[go: up one dir, main page]

DE102005041464A1 - Thermodeneinrichtung mit Heizplatte - Google Patents

Thermodeneinrichtung mit Heizplatte Download PDF

Info

Publication number
DE102005041464A1
DE102005041464A1 DE200510041464 DE102005041464A DE102005041464A1 DE 102005041464 A1 DE102005041464 A1 DE 102005041464A1 DE 200510041464 DE200510041464 DE 200510041464 DE 102005041464 A DE102005041464 A DE 102005041464A DE 102005041464 A1 DE102005041464 A1 DE 102005041464A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heating plate
semiconductor devices
heating
thermode
carrier substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200510041464
Other languages
English (en)
Inventor
Sigmund Niklas
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Muehlbauer GmbH and Co KG
Original Assignee
Muehlbauer GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Muehlbauer GmbH and Co KG filed Critical Muehlbauer GmbH and Co KG
Priority to DE200510041464 priority Critical patent/DE102005041464A1/de
Publication of DE102005041464A1 publication Critical patent/DE102005041464A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Eine Thermodeneinrichtung zum Verbinden und/oder elektrischen Kontaktieren einer Vielzahl von ersten Halbleiterbauelementen (3) mit mindestens einem Trägersubstrat (2) und/oder einer Vielzahl von zweiten Halbleiterbauelementen mittels Erwärmung eines Klebstoffs unter Druckbeaufschlagung (16, 17), wobei die Thermodeneinrichtung (1) eine auf- und abwärtsverschiebbare Heizkopfeinheit zum Anpressen der ersten Halbleiterbauelemente (3) auf dem Trägersubstrat (2) und/oder der zweiten Halbleiterbauelemente während einer Wärmeübertragung auf die ersten Halbleiterbauelemente (3) umfasst, wobei eine auf Oberseiten (3a) sämtlicher erster Halbleiterbauelemente (3) zeitgleich aufliegende erste Heizplatte (4) zur zeitgleichen Wärmeübertragung auf sämtliche erste Halbleiterbauelemente (3), wobei zwischen der ersten Heizplatte (4) und den Oberseiten (3a) sämtlicher erster Halbleiterbauelemente (3) ein(e) wärmebeständige(s) Papier (7) bzw. Folie angeordnet ist, und eine an eine Unterseite (2a) des Trägersubstrates (2) anliegende, mindestens die Abmessungen der ersten Heizplatte (4) aufweisende zweite Heizplatte (5) zur zeitgleichen Wärmeübertragung auf das Trägersubstrat (2) im Bereich sämtlicher erster Halbleiterbauelemente (3).

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Thermodeneinrichtung zum Verbinden und/oder elektrischen Kontaktieren einer Vielzahl von ersten Halbleiterbauelementen mit mindestens einem Trägersubstrat und/oder einer Vielzahl von zweiten Halbleiterbauelementen mittels Erwärmung eines Klebstoffes unter Druckbeaufschlagung, wobei die Thermodeneinrichtung eine auf- und abwärtsverschiebbare Heizkopfeinheit zum Anpressen der ersten Halbleiterbauelemente auf dem Trägersubstrat und/oder den zweiten Halbleiterbauelementen während einer Wärmeübertragung auf die ersten Halbleiterbauelemente umfasst, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
  • Bisher ist zum Verbinden und elektronischen Kontaktieren einer Mehrzahl von elektrischen Halbleiterbauelementen, wie Flip-Chips, mit einem darunterliegenden Trägersubstrat, welches beispielsweise eine Mehrzahl von Antennen aufweisen kann, eine Vielzahl von einzelnen Thermodenelementen verwendet worden, wobei jedem Halbleiterbauelement ein einzelnes Thermodenelement zugeordnet ist. Derartige Thermodenelemente dienen dazu, eine Erwärmung von Kontaktklebstoffteilen, die sich zwischen den Chips und dem Trägersubstrat befinden, zu bewirken und somit eine dauerhafte Verbindung zwischen den Chips und dem Trägersubstrat herbeizuführen.
  • Sofern die Halbleiterbauelemente auf dem Trägersubstrat derart angeordnet sind, dass ihre Beabstandung zueinander sehr gering ist, welches mit zunehmendem Durchsatz einer Chipkarten- oder smartlabelherstellenden Maschine erwünscht ist, wird die Anordnung einzelner Thermodenelemente dadurch erschwert, dass aufgrund ihrer Abmessungen diese nicht beliebig eng zueinander angeordnet werden können. Zudem müssen derartige Thermodenelemente einzeln erwärmt und individuell druckbeaufschlagt werden, woraus sich eine komplexe Ansteuerung eines derartigen Thermodenelementenfeldes ergibt.
  • Sofern derartige Thermodenelemente zu Vermeidung ihrer zu engen Anordnung zueinander einzeln oder mit großem Abstand zueinander beabstandet eingesetzt werden, ergibt sich hierdurch ebenso aufgrund der geringen Anzahl von Erwärmungsvorgängen, die zeitgleich für eine geringe Anzahl von Kontaktklebstoffteilen stattfindet, ein reduzierter Durchsatz.
  • Bei einer Anordnung einer Mehrzahl derartiger Einzelthermodenelemente kann insbesondere bei der Bestückung von Straps mit Chips, bei der bedingt durch den Abstand der einzelnen Straps auf einem gemeinsamen Web geringe Abstände zwischen den Auflageflächen der Chips bestehen, keine zufriedenstellende Anordnung einer Mehrzahl der Einzelthermodenelemente erreicht werden.
  • Bekannt sind sogenannte Thermodenfelder, die als einzelne Thermodenelemente zusammengefasst auf einer gemeinsamen Grundplatte angeordnet sind. Jedes Thermodenelement ist hierbei jeweils einem Halbleiterbauteil zugeordnet und wird mit einer Oberseite des Bauteils in Verbindung gebracht, um dieses unter Einfluss von Druck und Temperatur auf einem Trägersubstrat bzw. einem Trägerband dauerhaft zu befestigen.
  • Ein derartiges Thermodenfeld weist zwar vorteilhaft eine gemeinsame ab- und aufwärtsgerichtete Führung der Thermodenelemente auf, wobei in der Regel jedes Einzelthermodenelement nochmals eine individuelle Führung beinhaltet, erfordert jedoch eine seperate Druckbeaufschlagung und Temperaturansteuerung für jedes Thermodenelement, woraus sich eine komplexe, kostenintensive und herstellungsaufwendige Ansteuerung sowie ein kostenintensive Herstellung des gesamten Thermodenfeldes ergibt.
  • Demzufolge liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Thermodeneinrichtung zur Verfügung zu stellen, die das zeitgleiche Verbinden und/oder elektrische Kontaktieren von vielen Halbleiterbauelementen mit einem darunterliegenden Trägersubstrat oder zweiten Halbleiterbauelementen auf kostengünstige und einfache Weise ermöglicht, wobei die Thermodeneinrichtung kostengünstig in ihrer Herstellung ist.
  • Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst.
  • Kerngedanke der Erfindung ist es, eine Thermodeneinrichtung zum Verbinden und/oder elektrischen Kontaktieren einer Vielzahl von ersten Halbleiterbauelementen mit mindestens einem Trägersubstrat und/oder einer Vielzahl von zweiten Halbleiterbauelementen mittels Erwärmung eines Klebstoffes unter Druckbeaufschlagung zur Verfügung zu stellen, wobei die Thermodeneinrichtung eine auf- und abwärtsverschiebare Heizkopfeinheit zum Anpressen der ersten Halbleiterbauelemente auf dem Trägersubstrat und/oder den zweiten Halbleiterbauelementen während einer Wärmeübertragung auf die ersten Halbleiterbauelemente umfasst, bei der eine erste Heizplatte zur Wärmeübertragung auf sämtliche ersten Halbleiterbauelemente und eine untere, zweite Heizplatte angeordnet sind. Die erste Heizplatte liegt auf den Oberseiten sämtlicher erster Halbleiterbauelemente zeitgleich auf. Die zweite Heizplatte liegt an einer Unterseite des Trägersubstrates an, wobei dies in einem Bereich geschieht, der mindestens den Abmessungen der ersten Heizplatte entspricht. Auf diese Weise wird zeitgleich eine Wärmeübertragung auf das Trägersubstrat im Bereich sämtlicher erster Halbleiterbauelemente erzielt.
  • Zwischen der ersten Heizplatte und den Oberseiten sämtlicher erster Halbleiterbauelemente ist ein wärmebeständiges Papier bzw. eine wärmebeständige Folie angeordnet, um hierdurch eine Verschmutzung der Heizplatte mit Klebstoffresten während des Erwärmungsvorganges zu vermeiden.
  • Auf diese Weise wird durch die einfache flächenabdeckende Ausbildung der Heizkopfeinheit als Heizplatte, die mittels einer weiteren unterseitig angeordneten Heizplatte beidseitig auf die Klebstoffteile erwärmend einwirkt, eine kostengünstig herstellbare Thermodeneinrichtung erhalten, welche dafür verwendet werden kann, zeitgleich eine große Anzahl von auch eng zueinander beabstandeten ersten Halbleiterbauelementen und den unter ihnen jeweils angeordneten Kontaktklebstoffteilen zu erwärmen und hierdurch einen hohen Durchsatz der Maschine zu erhalten.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform weist die erste Heizplatte unterseitig eine elastische, wärmebeständige Schicht zum Ausgleich von Unebenheiten zwischen den Oberseiten der ersten Halbleiterbauelemente auf. Auf diese Weise kann, selbst wenn die einzelnen Halbleiterbauelemente unterschiedlich hoch angeordnet bzw. ausgebildet sind, eine zeitgleiche Erwärmung und Druckbeaufschlagung sämtlicher Halbleiterbauteile durch die erste Heizplatte erfolgen.
  • Vorteilhaft kann ebenso die zweite Heizplatte eine derartige elastische, wärmebeständinge Schicht an ihrer Oberseite aufweisen.
  • Alternativ können beide oder eine der Heizplatten ohne elastische Schicht ausgebildet sein.
  • Das Papier bzw. die Folie ist neben der ersten Heizplatte mittels Rollen auf- und abwickelbar. Hierbei handelt es sich bei dem Papier beispielsweise um silikonbeschichtetes Papier, welches vorteilhaft eine dauerhafte Anhaftung von Klebstoffteilen, selbst nach deren Erkalten, an den Heizplatten vermeidet.
  • Sobald ein Erwärmungsvorgang beendet ist, wird die erste Heizplatte nach oben gefahren und der verunreinigte Abschnitt des Silikonpapieres weitergefahren, indem das als Band ausgebildete Papier auf der einen Rolle ab- und auf der anderen Rolle aufgewickelt wird, um hierdurch einen sauberen Abschnitt des silikonbeschichteten Papieres im Bereich zwischen den Halbleiterbauelementen und der Heizplatte für den nächsten Erwärmungsvorgang zu erhalten.
  • Oberhalb der ersten Heizplatte und/oder unterhalb der zweiten Heizplatte ist ein pneumatisch beaufschlagbarer Druckzylinder zur Druckbeauschlagung der Heizplatten angeordnet. Somit kann ein Druckzylinder entweder nur für die erste obere Heizplatte oder nur für die untere zweite Heizplatte oder zwei Druckzylinder für beide Heizplatten vorgesehen sein. Hierdurch ergibt sich die Möglichkeit eines schnellen Aufwärts- und Abwärtsfahrens der Heizplatten, selbst bei hohem Eigengewicht derjenigen.
  • Zwischen dem Druckzylinder und der Heizplatte ist eine Kühlerplatte als Überwärmungsschutz für den Druckzylinder angeordnet. Auf diese Weise wird eine Wärmeübertragung von der Heizplatte auf den Druckzylinder zur Unterdrückung von Funktionsstörungen in dem Druckzylinder vermieden.
  • Die Heizplatte wird mittels mindestens einem Rückstellfederelement derart federbeauschlagt, dass eine Federkraft entgegen einer Gewichtskraft der Heizplatte wirkt. Somit ist beispielsweise bei der ersten oberen Heizplatte eine automatische Rückstellung der Heizplatte nach Beendigung eines Erwärmungsvorganges sichergestellt, sobald der Druckzylinder nicht mehr druckbeaufschlagt ist. Dies kann durch einen einfachen automatisierten Ansteuerungsvorgang des Druckzylinders erfolgen.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Vorteile und Zweckmäßigkeiten sind der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung zu entnehmen. Hierbei zeigen:
  • 1 in einer schematischen Querschnittsansicht eine Thermodeneinrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, und
  • 2 in einer schematischen Querschnittsansicht eine Thermodeneinrichtung gemäß dem Stand der Technik.
  • In 1 wird eine Thermodeneinrichtung 1 in schematischer Darstellung wiedergegeben. Auf einem Trägersubstrat 3, welches vorzugsweise bandartig ausgebildet ist, und sich von links nach rechts bewegt, sind eine Vielzahl von ersten Halbleiterbauelementen 3 angeordnet, die an ihrer Oberseite 3a von einer ersten Heizplatte 4 abgedeckt werden. Eine Unterseite 2a des Trägersubstrates 2 ist mit einer zweiten Heizplatte 5 von unten abgedeckt.
  • Sowohl die erste als auch die zweite Heizplatte 4, 5 sind auf- und abschiebbar, wie es durch die Doppelpfeile 16, 17 angedeutet wird.
  • Zwischen der ersten Heizplatte 4 und den Halbleiterbauelementen 3 ist ein silikonbeschichtetes Papierband 7, welches von einer Rolle 8 abgerollt und auf eine weitere Rolle 9 aufgerollt werden kann, angeordnet.
  • Die Heizplatten 4, 5 ermöglichen die zeitgleiche Druckbeaufschlagung und Temperaturerwärmung einer Vielzahl von Halbleiterbauelemente auf einfache und unkomplizierte Weise.
  • Vorteilhaft weist die erste Heizplatte 4 unterseitig eine elastische und wärmebeständige Schicht 6 auf, um Unebenheiten in der bei den Oberseiten der Halbleiterbauelemente 3 auszugleichen.
  • Ein Druckzylinder 10 ist oberhalb der ersten Heizplatte 4 angeordnet und über eine Kühlerplatte 11 mit der Heizplatte 4 verbunden. Die Kühlerplatte 11 dient zur Vermeidung von Überhitzungserscheinungen des Druckzylinders 10, welche zu Funktionsstörungen des Zylinders führen können.
  • Mittels Führungselemente 12, 13 wird das genaue Auf- und Abwärtsbewegen der oberen Heizplatte 4 erreicht.
  • Rückzugfedern 14, 15 führen dazu, dass die Heizplatte 4 entgegen ihres nach unten wirkenden Eigengewichtes nach oben gezogen wird, sobald eine durch den Druckzylinder 10 ausgeübte Druckkraft nachlässt. Dies findet bei Beendigung eines Erwärmungsvorganges statt.
  • Der Druckzylinder 10 ist ein pneumatisch doppelwirkender Druckzylinder, dessen Kraftansteuerung über ein Proportionalventil geschieht.
  • Gemäß einem erfindungsgemäßen Verfahren wird in einem ersten Schritt eine Vielzahl von Klebstoffteilen bzw. -pasten auf das Trägersubstrat 2 mittels einer hier nicht näher dargestellten Auftrageeinrichtung aufgebracht. Anschließend wird in einem weiteren Schritt mittels einer Umdreheinheit eine Vielzahl von Chips umgedreht (Flip-Chips) und mittels einer Bestückungseinrichtung auf dem Trägersubstrat im Bereich der Klebstoffteile aufgesetzt.
  • Nachdem das Trägersubstrat 2 weitergefahren worden ist, findet ein Zusammenfahren der Heizplatten 4, 5 zum Erwärmen und somit zur Aushärtung der Klebstoffteile und zur Herstellung elektrischer Kontakte statt.
  • Anschließend öffnen sich die Heizplatten 4, 5 und ein Transport des Trägersubstrates zu einer nächsten, beispielsweise einen Personalisierungsvorgang durchführenden, Einheit innerhalb einer Anlage findet durch Verschieben des Trägersubstrates 2 statt.
  • In 2 wird ein herkömmliches Thermodenfeld gemäß dem Stand der Technik gezeigt.
  • Das Thermodenfeld weist eine Grundplatte 18 mit darunter einzeln angeordneten Thermodenelementen 19, die jeweils einem Halbleiterbauelement 3 zugeordnet sind, auf. Unterhalb des Trägersubstrates 2 ist eine Auflage als Gegenlager zu dem auf- und abwärtsbewegbaren Thermodenfeld angeordnet. Dieses Gegenlager ist in der Regel nicht beheizbar.
  • Sämtliche in den Anmeldungsunterlagen offenbarten Merkmale werden als erfindungswesentlich beansprucht, sofern sie einzeln oder in Kombination gegenüber dem Stand der Technik neu sind.
  • 1
    Thermodeneinrichtung
    2
    Trägersubstrat
    2a
    Unterseite des Trägersubstrats
    3
    Halbleiterbauelemente
    3a
    Oberseite der Halbleiterbauelemente
    4
    erste Heizplatte
    5
    zweite Heizplatte
    6
    elastische Schicht
    7
    Papier
    8, 9
    Rollen
    10
    Druckstempel
    11
    Kühlerplatte
    12, 13
    Führungen
    14, 15
    Federelemente
    16, 17
    Aufwärts- und Abwärtsbewegungen
    18
    Thermodenfeld
    19
    Thermodenelemente
    20
    Gegenlager

Claims (7)

  1. Thermodeneinrichtung zum Verbinden und/oder elektrischen Kontaktieren einer Vielzahl von ersten Halbleiterbauelementen (3) mit mindestens einem Trägersubstrat (2) und/oder einer Vielzahl von zweiten Halbleiterbauelementen mittels Erwärmung eines Klebstoffs unter Druckbeaufschlagung (16, 17), wobei die Thermodeneinrichtung (1) eine auf- und abwärtsverschiebare Heizkopfeinheit zum Anpressen der ersten Halbleiterbauelemente (3) auf dem Trägersubstrat (2) und/oder den zweiten Halbleiterbauelemente, während einer Wärmeübertragung auf die ersten Halbleiterbauelemente (3) umfasst, gekennzeichnet durch eine auf Oberseiten (3a) sämtlicher erster Halbleiterbauelemente (3) zeitgleich aufliegende erste Heizplatte (4) zur zeitgleichen Wärmeübertragung auf sämtliche erste Halbleiterbauelemente (3), wobei zwischen der ersten Heizplatte (4) und den Oberseiten (3a) sämtlicher ersten Halbleiterbauelemente (3) ein(e) wärmebeständige(s) Papier (7) bzw. Folie angeordnet ist, und eine an eine Unterseite (2a) des Trägersubstrates (2) anliegende, mindestens die Abmessungen der ersten Heizplatte (4) aufweisende zweite Heizplatte (5) zur zeitgleichen Wärmeübertragung auf das Trägersubstrat (2) im Bereich sämtlicher erster Halbleiterbauelemente (3).
  2. Thermodeneinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Heizplatte (4) unterseitig eine elastische, wärmebeständige Schicht (6) zum Ausgleich von Unebenheiten zwischen den Oberseiten (3a) der ersten Halbleiterbauelemente (3) aufweist.
  3. Thermodeneinrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Papier (7) bzw. die Folie neben der ersten Heizplatte (4) mittels Rollen (8, 9) auf- und abwickelbar ist.
  4. Thermodeneinrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Papier (7) bzw. die Folie silikonbeschichtet ist.
  5. Thermodeneinrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass oberhalb der ersten Heizplatte (4) und/oder unterhalb der zweiten Heizplatte (5) ein pneumatisch beaufschlagbarer Druckzylinder (10) zur Druckbeauschlagung (16, 17) der Heizplatte(n) (4, 5) angeordnet ist.
  6. Thermodeneinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem (den) Druckzylinder(n) (10) und der (den) Heizplatte(n) (4, 5) eine Kühlerplatte (11) als Überwärmungsschutz für den (die) Druckzylinder (10) angeordnet ist (sind).
  7. Thermodeneinrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizplatte(n) (4, 5) mittels mindestens einem Rückstellfederelement (14, 15) derart federbeaufschlagt ist (sind), dass eine Federkraft entgegen einer Gewichtskraft der Heizplatte(n) (4, 5) wirkt.
DE200510041464 2005-09-01 2005-09-01 Thermodeneinrichtung mit Heizplatte Withdrawn DE102005041464A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510041464 DE102005041464A1 (de) 2005-09-01 2005-09-01 Thermodeneinrichtung mit Heizplatte

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510041464 DE102005041464A1 (de) 2005-09-01 2005-09-01 Thermodeneinrichtung mit Heizplatte

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005041464A1 true DE102005041464A1 (de) 2007-03-15

Family

ID=37762875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200510041464 Withdrawn DE102005041464A1 (de) 2005-09-01 2005-09-01 Thermodeneinrichtung mit Heizplatte

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102005041464A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010006880A1 (de) * 2010-02-04 2011-08-04 Sunfilm AG, 01900 Verfahren zur Kontaktierung eines Fotovoltaikmoduls
CN109585340A (zh) * 2018-11-27 2019-04-05 深圳源明杰科技股份有限公司 热压组件以及热压设备
US11406023B2 (en) 2017-08-30 2022-08-02 Pragmatic Printing Ltd. Methods for manufacturing a plurality of electronic circuits

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4605833A (en) * 1984-03-15 1986-08-12 Westinghouse Electric Corp. Lead bonding of integrated circuit chips
DE4017542A1 (de) * 1990-04-12 1991-10-17 Rossell Electronique Sa Thermode fuer einen elektrisch beheizten loetkopf
DE10105164A1 (de) * 2000-11-06 2002-05-16 Manfred Michalk Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren von Halbleiterchips
US6544377B1 (en) * 1997-11-20 2003-04-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Heating and pressurizing apparatus for use in mounting electronic components, and apparatus and method for mounting electronic components
DE10245398B3 (de) * 2002-09-28 2004-06-03 Mühlbauer Ag Vorrichtung und Verfahren zur Aufbringung von Halbleiterchips auf Trägern

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4605833A (en) * 1984-03-15 1986-08-12 Westinghouse Electric Corp. Lead bonding of integrated circuit chips
DE4017542A1 (de) * 1990-04-12 1991-10-17 Rossell Electronique Sa Thermode fuer einen elektrisch beheizten loetkopf
US6544377B1 (en) * 1997-11-20 2003-04-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Heating and pressurizing apparatus for use in mounting electronic components, and apparatus and method for mounting electronic components
DE10105164A1 (de) * 2000-11-06 2002-05-16 Manfred Michalk Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren von Halbleiterchips
DE10245398B3 (de) * 2002-09-28 2004-06-03 Mühlbauer Ag Vorrichtung und Verfahren zur Aufbringung von Halbleiterchips auf Trägern

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010006880A1 (de) * 2010-02-04 2011-08-04 Sunfilm AG, 01900 Verfahren zur Kontaktierung eines Fotovoltaikmoduls
US11406023B2 (en) 2017-08-30 2022-08-02 Pragmatic Printing Ltd. Methods for manufacturing a plurality of electronic circuits
GB2566029B (en) * 2017-08-30 2022-11-02 Pragmatic Printing Ltd Methods and apparatus for manufacturing a plurality of electronic circuits
CN109585340A (zh) * 2018-11-27 2019-04-05 深圳源明杰科技股份有限公司 热压组件以及热压设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2117743B1 (de) Kühlvorrichtung für eine platine
DE2704540C2 (de)
DE102015120835B4 (de) Stiftkühlkörperumformverfahren
DE102011011013B4 (de) Pressenanlage zum Umformen oder Bearbeiten von meta llischen Bauteilen
DE112007001367T5 (de) Verfahren zum Halten eines Glieds
DE69922695T2 (de) Verfahren zur herstellung von paste
DE102011053672B4 (de) Verfahren und Anordnung zum Erwärmen einer Metallplatine
EP2216417A2 (de) Heizvorrichtung zur Erwärmung einer metallenen Platine
DE102014004728B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Löten von Fügepartnern
DE102021122007B4 (de) Pressform
DE102005041464A1 (de) Thermodeneinrichtung mit Heizplatte
EP1849341A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum verbinden von halbleiterelementen oder interposern mit einem trägerband und verwendung einer derartigen vorrichtung
DE102005038416B3 (de) Thermodenvorrichtung für eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen
DE3411023A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen und/oder bearbeiten von kaschierten teilen
DE2048079C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kaltverschweißen (Festkörperverschweißung) zweier Werkstücke
DE102017104638A1 (de) Vorrichtung zum Umbugen von Überständen einer Kaschierung um einen Kantenbereich eines Werkstücks und ein entsprechendes Verfahren
WO2009000682A1 (de) Vorrichtung zum anpressen von halbleiterchips
EP0392047A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Heissverformen einer Kunstharz-Schichtpressstoffplatte
DE102010028239A1 (de) Kontaktiervorrichtung zum elektrischen Verschalten von Solarzellenreihen eines Solarmoduls
EP0297471A2 (de) Verfahren zum Steuern einer Spannvorrichtung
DE102007062755B4 (de) Heizpresse
EP2996864B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von zierstreifen auf einen sitzbezug
DE69906341T2 (de) Maschine zum anbringen einer zehenkappe an den schuhschaft
DE1906796A1 (de) Vorrichtung zum Verbinden von Einsaetzen mit Huelsen mittels Pressbacken
DE102023124450A1 (de) Heizvorrichtung zum Erwärmen einer Platine aus Metall oder Kunststoff und Umformstation für eine Platine aus Metall oder Kunststoff

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal