED package using the same | |
DE102012216738A1 (en) | OPTOELECTRONIC COMPONENT | |
DE112015005127B4 (en) | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component | |
DE102012212968A1 (en) | OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH ELECTRICALLY INSULATED ELEMENT | |
DE102017110317A1 (en) | Cover for an optoelectronic component and optoelectronic component | |
WO2016173841A1 (en) | Optoelectronic component array and method for producing a plurality of optoelectronic component arrays | |
DE102014105734A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component | |
DE102014113844A1 (en) | Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component | |
DE102013202551A1 (en) | Substrate manufacturing method for LED chip in LED module, involves providing metal layer with cavity, and allowing edge of cavity of substrate to be deformable frontward through deformation that is thicker than metal layer | |
EP0303272A2 (en) | Printed circuits for electronics | |
WO2015132380A1 (en) | Optoelectronic component and method for the production thereof | |
WO2012055661A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component comprising a semiconductor chip, a carrier substrate and a film and a method for producing said component | |
DE102008059552A1 (en) | Light-emitting diode module and light-emitting diode component | |
DE102013218268A1 (en) | Carrier and light device | |
DE102016207947A1 (en) | Optoelectronic assembly, electronic assembly, method of forming an optoelectronic assembly, and method of forming an electronic assembly | |
WO2015059030A1 (en) | Optoelectronic component and method for the production thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: SCHULTHEISS & STERZEL PATENTANWAELTE PARTG MBB, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGIES GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE Effective date: 20150223 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: SCHULTHEISS & STERZEL PATENTANWAELTE PARTG MBB, DE Effective date: 20150223 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |