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DE10147376B4 - Electronic component and leadframe and method for producing the same - Google Patents

Electronic component and leadframe and method for producing the same Download PDF

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DE10147376B4
DE10147376B4 DE10147376A DE10147376A DE10147376B4 DE 10147376 B4 DE10147376 B4 DE 10147376B4 DE 10147376 A DE10147376 A DE 10147376A DE 10147376 A DE10147376 A DE 10147376A DE 10147376 B4 DE10147376 B4 DE 10147376B4
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Abstract

Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse (2) und einem teilweise in dem Kunststoffgehäuse (2) angeordneten metallischen Träger (3), wobei an dem metallischen Träger (3) ein Halbleiterchip (4) in Flip-Chip-Technik angeordnet ist, und wobei der Träger (3) Außenkontakte (5) in voller Trägermaterialstärke (D) und Anschlußkontakte (6) in verminderter Trägermaterialstärke (d) aufweist, wobei eine Seite der Anschlusskontakte (6) an der Oberseite (11) des Kunststoffgehäuses (2) frei liegt, und wobei die Anschlusskontakte (6) mit verminderter Trägermaterialstärke (d) unmittelbar mit Flip-Chip-Kontakten (7) der aktiven Oberseite (8) des Halbleiterchips (4) verbunden sind und wobei
– das elektronische Bauteil (1) gekröpfte Haltestege (21) aufweist, die Anschlußkontakte (6) auf der Oberseite des elektronischen Bauteils (1) mit Außenkontakten (5) auf der Unterseite (9) oder auf Seitenrändern (10) des elektronischen Bauteils (1) elektrisch und mechanisch verbinden;
– das elektronische Bauteil (1) auf seiner Oberseite (11) eine Umverdrahtungschicht (36) aufweist, wobei die Umverdrahtungschicht (36) die an der Oberseite...
An electronic component having a plastic housing (2) and a metallic carrier (3) partially arranged in the plastic housing (2), wherein a semiconductor chip (4) is arranged on the metallic carrier (3) in flip-chip technology, and wherein the carrier (3) outer contacts (5) in full carrier material thickness (D) and terminal contacts (6) in a reduced thickness of carrier material (d), wherein one side of the terminal contacts (6) on the upper side (11) of the plastic housing (2) is exposed, and wherein the connection contacts (6) with reduced carrier material thickness (d) are directly connected to flip-chip contacts (7) of the active upper side (8) of the semiconductor chip (4) and wherein
- The electronic component (1) has cranked holding webs (21), the terminal contacts (6) on the upper side of the electronic component (1) with external contacts (5) on the underside (9) or on side edges (10) of the electronic component (1 ) connect electrically and mechanically;
- The electronic component (1) on its upper side (11) has a rewiring layer (36), wherein the rewiring layer (36) at the top of ...

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil und einen Systemträger sowie Verfahren zu deren Herstellung gemäß der Gattung der unabhängigen Ansprüche.The The invention relates to an electronic component and a system carrier and Process for their preparation according to the preamble of the independent claims.

Elektronische Bauteile, die ein Kunststoffgehäuse aufweisen, können einen Halbleiterchip aufnehmen, der mittels Bondverbindungen mit einem Träger innerhalb des Kunststoffgehäuses verbunden ist. Derartige Bauteile, hergestellt durch Bondtechnologie, wie sie aus der Druckschrift DE 100 04 410 A1 bekannt sind, unterscheiden sich grundlegend von elektronischen Bauteilen, die einen Halbleiterchip mit einem metallischen Träger aufweisen, auf dem ein Halbleiterchip in Flip-Chip-Technik angeordnet ist, wie es aus der Druckschrift DE 199 21 867 C2 bekannt ist.Electronic components that have a plastic housing can accommodate a semiconductor chip, which is connected by means of bonding with a carrier within the plastic housing. Such components, manufactured by bonding technology, as described in the document DE 100 04 410 A1 are fundamentally different from electronic components having a semiconductor chip with a metallic carrier on which a semiconductor chip is arranged in flip-chip technology, as it is known from the document DE 199 21 867 C2 is known.

Ein Unterschied zwischen einer derartigen Flip-Chip-Montage zu einer Bondmontage ist, dass der Halbleiterchip bei der Flip-Chip-Montage nicht auf einer Chipinsel aufgebracht wird, sondern auf einer komplexen Umverdrahtungsplatte angeordnet ist, auf der Umverdrahtungsleitungen von den mikroskopisch kleinen Flip-Chip-Kontakthöckern zu makroskopisch großen Anschlußkontaktflächen geführt werden, um makroskopisch angeordnete und entsprechend große Außenkontakte des elektronischen Bauteils zu kontaktieren. Dabei wird um sicherzustellen, dass die mikroskopisch feinen Flip-Chip-Kontakte, wie Lothöcker, beim Auflöten auf entsprechende Metallflächen der Umverdrahtungsleitungen nicht unkontrolliert seitlich ausei nanderfließen können, die Umverdrahtungsplatte mit einem Lötstopplack versehen.One Difference between such a flip-chip assembly to a Bond mounting is that of the semiconductor chip in flip-chip mounting is not applied on a chip island, but on a complex Wiring board is arranged on the rewiring lines be led from the microscopic flip-chip bumps to macroscopically large terminal contact surfaces, around macroscopically arranged and correspondingly large external contacts to contact the electronic component. Doing this will ensure that the microscopically fine flip-chip contacts, such as solder bumps, when soldering on corresponding metal surfaces the rewiring cables can not flow out of the way uncontrolled laterally, the rewiring plate with a solder stop Mistake.

Aus der US 5 770 888 A ist ein Halbleiterbauteil mit einem auf ein Substrat aufgebrachten Halbleiterchip bekannt. Das Substrat weist eine Vielzahl von Leiterbahnen auf, wobei die Leiterbahnen erste und zweite Abschnitte umfassen und der Halbleiterchip auf die Oberseiten der ersten Abschnitte aufgebracht ist. Ein Kunststoffgehäuse umschließt das Halbleiterbauteil derart, dass die Unterseiten der ersten Abschnitte und die Oberseiten der zweiten Abschnitte für als Außenkontaktflächen frei liegen. Ein ähnlicher Aufbau für ein Halbleiterbauteil ist auch aus der US 6 043 430 A bekannt.From the US Pat. No. 5,770,888 For example, a semiconductor device with a semiconductor chip applied to a substrate is known. The substrate has a multiplicity of conductor tracks, the conductor tracks comprising first and second sections, and the semiconductor chip being applied to the upper sides of the first sections. A plastic housing encloses the semiconductor device such that the bottoms of the first portions and the tops of the second portions are exposed as external contact surfaces. A similar structure for a semiconductor device is also known from US Pat. No. 6,043,430 A known.

Die DE 198 45 316 A1 offenbart ein stapelbares BGA-Halbleiterchipgehäuse, das auf seiner Oberseite Anschlüsse in Form von Lotkugeln und auf seiner Unterseite Kontaktanschlussflächen im gleichen Anschlussraster wie die Lotkugeln aufweist, so dass mehrere dieser BGA-Halbleiterchipgehäuse einfach gestapelt werden können.The DE 198 45 316 A1 discloses a stackable BGA semiconductor die package having on its top side terminals in the form of solder balls and on its bottom contact pads in the same terminal grid as the solder balls, so that a plurality of these BGA semiconductor chip packages can be easily stacked.

Aus der DE 197 47 177 A1 ist ein Halbleiterbauteil mit einem Umverdrahtungssubstrat bekannt, wobei das Umverdrahtungssubstrat einen ersten Bereich und einen mit dem ersten Bereich über einen flexiblen Abschnitt verbundenen zweiten Bereich umfasst. Die Oberseite des ersten Bereiches wird mit einem Halbleiterbauelement bestückt und der zweite Bereich wird über den ersten geklappt, so dass das Bauelement eingeschlagen wird. Das auf diese Weise hergestellte Bauteil weist auf seiner Oberseite Kontaktanschlussflächen und auf seiner Unterseite Lotkugeln im gleichen Raster auf, so dass gleichartige Bauteile einfach gestapelt werden können.From the DE 197 47 177 A1 For example, a semiconductor device having a redistribution substrate is known, wherein the redistribution substrate comprises a first region and a second region connected to the first region via a flexible portion. The top of the first area is populated with a semiconductor device and the second area is folded over the first so that the device is hammered. The component produced in this way has on its upper side contact pads and on its underside solder balls in the same grid, so that similar components can be easily stacked.

Sowohl die Herstellung einer Umverdrahtungsplatte als auch die Strukturierung einer Lötstoppmaske auf der Umverdrahtungsplatte erfordern komplexe und kostenintensive Herstellungsschritte. Somit ist ein elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip in Flip-Chip-Montage wesentlich teurer als ein Bauteil in Bonddrahtmontage. Wird die Lötstoppmaske zur Verbilligung des elektronischen Bauteils in Flip-Chip-Montage weggelassen, so besteht nicht nur die Gefahr, dass das Lot der Flip-Chip-Löthöcker zerfließt und es zu keinem Kontakt kommt, sondern auch dass Kurzschlüsse entstehen, weil beim Aufbringen des Halbleiterchips auf die Umverdrahtungsplatte Löthöcker ineinander verfließen oder weil Lot in die Lücken zwischen benachbarten Anschlüssen eindringt und diese Anschlüsse elektrisch überbrückt.Either the production of a rewiring plate as well as the structuring a solder mask on the rewiring plate require complex and costly Manufacturing steps. Thus, an electronic component with a Semiconductor chip in flip-chip mounting much more expensive than a component in bonding wire assembly. Will the solder mask to cheapen the electronic component in flip-chip mounting omitted, there is not only the risk that the solder of the flip-chip solder bumps dissipates and it comes to no contact, but also that shorts occur because when applying the semiconductor chip to the rewiring plate Lötsöcker into each other go by or because Lot in the gaps between adjacent terminals penetrates and these connections electrically bridged.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauteil anzugeben, das in seinem Kunststoffgehäuse einen Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten in Flip-Chip-Montage aufweist, ohne eine Lötstoppmaske oder eine Umverdrahtungsplatte in dem Kunststoffgehäuse vorzusehen und zusätzlich mechanische und thermomechanische Belastungen der Flip-Chip-Verbindung zu reduzieren und Kriechwege für das Vordringen von Ionen und das Vordringen von Feuchte von außen zu dem Chip zu verlängern.task The invention is to provide an electronic component, the in his plastic case a semiconductor chip with flip-chip contacts in flip-chip mounting without a solder mask or to provide a rewiring plate in the plastic housing and additionally mechanical and thermomechanical loads on the flip-chip connection reduce and creepage paths for the penetration of ions and the penetration of moisture from the outside to the Extend the chip.

Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.Is solved this object with the subject of the independent claims. Advantageous developments The invention will become apparent from the dependent claims.

Gemäß der Erfindung weist ein elektronisches Bauteil ein Kunststoffgehäuse und einen teilweise in dem Kunststoffgehäuse angeordneten metallischen Träger auf, wobei an dem metallischen Träger ein Halbleiterchip in Flip-Chip-Technik ange ordnet ist, und wobei der Träger Außenkontakte in voller Trägermaterialstärke und Anschlußkontakte in verminderter Trägermaterialstärke aufweist. Eine Seite der Anschlusskontakte liegt an der Oberseite des Kunststoffgehäuses frei, und die Anschlusskontakte mit verminderter Trägermaterialstärke sind unmittelbar mit Flip-Chip-Kontakten der aktiven Oberseite des Halbleiterchips verbunden.According to the invention an electronic component has a plastic housing and a partially arranged in the plastic housing metallic carrier on, wherein on the metallic support a semiconductor chip in flip-chip technology is arranged, and wherein the carrier external contacts in full substrate thickness and connecting contacts having in reduced carrier material thickness. One side of the terminal contacts is exposed at the top of the plastic housing, and the terminals are with reduced carrier material thickness directly with flip-chip contacts of the active top side of the semiconductor chip connected.

Das elektronische Bauteil weist gekröpfte Haltestege auf, die Anschlußkontakte auf der Oberseite des elektronischen Bauteils mit Außenkontakten auf der Unterseite oder auf Seitenrändern des elektronischen Bauteils elektrisch und mechanisch verbinden. Es weist ferner auf seiner Oberseite eine Umverdrahtungschicht auf, wobei die Umverdrahtungschicht die an der Oberseite des Kunststoffgehäuses frei liegende Seite der Anschlusskontakte mit weiteren Außenkontakten auf der Oberseite verbindet. Die mit der Umverdrahtungsschicht erzeugten weiteren Außenkontakte auf der Oberseite sind zu den Außenkontakten auf Unterseite deckungsgleich angeordnet.The electronic component has cranked holding webs on, the connection contacts on the top of the electronic component with external contacts on the underside or on side edges of the electronic component connect electrically and mechanically. It also points to his Top of a rewiring layer, wherein the rewiring layer the exposed at the top of the plastic housing side of the Connection contacts with further external contacts on the top side combines. The other generated with the redistribution layer external contacts on the top are to the outside contacts on bottom arranged congruently.

Somit sind die Anschlußkontakte an den mikroskopisch kleinen Flip-Chip-Kontakten durch Haltestege von verminderter Trägermaterialstärke positioniert, während die makroskopischen Außenkontakte des elektronischen Bauteils über Haltestege mit verminderter Trägermaterialstärke mit den Anschlußkontakten verbunden sind. In diesem Zusammenhang wird unter mikroskopisch eine Größenordnung < 0,3 mm verstanden, die nur unter einem Lichtmikroskop meßbar ist und unter makroskopisch eine Größenordnung > 0,3 mm, die mit bloßem Auge meßbar ist.Consequently are the connection contacts on the microscopically small flip-chip contacts by holding webs positioned by reduced carrier material thickness, while the macroscopic external contacts of the electronic component via Holding webs with reduced carrier material thickness with the connection contacts are connected. In this connection is under microscopic an order of magnitude <0.3 mm understood, which is measurable only under a light microscope and under macroscopic an order of magnitude> 0.3 mm, which is measurable with the naked eye.

Ein Vorteil dieses elektronischen Bauteils besteht darin, dass der Halbleiterchip mit seinen Flip-Chip-Kontakten unmittelbar auf entsprechenden Anschlußkontakten eines metalli schen Trägers angeordnet ist, so dass eine komplexe Umverdrahtungsplatte und die aufwendige Aufbringung von Lötstopplacken auf die Umverdrahtungsplatte entfallen. Somit wird bereits durch die Dimensionierung und Herstellung des metallischen Trägers eine Umverdrahtung über die Haltestege des metallischen Trägers verwirklicht. Es sind mit der erfindungsgemäßen Lösung keine zusätzlichen Komponenten notwendig, um von den in mikroskopischem Abstand angeordneten Flip-Chip-Kontakten eines Halbleiterchips auf die in makroskopischem Abstand angeordneten Anschlußkontakte des elektronischen Bauteils überzugehen. Auch die thermische und mechanische Entkopplung zwischen dem Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten und der Trägerstruktur ist auf denkbar einfache Weise durch die Haltestege mit verminderter Materialstärke gelöst.One Advantage of this electronic component is that the semiconductor chip with its flip-chip contacts directly on corresponding terminal contacts a metallic carrier is arranged so that a complex rewiring plate and the complex application of solder resists account for the rewiring plate. Thus, already by the dimensioning and production of the metallic carrier a Rewiring over realized the holding webs of the metallic carrier. There are none with the solution according to the invention additional Components necessary to from the microscopic spaced flip-chip contacts of a semiconductor chip on the macroscopically arranged connection contacts of the electronic component. Also the thermal and mechanical decoupling between the semiconductor chip with flip-chip contacts and the support structure is conceivable easy way solved by the holding webs with reduced material thickness.

Die Außenkontakte sind auf der Unterseite des Kunststoffgehäuses angeordnet. Dazu können die Haltestege, die die Außenkontakte mit den Anschlußkontakten und den Flip-Chip-Kontakten verbinden, derart auf halbe Materialstärke gebracht werden, dass sie von der Unterseite des elektronischen Bauteils aus nicht sichtbar sind und somit vollständig in Kunststoffgehäusemasse eingebettet sind. Dies hat den Vorteil, dass eine Verbindung der Außenkontakte mit entsprechenden Kontaktanschlußflächen einer Leiterplatte oder eines Keramiksubstrats zuverlässig durchgeführt werden kann, da ein Zerfließen des Verbindungsmittels zwischen den Außenkontakten des elektronischen Bauteils und den Kontaktanschlußflächen einer Leiterplatte oder eines Keramiksubstrats unterbunden wird. Somit kann ein derartiges elektronisches Bauteil äußerst präzise auf einer Leiterplatte oder einem Keramiksubstrat positioniert und mit diesem verbunden werden.The external contacts are arranged on the underside of the plastic housing. These can be the Retaining webs, the external contacts with the connection contacts and the flip-chip contacts connect, be so half material thickness that they not visible from the bottom of the electronic component are and therefore completely in Plastic housing composition are embedded. This has the advantage that a compound of external contacts with corresponding contact pads of a circuit board or a ceramic substrate reliable carried out can be, as a flow of the Lanyard between the external contacts of the electronic Component and the contact pads of a Circuit board or a ceramic substrate is prevented. Consequently Such an electronic component can be extremely precise on a printed circuit board or a ceramic substrate and connected thereto become.

Es können auch Außenkontakte auf den Seitenrändern des elektronischen Bauteils angeordnet sein. Derartige Außenkontakte auf den Seitenrändern werden auch Außenrandkontakte genannt und haben den Vorteil, dass auf diese von den Seitenrändern des elektronischen Bauteils aus zugegriffen werden kann. Gleichzeitig lassen diese Außenrandkontakte des elektronischen Bauteils einen Zugriff von der Unterseite aus ebenfalls zu. Das hat den Vorteil, dass ein derartiges elektronisches Bauteil äußerst flexibel in die unterschiedlichen elektronischen Schaltungen und Testgeräte einbaubar ist.It can also external contacts on the margins be arranged of the electronic component. Such external contacts on the margins also become outside edge contacts called and have the advantage that on these from the margins of the electronic component can be accessed from. simultaneously leave these outside edge contacts of the electronic component access from the bottom also too. This has the advantage that such an electronic Component extremely flexible can be installed in different electronic circuits and test devices is.

Auf der Oberseite des Kunststoffgehäuses sind Anschlusskontakte angeordnet. Bei einem derartigen Bauteil ergibt sich in vorteilhafter Weise die Möglichkeit, sowohl von der Unterseite des elektronischen Bauteils als auch von der Oberseite des elektronischen Bauteils aus auf die Kontakte des elektronischen Bauteils, die mit dem Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten in Verbindung stehen, von der Oberseite aus über die Anschlußkontakte sowie von der Unterseite aus über die Außenkontakte Zugriff zu haben. Damit erfüllt ein derartiges elektronisches Bauteil eine vorteilhafte Voraussetzung für die Stapelmöglichkeit derartiger Bauteile.On the top of the plastic housing Connection contacts arranged. In such a component results in an advantageous way the possibility of both from the bottom of the electronic component as well as from the top of the electronic Component on the contacts of the electronic component, with the semiconductor chip with flip-chip contacts be in communication, from the top of the terminal contacts as well as from the bottom over the external contacts To have access. That fulfilled Such an electronic component is an advantageous prerequisite for the stackability such components.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung weisen die Anschlußkontakte Kontaktsockel auf, die eine zu den Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips kongruente Kontaktanschlußfläche aufweisen und mit den Flip-Chip-Kontakten verbunden sind. Durch die auf den Kontaktanschlußflächen angebrachten Kontaktsockel besteht eine weitere Möglichkeit, die Dimension der Anschlußkontakte weiter zu vermindern und auf die Größe der Flip-Chip-Kontakte abzustimmen, so dass eine kongruente Kontaktanschlußfläche zu den Flip-Chip-Kontakten auf den Anschlußkontakten verwirklicht wird. Diese Ausführungsform der Erfindung erleichtert das Verbinden des metallischen Trägers mit dem Halbleiterchip in Flip-Chip-Technologie und verhindert ein breites Verlaufen des Lotes.at an embodiment invention, the terminal contacts have contact sockets, the one to the flip-chip contacts of the semiconductor chip have congruent contact pad and with the flip-chip contacts are connected. Through the contact socket attached to the contact socket there is another possibility the dimension of the connection contacts continue to reduce and tune to the size of the flip-chip contacts, so that a congruent contact pad to the flip-chip contacts on the connection contacts is realized. This embodiment of the Invention facilitates the joining of the metallic carrier with the semiconductor chip in flip-chip technology and prevents a broad Bleeding the solder.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Außenkontakte mit den Anschlußkontakten teilweise über elektrisch leitende Haltestege mechanisch und/oder elektrisch verbunden. Dabei weisen die Haltestege eine verminderte Trägermaterialstärke auf. Die Haltestege haben demnach zwei Funktionen in dieser Ausführungsform. Einerseits halten sie die Außenkontakte und die Anschlußkontakte in Position für eine Verpackung des elektronischen Bauteils in einer Kunststoffgehäusemasse, und zum anderen verbinden die Haltestege die Außenkontakte mit den Anschlußkontakten, während diese wiederum mit den Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips verbunden sind.In a further embodiment of the invention, the external contacts with the terminal contacts are partially mechanically and / or electrically connected via electrically conductive holding webs. The holding webs have a reduced carrier material thickness. The holding webs therefore have two Functions in this embodiment. On the one hand, they hold the external contacts and the terminal contacts in position for packaging of the electronic component in a plastic housing composition, and on the other hand connect the holding webs the external contacts with the terminal contacts, while these are in turn connected to the flip-chip contacts of the semiconductor chip.

Aufgrund der verminderten Trägermaterialstärke der Haltestege wird in vorteilhafter Weise eine Entkopplung der mechanischen und thermomechanischen Belastung der Flip-Chip-Verbindung zwischen Anschlußkontakten und Flip-Chip-Kontakten realisiert, die die Belastung der empfindlichen Flip-Chip-Kontakte in hohem Maße reduziert. Außerdem sind die Kriechwege für ein Vordringen von Ionen und/oder von Feuchte von außen zum Chip durch das Kunststoffgehäuse gegenüber den bekannten Lösungen verlängert. Das hat den Vorteil, dass die Lebensdauer derartiger elektronischer Bauteile verbessert wird.by virtue of the reduced carrier material thickness of Haltstege is advantageously a decoupling of the mechanical and thermo-mechanical loading of the flip-chip connection between terminal contacts and flip-chip contacts realized the burden of sensitive flip-chip contacts to a great extent reduced. Furthermore are the creeper paths for an advance of ions and / or moisture from the outside to Chip through the plastic housing across from the known solutions extended. This has the advantage that the life of such electronic Components is improved.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass der Träger eine Potentialleitung aufweist, welche zumindest teilweise eine verminderte Trägermaterialstärke aufweist und von Kunststoffmasse umgeben ist. Eine derartige Potentialleitung hat den Vorteil, dass sie quer durch das Kunststoffgehäuse angeordnet werden kann und somit eine zusätzliche Verankerung für Haltestege und Anschlußkontakte sowie Außenkontakte darstellt. Außerdem kann von einer derartigen Leitung ein Potential, z. B. Masse oder Versorgung auf unterschiedliche Anschlußkontakte und Außenkontakte verteilt werden.In a further embodiment According to the invention, it is provided that the carrier has a potential line, which at least partially has a reduced carrier material thickness and surrounded by plastic compound. Such a potential line has the advantage that it is arranged across the plastic housing can be and thus an additional Anchoring for Holding webs and connecting contacts as well as external contacts represents. Furthermore can of such a line a potential, for. B. mass or Supply to different connection contacts and external contacts be distributed.

Das Kunststoffgehäuse weist in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung auf seiner Unterseite Aussparungen auf, die teilweise in Haltestegen zu Anschlußkontakten und/oder in Haltestegen zu Außenkontakten angeordnet sind und diese durchtrennen. Eine derartige Durchtrennung der Haltestege mit Hilfe von Aussparungen, die von der Unterseite des Kunststoffgehäuses eingebracht werden, ist äußerst nützlich, wenn diese Haltestege lediglich der Positionierung, nicht aber zur Herstellung von elektrischen Verbindungen dienen. Somit kann durch einen einfachen Trennschritt nach dem Verpacken einer Vielzahl von elektronischen Bauteilen auf der Unterseite eine mechanische Verbindung zwischen Außenkontakten und Anschlußkontakten oder Außenkontakten und Masseleitung durchtrennt werden, um isolierte, einzelne Außenkontakte auf der Unterseite des elektronischen Bauteils zu schaffen.The Plastic housing indicates in a further embodiment the invention on its underside recesses, partially in holding webs to connection contacts and / or in holding webs to external contacts are arranged and cut them. Such a separation the retaining bars with the help of recesses, from the bottom of the plastic housing being introduced is extremely useful, if this holding webs only the positioning, but not the Serving of electrical connections. Thus, through a simple separation step after packaging a variety of electronic components on the bottom of a mechanical connection between external contacts and connection contacts or external contacts and ground line are cut to isolated, single external contacts to create on the bottom of the electronic component.

Derartige Aussparungen können in einer Ausführungsform der Erfindung auf der Unterseite des Kunststoffgehäuses durch Sägen eingebracht werden, so dass die Unterseite des Gehäuses Sägenuten aufweist, die eine vorbestimmte Anzahl von Haltestegen elektrisch unterbrechen. Diese Unterbrechung von Haltestegen wird nur vorgesehen für die Haltestege, die lediglich eine mechanische Funktion beim Verpacken des elektronischen Bauteils in ein Kunststoffgehäuse vorsehen.such Recesses can in one embodiment of the invention on the underside of the plastic housing Saws are inserted, leaving the bottom of the case Sägenuten comprising a predetermined number of retaining webs electrically interrupt. This interruption of retaining bars is only provided for the Holding webs, which only a mechanical function in packaging provide the electronic component in a plastic housing.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass auch einige Außenkontakte eine verminderte Trägermaterialstärke aufweisen und auf ihrer Oberseite einen Kontaktsockel tragen, der eine Kontaktanschlußfläche aufweist, die kongruent zu einem Flip-Chip-Kontakt ist. Mit dieser Ausführungsform wird erreicht, dass an vorgesehenen Positionen unmittelbar die Flip-Chip-Kontakte in Außenkontakte übergehen können, indem die Flip-Chip-Kontakte und ihre mikroskopisch kleinen Anschlußkontaktflächen mit den entsprechend verminderten und kongruenten Kontaktanschlußfläche eines auf halbe Materialstärke reduzierten oder verminderten Außenkontaktes aufgebracht werden kann. Das kann vor allem im Zentrum des elektronischen Bauteils aus Platzgründen ein Vorteil sein. Lediglich im Bereich der kongruenten Kontaktanschlußflächen weisen diese Außenkontakte die volle Materialstärke des Trägers auf.at a further embodiment The invention provides that some external contacts have a reduced carrier material thickness and carry on its top a contact socket having a contact pad, which is congruent to a flip-chip contact. With this embodiment is achieved that at intended positions immediately the flip-chip contacts go into external contacts can, by using the flip-chip contacts and their microscopic terminal pads the correspondingly reduced and congruent contact pad of a on half material thickness reduced or reduced external contact can be applied. This can especially in the center of the electronic component for reasons of space Be an advantage. Only in the area of congruent contact pads exhibit these external contacts the full material thickness of the carrier on.

Das elektronische Bauteil weist gekröpfte Haltestege auf. Diese Haltestege sind zwischen Anschlußkontakten auf der Oberseite des elektronischen Bauteils und Außenkontakten auf der Unterseite des elektronischen Bauteils angeordnet und verbinden diese elektrisch und mechanisch. Somit werden über die gekröpften Haltestege die Anschlußkontakte auf der Oberseite des elektronischen Bauteils mechanisch fixiert und elektrisch verbunden, was den Vorteil hat, dass das elektronische Bauteil einen Zugriff sowohl von der Oberseite als auch von der Unterseite zu den Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips ermöglicht. Darüber hinaus ist der Halbleiterchip mit seinen Flip-Chip-Kontakten hängend an den Anschlußkontakten angeordnet. Gleichzeitig bieten die gekröpften Haltestege einen beschränkten Schutz der Flip-Chip-Verbindungen bei dem Verpacken des Trägers in einer Kunststoffgehäusemasse, da bei diesem Vorgang die gekröpften Stege die Ränder des Halblei terchips vor mechanischer Beschädigung durch Formwerkzeuge schützen.The electronic component has cranked holding webs on. These holding webs are between terminal contacts on the top of the electronic component and external contacts on the underside arranged the electronic component and connect them electrically and mechanical. Thus be over the cranked ones Retaining webs the connection contacts mechanically fixed on the top of the electronic component and electrically connected, which has the advantage that the electronic Component access both from the top and from the Bottom to the flip-chip contacts of the semiconductor chip allows. About that In addition, the semiconductor chip with its flip-chip contacts hanging on the connecting contacts arranged. At the same time, the cranked retaining bars offer limited protection the flip-chip connections in the packaging of the carrier in a plastic housing compound, there in this process the cranked Stege the edges of the semicon terchips from mechanical damage by molds protect.

Auf der Oberseite des elektronischen Bauteils ist eine Umverdrahtungsschicht angeordnet. Dabei verbindet die Umverdrahtungsschicht über Umverdrahtungsleitungen die Anschlußkontakte auf der Oberseite des elektronischen Bauteils mit weiteren Außenkontakten auf der Oberseite des Bauteils. Das hat den Vorteil, dass über sehr kurze Leitungen ein weiteres elektronisches Bauteil direkt auf das erste aufgebaut werden kann, z. B. ein Speicherbauteil auf ein Logikbauteil. Es ist keine gesonderte Umverdrahtungsplatte in Form einer Leiterplatte aus organischem oder keramischen Trägermaterial mit beidseitiger strukturierter Metallisierung und Durchkontaktierungen erforderlich, sondern die Bauteiloberfläche selbst ist gleichzeitig Träger für Umverdrahtungsleitungen. Dadurch können mehrere elekronische Bauteile z. B. eines Chipsatzes sehr kompakt und mit weniger Verbindungsstellen vertikal integriert werden, mit vielen Vorteilen gegenüber einer flächigen Modulintegration, z. B. geringerer Platzbedarf, kurze Leitungen, einfache Testbarkeit der Einzelbauteile, Reparaturmöglichkeit durch Austausch von Bauteilen eines Stapels, weil er nicht als Ganzes umspritzt oder vergossen ist.On the upper side of the electronic component, a rewiring layer is arranged. In this case, the redistribution layer connects the connection contacts on the top side of the electronic component via rewiring lines to further external contacts on the upper side of the component. This has the advantage that over very short lines another electronic component can be built directly on the first, z. B. a memory device on a logic device. It is not a separate rewiring plate in the form of a printed circuit board made of organic material Shem or ceramic substrate with double-sided structured metallization and vias required, but the component surface itself is also a carrier for rewiring. This allows multiple electronic components z. B. a chipset are very compact and vertically integrated with fewer joints, with many advantages over a flat module integration, z. As less space, short lines, easy testability of the individual components, repair option by replacing components of a stack, because he is not molded or cast as a whole.

Durch die gekröpften Haltestege sind die Anschlußkontakte auf der Oberseite ohne entsprechende Umverdrahtung nicht deckungsgleich mit den Außenkontakten auf der Unterseite angeordnet. Die mit der Umverdrahtungsschicht erzeugten Außenkontakte sind auf der Oberseite zu den Außenkontakten auf der Unterseite deckungsgleich angeordnet. Ein derartiges elektronisches Bauteil weist nun an identischen Stellen auf der Oberseite und der Unterseite Außenkontakte auf für jeweils ei nen Flip-Chip-Kontakt im Inneren des elektronischen Bauteils. Dies hat den Vorteil, dass mit gleichen Prüfeinrichtungen und mit gleichen Testverfahren sowohl die Unterseite als auch die Oberseite der elektronischen Bauteils getestet werden kann.By the cranked ones Haltstege are the connection contacts on the upper side without corresponding rewiring not congruent with the external contacts arranged on the bottom. The with the redistribution layer generated external contacts are on the top to the outside contacts on the bottom arranged congruently. Such an electronic component now has identical contacts on the top and bottom external contacts on for each egg nen flip-chip contact inside the electronic component. This has the advantage that with the same test equipment and with the same Test procedure both the bottom and the top of the electronic Component can be tested.

Darüber hinaus ergibt sich die Möglichkeit, eine weitere Ausführungsform eines elektronischen Bauteils anzugeben, bei dem mehrere elektronische Bauteile aufeinander gestapelt werden. Die deckungsgleich angeordneten Außenkontakte auf der Oberseite und der Unterseite des elektronischen Bauteils können in dem vertikalen Stapel durch einfache Maßnahmen elektrisch miteinander verbunden werden. Derartige Maßnahmen können in einer Leitklebstofftechnik oder in einer Löttechnik bestehen, so dass ein kompaktes, elektronisches Bauteil aus mehreren aufeinander gestapelten elektronischen Bauteilen entsteht. Kennzeichen dieses Stapels ist es, dass einerseits Halbleiterchips mit Flip-Chip-Kontakten in dem Stapel angeordnet sind und andererseits gekröpfte Haltestege elektrisch die Außenkontakte auf der Unterseite mit Anschlußkontakten auf der Oberseite verbinden, die ihrerseits über Umverdrahtungsleitungen mit Außenkontakten auf der Oberseite elektrisch verbunden sind.Furthermore there is the possibility of a another embodiment specify an electronic component, wherein a plurality of electronic components stacked on top of each other. The congruently arranged external contacts on the top and bottom of the electronic component can in the vertical stack by simple measures electrically get connected. Such measures can consist in a Leitklebstofftechnik or in a soldering, so that a compact, electronic component of several stacked electronic components is created. Characteristic of this stack is it is that on the one hand semiconductor chips with flip-chip contacts in the Stacks are arranged and on the other hand cranked holding webs electrically the external contacts on the bottom with connection contacts connect on the top, which in turn via rewiring lines with external contacts are electrically connected on the top.

Bei einem weiteren Aspekt der Erfindung ist es vorgesehen, dass ein Systemträger für mehrere elektronische Bauteile konzipiert wird. Dieser Systemträger weist strukturierte Bauteilpositionen für jedes der elektronischen Bauteile auf, wobei jede Bauteilposition von einem Systemträgerrahmen umgeben ist. Gleichzeitig weist der Systemträger in seinem Randbereich Perforationen auf, mit denen die Position der einzelnen Bauteilpositionen für einen entsprechenden Bestückungsautomaten definiert werden. In jeder der Bauteilpositionen weist der Systemträgerrahmen Haltestege zu Außenkontakten und Hal testege zu Anschlußkontakten in Richtung auf einen zentralen Bereich in der Bauteilposition auf. Alle Außenkontakte und alle Anschlußkontakte sind somit in ihrer Position fixiert, so dass ein korrektes Aufsetzen eines Halbleiterchips mit Flip-Chip-Kontakten auf den Anschlußkontakten erfolgen kann. Dieses wird in einem Bestückungsautomaten durchgeführt. Dabei ist weder eine Chipinsel für das Befestigen des Halbleiterchips erforderlich, noch sind Umverdrahtungsplatten mit Lötstoppmustern vorzusehen. Ein derartiger Systemträger verbilligt somit die Herstellung elektronischer Bauteile.at Another aspect of the invention provides that a system support for multiple electronic Components is designed. This system carrier has structured component positions for each the electronic components, each component position of a system tray frame is surrounded. At the same time, the system carrier has perforations in its edge area on, with which the position of the individual component positions for a corresponding pick and place machines To be defined. In each of the component positions, the system carrier frame Retaining webs to external contacts and Hal testege to terminal contacts toward a central area in the component position. All external contacts and all connection contacts are thus fixed in their position, so that a correct placement of a Semiconductor chips with flip-chip contacts on the connection contacts can be done. This is done in a placement machine. there is neither a chip island for the mounting of the semiconductor chip is required, nor are rewiring plates with solder stop patterns provided. Such a system carrier thus reduces the cost of production electronic components.

Die Außenkontakte sind in einer Matrix angeordnet und über Haltestege elektrisch mit Anschlusskontakten verbunden, die eine Anordnung aufweisen, die der Anordnung von Flip-Chip-Kontakten eines in Flip-Chip-Technik in den Bauteilpositionen anzuordnenden Halbleiterchips entspricht.The external contacts are arranged in a matrix and electrically connected via holding webs Connection contacts connected, which have an arrangement that the arrangement of flip-chip contacts a to be arranged in flip-chip technology in the component positions Semiconductor chips corresponds.

Die Außenkontakte weisen eine volle Systemträgermaterialstärke auf. Dabei zeigen die Außenkontakte ein Profil im Querschnitt über dieser Systemträgermaterialstärke auf, das Vorsprünge im Mittenbereich der Materialstärke zeigt. Diese Vorsprünge im Mittenbereich der Materialstärke verbessern die Verankerung der Außenkontakte in der Kunststoffgehäusemasse beim Verpacken der elektronischen Bauteile.The external contacts have a full system substrate thickness. This shows the external contacts a profile in cross section over this system carrier material strength, the projections in the middle area of the material thickness shows. These projections in the middle area of the material thickness Improve the anchoring of the external contacts in the plastic housing compound in the packaging of electronic components.

Die Anschlußkontakte weisen eine verminderte Systemträgermaterialstärke auf. Somit können die Außenkontakte äußerst filigran ausgeführt werden und zu den Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips, die in einem mikroskopisch kleinen Abstand voneinander angeordnet sind, geführt werden, ohne dass es zu Kurzschlüssen zwischen den Haltestegen und insbesondere zwischen den Anschlußkontakten kommt. Ausserdem werden sie da durch später vollständig von der Kunststoffgehäusemasse umhüllt und geschützt.The connecting contacts have a reduced system carrier material thickness. Thus, the External contacts extremely delicate accomplished and to the flip-chip contacts of the semiconductor chip, which are in are arranged at a microscopic distance from each other, guided be without causing short circuits comes between the holding webs and in particular between the terminal contacts. Furthermore they will be there later Completely from the plastic housing compound wrapped and protected.

Die Außenkontakte können bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung in mindestens einer Bauteilposition in einem Außenring angeordnet sein. Diese Außenkontakte in dem Außenring weisen gleichzeitig Außenkontaktflächen auf der Unterseite und auf den Randseiten des elektronischen Bauteils auf und ermöglichen somit einen Zugriff auf diese Außenkontakte von mehreren Seiten aus. Ferner kann zwischen Haltestegen) für Außenkontakte eines Außenring Haltestege eines weiteren inneren Ringes aus Außenkontakten angeordnet sein.The external contacts can in another embodiment the invention in at least one component position in an outer ring be arranged. These external contacts in the outer ring at the same time have external contact surfaces the bottom and on the edge sides of the electronic component and allow thus accessing these external contacts from multiple pages out. Furthermore, between holding webs) for external contacts of an outer ring Retaining webs of another inner ring to be arranged from external contacts.

Bei einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers weisen die Haltestege eine verminderte Trägermaterialstärke auf. Damit werden die Haltestege flexibler und somit auch die Außenkontakte beziehungsweise die Anschlußkontakte, die mit diesen Haltestegen verbunden sind. Das hat den Vorteil, dass die Verbindung zu den Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips geringer belastet wird.In a further embodiment of the system carrier, the holding webs have a reduced carrier material thickness. This will be the Holding webs flexible and thus also the external contacts or the terminal contacts, which are connected to these retaining webs. This has the advantage that the connection to the flip-chip contacts of the semiconductor chip is loaded less.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass der Systemträger eine Potentialleitung aufweist, welche sich von einer Seite des Systemträgerrahmens zur gegenüberliegenden Seite des Systemträgerrahmens erstreckt. Diese Potentialleitung kann einerseits elektrisch eingesetzt werden, um an vorgesehene Außenkontakte beziehungsweise an entsprechend vorgesehene Anschlußkontakte ein Potential zu legen, andererseits kann sie auch gleichzeitig die mechanische Stabilität der filigranen Struktur in jeder Bauteilposition erhöhen. Dadurch wird die Sicherheit der Positionierung der Flip-Chip-Kontakte des Halbleiterchips auf dem Systemträger in jeder Bauteilposition verbessert.In a further embodiment The invention provides that the system carrier a potential line which extends from one side of the leadframe to the opposite side of the system tray frame extends. This potential line can be used electrically on the one hand, to provided external contacts or to appropriately provided terminal contacts On the other hand, it can also be a potential the mechanical stability of the increase filigree structure in every component position. This will ensure safety the positioning of the flip-chip contacts of the semiconductor chip the system carrier improved in each component position.

Die Potentialleitung weist in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zumindest teilweise eine verminderte Systemträgermaterialstärke auf und ist dort in die Kunststoffgehäusemasse einbettbar. Das hat den Vorteil, dass die Potentialleitung verankert ist und selbst zumindest in kritischen Bereichen von der Unterseite des elektronischen Bauteils nicht unmittelbar kontaktiert werden kann. Vielmehr werden entsprechende Außenkontakte vorgesehen, die über Haltestege quer zur Masseleitung mit dieser in Verbindung stehen. Ferner kann die Potentialleitung an den beiden Seiten des Gehäusebauteils von außen kontaktiert werden, was eine Funktionsprüfung erleichtert. Ausserdem behindert eine Potentialleitung mit verringerter Materialdicke das Umhüllen mit Kunsstoffgehäusemasse weniger. Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass der Systemträger gekröpfte Haltestege aufweist, die eine Auswölbung gegenüber dem Systemträgerrahmen bilden. Somit entsteht in jeder Bauteilposition eine derartige Auswölbung aus gekröpften Haltestegen, womit Anschlußkontakte auf der Oberseite und die Außenkontakte auf der Unterseite beim Vergießen des Systemträgers in jeder Bauteilposition zu einem elektronischen Bauteil angeordnet werden.The Potential line has in a further embodiment of the invention at least partially a reduced system carrier material thickness and is there in the plastic housing compound embeddable. This has the advantage that anchored the potential line is and even at least in critical areas from the bottom of the electronic component are not contacted directly can. Rather, corresponding external contacts are provided, which via retaining webs transverse to the ground line with this in connection. Furthermore, can the potential line on the two sides of the housing component from the outside be contacted, which facilitates a functional test. Moreover hinders a potential line with reduced material thickness that Envelop with Kunsstoffgehäusemasse fewer. In a further embodiment the invention it is provided that the system carrier has cranked holding webs, the one bulge across from the system tray form. Thus arises in each component position such a bulge cranked Haltestegen, with which connection contacts on the top and the external contacts on the bottom when potting of the system carrier be arranged in each component position to an electronic component.

Die Außenkontakte weisen in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung eine verminderte Systemträgermaterialstärke und einen Kontaktsockel auf, der eine Kontaktanschlußfläche aufweist, die kongruent zu einer Kontaktfläche eines in Flip-Chip-Technik anzuordnenden Halbleiterchips ist. Somit läßt sich für eine definierte Anzahl von Außenkontakten, die unmittelbar einem Flip-Chip-Kontakt gegenüberliegen, jeweils ein Außenkontakt direkt anbringen, indem die kongruente, mikroskopisch kleine Kontaktanschlußfläche des Kontaktsockels des Außenkontaktes mit der Anschlußkontaktfläche eines in Flip-Chip-Technik anzuordnenden Halbleiterchips verbunden werden kann. Das kann vor allem im Zentrum des Bauteils aus Platzgründen vorteilhaft sein.The external contacts in a further embodiment the invention, a reduced system carrier material thickness and a contact socket having a contact pad that is congruent to a contact surface one in flip-chip technology is to be arranged semiconductor chip. Thus can be for a defined number of External contacts, which are directly opposite to a flip-chip contact, in each case an external contact attach directly by the congruent, microscopic contact pad of the Contact socket of the external contact with the terminal contact surface of a be connected in flip-chip technology to be arranged semiconductor chips can. This can be advantageous especially in the center of the component for reasons of space be.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Anschlußkontakte eines Systemträgers eine Prägung aufweisen, welche einen Sockel aufweist, der eine zu einer Anschlusskontaktfläche eines in Flip-Chip-Technik anzuordnenden Halbleiterchips kongruente Kontaktanschlußfläche aufweist. Durch eine derartige Prägung wird einerseits die Materialstärke der Anschlußkontakte weiter vermindert und andererseits das Material teilweise in einen zu den Anschlußkontaktflächen eines in Flip-Chip-Technik anzuordnenden Halbleiterchips angepaßten Kontaktsockels umgeformt. Diese Prägetechnik kann noch auf dem Niveau des Systemträgers eingesetzt werden, um eine derartige Ausbildung von Anschlußkontakten zu erreichen. Weiter wird durch den Kontaktsockel ein breites Verfliessen von Lot verhindert.A another embodiment The invention provides that the terminal contacts of a system carrier a embossing having a base, the one to a terminal contact surface of a Having in a flip-chip technology to be arranged semiconductor chip congruent contact pad. By such an embossing on the one hand, the material thickness the connection contacts further diminished and partly the material partially in one to the terminal pads of a in flip chip technology to be arranged semiconductor chips adapted contact socket reshaped. This embossing technique can still be used at the level of the system carrier to to achieve such a configuration of terminal contacts. Next will prevents a wide flow of solder through the contact socket.

Somit steht für die Weiterverarbeitung ein Systemträger zur Verfügung, der einerseits exakt positionierte und mechanisch gehaltene Anschlußkontakte einer speziellen Prägung vorsieht, die exakt auf die Anordnung von mikroskopisch kleinen Flip-Chip-Kontakten ausgerichtet und angepaßt sind. Andererseits sieht der Systemträger makroskopisch angeordnete Außenkontakte vor, die unmittelbar nach dem Vergießen des Systemträgers in einer Kunststoffgehäusemasse für Funktionstests von der Unterseite des in Kunststoffgehäusemasse verpackten Systemträgers aus zur Verfügung stehen.Consequently stands for the further processing a system carrier available, the on the one hand exactly positioned and mechanically held terminal contacts a special imprint provides that are precisely aligned to the arrangement of microscopic flip-chip contacts and adapted are. On the other hand, the system carrier sees macroscopically arranged external contacts before, immediately after the casting of the system carrier in a plastic housing compound for functional tests from the bottom of the packaged in plastic housing material system carrier to disposal stand.

Ein Verfahren zur Herstellung eines solcher. Systemträgers aus einer Metallplatte oder einem Metallband als Systemträgerroh ling für mehrere der beschriebenen elektronischen Bauteile weist folgende Verfahrensschritte auf:

  • – Maskieren der Oberseite und der Unterseite des Systemträgerrohlings mit unterschiedlichen, zueinander unsymmetrisch strukturierten Ätzmasken,
  • – doppelseitiges Ätzen des maskierten Systemträgerrohlings unter einseitigem Dünnätzen von Haltestegen und Anschlußkontakten, sowie einem vorbestimmten Anteil der weiteren Außenkontakte und/oder der Potentialleitungen,
  • – Entfernen der unsymmetrischen Ätzmasken,
  • – Strukturieren der Anschlußkontakte zu Anschlußkontakten verminderter Materialstärke mit Kontaktsockel, der eine Kontaktanschlußfläche aufweist, die kongruent zu einem Flip-Chip-Kontakt eines Halbleiterchips ist,
  • – Strukturieren einer vorbestimmten Anzahl von weiteren Außenkontakten verminderter Materialstärke zu weiteren Außenkontakten mit Kontaktsockeln, die eine Kontaktanschlußfläche aufweisen, die kongruent zu einem Flip-Chip-Kontakt eines Halbleiterchips ist.
  • – teilweises Kröpfen der Haltestege, so dass Anschlußkontakte gegenüber dem Systemträgerrahmen angehoben werden und Auswölbungen in jeder Bauteilposition gebildet werden, welche die Halbleiterchips in Flipchiptechnik hängend aufnehmen können.
A method for producing such. System carrier made of a metal plate or a metal strip as Systemträgerroh ling for several of the electronic components described has the following method steps:
  • Masking the upper side and the underside of the system carrier blank with different etching masks which are asymmetrically structured relative to one another,
  • Double-sided etching of the masked system carrier blank with one-sided thin etching of holding webs and connecting contacts, as well as a predetermined portion of the further external contacts and / or the potential lines,
  • Removing the asymmetrical etching masks,
  • Patterning the connection contacts to terminal contacts of reduced material thickness with contact socket, which has a contact pad which is congruent with a flip-chip contact of a semiconductor chip,
  • - Patterning a predetermined number of other external contacts of reduced material thickness to further external contacts with contact sockets, which have a contact pad, which is congruent to a flip-chip contact a semiconductor chip.
  • - Partial crimping of the holding webs, so that terminal contacts are raised relative to the system support frame and bulges are formed in each component position, which can hold the semiconductor chips in flip-chip technology hanging.

Ein derartiges Verfahren hat den Vorteil, dass mit relativ kostengünstigen Mitteln ein komplexer Systemträger herstellbar wird, der für jede Bauteilposition ein filigranes Muster aus Haltestegen, Anschlußkontakten und Außenkontakten aufweist. Durch die Vernetzung der Haltestege wird dabei mechanisch die Position der einzelnen Außenkontakte und Anschlußkontakte gesichert und somit ermöglicht, dass zuverlässig ein Halbleiterchip in Flip-Chip-Technik in jeder Bauteilposition angeordnet werden kann. Erst nach dem Anbringen des Halbleiterchips und nach einem Vergießen in einer Kunststoffgehäusemasse wird dieses Netz aus Haltestegen durchtrennt, so dass an definierten Stellen Außenkontakte auf der Unterseite des elektronischen Bauteils zugänglich sind und innerhalb der Kunststoffmasse eine Verbindung zwischen Anschlußkontakten des Trägers und Flip-Chip-Kontakten besteht.One Such method has the advantage of being relatively inexpensive Means a complex system carrier it can be produced for each component position a filigree pattern of retaining webs, connecting contacts and external contacts having. By networking the retaining webs is doing mechanically the position of the individual external contacts and connecting contacts secured and thus enables that reliable a semiconductor chip in flip-chip technology in each component position can be arranged can. Only after the attachment of the semiconductor chip and after a Shed in a plastic housing compound this network is severed from holding webs, so that at defined Make external contacts are accessible on the underside of the electronic component and within the plastic mass, a connection between terminal contacts of the carrier and flip-chip contacts.

Die Haltestege werden teilweise gekröpft, so dass Anschlußkontakte gegenüber dem Systemträgerrahmen angehoben werden und dabei Auswölbungen in jeder Bauteilposition gebildet werden, welche die Halbleiterchips in Flip-Chip-Technik hängend aufnehmen können. Derartige Auswölbungen erleichtern gleichzeitig das Justieren der Bauteilpositionen in einem Bestückungsautomaten und schützen somit die empfindlichen Halbleiterchips, die in dem Bestückungsautomaten hängend in die Bauteilpositionen eingebracht werden. Dazu werden die Anschlußkontakte derart angeordnet, dass sie der Anordnung von Flip-Chip-Kontakten, der in Flip-Chip-Technik zu montierenden Halbleiterchips entsprechen.The Haltstege be partially cranked, so that connecting contacts across from the system tray be raised and bulges are formed in each component position, which the semiconductor chips record hanging in flip-chip technology can. Such bulges Simultaneously facilitate the adjustment of the component positions in an assembly machine and thus protect the sensitive semiconductor chips used in the placement machine hanging be introduced into the component positions. These are the connection contacts arranged such that they the arrangement of flip-chip contacts, the in flip-chip technology to mount semiconductor chips.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung erfolgt das Strukturieren der Anschlußkontakte und/oder der vorbestimmten Anzahl von Außenkontakten mittels Prägetechnik. Diese Technik hat den Vorteil, dass gleichzeitig für mehrere Anschlußkontakte und Außenkontakte ein Sockel aufgeprägt werden kann, während die Anschlußkontakte beim Prägen gleichzeitig weiter dünn geformt werden.In a further embodiment the invention, the structuring of the terminal contacts and / or the predetermined number of external contacts by embossing technique. This technique has the advantage of being used simultaneously for several connecting contacts and external contacts a pedestal impressed can be while the connection contacts when embossing at the same time thin be formed.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass das Strukturieren der vorbestimmten Anzahl von Außenkontakten mittels doppelseitiger Ätztechnik erfolgt. Bei dieser doppelseitigen Ätztechnik kann in vorteilhafter Weise auf der einen Seite des Außenkontaktes ein Sockel entstehen, der eine verminderte, mikroskopisch kleine Kontaktanschlußfläche aufweist, die kongruent zu den Anschlußkontaktflächen der Flip-Chip-Kontakte ist, während auf der Unterseite des elektronischen Bauteils eine Außenkontaktfläche zur Verfügung gestellt wird, die makroskopische Ausmaße annimmt.A another embodiment The invention provides that the structuring of the predetermined number from external contacts by double-sided etching technique he follows. In this double-sided etching technique can in an advantageous Way on the one side of the external contact a socket arise which has a diminished, microscopically small contact pad, the congruent to the terminal contact surfaces of Flip-chip contacts is while on the underside of the electronic component an external contact surface for disposal which assumes macroscopic proportions.

Während die Flip-Chip-Kontakte des Halbleiterchips in einer mikroskopisch feinen Anordnung vorhanden sind, werden die Außenkontakte in einer Matrixform angeordnet mit makroskopischen Abständen und sind über Haltestege mechanisch und elektrisch mit den Anschlußkontakten, die kongruent zu den Flip-Chip-Kontakten angeordnet sind, verbunden. Der Übergang von der Matrixform der Außenkontakte des Systemträgers zu der mikroskopischen Anordnung der Flip-Chip-Kontakte wird über die dünngeätzten oder dünn geformten Haltestege verwirklicht, so dass Umverdrahtungsplatten und andere weitere Komponenten nicht erforderlich sind, um ein erfindungsgemäßes elektronisches Bauteil zu realisieren.While the Flip-chip contacts of the semiconductor chip in a microscopic fine Arrangement are present, the external contacts are in a matrix form arranged at macroscopic distances and are about holding webs mechanically and electrically with the connection contacts, which are congruent to the Flip-chip contacts are arranged connected. The transition from the matrix shape of the external contacts of the system carrier to the microscopic arrangement of the flip-chip contacts is over the thin-etched or thinly shaped Holding webs realized, so that rewiring plates and other more Components are not required to an inventive electronic To realize component.

Ein Verfahren zur Herstellung eines beschriebenen elektronischen Bauteils mit einem Kunststoffgehäuse aus einer Kunststoffgehäusemasse und einem in dem Kunststoffgehäuse in Flip-Chip-Technik angeordneten Halbleiterchip hat folgende Verfahrensschritte:

  • – Herstellen eines Systemträgers mit mehreren Bauteilpositionen, die von einem Systemträgerrahmen umgeben sind und eine Struktur mit Außenkontakten, Anschlußkontakten und dazwischen angeordneten Haltestegen verminderter Systemträgermaterialstärke aufweisen, wobei die Anschlußkontakte und eine vorbestimmte Anzahl von weiteren Außenkontakten mit Sockelansätzen strukturiert werden, die zu Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips kongruente Kontaktanschlußflächen aufweisen,
  • – elektrisches Verbinden eines Halbleiterchips mit seinen Flip-Chip-Kontakten in Flip-Chip-Technik mit den Kontaktanschlußflächen der Anschlußkontakte und/oder der vorbestimmten Anzahl von Außenkontakten in jeder Bauteilposition,
  • – Verpacken der Bauteilpositionen in einer Kunststoffgehäusemasse,
  • – Einbringen von Aussparungen auf der Unterseite des Systemträgers in jeder Bauteilposition zum Auftrennen von Haltestegen, die nicht für eine elektrische Verbindung vorgesehen sind, an entsprechend vorbestimmten Stellen,
  • – Auftrennen des Systemträgers zu einzelnen elektronischen Bauteilen.
A method for producing a described electronic component with a plastic housing made of a plastic housing composition and a semiconductor chip arranged in the plastic housing in flip-chip technology has the following method steps:
  • Producing a system carrier having a plurality of component positions, which are surrounded by a system carrier frame and have a structure with external contacts, terminal contacts and holding webs of reduced system carrier material thickness arranged therebetween, wherein the terminal contacts and a predetermined number of further external contacts are patterned with socket attachments which are turned into flip chip Have contacts of the semiconductor chip congruent contact pads,
  • Electrically connecting a semiconductor chip with its flip-chip contacts in flip-chip technology with the contact pads of the terminal contacts and / or the predetermined number of external contacts in each component position,
  • Packaging the component positions in a plastic housing composition,
  • - Inserting recesses on the underside of the system carrier in each component position for separating holding webs, which are not intended for an electrical connection, at corresponding predetermined locations,
  • - Separation of the system carrier to individual electronic components.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass mehrere Verfahrensschritte gleichzeitig für eine Vielzahl von elektronischen Bauteilen durchgeführt werden können. Während das Bestücken des Systemträgers mit Halbleiterchips in einem Bestückungsautomaten durchgeführt werden kann, wobei einzelne Halbleiterchips in Flip-Chip-Technik auf oder in den Bauteilpositionen eingebaut werden, kann die Kunststoffgehäusemasse als eine gesamte Schicht auf den Systemträger aufgebracht werden, so dass eine Kunststoffplatte mit eingebautem Systemträger für mehrere Bauteilpositionen und fertig verbundenen Halbleiterchips in Flip-Chip-Technologie entsteht. Diese Kunststoffplatte kann für mehrere Bauteile auf der Unterseite strukturiert werden, indem Aussparungen mittels Sägetechnik oder Lasertechnik eingebracht werden, um die Außenkontakte auf der Unterseite des elektronischen Bauteils zu vereinzeln und alle Haltestege zu durchtrennen, die lediglich mechanischer Positionierung von Außenkontakten dienen. Mit einer derartigen Technologie sind Einsparungen verbunden, da die Verfahrensschritte für mehrere elektronische Bauteile gleichzeitig durchgeführt werden können.This method has the advantage that a plurality of method steps can be performed simultaneously for a plurality of electronic components. While the loading of the system carrier can be performed with semiconductor chips in a placement machine, wherein individual semiconductor chips in flip-chip technology on or in the component be installed positions, the plastic housing composition can be applied as an entire layer on the system carrier, so that a plastic plate with built-in system carrier for multiple component positions and ready-connected semiconductor chips in flip-chip technology is created. This plastic plate can be structured for several components on the underside by recesses by sawing or laser technology are introduced to separate the external contacts on the bottom of the electronic component and to cut through all holding webs, which serve only mechanical positioning of external contacts. Savings are associated with such a technology because the process steps for multiple electronic components can be performed simultaneously.

Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor, dass das Auftrennen von Haltestegen durch Einbringen von Sägenuten auf der Unterseite des Systemträgers und/oder auf der Unterseite des elektronischen Bauteils durchgeführt wird. Diese Sägenuten haben den Vorteil, dass sie sehr genau in ihrer Schnittiefe eingestellt werden können und dass die Sagenuten mit einer relativ einfachen Technik einbringbar sind.One further implementation example of the method provides that the separation of holding webs by Introduction of saw grooves on the underside of the system carrier and / or performed on the underside of the electronic component. These sawing grooves have the advantage that they are very accurately adjusted in their depth of cut can be and that the legends can be introduced with a relatively simple technique are.

Es ist vorgesehen, dass das Auftrennen von Haltestegen durch Einbringen von Aussparungen auf der Unterseite des elektronischen Bauteils zum Trennen der Haltestege an vorbestimmten Stellen mittels Laserabtrag durchgeführt wird. Diese Laserabtragstechnik hat den Vorteil, dass die Bauteile nicht durch Sägenuten auf der Unterseite geschwächt werden, sondern lediglich punktuell Aussparungen durch Laserabtrag dort angebracht werden, wo Haltestege, die nur mechanischen Zwecken dienen, aufgetrennt werden sollen.It is provided that the separation of holding webs by introducing of recesses on the bottom of the electronic component for separating the holding webs at predetermined locations by means of laser ablation carried out becomes. This laser ablation technique has the advantage that the components not by sawing grooves weakened on the bottom be, but only occasionally recesses by laser ablation be attached where holding bars, for mechanical purposes only serve, should be separated.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel des Verfahrens ist vorgesehen, dass in dem Systemträger in jeder Bauteilposition eine Auswölbung durch Kröpfung der Haltestege eingebracht wird, in welcher der Halbleiterchip in Flip-Chip-Technik angeordnet wird. Derartige Auswölbungen durch Kröpfung der Haltestege haben darüber hinaus den Vorteil, dass sie in Grenzen den Halbleiterchip vor Beschädigung bei dem Einbringen der Kunststoffgehäusemasse schützen.In a further embodiment of the method is provided that in the system carrier in each Component position a bulge by cranking the holding webs is introduced, in which the semiconductor chip in Flip-chip technique is arranged. Such bulges by cranking the retaining bars have it in addition, the advantage that they within limits the semiconductor chip from damage protect the insertion of the plastic housing composition.

In einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird beim Verpacken der Anordnung aus Halbleiterchip und Bauteil position mit Auswölbungen in einer Kunststoffgehäusemasse ein Formwerkzeug eingesetzt, wobei das Formwerkzeug eine Formkavität aufweist, bei der sich die Außenkontakte in eine untere Dichtfolie und die Anschlußkontakte in eine obere Dichtfolie einprägen, so dass nach dem Spritzgußprozess die Anschlußkontakte aus der Oberseite des Kunststoffgehäuses um wenige Mikrometer herausragen und die Außenkontakte auf der Unterseite des Kunststoffgehäuses um wenige Mikrometer herausragen. Bei dieser Doppelfolienvergußtechnik besteht die Möglichkeit, dass das Freiliegen der Außenkontakte auf der Unterseite und der Anschlußkontakte auf der Oberseite durch das Eindrücken der Kontakte in die Dichtfolie gewährleistet wird. Somit kann die Funktion der einzelnen elektronischen Bauteile noch auf dem Systemträger und nach Einbringen der oben beschriebenen Aussparungen unmittelbar getestet werden.In a further embodiment of the Method is used in packaging the assembly of semiconductor chip and component position with bulges in a plastic housing compound a mold used, wherein the mold has a mold cavity, in which the external contacts in a lower sealing foil and the terminal contacts in an upper sealing foil memorize, so that after the injection molding process the connection contacts protrude from the top of the plastic housing by a few microns and the external contacts on the bottom of the plastic housing protrude by a few microns. In this Doppelfolienvergußtechnik it is possible, that exposing the external contacts on the bottom and the connection contacts on the top by the impressions the contacts in the sealing film is ensured. Thus, can the function of the individual electronic components still on the system support and immediately after introducing the recesses described above be tested.

In einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens sind zusätzliche Verfahrensschritte vorgesehen, um auf der Oberseite der Kunststoffgehäusemasse Außenkontakte zu schaffen zum direkten Aufbau mindestens eines weiteren elektronischen Bauelements. Dazu werden die Oberseiten der elektronischen Bauteile nach dem Verpacken der elektronischen Bauteile auf dem Systemträger mit einer Umverdrahtungsstruktur beschichtet. Diese Umverdrahtungsstruktur weist Umverdrahtungsleitungen auf, die sich von den auf der Oberseite angeordneten Anschlußkontakten zu Kontaktanschlußflächen auf der Oberseite erstrecken. Diese Kontaktanschlußflächen auf der Oberseite des elektronischen Bauteils sind Endflächen der Umverdrahtungsleitungen.In a further embodiment of the Procedure are additional Procedural steps provided on top of the plastic housing composition external contacts to create at least one additional electronic component Component. These are the tops of the electronic components after packaging the electronic components on the system carrier with a redistribution structure coated. This rewiring structure has redistribution lines that are different from those on the top arranged connection contacts to contact pads on extend the top. These contact pads on the top of the electronic component are end surfaces of the rewiring lines.

Die Kontaktanschlussflächen werden mit Außenkontakten durch ein selektives Aufbringen dieser Außenkontakte auf der Oberseite des elektronischen Bauteils in Positionen bestückt, die den Positionen der Außenkontakte auf der Unterseite eines zweiten elektronischen Bauteils entsprechen. Durch diese zusätzlichen Verfahrensschritte wird vorteilhaft erreicht, dass auf derartigen elektronischen Bauteilen mit gekröpften Haltestegen, flip-chip-montierten Halbleiterchips und mit umverdrahteten Anschlußkontakten zu Außenkontakten andere elektronische Bauteile direkt aufgebaut werden können, mit kurzen Verbindungen und ohne zusätzliche Umverdrahtungsplatten. Durch die Umverdrahtung können so stapelfähige elektronische Bauteile gebildet werden. Es können somit mehrere Bauteile vertikal übereinander zu einem neuen, komplexen elektronischen Bauteil oder Modul gestapelt werden.The Contact pads be with external contacts by selectively applying these external contacts on the top of the electronic component in positions fitted to the positions of the external contacts on the bottom of a second electronic component correspond. Through this additional Process steps is advantageously achieved that on such electronic components with bent support webs, flip-chip mounted semiconductor chips and with rewired connection contacts to external contacts other electronic components can be built directly with short connections and no additional Umverdrahtungsplatten. By rewiring so stackable electronic Components are formed. It can thus several components vertically one above the other to a new, complex electronic component or module stacked become.

Ein weiteres Durchführungsbeispiel sieht vor, dass die Außenkontakte auf der Oberseite in Positionen selektiv aufgebracht werden, die den Positionen der Außenkontakte auf der Unterseite der elektronischen Bauteile entsprechen.One further implementation example provides that the external contacts be selectively applied on the top in positions that the positions of the external contacts on the bottom of the electronic components correspond.

Durch dieses Verfahren entstehen Bauteile mit jeweils gleich positionierten Aussenkontakten an der Oberseite und an der Unterseite, die mit demselben Flip-Chip-Kontakt elektrisch verbunden sind. Das hat den Vorteil, dass das Bauteil sowohl von oben als auch von unten mit demselben Testequipment getestet werden kann und auch dass sehr einfach mehrere gleichartige Bauteile vertikal übereinander gestapelt werden können, beispielsweise Speicherbauteile. Dadurch lassen sich sehr flexibel verschiedene Speicherkapazitäten am gleichen Einbauplatz auf einer Leiterplatte realisieren.As a result of this process, components each have identically positioned outer contacts on the upper side and on the lower side, which are electrically connected to the same flip-chip contact. This has the advantage that the component of both can be tested above as well as from below with the same test equipment and also that very easily several similar components can be stacked vertically one above the other, for example, memory components. This makes it very flexible to realize different storage capacities at the same slot on a printed circuit board.

Eine weiteres Durchführungsbeispielen des Verfahrens sieht vor, dass das Aufbringen von Umverdrahtungsleitungen und Außenkontakten auf der Oberseite der elektronischen Bauteile gleichzeitig für mehrere Bauteile eines Systemträgers er folgt. Dadurch, dass die Umverdrahtungsleitungen gleichzeitig für mehrere Bauteile auf einem Systemträger aufgebracht werden können, werden erhebliche Kosten eingespart, die sonst bei einer Nachbearbeitung von Einzelbauteilen anfallen würden.A further implementation examples of the method provides that the application of rewiring and external contacts on the top of the electronic components simultaneously for several Components of a system carrier he follows. By having the redistribution lines at the same time for many Components on a system carrier can be applied Saves considerable costs, otherwise in a post-processing incurred by individual components.

Zusammenfassend wird mit dem erfindungsgemäßen Bauteil und dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Flip-Chip-Montage in „leadless" QFN-Gehäusen ermöglicht. Darüber hinaus können Gehäuseformen geschaffen werden, die eine hohe Dichte an Außenkontakten auf der Unterseite eines elektronischen Bauteils in Matrixform aufweisen, wie es bei BGA-Gehäusen (ball grid arrey-Gehäusen) möglich ist. Jedoch wird bei dieser Technologie keine Umverdrahtungsplatte eingesetzt und auch keine Lötstoppmaske benötigt. Auch auf langgestreckte Lotsäulen und elastische Verbindungen zwischen Außenkontakten und Flip-Chip-Kontakten kann mit der erfindungsgemäßen Technologie verzichtet werden, da Haltestege mit verminderter Materialstärke vorgesehen werden können, die eine elastische Verbindung zwischen Außenkontakten und Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips realisieren.In summary is with the component according to the invention and the method of the invention enables flip-chip mounting in "leadless" QFN packages. About that can out housing forms be created, which has a high density of external contacts on the bottom an electronic component in matrix form, as it is in BGA packages (ball grid arrey enclosures) is possible. However, this technology does not use a rewiring board and no solder mask needed. Also on elongated Lotsäulen and elastic connections between external contacts and flip-chip contacts can with the technology according to the invention be waived, since retaining bars provided with reduced material thickness can be the one elastic connection between external contacts and flip-chip contacts of the Realize semiconductor chips.

Die Formgebung der Anschlußkontakte mit einem Kontaktsockel kann durch Prägetechnik oder durch Ätztechnik erfolgen. Eine gezielte lokale Passivierung gegen Lotbenetzung, beispielsweise durch Oxidation einer durch Laser erhitzten Zone kann auf einfache Weise erfolgen. Eine flächige Passivierung kann durchgeführt werden, um eine Lotbenetzung des Systemträgers zu verhindern, wobei durch anschließendes Öffnen von Kontaktanschlussflächen auf den Anschlußkontakten beziehungsweise Kontaktsockeln z. B. mit Hilfe eines Lasers das Verbinden mit den Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips auf begrenzte Flächen der Anschlußkontakte konzentriert werden kann.The Shape of the connection contacts with a contact socket can by embossing technique or by etching respectively. A targeted local passivation against solder wetting, for example, by oxidation of a laser-heated zone can be done easily. A surface passivation can be carried out to prevent solder wetting of the system carrier, by subsequent opening of Contact pads on the connection contacts or contact sockets z. B. with the help of a laser Connect to the flip-chip contacts of the semiconductor chip to limited surfaces the connection contacts can be concentrated.

Wo immer es möglich und sinnvoll ist, wird als Schutz gegen mechanische Belastung und Feuchte ein Außenkontakt des Gehäuses nicht unmittelbar unter einem Flip-Chip-Kontakt angeordnet, sondern jeweils versetzt dazu über einen möglichst nicht geradlinig verlaufenden Haltesteg, wobei auch die Dicke des Haltesteges auf eine geringere Materialdicke des Systemträgers vermindert ist und wobei zumindest der geprägte Teil des Steges mit dem Kontaktsockel in der Lötzone für den Flip-Chip-Kontakt dünner geprägt ist als die übrige Stegdicke. Ein derartiger Verbindungssteg, der elektrisch die Außenkontakte mit den Anschlußkontakten verbindet, verläuft nach Möglichkeit innerhalb der Kunststoffpressmasse, um ihn vor Beschädigungen zu schützen und um zu verhindern, dass von außen unbeabsichtigt Kurzschlüsse eingebracht werden können.Where always possible and makes sense, is used as protection against mechanical stress and moisture an external contact of the housing not arranged directly under a flip-chip contact, but each offset to one not possible rectilinear holding web, whereby the thickness of the retaining web is reduced to a smaller material thickness of the system carrier and wherein at least the embossed Part of the ridge with the contact base in the soldering zone for the flip-chip contact is thinner than the rest of the ridge thickness. Such a connecting web, the electrically the external contacts with the connection contacts connects, runs if possible inside the plastic molding compound to protect it from damage to protect and to prevent inadvertently introducing shorts from the outside can be.

Durch das Einbringen oder Aufprägen von Kontaktsockeln wird in Verbindung mit den Haltestegen verminderter Materialstärke eine flexible Verbindung geschaffen, die mechanische und thermomechanische Belastungen der Flip-Chip-Kontakte reduziert. Erfindungsgemäß wird eine Technologie geschaffen, die der Erzeugung einer definierten Lotbenetzungsfläche für eine Flip-Chip-Montage auf Metallstrukturen ermöglicht. Diese Technologie ist insbesondere auch für fein strukturierte und nicht zwingend in einer Ebene liegende Metallstrukturen geeignet. Darüber hinaus ist die Technologie zur Herstellung von „leadless"-Gehäusen des QFN-Typs geeignet. Die technischen Möglichkeiten der neuen Technologie, wie beid- und halbseitiges Ätzen von der Systemträgerrohlingen, Prägen und Abkröpfen von Anschlußkontakten oder Herstellen von Zuleitungsstegen werden derart eingesetzt, dass sowohl ein gekapselter Flip-Chip einschließlich Unterfüllmaterialien als CSP (chip-sized-package) hergestellt werden kann, als auch substratfreie „fan-out- oder fan-in"-Lösungen zur Umverdrahtung.By the introduction or imprinting Contact bases are reduced in conjunction with the retaining bars material thickness created a flexible connection, the mechanical and thermo-mechanical Reduced loads on the flip-chip contacts. According to the invention is a Technology created, the creation of a defined solder wetting surface for a flip-chip assembly enabled on metal structures. This technology is especially fine for structured and not necessarily in a plane lying metal structures suitable. Furthermore is the technology for the production of "leadless" housings of the QFN type. The technical possibilities of the new technology, like both-sided and half-sided etching from the system carrier blanks, Shape and weeding of connection contacts or manufacturing feeder webs are used such that both an encapsulated flip chip and underfill materials CSP (chip-sized-package), as well as substrate-free fan-out or fan-in solutions for Rewiring.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert.The The invention will now be described by way of embodiments with reference to FIG the enclosed drawings closer explained.

1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform, 1 shows a schematic cross-sectional view of an electronic component of a first embodiment,

2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Systemträger mit Ätzprofilen für elektronische Bauteile nach 1, 2 shows a schematic cross section through a system carrier with etch profiles for electronic components 1 .

3 zeigt eine schematische Ansicht einer Unterseite eines elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungsform, 3 shows a schematic view of a bottom side of an electronic component of a second embodiment,

4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht des elektronischen Bauteils der zweiten Ausführungsform entlang der Schnittlinie A-A in 3, 4 shows a schematic cross-sectional view of the electronic component of the second embodiment along the section line AA in 3 .

5 zeigt einen Ausschnitt einer schematischen Draufsicht auf eine Bauteilposition eines Systemträgers mit positioniertem Halbleiterchip in Flip-Chip-Technik vor dem Verpacken der Bauteilposition für ein elektronisches Bauteil einer dritten Ausführungsform, 5 shows a detail of a schematic plan view of a component position of a system carrier with a positioned semiconductor chip in flip-chip technology before packaging the component position for an electronic component of a third embodiment,

6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil der dritten Ausführungsform entlang der Schnittlinie B-B in 5, 6 shows a schematic cross section through an electronic component of the third embodiment along the section line BB in 5 .

7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil einer Ausführungsform der Erfindung, 7 shows a schematic cross section through an electronic component of an embodiment of the invention,

8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil, das einen Stapel aus elektronischen Bauteilen der Ausführungsform der Erfindung aufweist. 8th shows a schematic cross section through an electronic component having a stack of electronic components of the embodiment of the invention.

1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines elektronischen Bauteils 1 einer ersten Ausführungsform. 1 shows a schematic cross-sectional view of an electronic component 1 a first embodiment.

Das Bezugszeichen 2 kennzeichnet ein Kunststoffgehäuse. Das Bezugszeichen 3 kennzeichnet einen metallischen Träger, auf dem ein Halbleiterchip 4 positioniert ist. Das Bezugszeichen 5 kennzeichnet Außenkontakte auf der Unterseite des elektronischen Bauteils 1, die um wenige Mikrometer aus der Kunststoffgehäusemasse 16 des Kunststoffgehäuses 2 herausragen. Das Bezugszeichen 6 kennzeichnet einen Anschlußkontakt und das Bezugszeichen 7 Flip-Chip-Kontakte des Halbleiterchips 4, die mit den Anschlußkontakten 6 des metallischen Trägers 3 über Kontaktanschlußflächen 13 der Anschlußkontakte 6 verbunden sind.The reference number 2 indicates a plastic housing. The reference number 3 indicates a metallic carrier on which a semiconductor chip 4 is positioned. The reference number 5 indicates external contacts on the underside of the electronic component 1 , which measures a few microns out of the plastic housing compound 16 of the plastic housing 2 protrude. The reference number 6 indicates a terminal contact and the reference numeral 7 Flip-chip contacts of the semiconductor chip 4 that with the connection contacts 6 of the metallic carrier 3 via contact pads 13 the connection contacts 6 are connected.

Das Bezugszeichen 8 kennzeichnet eine aktive Oberseite des Halbleiterchips, auf der die Flip-Chip-Kontakte 7 angeordnet sind, wobei die Größenordnung und Abstände der Flip-Chip-Kontakte 7 mikroskopisch klein sind, was in diesem Zusammenhang eine Größenordnung betrifft, die erst mit Hilfe eines Lichtmikroskopes meßbar wird. Demgegenüber sind die Außenkontakte 5 auf der Unterseite 9 in Abständen angeordnet, die in eine makroskopische Größenordnung kommen, das heißt, diese Abstände sind mit bloßem Auge meßbar und erkennbar.The reference number 8th indicates an active top side of the semiconductor chip on which the flip-chip contacts 7 are arranged, the order and spacing of the flip-chip contacts 7 are microscopically small, which in this context relates to an order of magnitude which becomes measurable only with the aid of a light microscope. In contrast, the external contacts 5 on the bottom 9 arranged at intervals that come in a macroscopic order, that is, these distances are measurable and recognizable with the naked eye.

Das Bezugszeichen 9 kennzeichnet die Unterseite des Kunststoffgehäuses und damit auch die Unterseite des elektronischen Bauteils 1. Die Bezugsziffer 10 kennzeichnet die Seitenränder des elektronischen Bauteils und damit auch die Seitenränder des Kunststoffgehäuses. Das Bezugszeichen 11 kennzeichnet die Oberseite des Kunststoffgehäuses und damit auch die Oberseite des elektronischen Bauteils 1.The reference number 9 indicates the underside of the plastic housing and thus also the underside of the electronic component 1 , The reference number 10 indicates the side edges of the electronic component and thus also the side edges of the plastic housing. The reference number 11 indicates the top of the plastic housing and thus also the top of the electronic component 1 ,

Das Bezugszeichen 14 kennzeichnet Haltestege, die die Außenkontakte 5 und die Anschlusskontakte 6 in Position halten bis das Verpacken des elektronischen Bauteils 1 in einer Kunststoffgehäusemasse 16 abgeschlossen ist. Die Haltestege 14 weisen in dieser ersten Ausführungsform die halbe Materialstärke D des Trägers 3 auf. Diese auf die halbe Materialstärke verminderte Materialstärke wird mit dem Buchstaben d gekennzeichnet. Die Höhe des elektronischen Bauteils setzt sich somit aus der Materialstärke D des Systemträgers im Bereich zwischen 0,05 und 1,2 mm zusammen und dem in Flip-Chip-Technik montierten Halbleiterchip 4 auf den Anschlußkontakten 6 des elektronischen Bauteils. Dieses trägt zur Höhe des elektronischen Bauteils im Bereich zwischen 0,05 und 1,2 mm bei, so dass sich eine Gesamthöhe H des elektronischen Bauteils im Bereich von etwa 0,1 bis 2,4 mm ergibt. Aufgrund der geringen Materialstärke der Haltestege 14 können diese äußerst filigran und elastisch hergestellt werden, so dass die Belastungen, die aufgrund von Ausdehungsunterschieden auf die Verbindung zwischen den mikroskopisch kleinen Flip-Chip-Kontakten 7 und den Anschlußkontakten 6 wirken reduziert werden.The reference number 14 identifies holding webs, which the external contacts 5 and the connection contacts 6 hold in place until the packaging of the electronic component 1 in a plastic housing compound 16 is completed. The retaining bars 14 in this first embodiment, half the material thickness D of the carrier 3 on. This material thickness, reduced to half the material thickness, is marked with the letter d. The height of the electronic component is thus composed of the material thickness D of the system carrier in the range between 0.05 and 1.2 mm and the semiconductor chip mounted in flip-chip technology 4 on the connection contacts 6 of the electronic component. This contributes to the height of the electronic component in the range between 0.05 and 1.2 mm, so that there is an overall height H of the electronic component in the range of about 0.1 to 2.4 mm. Due to the low material thickness of the holding webs 14 These can be made extremely filigree and elastic, so that the stresses due to expansion differences on the connection between the microscopic flip-chip contacts 7 and the connection contacts 6 act to be reduced.

Mit 1 werden vier unterschiedlich angeordnete Außenkontakte 42, 43, 44 und 45 im Querschnitt dargestellt, die jeweils eine besonders vorteilhafte Ausbildung von Außenkontakten darstellen. Der Außenkontakt 42 ist auf der Unterseite des elektronischen Bauteils angeordnet und hat gleichzeitig eine Außenkontaktfläche auf dem Seitenrand 10 des elektronischen Bauteils. Sämtliche Außenkontakte 42, die gleichzeitig auch Randseitenkontakte aufweisen, bilden einen äußeren Ring von Außenkontakten auf der Unterseite 9 des elektronischen Bauteils 1 und sind über Haltestege 14 mit einzelnen, mikroskopisch kleinen Flip-Chip-Kontakten 7 über die Anschlußkontakte 6 verbunden.With 1 become four differently arranged external contacts 42 . 43 . 44 and 45 shown in cross-section, each representing a particularly advantageous embodiment of external contacts. The external contact 42 is arranged on the underside of the electronic component and at the same time has an external contact surface on the side edge 10 of the electronic component. All external contacts 42 , which also have edge side contacts, form an outer ring of external contacts on the underside 9 of the electronic component 1 and are over Haltstege 14 with individual, microscopically small flip-chip contacts 7 via the connection contacts 6 connected.

Der Außenkontakt 43 ist ein Beispiel für einen Außenkontakt eines zweiten Ringes von Außenkontakten auf der Unterseite des elektronischen Bauteils und weist ein besonderes Profil des Außenkontaktes auf. Dieses Profil ist durch Vorsprünge in der Mitte des Querschnitts gekennzeichnet. Diese Vorsprünge entstehen bei der Herstellung des Trägers 3 für das elektronische Bauteil 1. Der Außenkontakt 43 aus dem zweiten Ring von Außenkontakten ist über einen relativ langen elastischen Haltesteg 14 von verminderter Trägermaterialstärke d mit einem Anschlußkontakt 6 verbunden.The external contact 43 is an example of an external contact of a second ring of external contacts on the underside of the electronic component and has a special profile of the external contact. This profile is characterized by protrusions in the middle of the cross section. These projections arise in the manufacture of the carrier 3 for the electronic component 1 , The external contact 43 from the second ring of external contacts is over a relatively long elastic holding web 14 of reduced substrate thickness d with a terminal contact 6 connected.

Der Anschlußkontakt 6 dieser Ausführungsform ist aus dem Material des Haltesteges 14 durch Prägen geformt, wobei ein Prägestempel den Anschlußkontakt 6 gegenüber der Materialdicke des Haltesteges 14 weiter vermindert und gleichzeitig einen Kontaktsockel 12 auf dem Anschlußkontakt 6 ausbildet. Der Kontaktsockel weist auf seinem äußeren Ende eine Kontaktanschlußfläche 13 auf, die kongruent zu der Anschlußkontaktfläche des Flip-Chip-Kontaktes 7 ist. Somit kann eine elektrische Verbindung von makroskopischen Außenkontakten 42 oder 43 zu mikroskopisch kleinen Anschlußkontakten 6 mit Hilfe des Kontaktsockels 12 geschaffen werden.The connection contact 6 This embodiment is made of the material of the holding web 14 formed by embossing, wherein an embossing die the terminal contact 6 opposite the material thickness of the retaining web 14 further reduced and at the same time a contact socket 12 on the connection contact 6 formed. The contact socket has a contact pad on its outer end 13 which is congruent with the pad of the flip-chip contact 7 is. Thus, an electrical connection of macroscopic external contacts 42 or 43 to microscopic circuit contacts 6 with the help of the contact socket 12 be created.

Während die Außenkontakte 42 und 43 in einem Bereich der Kunststoffgehäusemasse 16 angeordnet sind, der frei von dem Halbleiterchip 4 gehalten ist, liegt der Anschlußkontakt 44 unterhalb des Halbleiterchips 4 und weist einen Haltesteg 14 auf, der von der vorgegebenen Position innerhalb einer Außenkontaktmatrix zu der Position eines Flip-Chip-Kontaktes 7 des Halbleiterchips 4 führt. Am Ende des Haltesteges 14 ist dieser wiederum zu einem Anschlusskontakt 6 mit Kontaktsockel 12 geformt.While the external contacts 42 and 43 in one area of the plastic housing compound 16 are arranged, which is free of the semiconductor chip 4 is held, is the terminal contact 44 below the semiconductor chip 4 and has a retaining bar 14 from the predetermined position within an external contact matrix to the position of a flip-chip contact 7 of the semiconductor chip 4 leads. At the end of the jetty 14 this in turn is a connection contact 6 with contact socket 12 shaped.

Eine weitere Version eines Außenkontaktes auf der Unterseite 9 des elektronischen Bauteils 1 zeigt das Bezugszeichen 45. Bei diesem Außenkontakt 45 sind die Positionen des Außenkontaktes 45 und des Flip-Chip-Kontaktes 7 deckungsgleich, so dass hier ein speziell geformter Außenkontakt 45 gebildet wird, der auf der Unterseite des elektronischen Bauteils 1 eine makroskopische Fläche aufweist und im oberen Bereich des Außenkontaktes 45 auf die mikroskopisch kleine Fläche des Flip-Chip-Kontaktes 7 reduziert ist. Ein derartiger Außenkontakt, der unmittelbar mit einem Flip-Chip-Kontakt 7 verbunden ist, kann nur an Stellen eingesetzt werden, an denen die Flip-Chip-Kontakte makroskopische Abstände untereinander aufweisen.Another version of an external contact on the bottom 9 of the electronic component 1 shows the reference numeral 45 , In this external contact 45 are the positions of the external contact 45 and the flip-chip contact 7 congruent, so that here is a specially shaped external contact 45 is formed on the bottom of the electronic component 1 has a macroscopic surface and in the upper region of the outer contact 45 on the microscopic surface of the flip-chip contact 7 is reduced. Such an external contact directly with a flip-chip contact 7 is connected, can only be used in places where the flip-chip contacts have macroscopic distances between them.

Neben den unterschiedlichen Versionen der Außenkontakte 42, 43, 44 und 45 zeigt die 1 eine vergrabene Potentialleitung 15, die quer durch das elektronische Bauteil 1 unterhalb des Halbleiterchips angeordnet ist. Diese Potentialleitung 15 kann einerseits Kontakte gleichen Potentials untereinander und mit dem Halbleiterchip 4 verbinden und andererseits dient sie der mechanischen Stabilisierung und Halterung von Außenkontakten und Anschlußkontakten über entsprechende Haltestege, die nach dem Verpacken des Systemträgers 23 mit aufgebrachtem Halbleiterchip 4 wieder getrennt werden.In addition to the different versions of the external contacts 42 . 43 . 44 and 45 show the 1 a buried potential line 15 passing through the electronic component 1 is arranged below the semiconductor chip. This potential line 15 on the one hand contacts of the same potential with each other and with the semiconductor chip 4 connect and on the other hand, it serves the mechanical stabilization and support of external contacts and terminal contacts via corresponding retaining webs, which after packing the system carrier 23 with applied semiconductor chip 4 be separated again.

Dazu werden Aussparungen 17 von der Unterseite des elektronischen Bauteils 1 aus in die Kunststoffgehäusmasse 16 an den Stellen eingebracht, an denen Haltestege 14, die lediglich mechanische Aufgaben hatten, getrennt werden. Haltestege, die auch eine elektrische Verbindung herstellen, werden demgegenüber nicht getrennt, wie es beispielsweise in 1 zwischen dem Außenkontakt 43 und dem Anschlußkontakt 6 gezeigt wird. Der metallische Träger 3, der sowohl Außenkontakte 5 als auch Haltestege 14 und zu Anschlußkontakten 6 geprägte Enden von Haltestegen 14 aufweist, wird aus einem Systemträger 23 gebildet, der mehrere Bauteilpositionen aufweist und innerhalb jeder Bauteilposition 50 des Systemträgers 23 einen derartigen metallischen Träger 3 für ein einzelnes elektronisches Bauteil 1 bildet.These are recesses 17 from the bottom of the electronic component 1 out in the plastic housing material 16 placed in the places where holding webs 14 who had only mechanical tasks to be separated. Holding webs, which also produce an electrical connection, are not separated, as for example in 1 between the external contact 43 and the terminal contact 6 will be shown. The metallic carrier 3 who has both external contacts 5 as well as holding webs 14 and to connection contacts 6 embossed ends of retaining bars 14 has, is from a system carrier 23 formed, which has a plurality of component positions and within each component position 50 of the system carrier 23 such a metallic carrier 3 for a single electronic component 1 forms.

2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Systemträger 23 mit Ätzprofilen für Komponenten 5, 6, 14 und 15 eines elektronischen Bauteils 1 nach 1. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. 2 shows a schematic cross section through a system carrier 23 with etching profiles for components 5 . 6 . 14 and 15 an electronic component 1 to 1 , Components with the same functions as in 1 are denoted by like reference numerals and will not be discussed separately.

Dazu zeigt 2 einen schematischen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines zu einem Systemträger 23 geätzten Systemträgerrohling 22, bei dem sich halbseitige Haltestege 14 mit vollseitigen Außenkontakten 5 abwechseln. Dabei werden die halbseitigen Stege 14 mittels nicht symmetrischer Ätzmaskentechnik erreicht. Das Rastermaß s für die halbseitigen Haltestege 14 im Wechsel mit einseitig stark verbreiterten, teils vollseitigen Außenkontakten 14 mit der schmaleren Breite w ist: s = p + w,wobei die Ätzlücke p p = m + Dist. Die Haltestege 14 sind in dieser schematischen Darstellung im Wechsel mit vollseitigen Außenkontakten 5 angeordnet, die auf der Oberseite 31 des Systemträgers 23 eine verminderte Breite w für Haltestege 14 oder für Kontaktanschlußflächen 13, 20 eines Anschlußkontaktes 6 beziehungsweise eines Außenkontaktes 5 auf der Systemträgeroberseite aufweisen, die mit der Breite von Flip-Chip-Kontakten 7 des Halbleiterchips 4 kompatibel ist. Auf der Unterseite 32 des Systemträgers 23 soll in dieser Ausführungsform eine größere Breite W für die Außenkontakte 5 realisiert werden. Wenn zwischen den vollseitigen Außenkontakten 5 jeweils ein halbseitiger Haltesteg 14 an der Oberseite 31 des Systemträgers 23 vorgesehen wird, so kann ein Rastermaß für die Außenkontakte 5 auf der Unterseite 32 des Systemträgers 23 erreicht werden, das bei der Ausführungsform, nach 1 und 2 folgende Größenordnung hat: S = W + w + 2m + D,wobei W die Breite des Außenkontaktes 5 auf der Unterseite 32 des Systemträgers 23, w die Breite des halbseitigen Haltesteges 14 auf der Oberseite 31 des Systemträgers 23, m die Breite der Ätzöffnung und D die Materialdicke des Systemträgerrohlings 22 ist.In addition shows 2 a schematic cross section through a section of a system carrier 23 etched system carrier blank 22 in which half-sided retaining webs 14 with full-sided external contacts 5 alternate. Here are the half-sided webs 14 achieved by non-symmetrical Ätzmaskentechnik. The grid dimension s for the half-sided holding webs 14 alternating with unilaterally widened, partly full-sided external contacts 14 with the narrower width w is: s = p + w, wherein the etch gap p p = m + D is. The retaining bars 14 are in this schematic representation in alternation with full-sided external contacts 5 arranged on the top 31 of the system carrier 23 a reduced width w for holding webs 14 or for contact pads 13 . 20 a connection contact 6 or an external contact 5 on the leadframe top, with the width of flip-chip contacts 7 of the semiconductor chip 4 is compatible. On the bottom 32 of the system carrier 23 intended in this embodiment, a greater width W for the external contacts 5 will be realized. If between the full-page external contacts 5 in each case a half-sided holding bridge 14 at the top 31 of the system carrier 23 is provided, so can a grid for the external contacts 5 on the bottom 32 of the system carrier 23 achieved in the embodiment, according to 1 and 2 has the following order of magnitude: S = W + w + 2m + D, where W is the width of the external contact 5 on the bottom 32 of the system carrier 23 , w is the width of the half-sided support bar 14 on the top 31 of the system carrier 23 , m the width of the etch opening and D the material thickness of the system carrier blank 22 is.

Somit können bei geeigneter Strukturierung von nicht symmetrischen Ätzmasken 33 und 34 ausreichend große Außenkontakte 5 geschaffen werden, bei gleichzeitig minimalem Flächenbedarf für die Haltestege 14 und minimaler Breite w für Kontaktanschlußflächen 13, 20 zu Flip-Chip-Kontakten 7 des Halbleiterchips 4, wie sie in 1 gezeigt werden.Thus, with suitable structuring of non-symmetrical etching masks 33 and 34 sufficiently large external contacts 5 be created, while minimizing the space requirement for the holding webs 14 and minimum width w for contact circuit surfaces 13 . 20 to flip-chip contacts 7 of the semiconductor chip 4 as they are in 1 to be shown.

Durch asymmetrische Ätzmasken 33 und 34 oben und unten kann mit halber Materialdicke D/2 bereichsweise auf der Ober- oder der Unterseite eine elektrische Leitung, wie eine Potentialleitung 15 oder in Form von Haltestegen 14, auf Kosten von Nachbarstegen verbreitert werden. Beispielsweise im Bereich der Außenkontakte 5 auf der Unterseite 32 des Systemträgers kann diese Verbreiterung stattfinden, so dass mit den verbreiterten Bereichen die Kontaktierung zu einer nicht gezeigten Leiterplatte erleichtert wird. Auf der Oberseite 31 des Systemträgers 23 bleibt das Rastermaß unverändert auf minimaler Größe erhalten, so dass auf der Unterseite 32 beispielsweise die dreifache Breite für Außenkontakte 5 mit W = 3wrealisiert werden kann. Darüber hinaus liefert das asymmetrische Ätzen von zwei Ätzmasken 33 und 34 ein Profil der Außenkontakte 5 im Querschnitt und der Haltestege 14 im Querschnitt, die in den Mittenbereich des Trägers 3 beziehungsweise des Systemträgers 23 Vorsprünge aufweisen, die eine Verankerung der Komponenten 5, 14 und 15 in der Kunststoffgehäusemasse bewirken. Mit einer derartigen Ätztechnologie kann somit ein Außenkontakt 5 erzeugt werden, der in seinem oberen Materialbereich einen Kontaktsockel 19 aufweist mit verminderter Kontaktanschlußfläche 20, die in ihrer Breite w der Breite der Flip-Chip-Kontakte eines Halbleiterchips entspricht.By asymmetric etching masks 33 and 34 At the top and bottom, with half the material thickness D / 2, an electrical line, such as a potential line, can be created on the top or the bottom in certain areas 15 or in the form of retaining bars 14 , widened at the expense of neighboring bridges. For example, in the field of external contacts 5 on the bottom 32 the system carrier, this broadening can take place, so that the contact with a circuit board, not shown, is facilitated with the widened areas. On the top 31 of the system carrier 23 the grid size remains unchanged at minimum size, leaving on the bottom 32 for example, the triple width for external contacts 5 With W = 3w can be realized. In addition, the asymmetric etching provides two etching masks 33 and 34 a profile of the external contacts 5 in cross section and the holding webs 14 in cross-section, in the center area of the carrier 3 or the system carrier 23 Having projections that anchor the components 5 . 14 and 15 effect in the plastic housing composition. With such etching technology can thus external contact 5 be generated, in its upper material area a contact socket 19 having a reduced contact pad 20 which corresponds in width w to the width of the flip-chip contacts of a semiconductor chip.

3 zeigt eine schematische Ansicht einer Unterseite 9 eines elektronischen Bauteils 1 einer zweiten Ausführungsform. 3 shows a schematic view of a bottom 9 an electronic component 1 a second embodiment.

Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.components with the same functions as in the previous figures denoted by the same reference numerals and not discussed separately.

Auf der Unterseite 9 des elektronischen Bauteils 1 sind in dieser zweiten Ausführungsform eine Vielzahl von Außenkontakten 5 in Ringen 25, 26, 27 und 28 angeordnet, wobei der Ring 25 nicht nur auf der Unterseite 9 eine Außenkontaktfläche aufweist, sondern als Außenring 24 auch Außenkontaktflächen auf den Seitenrändern 10 des elektronischen Bauteils 1 aufweist. Sämtliche Außenkontaktringe 25, 26, 27 und 28 unterhalb des Halbleiterchips 4 angeordnet. Die Anschlußkontakte sind in dieser Ausführungsform in der Kunststoffgehäusemasse 16 vergraben und somit in dieser Darstellung nicht sichtbar.On the bottom 9 of the electronic component 1 are in this second embodiment, a plurality of external contacts 5 in rings 25 . 26 . 27 and 28 arranged, with the ring 25 not just on the bottom 9 has an external contact surface, but as an outer ring 24 also external contact surfaces on the side edges 10 of the electronic component 1 having. All outer contact rings 25 . 26 . 27 and 28 below the semiconductor chip 4 arranged. The terminal contacts are in this embodiment in the plastic housing composition 16 buried and thus not visible in this representation.

Die Lage von zwei Anschlußkontakten 46 und 47 ist in diesem Beispiel gekennzeichnet und zeigt, dass diese Anschlußkontakte, die mit den Flip-Chip-Kontakten deckungsgleich angeordnet sind, nicht den Positionen der Außenkontakte 5 entsprechenden. Vielmehr sind Haltestege 14 erforderlich, um die Außenkontaktflächen mit den Anschlußkontakten zu verbinden. Die Haltestege 14 dienen bei dieser Ausführungsform der Positionierung der Außenkontakte 5 und dem Verbinden der Außenkontakte 5 mit den vergrabenen Anschlußkontakten. Soweit die Haltestege 14 nicht als elektrische Verbindung dienen, werden sie nach Verpacken des elektronischen Bauteils 1 von der Unterseite 9 des elektronischen Bauteils 1 aus aufge trennt. In dieser Ausführungsform nach 3 weist die Unterseite Aussparungen 17 in Form von Sägenuten 18 auf, die sich quer über die Unterseite neuen des elektronischen Bauteils 1 erstrecken und sämtliche Haltestege 14 durchtrennen, so weit sie eine mechanische Halterung darstellen und keine elektrische Verbindung herstellen.The location of two connection contacts 46 and 47 is marked in this example and shows that these terminal contacts, which are arranged congruently with the flip-chip contacts, not the positions of the external contacts 5 appropriate. Rather, are holding webs 14 required to connect the external contact surfaces with the terminal contacts. The retaining bars 14 serve in this embodiment, the positioning of the external contacts 5 and connecting the external contacts 5 with the buried connection contacts. As far as the retaining bars 14 do not serve as an electrical connection, they are after packaging the electronic component 1 from the bottom 9 of the electronic component 1 separated from. In this embodiment according to 3 the bottom has recesses 17 in the form of sawing grooves 18 on, extending across the bottom of the new electronic component 1 extend and all retaining bars 14 cut as far as they represent a mechanical support and make no electrical connection.

4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht des elektronischen Bauteils 1 der zweiten Ausführungsform entlang der Schnittlinie A-A in 3. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. 4 shows a schematic cross-sectional view of the electronic component 1 of the second embodiment along the section line AA in 3 , Components having the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and will not be discussed separately.

In dieser Ausführungsform sind ein Teil der Außenkontakte 5 unmittelbar in Positionen von Flip-Chip-Kontakten 7 angeordnet. Die Matrix der Flip-Chip-Kontakte 7 wird, so weit sie nicht in der Schnittlinie A-A liegen, durch gestrichelte Linien markiert. Die Haltestege 14 liegen in dieser Ausführungsform auf der Unterseite des elektronischen Bauteils 1 und werden von den Sägenuten 18 durchtrennt, soweit sie lediglich von mechanischer Bedeutung sind. Der Querschnitt der 4 zeigt außerdem eine Potentialleitung 15, von der aus, wie in 3 zu sehen ist, mehrere Haltestege 29 quer angeordnet sind, die der Halterung oder der Potentialverbindung von Außenkontakten 5 dienen. Diese Potentialleitung 15 ist hier vollständig in Kunststoffgehäusemasse 16 eingebettet und hat den Vorteil, dass sie in jeder Bauteilposition einen zusätzlichen stabilisierenden Steg bildet, an dem sich Haltestege 14 für Außenkontakte 5 und Anschlußkontakte abstützen können.In this embodiment, a part of the external contacts 5 directly in positions of flip-chip contacts 7 arranged. The matrix of flip-chip contacts 7 is marked, so far as they are not in the section line AA, by dashed lines. The retaining bars 14 lie in this embodiment on the underside of the electronic component 1 and are from the sawing people 18 severed, as far as they are only of mechanical importance. The cross section of the 4 also shows a potential lead 15 from which, as in 3 you can see several stops 29 are arranged transversely, the holder or the potential connection of external contacts 5 serve. This potential line 15 here is completely in plastic housing compound 16 embedded and has the advantage that it forms an additional stabilizing web in each component position, at the holding webs 14 for external contacts 5 and can support terminal contacts.

5 zeigt einen Ausschnitt einer schematischen Draufsicht auf eine Bauteilposition eines Systemträgers 23 mit positioniertem Halbleiterchip 4 in Flip-Chip-Technik vor dem Verpacken der Bauteilposition 50 zu einem elektronischen Bauteil 1 einer dritten Ausführungsform. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. 5 shows a section of a schematic plan view of a component position of a system carrier 23 with positioned semiconductor chip 4 in flip-chip technology before packaging the component position 50 to an electronic component 1 a third embodiment. Components having the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and will not be discussed separately.

Bei diesem Systemträger 23 ist zwischen dem Rand 49 des Halbleiterchips und den ersten beiden Reihen 51 und 52 von Außenkontakten 5 ein Kröpfungsbereich 53 vorgesehen, in dem die Haltestege 21 derart gekröpft sind, dass sie die Anschlußkontakte 6 auf der Oberseite 11 eines verpackenden elektronischen Bauteils 1 positionieren. Dieses Kröpfen der Haltestege 21 kann bei der Herstellung des Systemträgers 23 durchgeführt werden und bewirkt, dass das elektronische Bauteil 1 dieser dritten Ausführungsform sowohl auf der Unterseite 9 einen Zugriff zu den Flip-Chip-Kontakten 7 durch die Außenkontakte 5 ermöglicht, als auch von der Oberseite 11 durch die dort angeordneten Anschlußkontakte 6.In this system carrier 23 is between the edge 49 of the semiconductor chip and the first two rows 51 and 52 from external contacts 5 a bend area 53 provided in which the holding webs 21 are cranked so that they are the terminal contacts 6 on the top 11 a packaging electronic component 1 position. This crimping of the retaining bars 21 can in the production of the system carrier 23 be performed and causes the electronic component 1 this third embodiment both on the bottom 9 an access to the flip-chip contacts 7 through the external contacts 5 allows, as well as from the top 11 through the connection contacts arranged there 6 ,

6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil 1 der dritten Ausführungsform entlang der Schnittlinie B-B in 5. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in der vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erläutert. 6 shows a schematic cross section through an electronic component 1 of the third embodiment along the section line BB in 5 , Components with the same functions as in the preceding figures are identified by the same reference numerals and are not explained separately.

Im Gegensatz zu den vorhergehenden Ausführungsformen wird in der dritten Ausführungsform der Halbleiterchip 4 hängend an den Anschlußkontakten 6 angeordnet. Im Kröpfungsbereich 50 geht der Halbleitersteg 21 von dem Außenkontakt 5 auf der Unterseite 9 des elektronischen Bauteils 1 aus zu der Oberseite 11 des elektronischen Bauteils 1 und den zugehörigen Anschlußflächen 6. Dabei ist der Kröpfungsbereich 53 des auf verminderte Materialstärke d geätzten Haltesteges 21 vollkommen in Kunststoffgehäusemasse 16 nach Fertigstellung des elektronischen Bauteils 1 eingebettet. Ein derartiges Bauteil hat den Vorteil, dass elektrisch sowohl von der Oberseite 11 als auch von der Unterseite 9 aus auf die Flip-Chip-Kontakte 7 des Halbleiterchips 4 zugegriffen werden kann.In contrast to the preceding embodiments, in the third embodiment, the semiconductor chip 4 hanging on the connection contacts 6 arranged. In the bend area 50 goes the semiconductor bridge 21 from the outside contact 5 on the bottom 9 of the electronic component 1 out to the top 11 of the electronic component 1 and the associated pads 6 , Here is the Kröpfungsbereich 53 the etched on reduced material thickness d holding web 21 completely in plastic housing compound 16 after completion of the electronic component 1 embedded. Such a component has the advantage that electrically both from the top 11 as well as from the bottom 9 out on the flip-chip contacts 7 of the semiconductor chip 4 can be accessed.

7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil 1 einer Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. 7 shows a schematic cross section through an electronic component 1 an embodiment of the invention. Components having the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and will not be discussed separately.

Das elektronische Bauteil 1 der Ausführungsform der Erfindung basiert auf den Prinzipien der dritten Ausführungsform, das heißt von den Außenkontakten 5 wird über gekröpfte Haltestege 21 der Außenkontakt 5 auf der Unterseite des elektronischen Bauteils mit Anschlußkontakten 6 auf der Oberseite des elektronischen Bauteils verbunden, so dass in der Kunststoffgehäusemasse 16 eine obere Kontaktmöglichkeit in mikroskopisch kleiner Anordnung für den Zugriff auf die Flip-Chip-Kontakte 7 besteht. Auf der Kunststoffgehäusemasse 16 kann nun eine Umverdrahtungsstruktur durch Aufbringen einer strukturierten Umverdrahtungsschicht 36 angeordnet werden. Diese Umverdrahtungsschicht 36 weist Umverdrahtungsleitungen 40 auf, die die Anschlußkontakte 6 auf der Oberseite des elektronischen Bauteils mit Außenkontaktflächen 41 der Umverdrahtungsleitungen verbinden.The electronic component 1 The embodiment of the invention is based on the principles of the third embodiment, that is, on the external contacts 5 is over bent holding webs 21 the external contact 5 on the underside of the electronic component with connection contacts 6 connected to the top of the electronic component, leaving in the plastic housing compound 16 an upper contact option in a microscopic arrangement for accessing the flip-chip contacts 7 consists. On the plastic housing compound 16 Now, a rewiring structure by applying a patterned redistribution layer 36 to be ordered. This redistribution layer 36 has redistribution lines 40 on which the connection contacts 6 on top of the electronic component with external contact surfaces 41 connect the rewiring lines.

Auf den Außenkontaktflächen 41 sind auf der Oberseite des elektronischen Bauteils weitere Außenkontakte 37 angeordnet, die deckungsgleich zu Außenkontakten 5 auf der Unterseite des elektronischen Bauteils auf der Oberseite 11 des elektronischen Bauteils 1 verteilt sind. Ein derartiges elektronisches Bauteil 1 mit deckungsgleichen weiteren Außenkontakten 37 auf der Oberseite 11 des elektronischen Bauteils 1 und Außenkontakten 5 auf der Unterseite neuen des elektronischen Bauteils ist in der Lage zu größeren Einheiten gestapelt werden zu können.On the external contact surfaces 41 are on the top of the electronic component further external contacts 37 arranged, the congruent with external contacts 5 on the bottom of the electronic component on the top 11 of the electronic component 1 are distributed. Such an electronic component 1 with congruent other external contacts 37 on the top 11 of the electronic component 1 and external contacts 5 on the bottom new of the electronic component is able to be stacked to larger units.

8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil 1, das einen Stapel aus elektronischen Bauteilen der Ausführungsform der Erfindung aufweist. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. 8th shows a schematic cross section through an electronic component 1 comprising a stack of electronic components of the embodiment of the invention. Components having the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and will not be discussed separately.

Zur vertikalen Stapelung der elektronischen Bauteile 1 der Ausführungsform der Erfindung werden lediglich die weiteren Außenkontakte 37 auf der Oberseite eines jeden elektronischen Bauteils mit Außenkontakten 5 auf der Unterseite des darüberliegenden Bauteils verbunden, so dass ein Stapel von beliebig vielen elektronischen Bauteilen 1 der Ausführungsform der Erfindung entstehen kann. Dieses komplexe, hochintegrierte elektronische Bauteil hat den Vorteil einer Platzersparnis durch vertikale Stapelung.For vertical stacking of the electronic components 1 the embodiment of the invention, only the other external contacts 37 on the top of each electronic component with external contacts 5 connected to the bottom of the overlying component, leaving a stack of any number of electronic components 1 the embodiment of the invention may arise. This complex, highly integrated electronic component has the advantage of saving space through vertical stacking.

11
elektronisches Bauteilelectronic component
22
KunststoffgehäusePlastic housing
33
metallischer Trägermetallic carrier
44
HalbleiterchipSemiconductor chip
55
Außenkontakteexternal contacts
66
Anschlußkontakteconnecting contacts
77
Flip-Chip-KontakteFlip-chip contacts
88th
aktive Oberseite des Halbleiterchipsactive Top of the semiconductor chip
99
Unterseite des Kunststoffgehäusesbottom of the plastic housing
1010
Seitenränder des elektronischen BauteilsMargins of the electronic component
1111
Oberseite des Kunststoffgehäusestop of the plastic housing
1212
Kontaktsockel der AnschlußkontakteContact socket the connection contacts
1313
kongruente Kontaktanschlußflächencongruent Contact pads
1414
Haltestegeretaining webs
1515
Potentialleitungpotential line
1616
KunststoffgehäusemassePlastic housing composition
1717
Aussparungenrecesses
1818
SägenutenSägenuten
1919
Kontaktsockel der AußenkontakteContact socket the external contacts
2020
Kontaktanschlußflächen der AußenkontakteContact pads of the external contacts
2121
gekröpfte Haltestegecranked holding webs
2222
SystemträgerrahmenSystem support frame
2323
Systemträgersystem support
2424
Außenringouter ring
25, 26, 27, 2825 26, 27, 28
Ringe von Außenkontaktenrings from external contacts
2929
Haltestege an der Potentialleitungretaining webs at the potential line
3030
Auswölbungbulge
3131
Oberseite des Systemträgerstop of the system carrier
3232
Unterseite des Systemträgersbottom of the system carrier
3333
obere Ätzmaskeupper etching mask
3434
untere Ätzmaskelower etching mask
3535
SystemträgerrohlingSystem insert blank
3636
Umverdrahtungsschichtrewiring
3737
Außenkontakte auf der Oberseite des elektronischen Bauteilsexternal contacts on the top of the electronic component
3838
gestapelte elektronische Bauteilestacked electronic components
3939
Umverdrahtungsstrukturrewiring
4040
Umverdrahtungsleitungenrewiring
4141
Außenkontaktflächen der UmverdrahtungsleitungenExternal contact surfaces of rewiring
42, 43, 44, 4542 43, 44, 45
Außenkontakte auf der Unterseite des elektronischen Bauteilsexternal contacts on the bottom of the electronic component
46, 4746 47
Anschlußkontakteconnecting contacts
4848
KröpfungsbereichKröpfungsbereich
4949
Rand des Halbleiterchipsedge of the semiconductor chip
5050
Bauteilpositioncomponent position
51, 5251 52
Reihen von Außenkontakten der Unterseite des elektronischen Bauteilsstring from external contacts the bottom of the electronic component
5353
KröpfungsbereichKröpfungsbereich
hH
Bauteilhöhecomponent height
dd
verminderte Materialstärke des Trägers oder Systemträgersreduced material thickness of the carrier or system carrier
DD
Materialstärke des Trägers oder des SystemträgersMaterial thickness of the carrier or the system carrier

Claims (31)

Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse (2) und einem teilweise in dem Kunststoffgehäuse (2) angeordneten metallischen Träger (3), wobei an dem metallischen Träger (3) ein Halbleiterchip (4) in Flip-Chip-Technik angeordnet ist, und wobei der Träger (3) Außenkontakte (5) in voller Trägermaterialstärke (D) und Anschlußkontakte (6) in verminderter Trägermaterialstärke (d) aufweist, wobei eine Seite der Anschlusskontakte (6) an der Oberseite (11) des Kunststoffgehäuses (2) frei liegt, und wobei die Anschlusskontakte (6) mit verminderter Trägermaterialstärke (d) unmittelbar mit Flip-Chip-Kontakten (7) der aktiven Oberseite (8) des Halbleiterchips (4) verbunden sind und wobei – das elektronische Bauteil (1) gekröpfte Haltestege (21) aufweist, die Anschlußkontakte (6) auf der Oberseite des elektronischen Bauteils (1) mit Außenkontakten (5) auf der Unterseite (9) oder auf Seitenrändern (10) des elektronischen Bauteils (1) elektrisch und mechanisch verbinden; – das elektronische Bauteil (1) auf seiner Oberseite (11) eine Umverdrahtungschicht (36) aufweist, wobei die Umverdrahtungschicht (36) die an der Oberseite (11) des Kunststoffgehäuses (2) frei liegende Seite der Anschlusskontakte (6) mit weiteren Außenkontakten (37) auf der Oberseite (11) verbindet und – die mit der Umverdrahtungsschicht (36) erzeugten weiteren Außenkontakte (37) auf der Oberseite (11) zu den Außenkontakten (5) auf Unterseite (9) deckungsgleich angeordnet sind.Electronic component with a plastic housing ( 2 ) and a partially in the plastic housing ( 2 ) arranged metallic carrier ( 3 ), wherein on the metallic support ( 3 ) a semiconductor chip ( 4 ) is arranged in flip-chip technology, and wherein the carrier ( 3 ) External contacts ( 5 ) in full carrier material thickness (D) and terminal contacts ( 6 ) in reduced carrier material thickness (d), wherein one side of the connection contacts ( 6 ) at the top ( 11 ) of the plastic housing ( 2 ), and wherein the connection contacts ( 6 ) with reduced carrier material thickness (d) directly with flip-chip contacts ( 7 ) of the active top side ( 8th ) of the semiconductor chip ( 4 ) and wherein - the electronic component ( 1 ) cranked holding webs ( 21 ), the terminal contacts ( 6 ) on the top of the electronic component ( 1 ) with external contacts ( 5 ) on the bottom ( 9 ) or on margins ( 10 ) of the electronic component ( 1 ) connect electrically and mechanically; - the electronic component ( 1 ) on its top ( 11 ) a redistribution layer ( 36 ), wherein the rewiring layer ( 36 ) at the top ( 11 ) of the plastic housing ( 2 ) exposed side of the terminals ( 6 ) with further external contacts ( 37 ) on the top ( 11 ) and - which with the redistribution layer ( 36 ) generated further external contacts ( 37 ) on the top ( 11 ) to external contacts ( 5 ) on underside ( 9 ) are arranged congruently. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlußkontakte (6) Kontaktsockel (12) aufweisen, die eine zu den Flip-Chip-Kontakten (7) des Halbleiterchips (4) kongruente Kontaktanschlussfläche (13) aufweisen und mit den Flip-Chip-Kontakten (7) verbunden sind.Electronic component according to claim 1, characterized in that the connection contacts ( 6 ) Contact socket ( 12 ), one of the flip-chip contacts ( 7 ) of the semiconductor chip ( 4 ) congruent contact pad ( 13 ) and with the flip-chip contacts ( 7 ) are connected. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Außenkontakte (5) mit den Anschlußkontakten (6) teilweise über elektrisch leitende Haltestege (14) mechanisch und/oder elektrisch verbunden sind, wobei die Haltestege (14) eine verminderte Trägermaterialstärke (d) aufweisen.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the external contacts ( 5 ) with the connection contacts ( 6 ) partially via electrically conductive retaining webs ( 14 ) are mechanically and / or electrically connected, wherein the retaining webs ( 14 ) have a reduced carrier material thickness (d). Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (3) eine Kontakte gleichen Potentials untereinander und mit dem Halbleiterchip (4) verbindende Potentialleitung (15) aufweist, welche zumindest teilweise eine verminderte Trägermaterialstärke (d) aufweist und von Kunststoffgehäusemasse (16) des Kunststoffgehäuse (2) umgeben ist.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the carrier ( 3 ) a contact of the same potential with each other and with the semiconductor chip ( 4 ) connecting potential line ( 15 ), which at least partially has a reduced carrier material thickness (d) and of plastic housing composition ( 16 ) of the plastic housing ( 2 ) is surrounded. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Kunststoffgehäuse (2) auf seiner Unterseite (9) Aussparungen (17) aufweist, die teilweise in Haltestegen (14) zu den Anschlußkontakten (6) und/oder in Haltestegen (14) zu den weiteren Außenkontakten (5) angeordnet sind und diese durchtrennen.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the plastic housing ( 2 ) on its underside ( 9 ) Recesses ( 17 ), which are partially in holding webs ( 14 ) to the connection contacts ( 6 ) and / or in retaining bars ( 14 ) on the further external contacts ( 5 ) are arranged and cut them. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterseite (9) des Kunststoffgehäuses (2) Sägenuten (18) als Aussparungen (17) aufweist, die eine vorbestimmte Anzahl von Haltestegen (14) elektrisch unterbrechen.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the underside ( 9 ) of the plastic housing ( 2 ) Sawing grooves ( 18 ) as recesses ( 17 ) having a predetermined number of retaining webs ( 14 ) interrupt electrically. Elektronische Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anzahl von weiteren Außenkontakten (5) eine verminderte Trägermaterialstärke (d) und einen Kontaktsockel (19) aufweist, der eine Kontaktanschlußfläche (20) aufweist, die kongruent zu Flip-Chip-Kontakten (7) des Halbleiterchips (4) ist und mit dem Flip-Chip-Kontakt (7) unmittelbar verbunden ist.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that a number of further external contacts ( 5 ) a reduced carrier material thickness (d) and a Contact socket ( 19 ) having a contact pad ( 20 ) which is congruent with flip-chip contacts ( 7 ) of the semiconductor chip ( 4 ) and with the flip-chip contact ( 7 ) is directly connected. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere elektronische Bauteile (1) vertikal übereinander zu einem gestapelten elektronischen Bauteil angeordnet sind, wobei die weiteren Außenkontakte (37) der Oberseite (11) mit den weiteren Außenkontakten (5) der Unterseite (9) des darüber angeordneten elektronischen Bauteils (1) elektrisch verbunden sind.Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that a plurality of electronic components ( 1 ) are arranged vertically one above the other to a stacked electronic component, wherein the further external contacts ( 37 ) of the top side ( 11 ) with the other external contacts ( 5 ) of the underside ( 9 ) of the electronic component ( 1 ) are electrically connected. Systemträger für mehrere elektronische Bauteile, die nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 ausgebildet sind, der strukturierte Bauteilpositionen (50) für jedes elektronische Bauteil (1) aufweist, wobei jede Bauteilposition (50) von einem Systemträgerrahmen (22) umgeben ist und der Systemträger (23) in seinen Randbereichen eine Perforation aufweist, wobei sich von dem Systemträgerrahmen (22) in jeder Bauteilposition (50) Haltestege (14) zu weiteren Außenkontakten (5) und Haltestege (14) zu Anschlusskontakten (6) in Richtung auf einen zentralen Bereich in der Bauteilposition (50) erstrecken, wobei die weiteren Außenkontakte (5) in einer Matrix angeordnet sind und über Haltestege (14) elektrisch mit Anschlusskontakten (6) verbunden sind, die eine Anordnung aufweisen, die der Anordnung von Flip-Chip-Kontakten (7) eines in Flip-Chip-Technik in den Bauteilpositionen (50) anzuordnenden Halbleiterchips (4) entspricht.System carrier for a plurality of electronic components, which are formed according to one or more of claims 1 to 8, the structured component positions ( 50 ) for each electronic component ( 1 ), each component position ( 50 ) from a system tray ( 22 ) and the system carrier ( 23 ) has a perforation in its edge regions, wherein the system carrier frame ( 22 ) in each component position ( 50 ) Retaining bars ( 14 ) to further external contacts ( 5 ) and retaining bars ( 14 ) to connection contacts ( 6 ) towards a central area in the component position ( 50 ), whereby the further external contacts ( 5 ) are arranged in a matrix and via holding webs ( 14 ) electrically with connection contacts ( 6 ) having an arrangement which corresponds to the arrangement of flip-chip contacts ( 7 ) one in flip-chip technology in the component positions ( 50 ) semiconductor chips ( 4 ) corresponds. Systemträger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die weiteren Außenkontakte (5) in mindestens einer Bauteilposition (50) in einem Außenring (24) angeordnet sind, wobei die weiteren Außenkontakte (5) Kontaktflächen an den Randseiten aufweisen.System carrier according to claim 9, characterized in that the further external contacts ( 5 ) in at least one component position ( 50 ) in an outer ring ( 24 ) are arranged, wherein the further external contacts ( 5 ) Have contact surfaces on the edge sides. Systemträger nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Haltestegen (14) für die weiteren Außenkontakte (5) eines Außenringes (24) Haltestege (14) eines weiteren inneren Ringes (26, 27, 28) aus Außenkontakten (5) angeordnet sind.System carrier according to claim 9 or 10, characterized in that between holding webs ( 14 ) for the further external contacts ( 5 ) of an outer ring ( 24 ) Retaining bars ( 14 ) of another inner ring ( 26 . 27 . 28 ) from external contacts ( 5 ) are arranged. Systemträger nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Haltestege (14) eine verminderte Trägermaterialstärke (d) aufweisen.System support according to one of claims 9 to 11, characterized in that the retaining webs ( 14 ) have a reduced carrier material thickness (d). Systemträger nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Systemträger (23) eine Kontakte gleichen Potentials untereinander und mit dem Halbleiterchip (4) verbindende Potentialleitung (15) aufweist, welche sich von einer Seite des Systemträgerrahmens (22) zur gegenüberliegenden Seite des Systemträgerrahmens (22) erstreckt und Haltestege (14) aufweist, die sich von der Potentialleitung (15) aus quer zur Längsrichtung der Potentialleitung (15) erstrecken und die weiteren Außenkontakte (5) und/oder die Anschlußkontakte (6) mechanisch positionieren und/oder elektrisch mit der Potentialleitung (15) verbinden.System carrier according to one of claims 9 to 12, characterized in that the system carrier ( 23 ) a contact of the same potential with each other and with the semiconductor chip ( 4 ) connecting potential line ( 15 ), which extend from one side of the system carrier frame ( 22 ) to the opposite side of the leadframe ( 22 ) and holding webs ( 14 ) extending from the potential line ( 15 ) from transversely to the longitudinal direction of the potential line ( 15 ) and the other external contacts ( 5 ) and / or the connection contacts ( 6 ) mechanically and / or electrically with the potential line ( 15 ) connect. Systemträger nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Potentialleitung (15) mindestens teilweise eine verminderte Systemträger (23) Materialstärke aufweist und in Kunststoffgehäusemasse (16) einbettbar ist.System carrier according to claim 13, characterized in that the potential line ( 15 ) at least partially a reduced system carrier ( 23 ) Has material thickness and in plastic housing composition ( 16 ) is embeddable. Systemträger nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Systemträger (23) in jeder Bauteilposition (50) eine aus einer Matrix von Haltestegen (14), Anschlußkontakten (6) und/oder weiteren Außenkontakten (5) und/oder Potentialleitungen (15) geformte Auswölbung (30) gegenüber dem Systemträgerrahmen (22) aufweist.System carrier according to one of claims 9 to 14, characterized in that the system carrier ( 23 ) in each component position ( 50 ) one of a matrix of retaining webs ( 14 ), Connection contacts ( 6 ) and / or other external contacts ( 5 ) and / or potential lines ( 15 ) shaped bulge ( 30 ) compared to the system carrier frame ( 22 ) having. Systemträger nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anzahl von weiteren Außenkontakten (5) eine verminderte Systemträgermaterialstärke (d) und einen Kontaktsockel (19) aufweist, der eine Kontaktanschlußfläche (20) aufweist, die kongruent zu einem Flipchipkontakt (7) eines in Flipchiptechnik anzuordnenden Halbleiterchips (4) aufweist.System carrier according to one of claims 9 to 15, characterized in that a number of further external contacts ( 5 ) a reduced system carrier material thickness (d) and a contact base ( 19 ) having a contact pad ( 20 ) which is congruent with a flip-chip contact ( 7 ) of a semiconductor chip to be arranged in flip-chip technology ( 4 ) having. Systemträger nach einem der Ansprüche 9 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die gekröpften Haltestege (21) eine Auswölbung (30) gegenüber dem Systemträgerrahmen (22) bilden.System carrier according to one of claims 9 to 16, characterized in that the cranked holding webs ( 21 ) a bulge ( 30 ) compared to the system carrier frame ( 22 ) form. Systemträger nach einem der Ansprüche 9 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlußkontakte (6) eine Prägung aufweisen, welche einen Kontaktsockel (12) aufweist, der eine zu einem Flipchipkontakt (7) des Halbleiterchips (4) kongruente Kontaktanschlußfläche (13) aufweist.System support according to one of claims 9 to 17, characterized in that the connection contacts ( 6 ) have an embossment which has a contact base ( 12 ), which leads to a flip-chip contact ( 7 ) of the semiconductor chip ( 4 ) congruent contact pad ( 13 ) having. Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers (23) für mehrere elektronische Bauteile (1), die nach einem der Ansprüche 1 bis 8 ausgebildet sind, wobei der Systemträger (23) eine Metallplatte oder ein Metallband als Systemträgerrohling umfasst, wobei der Systemträger (23) strukturierte Bauteilpositionen (50) für jedes elektronische Bauteil (1) aufweist, wobei jede Bauteilposition (50) von einem Systemträgerrahmen (22) umgeben ist und der Systemträger (23) in seinen Randbereichen eine Perforation aufweist, wobei sich von dem Systemträgerrahmen (22) in jeder Bauteilposition (50) Haltestege (14) zu weiteren Außenkontakten (5) und Haltestege (14) zu Anschlusskontakten (6) in Richtung auf einen zentralen Bereich in der Bauteilposition (50) erstrecken, wobei die Außenkontakte (5) in einer Matrix angeordnet sind und über Haltestege (14) elektrisch mit Anschlusskontakten (6) verbunden sind, die eine Anordnung aufweisen, die der Anordnung von Flip-Chip-Kontakten (7) eines in Flip-Chip- Technik in den Bauteilpositionen (50) anzuordnenden Halbleiterchips (4) entspricht, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Maskieren der Oberseite (31) und der Unterseite (32) des Systemträgerrohlings (22) mit unterschiedlichen zueinander unsymmetrisch strukturierten Ätzmasken (33, 34) an, – doppelseitiges Ätzen des maskierten Systemträgerrohlings (22) unter einseitigem Dünnätzen von Haltestegen (14) und Anschlußkontakten (6), sowie einem vorbestimmten Anteil der weiteren Außenkontakte (5), Ï – Entfernen der unsymmetrischen Ätzmasken (33, 34), – Strukturieren der Anschlußkontakte (6) verminderter Materialstärke (d) mit einem Kontaktsockel (12), der eine Kontaktanschlußfläche (13) aufweist, die kongruent zu Flip-Chip-Kontakten (7) eines in Flip-Chip-Technik anzuordnenden Halbleiterchips (4) ist,. – Strukturieren der vorbestimmten Anzahl von weiteren Außenkontakten (5) verminderter Materialstärke (d) zu weiteren Außenkontakten (5) mit einem Kontaktsockel (19), der eine Kontaktanschlußfläche (20) aufweist, die kongruent hoch zu Flip-Chip-Kontakten (7) eines in Flip-Chip-Technik anzuordnenden Halbleiterchips (4) ist, – teilweises Kröpfen der Haltestege (11), so dass Anschlußkontakte (6) gegenüber dem Systemträgerrahmen (22) angehoben werden und Auswölbungen (30) in jeder Bauteilposition (50) gebildet werden, welche die Halbleiterchips (4) in Flipchiptechnik hängend aufnehmen können. Method for producing a system carrier ( 23 ) for several electronic components ( 1 ), which are designed according to one of claims 1 to 8, wherein the system carrier ( 23 ) comprises a metal plate or a metal strip as a system carrier blank, wherein the system carrier ( 23 ) structured component positions ( 50 ) for each electronic component ( 1 ), each component position ( 50 ) from a system tray ( 22 ) and the system carrier ( 23 ) has a perforation in its edge regions, wherein the system carrier frame ( 22 ) in each component position ( 50 ) Retaining bars ( 14 ) to further external contacts ( 5 ) and retaining bars ( 14 ) to connection contacts ( 6 ) towards a central area in the component position ( 50 ), the external contacts ( 5 ) arranged in a matrix are and over holding webs ( 14 ) electrically with connection contacts ( 6 ) having an arrangement which corresponds to the arrangement of flip-chip contacts ( 7 ) one in flip-chip technology in the component positions ( 50 ) semiconductor chips ( 4 ), the method comprising the following steps: masking the upper side ( 31 ) and the underside ( 32 ) of the system carrier blank ( 22 ) with different asymmetrically structured etching masks ( 33 . 34 ), - double-sided etching of the masked system carrier blank ( 22 ) under one-sided thin etching of retaining webs ( 14 ) and connection contacts ( 6 ), as well as a predetermined proportion of the further external contacts ( 5 ), Ï - removing the asymmetrical etching masks ( 33 . 34 ), - structuring the connection contacts ( 6 ) reduced material thickness (d) with a contact socket ( 12 ), which has a contact pad ( 13 ) which is congruent with flip-chip contacts ( 7 ) of a semiconductor chip to be arranged in flip-chip technology ( 4 ). Structuring the predetermined number of further external contacts ( 5 ) reduced material thickness (d) to further external contacts ( 5 ) with a contact base ( 19 ), which has a contact pad ( 20 ) that are congruent high to flip-chip contacts ( 7 ) of a semiconductor chip to be arranged in flip-chip technology ( 4 ), - partial crimping of the retaining webs ( 11 ), so that connection contacts ( 6 ) compared to the system carrier frame ( 22 ) and bulges ( 30 ) in each component position ( 50 ) forming the semiconductor chips ( 4 ) can be suspended in flip-chip technology. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Strukturieren der Anschlußkontakte (6) und/oder der vorbestimmten Anzahl von weiteren Außenkontakten (5) mittels Prägetechnik erfolgt.Method according to claim 19, characterized in that the structuring of the connection contacts ( 6 ) and / or the predetermined number of further external contacts ( 5 ) by embossing technique. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Strukturieren der vorbestimmten Anzahl von Außenkontakten (5) mittels doppelseitiger Ätztechnik erfolgt.Method according to claim 19, characterized in that the structuring of the predetermined number of external contacts ( 5 ) by means of double-sided etching. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlußkontakte (6) derart angeordnet werden, dass sie der Anordnung von Flipchipkontakten (7) der in Flipchiptechnik zu montierenden Halbleiterchips (4) entsprechen.Method according to one of claims 19 to 21, characterized in that the connection contacts ( 6 ) are arranged such that they correspond to the arrangement of flip-chip contacts ( 7 ) of the semiconductor chips to be mounted in flip-chip technology ( 4 ) correspond. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die weiteren Außenkontakte (5) in einer Matrixform angeordnet werden und über Haltestege (14) mechanisch und elektrisch mit Anschlußkontakten (6) verbunden werden.Method according to one of claims 19 to 22, characterized in that the further external contacts ( 5 ) are arranged in a matrix form and via holding webs ( 14 ) mechanically and electrically with terminal contacts ( 6 ) get connected. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils (1) mit einem Kunststoffgehäuse (2) aus einer Kunststoffgehäusemasse (16) und einem in dem Kunststoffgehäuse (2) in Flipchiptechnik angeordneten Halbleiterchip (4), wobei das Kunststoffgehäuse (2) Außenkontakte (5) in voller Trägermaterialstärke (D) und Anschlußkontakte (6) in verminderter Materialstärke (d) eines Systemträgers (23) aufweist, wobei eine Seite der Anschlusskontakte (6) an der Oberseite (11) des Kunststoffgehäuses (2) frei liegt, und wobei die Anschlusskontakte (6) unmittelbar mit Flipchipkontakten (7) der aktiven Oberseite (8) des Halbleiterchips (4) verbunden sind, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Systemträgers (23) mit mehreren Bauteilpositionen (50), die von einem Systemträgerrahmen (22) umgeben sind und eine Struktur mit Außenkontakten (5), Anschlusskontakten (6) und dazwischen angeordneten Haltestegen (14) verminderter Systemträgermaterialstärke (d) aufweisen, wobei die Anschlusskontakte (6) und eine vorbestimmte Anzahl von weiteren Außenkontakten (5) mit Sockelkontakten (12, 19) strukturiert werden, wobei die Sockelkontakte (12, 19) zu Flipchipkontakten (7) des aufzubringenden Halbleiterchips (4) kongruente Kontaktanschlußflächen (13) aufweisen, – elektrisches Verbinden eines Halbleiterchips (4) mit seinen Flipchipkontakten (7) in Flipchiptechnik mit den Kontaktanschlußflächen (13) der Anschlußkontakte (6) und/oder der vorbestimmten Anzahl von weiteren Außenkontakten (5) in jeder Bauteilposition (50), – Verpacken der Bauteilpositionen (50) in einer Kunststoffgehäusemasse (16) – Einbringen von Aussparungen (17) auf der Unterseite (9) des Systemträgers (23) in jeder Bauteilposition (50) zum Auftrennen von Haltestegen (14), die nicht für eine elektrische Verbindung vorgesehen sind, an entsprechend vorbestimmten Stellen, – Auftrennen des Systemträgers (23) zu einzelnen elektronischen Bauteilen (1).Method for producing an electronic component ( 1 ) with a plastic housing ( 2 ) of a plastic housing composition ( 16 ) and one in the plastic housing ( 2 ) in Flipchiptechnik arranged semiconductor chip ( 4 ), wherein the plastic housing ( 2 ) External contacts ( 5 ) in full carrier material thickness (D) and terminal contacts ( 6 ) in reduced material thickness (d) of a system carrier ( 23 ), wherein one side of the terminal contacts ( 6 ) at the top ( 11 ) of the plastic housing ( 2 ), and wherein the connection contacts ( 6 ) directly with flip-chip contacts ( 7 ) of the active top side ( 8th ) of the semiconductor chip ( 4 ), the method comprising the following steps: - producing a system carrier ( 23 ) with several component positions ( 50 ) from a system tray ( 22 ) and a structure with external contacts ( 5 ), Connection contacts ( 6 ) and retaining webs ( 14 ) reduced system carrier material thickness (d), wherein the connection contacts ( 6 ) and a predetermined number of further external contacts ( 5 ) with base contacts ( 12 . 19 ), wherein the socket contacts ( 12 . 19 ) to flip chip contacts ( 7 ) of the applied semiconductor chip ( 4 ) congruent contact pads ( 13 ), - electrically connecting a semiconductor chip ( 4 ) with its flip-chip contacts ( 7 ) in flip-chip technology with the contact pads ( 13 ) of the connection contacts ( 6 ) and / or the predetermined number of further external contacts ( 5 ) in each component position ( 50 ), - packaging of component positions ( 50 ) in a plastic housing composition ( 16 ) - introducing recesses ( 17 ) on the bottom ( 9 ) of the system carrier ( 23 ) in each component position ( 50 ) for separating retaining webs ( 14 ), which are not intended for an electrical connection, at correspondingly predetermined locations, - separating the system carrier ( 23 ) to individual electronic components ( 1 ). Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Auftrennen von Haltestegen (14) durch Einbringen von Sägenuten (18) auf der Unterseite (9) des Systemträgers (23) und/oder auf der Unterseite (9) des elektronischen Bauteils (1) durchgeführt wird.A method according to claim 24, characterized in that the separation of holding webs ( 14 ) by introducing saw grooves ( 18 ) on the bottom ( 9 ) of the system carrier ( 23 ) and / or on the underside ( 9 ) of the electronic component ( 1 ) is carried out. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Auftrennen von Haltestegen (14) durch Einbringen von Aussparungen (17) auf der Unterseite (9) des elektronischen Bauteils (1) zum Trennen der Haltestegen (14) an vorbestimmten Stellen mittels Laserabtrag durchgeführt wird.A method according to claim 24, characterized in that the separation of holding webs ( 14 ) by introducing recesses ( 17 ) on the bottom ( 9 ) of the electronic component ( 1 ) for separating the retaining webs ( 14 ) is performed at predetermined locations by laser ablation. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass das in den Systemträger (23) an jeder Bauteilposition (50) eine Auswölbung (30) durch Kröpfung der Haltestege (21) eingebracht wird, in welcher der Halbleiterchip (4) in Flipchiptechnik angeordnet wird.Method according to one of claims 24 to 26, characterized in that in the Sys central support ( 23 ) at each component position ( 50 ) a bulge ( 30 ) by cranking the holding webs ( 21 ) is inserted, in which the semiconductor chip ( 4 ) is arranged in flip chip technology. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verpacken der Anordnung aus Halbleiterchip (4) und Bauteilposition mit Auswölbungen (30) in einer Kunststoffgehäusemasse (16) ein Formwerkzeug eingesetzt wird, das eine Formkavität aufweist, bei der sich die Außenkontakte (5) in eine untere Dichtfolie und die Anschlußkontakte (6) in eine obere Dichtfolie einprägen, so daß nach den Spritzgußprozeß die Anschlußkontakte (6) aus der Oberseite (11) des Kunststoffgehäuses (2) um wenige Mikrometer herausragen und die weiteren Außenkontakte (5) auf der Unterseite (9) des Kunststoffgehäuses (2) um wenige Mikrometer herausragen.Method according to one of claims 24 to 27, characterized in that when packaging the arrangement of semiconductor chip ( 4 ) and component position with bulges ( 30 ) in a plastic housing composition ( 16 ) a molding tool is used, which has a mold cavity, in which the external contacts ( 5 ) in a lower sealing foil and the connection contacts ( 6 ) in an upper sealing film, so that after the injection molding process, the terminal contacts ( 6 ) from the top ( 11 ) of the plastic housing ( 2 ) protrude by a few microns and the other external contacts ( 5 ) on the bottom ( 9 ) of the plastic housing ( 2 ) protrude by a few microns. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass das nach dem Verpacken der elektronischen Bauteile (1) auf dem Systemträger (23) die Oberseiten (11) der elektronischen Bauteile (1) mit einer Umverdrahtungstruktur (39) beschichtet werden, wobei die Umverdrahtungsstruktur (39) Umverdrahtungsleitungen (40) aufweist, die sich von den auf der Oberfläche (11) angeordneten Anschlußkontakten (6) zu Kontaktanschlußflächen (41) auf der O- berseite (11) erstrecken, und weitere Außenkontakte (37) auf der Oberseite (11) der elektronischen Bauteile (1) aufweisen.Method according to one of claims 24 to 28, characterized in that after the packaging of the electronic components ( 1 ) on the system carrier ( 23 ) the topsides ( 11 ) of the electronic components ( 1 ) with a rewiring structure ( 39 ), wherein the rewiring structure ( 39 ) Rewiring cables ( 40 ), which differ from those on the surface ( 11 ) arranged connection contacts ( 6 ) to contact pads ( 41 ) on the top ( 11 ) and other external contacts ( 37 ) on the top ( 11 ) of the electronic components ( 1 ) exhibit. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass, die weiteren Außenkontakte (37) auf der Oberseite (11) in Positionen selektiv aufgebracht werden, die den Positionen der weiteren Außenkontakte (5) auf der Unterseite der elektronischen Bauteile (1) entsprechen.A method according to claim 29, characterized in that, the further external contacts ( 37 ) on the top ( 11 ) are applied selectively in positions which correspond to the positions of the further external contacts ( 5 ) on the underside of the electronic components ( 1 ) correspond. Verfahren nach einem der Ansprüche 29 oder 30, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen von Umverdrahtungsleitungen (40) und weiteren Außenkontakten (37) auf der Oberseite (11) der elektronischen Bauteile (1) gleichzeitig für mehrere Bauteile (1) eines Systemträgers (23) erfolgt.Method according to one of claims 29 or 30, characterized in that the application of rewiring lines ( 40 ) and other external contacts ( 37 ) on the top ( 11 ) of the electronic components ( 1 ) simultaneously for several components ( 1 ) of a system carrier ( 23 ) he follows.
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