DE10152536A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Reduzieren einer Emission von Perfluorverbindungen (PFC-Emission) während der Halbleiterherstellung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Reduzieren einer Emission von Perfluorverbindungen (PFC-Emission) während der HalbleiterherstellungInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- -1 perfluoro compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000005200 wet scrubbing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000809 air pollutant Substances 0.000 description 3
- 231100001243 air pollutant Toxicity 0.000 description 3
- 239000002737 fuel gas Substances 0.000 description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/68—Halogens or halogen compounds
- B01D53/70—Organic halogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/206—Organic halogen compounds
- B01D2257/2066—Fluorine
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Verfahren zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstellungsverfahrens, das einen Satz an Teilverfahren enthält, von denen jedes zumindest eine Perfluor-Verbindung (PFC) erzeugt, wobei das Verfahren die Schritte eines Abführens von PFC, das durch jeden Teilprozess erzeugt wird, durch eine gemeinsame Leitung, um einen vereinten Abgasstrom auszubilden, ein Behandeln des vereinigten Abgasstroms aus jedem Teilverfahren unter Verwendung eines separaten PFC-Reinigungssystems, ein Vereinen der behandelten Abgasströme zum Ausbilden eines vereinten behandelten Stromes und ein Naßwaschen des vereinten behandelten Abgasstromes enthält.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und ein System zum
Verringern der Emission von PFC (Perfluorverbindungen), die während Halb
leiterherstellungsverfahren entstehen.
Flüchtige Gase, die während der Halbleiterherstellungsverfahren, bei
spielsweise während einer CVD-Kammerreinigung oder Trockenätzverfahren,
emittiert werden, enthalten oftmals Perfluorverbindungen (PFC = perfluoro
compounds). PFC's sind Erderwärmungsgase (d. h. Gase, die für den Treibhau
seffekt verantwortlich gemacht werden), und es werden beträchtliche Anstren
gungen unternommen, um die Menge an PFC's, die in die Atmosphäre emit
tiert werden, zu reduzieren und zu minimieren. Insbesondere versucht ein Ab
kommen des World Semiconductor Council, dem die Vereinigten Staaten, Eu
ropa, Japan, Taiwan und Korea angehören, den Betrag der PFC-Emission bis
zum Jahr 2010 um 10% zu reduzieren mit den folgenden Basisjahren: Verei
nigte Staaten, Europa, Japan: 1995; Korea: 1997; Taiwan: 1998.
Bekannte Verfahren zum Verringern des Betrags der PFC-Emission be
inhalten die Verwendung von Reduktionswäschern (abatement scrubbers), die
Aufnahme bzw. Einfang und Wiederverwertung, die Verwendung von alterna
tiven Verfahrensgasen und eine Verfahrensoptimierung. Allgemeine Typen von
Reduktionswäschern, die für die Entfernung von PFC's verwendet werden, sind
(a) Verbrennungslöscher mit LNG, LPG, H2 und/oder CH4, (b) Chemiesorpti
onswäscher, die Metall-Oxide verwenden, und physikalische Adsorptions
wäscher, die Aktivkohlenstoff oder Zeolithoberflächen verwenden, und (c)
Aufspaltungswäscher, die ein Plasma verwenden.
Bestimmte bekannte Emissionsreduktionsverfahren, wie sie in Fig. 1 dar
gestellt sind, verwenden separate Reduktionswäscher 2 für jeden individuellen
Verfahrensbestandteil 1 (beispielsweise Ätzkammern 3, CVD-Reaktoren 4) vor
einer Emission der behandelten Gasströme. Bei derartigen Verfahren ist jedoch
zu erwarten, daß die Gesamtkosten des Halbleiterherstellungsverfahren erhöht
werden. Überdies kann es schwierig sein, die verschiedenen Reduktions
wäscher in bestehende Verfahrenslayouts zu integrieren und die Wäscher zu
warten, wenn sie einmal installiert sind.
Einfang- und Wiederverwertungssysteme, wie beispielsweise das System
in Fig. 2, leiten die Verfahrensströme beispielsweise von Ätzkammern 3 und
CVD-Reaktoren 4 zu einem Naßwäschersystem 5, und anschließend durch eine
Membran 6 zur Separation und Wiederverwertung der PFC-Gase und Wieder
gewinnung von anderen Prozeßgasen, wie beispielsweise Stickstoff. Derartige
Systeme erfordern typischerweise eine Vorbehandlung der Pulverbestandteile,
um Feuchtigkeit zu entfernen, ebenso wie ein Staubentfernungssystem 7, das
stromabwärts von dem Naßwäschersystem 5 angeordnet ist. Überdies sind die
Mengen an PFC, das tatsächlich wiederverwertet (recycled) wird, typischerwei
se aufgrund der kleinen eingefangenen Mengen an PFC klein. Falls sich über
dies eine Wiederverwertung als unmöglich erweist, müssen andere Systeme
verwendet werden, um das eingefangene PFC zu entsorgen.
Die Verwendung von alternativen Prozeßgasen und einer Prozeßoptimie
rung hat sich ebenso als problematisch aufgrund des Mangel an geeigneten Al
ternativgasen und der niedrigen Verfahrensausbeute erwiesen.
Daher besteht ein weitergehender Bedarf an einem verbesserten Verfah
ren zur Reduzierung und Minimierung der während der Halbleiterherstellung
emittierten PFC-Mengen.
In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ent
hält ein Verfahren zur Reduzierung von PFC-Emissionen während eines Halb
leiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von untergeordneten Verfahren
(beispielsweise Trockenätzen, CVD) aufweist, folgende Schritte: Abführen des
PFC, das in jedem untergeordneten Verfahren erzeugt worden ist, in einer ge
meinsamen Leitung; Behandeln jedes kombinierten bzw. vereinten Ab
gasstroms unter Verwendung eines PFC-Reinigungssystems; Kombinieren
bzw. Vereinen der behandelten Abgasströme, um einen kombinierten bzw. ver
einten behandelten Strom zu bilden; und Naßwaschen des vereinten behandel
ten Stroms.
In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfin
dung erhält ein Verfahren zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines
Halbleiterherstellungsverfahrens, das eine Vielzahl von untergeordneten Ver
fahren bzw. Teilverfahren aufweist, einschließlich zumindest eines Ätzteilver
fahrens und zumindest eines CVD-Teilverfahrens, die folgenden Schritte: Ab
führen von PFC, das bei jedem Ätzteilprozeß erzeugt wird, durch eine erste
gemeinsame Leitung, um einen vereinten Ätz-Abgasstrom auszubilden; Be
handeln des vereinten Ätz-Abgasstroms unter Verwendung eines ersten PFC-
Reinigungssystems; Abführen von PFC, das durch jeden CVD Teilprozeß er
zeugt worden ist, durch eine zweite gemeinsame Leitung, um einen vereinten
CVD-Abgasstrom auszubilden; Behandeln des vereinten CVD-Abgasstroms
unter Verwendung eines zweiten PFC-Reinigungssystems; Vereinen des be
handelten vereinten Ätz-Abgasstroms und des behandelten vereinten CVD-
Abgasstroms, um einen vereinten behandelten Abgasstrom zu bilden; und
Naßwaschen des vereinten behandelten Abgasstroms.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung erhält ein Sy
stem zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstel
lungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren aufweist: eine Vielzahl
von Vorrichtungen zum Ausführen eines ersten Teilverfahrens, eine erste ge
meinsame Leitung für PFC, das von der ersten Vielzahl von Vorrichtungen ab
geführt wird; ein erstes PFC-Reinigungssystem, das mit der ersten gemeinsa
men Leitung verbunden ist; eine zweite Vielzahl von Vorrichtungen zum Aus
führen eines zweiten Teilprozesses; eine zweite gemeinsame Leistung für PFC,
das von der zweiten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird; eine zweites
PFC-Reinigungssystem, das mit der zweiten gemeinsamen Leitung verbunden
ist; eine gemeinsame Leitung für behandeltes Abgas, die mit dem ersten und
dem zweite PFC-Reinigungssystem verbunden ist; und ein Naßwäschesystem,
das mit der gemeinsamen Leitung für behandeltes Abgas verbunden ist.
Gemäß eines zusätzlichen Aspekts der vorliegenden Erfindung enthält ein
System zum Verringern von PFC-Emissionen während eines Halbleiterher
stellungsverfahren, das eine erste Vielzahl von Ätzteilverfahren und zumindest
ein CVD-Teilverfahren aufweist, von denen zumindest eines PFC erzeugt, eine
erste Vielzahl von Vorrichtungen, die zumindest eine Vorrichtung zum Aus
führen jedes der ersten Vielzahl an Ätzteilverfahren aufweist, eine gemeinsame
Teilverfahrensleitung, die mit jedem Ätzteilverfahren zum Abführen von PFC
aus der zumindest einen Vorrichtung zum Ausführen jeder der Ätzteilverfahren
assoziiert bzw. verbunden ist; eine erste gemeinsame Leitung zum Aufnehmen
von PFC, das aus der ersten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt worden ist;
ein erstes PFC-Reinigungssystem, das mit der ersten gemeinsamen Leitung
verbunden ist; eine zweite Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen des zu
mindest einen CVD-Teilverfahrens; eine zweite gemeinsame Leitung für PFC,
das aus der zweiten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt worden ist; ein
zweites PFC-Reinigungssystem, das mit der zweiten gemeinsamen Leitung
verbunden ist; eine gemeinsame Leitung für behandeltes Abgas, die mit dem
ersten und dem zweiten PFC-Reinigungssystem verbunden ist; und ein Naß
wäschesystem, das mit der gemeinsamen Leitung für behandeltes Abgas ver
bunden ist.
In weiteren besonderen Ausführungsformen sind Sensoren für die Erfas
sung und Nutzung von PFC in den Ein- und/oder Auslässen der PFC-
Reinigungssysteme angeordnet.
Andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden für
den Fachmann aus der vorliegenden detaillierten Beschreibung ersichtlich. Es
ist jedoch festzuhalten, daß die detaillierte Beschreibung und bestimmte Bei
spiele, die bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung darstel
len, im Sinne einer Darstellung und nicht einer Beschränkung aufgeführt sind.
Viele Veränderungen und Modifikationen können ohne einem Verlassen der
Idee der Erfindung innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung ge
macht werden und die Erfindung enthält somit all diese Modifikationen.
Die Erfindung kann durch Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung, in
welcher gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sind, leichter
verstanden werden:
Fig. 1 zeigt eine schematische Abbildung eines bekannten Ver
fahrens zur Verringerung von PFC-Emissionen, bei wel
cher ein separates Behandlungssystem für jede Vorrich
tung oder Werkzeug verwendet wird (Ätzer, CVD-
Reaktoren), die in dem Halbleiterherstellungsverfahren
benutzt werden.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung eines bekannten Verfah
rens zum Verringern von PFC-Emissionen unter Verwen
dung eines Gaseinfangs-/Wiederverwertungssystems (gas
capture/recyle system).
Fig. 3 ist eine schematische Darstellung einer ersten Ausfüh
rungsform eines PFC-Emissions-Reduktionsverfahrens der
Erfindung, bei welchem jedes separate Teilverfahren des
gesamten Halbleiterherstellungsverfahrens (beispielsweise
Oxid-Ätzen, Poly-Ätzen, Metall-Ätzen, chemische Damp
fabscheidung (CVD)) eine oder mehrere einzelne Vor
richtungen oder Werkzeuge enthält, und Emissionen von
jedem der Teilverfahren durch eine gemeinsame Abgas
leitung aufgenommen werden, die zu einen diesem Teil
verfahren zugeordneten PFC-Reinigungssystem führt,
nachdem die Abgase von jedem PFC-Reinigungssystem
vereint werden und einem gemeinsamen Naßwäschesy
stem zugeführt werden.
Fig. 4 ist eine schematische Darstellung einer zweiten Ausfüh
rungsform eines PFC-Emmisionsreduktionsverfahrens
der Erfindung, bei welchem Emissionen von Troc
kenätzvorrichtungen, die in Trockenätzteilverfahren ver
wendet werden, vereint werden, und zu einem ersten
PFC-Reinigungssystem geleitet werden, während Emis
sionen von CVD-Reaktoren, die in einem CVD-
Verfahren verwendet werden, zu einem zweiten PFC-
Reinigungssystem geleitet werden, nachdem die Abgase
von den ersten und zweiten PFC-Reinigungssysteme ver
eint worden sind, und zu einem gemeinsamen Naß
wäschesystem zugeführt werden.
Fig. 5 bis 7 sind Darstellungen von beispielhaften PFC-
Reinigungssystemen, die in bestimmten Ausführungsfor
men des erfindungsgemäßen Verfahrens und der Vorrich
tung benutzt werden.
Gemäß einer ersten bestimmten Ausführungsform der Erfindung, die
durch Fig. 3 beispielhaft dargestellt wird, enthält ein System 10 zum Reduzie
ren von PFC-Emissionen während einer Halbleiterherstellung eine Vielzahl
von Teilverfahrensvorrichtungen 12, beispielsweise eine erste Vielzahl von
Oxid-Ätzern 14, eine zweite Vielzahl von Poly-Ätzern 16, eine dritte Vielzahl
von Metall-Ätzern 18 und eine vierte Vielzahl von CVD-Reaktoren 20. Ab
gasströme, die PFC aus jeder Vielzahl der Teilverfahrensvorrichtungen enthal
ten, werden jeweils durch eine gemeinsame Leitung 22a-d abgesaugt, wodurch
eine Vielzahl von gemeinsamen Abgasströmen ausgebildet wird. Als nächstes
wird jeder separate gemeinsame Abgasstrom zu einem separaten PFC-
Reinigungssystem 24a-d geleitet und wird zum Entfernen von zumindest einer
Perfluorverbindung (PFC) behandelt. Die behandelten Abgasströme werden
dann in einer gemeinsamen Leitung 28 vereint, um einen vereinten behandelten
Strom zu bilden. Der vereinte behandelte Strom wird anschließend zu einem
Naßwäschesystem 30 geleitet, um gefährliche Luftschadstoffe zu entfernen.
Nach Entfernen der gefährlichen Luftschadstoffe wird der gereinigte vereinte
Abgasstrom dann in die Atmosphäre entlassen.
Bei bestimmten Ausführungsformen können die PFC-Reinigungssysteme
24a-d Verbrennungswäscher, die beispielsweise Brennstoffgase wie CH4 oder
H, verwenden; Chemiesorptionswäscher, die beispielsweise behandelte Metall
oxidharze verwenden, die Fe, Cu, Mn, Ni, Sr oder dergleichen enthalten; phy
sikalische Absorptions-Wäscher, die beispielsweise Aktivkohlenstoff und/oder
Zeolithe verwenden, und Naßwäscher enthalten, die Hydroxide wie NaOH und
KOH in deionisiertem Wasser verwenden. Diese PFC-Reinigungssysteme kön
nen alleine oder in Kombination verwendet werden.
Beispielhafte PFC-Reinigungssysteme sind in den Fig. 5-7 dargestellt. In
Fig. 5 enthält ein erstes PFC-Reinigungssystem 40 vom Brennstoffverbren
nungs- und Naßtyp einen Verbrenner 42 mit einem Einlaß 44; einem Zyklon-
Wäscher 46 und einem Naßwäscher 48 mit einem Auslaß 50. Bei dem System
40 gelangt ein PFC enthaltender Abgasstrom über einen Einlaß 44 in den Ver
brenner 42 und wird weiter durch das Zyklon 46 in einen Wäscher 48 geführt
und durch den Auslaß 50 ausgelassen.
In Fig. 6 weist ein zweites PFC-Reinigungssystem 60 vom Brennstoff
verbrennungs- und Naßtyp in einer gemeinsamen Vorrichtung ein Gehäuse 62,
einen Einlaß 64 für den Abgasstrom der behandelt werden soll, und eine
Brennstoffgaseinlaßleitung 66 auf, die stromaufwärts von dem Einlaß 64 ange
ordnet ist. Der vereinte Abgasstrom und das Brennstoffgas gelangen in den
Brenner 66, in dem die Verbrennung stattfindet. Der verbrannte Strom wird
dann durch den Filter 68 weitergeleitet, der zwischen Wasserdüsen 70 ange
ordnet ist, und anschließend durch einen Demister (Entnebler) 72 geführt und
aus dem Gehäuse 62 über einen Auslaß 74 hinausgeleitet wird. Wasser von den
Düsen 70 wird über eine Wasserdrainage 76 abgeführt.
In Fig. 7 enthält ein Chemisorptions-PFC-Reinigungssystem 80 einen
Einlaß 82, eine Vielzahl von harzverpackten Einheiten 84 und einen Auslaß 86.
Der Abgasstrom, der behandelt werden soll, wird über den Einlaß 82 eingelas
sen und durch die Einheiten 84 mittels geeigneter Leitungen und Ventile ent
lang des angedeuteten Pfades weitergeleitet, und schlußendlich durch den
Auslaß 86 als behandelter Abgasstrom ausgelassen. Andere Arten von Reini
gungswäscher können, falls erwünscht, benutzt werden.
Bei Trockenätzverfahren, wie beispielsweise Oxid-, Poly- oder Metall
trockenätzverfahren, ist es oftmals aufgrund der Natur der Verfahren unmög
lich, PFC und andere Verfahrensgase separat abzuführen. Somit haben die Ab
gasströme von Trockenätzvorrichtungen chemische Zusammensetzungen, die
sich von denen der Abgasströme von CVD-Reaktoren unterscheiden, die bei
anderen Teilverfahren innerhalb des gesamten Halbleiterherstellungsverfahrens
verwendet werden. Demgemäß wird bei weiteren Ausführungsformen der Er
findung, von denen eine beispielhaft in Fig. 4 dargestellt ist, PFC aus den Vor
richtungen 14, 16 und 18, die in jeden Ätzteilprozeß des gesamten Halbleiter
herstellungsverfahrens verwendet werden, über eine gemeinsame Leitung 22e
von den zahlreichen Leitungen 22a-c, die jeweiligen Ätzteilverfahren zugeord
net sind, abgeführt und dieser vereinte Abgasstrom wird anschließend zu einem
erste PFC-Reinigungssystem 24e für eine Behandlung geleitet. Das PFC von
den Vorrichtungen 20, die in den CVD-Teilverfahren des gesamten Halbleiter
herstellungsverfahren verwendet werden, wird über eine andere gemeinsame
Leitung 22d abgeführt, als in der vorhergehenden Ausführungsform, und zu ei
nem zweiten PFC-Reinigungssystem 24d geleitet. Die behandelten Abgasströ
me der PFC-Reinigungssysteme 24e und 24d werden anschließend vereint und
zu dem Naßwäschesystem 30 zum Entfernen von gefährlichen Luftschadstoffen
geleitet und anschließend in die Atmosphäre entlassen.
Bei besonderen Ausführungsformen werden Sensoren 26 in den Einläs
sen und/oder Auslässen der PFC-Reinigungssysteme zum Messen der Menge
an PFC, das in dem unbehandelten und/oder behandelten Abgasströmen ent
halten ist, installiert. Derartige Sensoren erleichtern die Steuerung des PFC-
Reduktionsverfahrens.
Die erfindungsgemäßen Verfahren und Systeme gewährleisten die Vor
teile einer beträchtlichen Reduktion bei der Emission von PFC und einer kon
sequenten Verringerung des damit assoziierten globalen Erwärmungseffektes
aufgrund einer derartigen Emission. Die erfindungsgemäßen Verfahren und Sy
steme können ohne weiteres an bereits bestehende Herstellungsgerätschaften
angepaßt werden, und erfordern damit nur eine begrenzte Investition in neue
Gerätschaft und verursachen niedrige Wartungsausgaben.
Claims (17)
1. Verfahren zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterher
stellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren enthält, von denen zumindest
eine Perfluorverbindung (PFC) erzeugt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
- a) Abführen von PFC, das durch ein Teilverfahren erzeugt worden ist, über eine gemeinsame Leitung, um einen vereinten Abgasstrom zu bilden;
- b) Behandeln des vereinten Abgasstroms aus dem jeweiligen Teilprozess unter Verwendung eines separaten PFC-Reinigungssystems;
- c) Vereinen der behandelten Abgasströme, um einen kombinierten behandelten Strom zu bilden; und
- d) Naßwaschen des vereinten behandelten Stroms.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Teilverfahren aus der Gruppe bestehend
aus Trocken-Ätzverfahren und CVD-Verfahren ausgewählt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Trocken-Ätzverfahren aus der Gruppe
bestehend aus Oxid-Ätzverfahren, Poly-Ätzverfahren und mit Metall-
Ätzverfahren ausgewählt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei bei Schritt (ii) jedes PFC-Reinigungssystem
aus der Gruppe bestehend aus Verbrennungswäscher, Chemiesorptionswäscher
und physikalische Adsorptionswäscher, Nasswäscher und Kombinationen davon
unabhängig ausgewählt ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei zumindest ein vereinter Abgasstrom durch
einen Sensor geführt wird, welcher die Menge an zumindest einer Perfluorver
bindung (PFC) in dem Abgasstrom mißt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der vereinte Abgasstrom durch einen Sensor
vor dem Schritt (ii) durchgeleitet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der vereinte Abgasstrom durch einen Sensor
nach dem Schritt (ii) durchgeleitet wird.
8. Verfahren zum Reduzieren von PFC-Emissionen während eines Halbleiterher
stellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren enthält, von denen jedes
zumindest eine Perfluorverbindung (PFC) erzeugt, wobei die Teilverfahren zu
mindest ein Ätzteilverfahren und zumindest ein CVD-Verfahren enthalten, und
wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
- a) Abführen von PFC, das durch jedes Ätzteilverfahren erzeugt worden ist, durch eine erste gemeinsame Leitung, um einen vereinten Ätzabgasstrom zu bilden;
- b) Behandeln des vereinten Ätzabgasstroms unter Verwendung eines ersten PFC-Reinigungssystems;
- c) Abführen von PFC, das durch jedes CVD-Teilverfahren erzeugt worden ist, durch eine zweite gemeinsame Leitung, um einen vereinten CVD- Abgasstrom zu bilden;
- d) Behandeln des vereinten CVD-Abgasstroms unter Verwendung eines zweiten PFC-Reinigungssystems;
- e) Vereinen des behandelten vereinten Ätzabgasstroms und des behandelten vereinten CVD-Abgasstroms, um einen vereinten behandelten Ab gasstrom zu bilden;
- f) Naßwaschen des vereinten behandelten Abgasstroms.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Trocken-Ätzverfahren aus der Gruppe
bestehend aus Oxid-Ätzverfahren, Poly-Ätzverfahren und Metall-Ätzverfahren
ausgewählt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das erste und zweite PFC-Reinigungssystem
aus der Gruppe bestehend aus Verbrennungswäscher, Chemiesorptionswäscher,
physikalischen Adsorptionswäschern, Naßwäschern und Kombinationen davon
unabhängig ausgewählt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 8, wobei zumindest einer der verbundenen Ätzab
gasströme und der vereinte CVD-Abgasstrom durch einen Sensor durchgeleitet
werden, welcher die Menge an zumindest einer Perfluorverbindung (PFC) in
dem Abgasstrom mißt.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei zumindest einer der vereinten Abgasströme
durch einen Sensor vor der Behandlung durch ein PFC-Reinigungssystem
durchgeleitet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11, wobei zumindest einer der vereinten Abgasströme
durch einen Sensor nach einer Behandlung durch ein PFC-Reinigungssystem
durchgeleitet wird.
14. System zur Reduzierung von PFC-Emissionen während eines Halbleiterherstel
lungsverfahrens, das eine Vielzahl von Teilverfahren enthält, von denen jedes
zumindest eine Perfluorverbindung (PFC) erzeugt, wobei das System aufweist:
- a) eine erste Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen eines ersten Teilpro zessors;
- b) eine erste gemeinsame Leitung für PFC, das aus der ersten Vielzahl von Vor richtungen abgeführt wird;
- c) ein erstes PFC-Reinigungssystem, das mit der ersten gemeinsamen Leitung verbunden ist;
- d) eine zweite Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen eines zweiten Teil verfahrens;
- e) eine zweite gemeinsame Leitung für PFC, das aus der zweiten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird;
- f) ein zweites PFC-Reinigungssystem, das mit der zweiten gemeinsamen Lei tung verbunden ist;
- g) eine gemeinsame Leitung für behandeltes Abgas, die mit dem ersten und zweiten PFC-Reinigungssystem verbunden ist;
- h) Naßwäschesystem, das mit der gemeinsamen Leitung für behandeltes Abgas verbunden ist.
15. System nach Anspruch 14, das ferner zumindest einen Sensor zum Messen der
Menge an zumindest einer Perfluorverbindung (PFC) in zumindest einem Strom
vor oder nach einer Behandlung durch zumindest einem der ersten und zweiten
PFC-Reinigungssysteme.
16. Verfahren zur Reduzierung von PFC-Emissionen während eines Halbleiterher
stellungsverfahrens, das eine Vielzahl von Ätzteilverfahren und zumindest ein
CVD-Teilverfahren enthält, von welchem jedes zumindest eine Perfluorverbin
dung (PFC) erzeugt, wobei das System aufweist:
- a) eine erste Vielzahl von Vorrichtungen, die zumindest eine Vorrichtung zum Ausführen jedes der ersten Vielzahl von Ätzteilverfahren aufweist:
- b) eine gemeinsame Teilverfahrensleitung, die mit jedem Ätzteilverfahren as soziiert ist, für PFC, das von der zumindest einen Vorrichtung zum Ausfüh ren jedes der Ätzteilverfahren abgeführt wird;
- c) eine erste gemeinsame Leitung zum Aufnehmen von PFC, das durch die er ste Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird;
- d) ein erstes PFC-Reinigungsverfahren, das mit der ersten gemeinsamen Lei tung verbunden ist;
- e) eine zweite Vielzahl von Vorrichtungen zum Ausführen des zumindest ei nen CVD-Teilverfahrens;
- f) eine zweite gemeinsame Leitung für PFC, das von der zweiten Vielzahl von Vorrichtungen abgeführt wird;
- g) ein zweites PFC-Reinigungssystem, das mit der zweiten gemeinsamen Leitung verbunden ist;
- h) eine gemeinsame Leitung für behandeltes Abgas, die mit den ersten und zweiten PFC-Reinigungssystem verbunden ist;
- i) ein Naßwäschesystem, das mit der gemeinsamen Leitung für behandeltes Abgas verbunden ist.
17. System nach Anspruch 16, das ferner zumindest einen Sensor zum Messen der
Menge von zumindest einer Perfluorverbindung (PFC) und zumindest einem
Strom vor oder nach einer Behandlung von zumindest einem der ersten und
zweiten PFC-Reinigungssysteme aufweist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US27727801P | 2001-03-21 | 2001-03-21 | |
US60/277,278 | 2001-03-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10152536A1 true DE10152536A1 (de) | 2002-10-02 |
DE10152536B4 DE10152536B4 (de) | 2006-01-19 |
Family
ID=23060164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10152536A Expired - Fee Related DE10152536B4 (de) | 2001-03-21 | 2001-10-24 | Verfahren und Vorrichtung zum Reduzieren einer Emission von Perfluorverbindungen (PFC-Emission) während der Halbleiterherstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6602323B2 (de) |
JP (1) | JP2002273166A (de) |
CN (1) | CN1197121C (de) |
DE (1) | DE10152536B4 (de) |
GB (1) | GB2373459B (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6602323B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for reducing PFC emission during semiconductor manufacture |
JP4214717B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2009-01-28 | 株式会社日立製作所 | 過弗化物処理装置 |
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GB2515017B (en) * | 2013-06-10 | 2017-09-20 | Edwards Ltd | Process gas abatement |
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GB2587393A (en) * | 2019-09-26 | 2021-03-31 | Edwards Ltd | Optimising operating conditions in an abatement apparatus |
KR102657614B1 (ko) | 2023-02-17 | 2024-04-15 | 주식회사 트리플코어스테크놀러지 | 다수 개의 반응챔버를 가진 모듈타입 폐가스 저감 장치 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4725204A (en) * | 1986-11-05 | 1988-02-16 | Pennwalt Corporation | Vacuum manifold pumping system |
FI95421C (fi) * | 1993-12-23 | 1996-01-25 | Heikki Ihantola | Puolijohteen, kuten piikiekon, prosessoinnissa käytettävä laitteisto ja menetelmä |
FR2724327B1 (fr) | 1994-09-12 | 1996-10-25 | Air Liquide | Procede de separation membranaire par cascade de membranes de selectivites differentes |
US5785741A (en) | 1995-07-17 | 1998-07-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges, Claude | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
US5858065A (en) | 1995-07-17 | 1999-01-12 | American Air Liquide | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
IE80909B1 (en) | 1996-06-14 | 1999-06-16 | Air Liquide | An improved process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
US5759237A (en) | 1996-06-14 | 1998-06-02 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et, L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process and system for selective abatement of reactive gases and recovery of perfluorocompound gases |
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KR0183912B1 (ko) * | 1996-08-08 | 1999-05-01 | 김광호 | 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법 |
JP3866404B2 (ja) | 1998-02-06 | 2007-01-10 | カンケンテクノ株式会社 | 半導体排ガスの除害装置 |
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-
2001
- 2001-09-06 US US09/946,632 patent/US6602323B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-19 GB GB0122615A patent/GB2373459B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-18 CN CNB011364750A patent/CN1197121C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-24 DE DE10152536A patent/DE10152536B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-11 JP JP2001377454A patent/JP2002273166A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1375858A (zh) | 2002-10-23 |
GB2373459A (en) | 2002-09-25 |
GB2373459B (en) | 2003-05-28 |
DE10152536B4 (de) | 2006-01-19 |
JP2002273166A (ja) | 2002-09-24 |
US6602323B2 (en) | 2003-08-05 |
CN1197121C (zh) | 2005-04-13 |
US20020134233A1 (en) | 2002-09-26 |
GB0122615D0 (en) | 2001-11-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140501 |