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DE102004056111A1 - Halbleiterschaltmodul - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterschaltmodul (1), mit einem in Planar-Technologie ausgeführten Leistungshalbleiterelement (210, 310) und einem das Leistungshalbleiterelement (210, 310) zumindest auf einer Seite (10) vollständig umschließenden Modulgehäuse (220, 320). Dabei ist an zwei sich im wesentlichen gegenüberliegenden Stellen des Modulgehäuses (220, 320) jeweils zumindest eine Öffnung (220', 220'', 320', 320'') so vorgesehen, dass zum Kühlen des Leistungshalbleiterelements (210, 310) eine Luftströmung über der Seite (10) des Leistungshalbleiterelements (210, 310) bewirkt wird, die vom Modulgehäuse (220, 320) umschlossen ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterschaltmodul gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Halbleiterschaltmodule kommen dann zur Anwendung, wenn es darum geht, bei Betriebsspannungen von einigen hundert Volt, Ströme von mehreren zehn Ampere häufig und nahezu geräuschlos zu schalten. Ein Halbleiterschaltmodul ist dabei in Abhängigkeit des verwendeten Leistungshalbleiterchips für einen bestimmten Betriebsspannungsbereich und Strombereich und damit für eine bestimmte maximale Schaltleistung spezifiziert. Um diese elektrischen Spezifikationen auch bei hohen Schalthäufigkeiten einhalten zu können, muss die, während des Schaltens entstehende Wärme in geeigneter Weise abgeführt werden.
  • Halbleiterschaltmodule können dabei beispielsweise nach der so genannten Bonding-Technologie hergestellt werden. Dabei wird das eigentliche Leistungshalbleiterelement, bestehend aus einem Basissubstrat und dem darauf angebrachten Leistungshalbleiterchip sowie weiterer Bauelemente, über entsprechende Bonding-Drähte mit Anschlusselementen verbunden. Diese Anschlusselemente sind durch das Modulgehäuse des Halbleiterschaltmoduls nach außen geführt, so dass eine entsprechende Beschaltung vorgenommen werden kann. Zur elektrischen Isolation sowohl der Bauelemente als auch der Bonding-Drähte wird ein Großteil des Innenraums des Modulgehäuses mit einer isolierenden Vergussmasse aufgefüllt. Zur Wärmeabfuhr ist zudem auf der Seite des Basissubstrats, die der Seite mit dem Leistungshalbleiterchip gegenüberliegt, ein entsprechend dimensionierter Kühlkörper angebracht.
  • Alternativ kann das Leistungshalbleiterelement eines solchen Halbleiterschaltmoduls auch nach der so genannten Planar-Technologie aufgebaut werden. Solch ein planarer Aufbau eines Leistungshalbleiterelements ist beispielsweise aus der WO 03/030247 bekannt. Hier werden die Bauelemente auf ein Basissubstrat, das aus einer Keramikbasis mit beidseitig aufgebrachten Kupferschichten besteht, aufgebracht. Über weitere auf die Oberfläche aufgebrachte Schichten aus elektrisch isolierenden und elektrisch leitenden Materialien können die Bauelemente dann flächig und ohne zusätzliche Drähte kontaktiert und mit Anschlusselementen verbunden werden. Durch die Verwendung solcher in Planar-Technologie ausgeführter Leistungshalbleiterelemente entfallen die bei der Bonding-Technologie benötigten Verdrahtungen. Die Isolation zwischen den Bauelementen und den elektrisch leitenden Schichten wird hier zudem alleine von den elektrisch isolierenden Schichten erzeugt, so dass auf eine zusätzliche Vergussmasse verzichtet werden kann. Somit können Halbleiterschaltmodule weniger aufwändig und damit einfacher hergestellt werden.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein solches Halbleiterschaltmodul anzugeben, bei dem zudem die Wärmeabfuhr verbessert ist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch das Halbleiterschaltmodul mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
  • Dadurch, dass an zwei, sich im Wesentlichen gegenüberliegenden Stellen eines Modulgehäuses des Halleiterschaltmoduls jeweils zumindest eine Öffnung so vorgesehen ist, dass zum Kühlen des Leistungshalbleiterelements eine Luftströmung über der Seite des Leistungshalbleiterelements, die vom Modulgehäuse umschlossen ist, bewirkt wird, kann eine zusätzliche Wärmeabfuhr und damit verbesserte Wärmeabfuhr erreicht werden. Damit wird zum einen ein Hitzestau im Modulgehäuse vermieden, was zu einer geringeren Temperaturbelastung und damit zu einer höheren Zuverlässigkeit des Halbleiterschaltmoduls führt. Zum anderen kann durch diese zusätzliche Kühlung die Dimensionierung eines Kühlkörpers geringer ausfallen oder ganz entfallen, was letztendlich zu einer Vereinfachung und zu geringeren Gesamtabmessungen des Halbleiterschaltmoduls führt.
  • Bevorzugt werden die Öffnungen dabei an sich gegenüberliegenden seitlichen Wandungen des Modulgehäuses angeordnet. Dadurch entsteht ein Luftstrom möglichst nahe an der Oberfläche des Leistungshalbleiterelements, so dass eine optimierte Oberflächenkühlung des Leistungshalbleiterchip und damit des Leistungshalbleiterelements erreicht wird.
  • Wird eine zusätzliche Flachbaugruppe, insbesondere eine Leiterplatte, wie zum Beispiel eine Steuerplatine, so im Modulgehäuse angeordnet, dass zwischen deren Oberfläche und der Oberfläche des Halbleiterbauelements ein Strömungskanal zur Lüftströmung zwischen den Öffnungen ausgebildet wird, kann eine höhere Luftströmung und damit eine weiter verbesserte Kühlung des Leistungshalbleiterchips erzielt werden.
  • Vorzugsweise kann zudem an einer der Öffnungen im Modulgehäuse ein Lüfter angeordnet sein. Somit kann der Luftstrom weiter erhöht werden, so dass gerade bei geringen Wärmeverlusten, das heißt bei kleinen Schaltleistungen, ganz auf einen Kühlkörper verzichtet werden kann.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungen und bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
    •
  • Die Erfindung sowie vorteilhafte Ausführungen derselben werden im Weiteren anhand der nachfolgenden Figuren näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 schematisch ein in Planar-Technologie ausgeführtes Leistungshalbleitermodul,
  • 2 schematisch ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls,
  • 3 schematisch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls,
  • 4 und 5 schematisch dargestellte Ausführungsformen des Modulgehäuses.
  • Der in 1 dargestellte Aufbau eines, in Planar-Technologie ausgeführten, Halbleiterschaltmoduls 1 zeigt das Leistungshalbleiterelement 110 mit einem auf einer Seite des Basissubstrats 111 aufgebrachten Leistungshalbleiterchip 112. Zur Kühlung ist auf der gegenüberliegenden Seite des Leistungshalbleiterelements 110 ein entsprechend dimensionierter Kühlkörper 160 vorgesehen. Das Leistungshalbleiterelement 110 ist zumindest auf einer Seite 10 vollständig von einem Modulgehäuse 120 umschlossen. Mittels entsprechender elektrisch leitender Schichten 113, die über elektrisch isolierenden Schichten 114 angeordnet sind, ist der Leistungshalbleiterchip 112 mit den Anschlusselementen 150 verbunden. Diese Anschlusselemente 150 sind zur Verschaltung des Halbleitermoduls mit weiteren Modulen durch das Modulgehäuse 120 an außenliegende Kontakte geführt.
  • 2 zeigt denselben Aufbau wie 1 mit dem Unterschied, dass hier erfindungsgemäß Öffnungen 220' und 220'' im Modulgehäuse 220 vorgesehen sind. Durch die besondere Anordnung der Öffnungen, insbesondere in zwei gegenüberliegenden Wandungen des Modulgehäuses 220, kann so eine zusätzliche Wärmeableitung auf der Seite des Leistungshalbleiterchips erreicht werden. Durch diese bevorzugte Anordnung der Öffnungen 220' und 220'' wird ein möglichst direktes Überstreichen der Oberfläche und damit eine zusätzliche Kühlung auf der Seite des Leistungshalbleiterelements erreicht, auf der sich die eigentliche Wärmequelle, nämlich der Leistungshalbleiterchips, befindet. Durch diese zusätzliche Wärmeabfuhr kann somit der Kühlkörper 260 bei gleicher spezifizierter Schaltleistung entsprechend kleiner als in der 1 dargestellten Ausführung dimensioniert werden.
  • 3 zeigt eine zweite Ausführungsform eines in Planar-Technologie aufgebauten Halbleiterschaltmoduls 1. Hier ist im Modulgehäuse 320 eine zusätzliche Flachbaugruppe, wie beispielsweise die Steuerplatine 330 zum Steuern des Leistungshalbleiterelements 310 angeordnet. Diese bildet zusammen mit dem Leistungshalbleiterelement 310 einen Strömungskanal, der eine geführte Luftströmung zwischen den Öffnungen 320' und 320'' bewirkt. Zudem ist an den Öffnungen 320'' ein Lüfter 340 vorgesehen, um die Luftströmung und damit die Kühlwirkung noch weiter zu erhöhen.
  • Die beschriebenen 2 und 3 zeigen nur zwei mögliche Ausführungen der vorliegenden Erfindung. Von der vorliegenden Erfindung sollen aber auch alle weiteren Ausführungsformen mit umfasst sein, solange sie demselben Grundprinzip unterliegen, dass an zwei, sich im Wesentlichen gegenüberliegenden Stellen des Modulgehäuses jeweils zumindest eine Öffnung so vorgesehen ist, dass zum Kühlen des Leistungshalbleiterelements eine Luftströmung über der Seite des Leistungshalbleiterelements, auf der sich der Leistungshalbleiterchip befindet, bewirkt wird. So können beispielsweise die Öffnungen 420' und 420'' im Deckel des Modulgehäuses 420 an zwei entgegengesetzten Stellen angeordnet sein (4). Alternativ könnten die Öffnungen 520' und 520'' auch an zwei aneinander angrenzenden Wandungen (5) des Modulgehäuses 520 vorgesehen sein, wobei wiederum darauf zu achten ist, dass diese an weit voneinander entfernten Stellen vorgesehen sind und somit eine Luftströmung zwischen den Öffnungen zumindest große Teile der Oberfläche des Leistungshalbleiterelements überstreicht. Zudem könnte anstelle einer Leiterplatte der Deckel selbst so ausgebildet sein, dass zwischen dessen Oberfläche und der Oberfläche des Halbleiterbauelements ein Strömungskanal zur Lüftströmung zwischen den Öffnungen ausgebildet wird. Zudem können wie in 5 angedeutet, die Öffnungen, hier insbesondere die Öffnung 520'', mit einem Gitter versehen sein. Insbesondere sollen auch alle Kombinationen der vorge nannten Ausführungsbeispiele von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sein.

Claims (7)

  1. Halbleiterschaltmodul (1), mit einem in Planar-Technologie ausgeführten Leistungshalbleiterelement (210, 310) und einem, das Leistungshalbleiterelement (210, 310) zumindest auf einer Seite (10) vollständig umschließende Modulgehäuse (220, 320), dadurch gekennzeichnet, dass an zwei, sich im Wesentlichen gegenüberliegenden Stellen des Modulgehäuses (220, 320) jeweils zumindest eine Öffnung (220', 220'', 320', 320'') so vorgesehen ist, dass zum Kühlen des Leistungshalbleiterelements (210, 310) eine Luftströmung über der Seite (10) des Leistungshalbleiterelements (210, 310) bewirkt wird, die vom Modulgehäuse (220, 320) umschlossen ist.
  2. Halbleiterschaltmodul (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichet, dass die Öffnungen (220', 220'', 320', 320'') an gegenüberliegenden seitlichen Wandungen des Modulgehäuses (220, 320) angeordnet sind.
  3. Halbleiterschaltmodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichet, dass eine zusätzliche Flachbaugruppe (330) so innerhalb des Modulgehäuses angeordnet ist, dass zwischen dessen Oberfläche und einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (310) ein Strömungskanal zur Luftströmung zwischen den Öffnungen (320', 320'') ausgebildet wird.
  4. Halbleiterschaltmodul (1) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichet, dass die Flachbaugruppe (330) eine bestückte Leiteplatte ist.
  5. Halbleiterschaltmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichet, dass an einer der Stellen des Modulgehäuses (220, 320), an der eine Öffnung (220', 220'', 320', 320'') vorgesehen ist, ein Lüfter (340) angebracht ist.
  6. Halbleiterschaltmodul (1) nach einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichet, dass zum Anschließen des Halbleiterschaltmoduls (1) Anschlusselemente (250, 350) vom Leistungshalbleiterelement (210, 310) durch das Modulgehäuse (220, 320) geführt sind.
  7. Halbleiterschaltmodul (1) nach einem der vorherigen Anschlüsse 1 bis 5, dadurch gekennzeichet, dass auf einer Seite (20) des Leistungshalbleiterelements (210), die der Seite (10) gegenüberliegt, die vom Modulgehäuse (220) umschlossen ist, ein Kühlkörper (260) zum Kühlen des Leistungshalbleiterelements (210) angebracht ist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012216086A1 (de) * 2012-09-11 2014-03-13 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungselektronikmoduls
DE102020112809A1 (de) 2020-05-12 2021-11-18 Lisa Dräxlmaier GmbH Kühlanordnung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008034468B4 (de) * 2008-07-24 2013-03-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29610284U1 (de) * 1996-06-12 1996-09-05 Doepke Schaltgeräte GmbH & Co. KG, 26506 Norden Reiheneinbaugerät mit Zwangsbelüftung
DE10151928A1 (de) * 2000-10-31 2002-07-18 Fuji Electric Co Ltd Energiewandler

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07240487A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Toshiba Corp 電気回路の冷却装置
DE19617055C1 (de) * 1996-04-29 1997-06-26 Semikron Elektronik Gmbh Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise
CN1139989C (zh) 1997-10-20 2004-02-25 株式会社日立制作所 半导体模块及使用该半导体模块的电力变换装置
AT411126B (de) 2001-04-06 2003-09-25 Siemens Ag Oesterreich Halbleitermodul
AU2002340750A1 (en) 2001-09-28 2003-04-14 Siemens Aktiengesellschaft Method for contacting electrical contact surfaces of a substrate and device consisting of a substrate having electrical contact surfaces
US6989592B2 (en) * 2002-05-01 2006-01-24 The Boeing Company Integrated power module with reduced thermal impedance

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29610284U1 (de) * 1996-06-12 1996-09-05 Doepke Schaltgeräte GmbH & Co. KG, 26506 Norden Reiheneinbaugerät mit Zwangsbelüftung
DE10151928A1 (de) * 2000-10-31 2002-07-18 Fuji Electric Co Ltd Energiewandler

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012216086A1 (de) * 2012-09-11 2014-03-13 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungselektronikmoduls
DE102012216086B4 (de) * 2012-09-11 2017-01-05 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronikmodul
DE102020112809A1 (de) 2020-05-12 2021-11-18 Lisa Dräxlmaier GmbH Kühlanordnung

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WO2006053846A1 (de) 2006-05-26
EP1844497A1 (de) 2007-10-17

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