DE1014234B - Method for holding spring contacts for semiconductor arrangements with pointed contacts - Google Patents
Method for holding spring contacts for semiconductor arrangements with pointed contactsInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Description
Verfahren zur Halterung von Federkontakten für Halbleiteranordnungen mit Spitzkontakten Bei Halbleiteranordnungen mit Spitzkontakten, beispielsweise Richtleitern, Transistoren u. dgl., müssen die spitz ausgebildeten Federkontakte, die im allgemeinen aus Wolfram, Molybdän oder anderen schwer verarbeitbaren elastischen Metallen bestehen, in einem Halter befestigt werden. Bekannt ist es, zur Befestigung von Kontaktspitzen diese in eine Halterung einzulöten. Bestehen die Kontaktspitzen aber aus Materialien, zu denen auch Wolfram und Molybdän gehören, die sich nicht verlöten lassen, so wird die Befestigung des Spitzenkontaktes in dem Halter durch Einkneifen des Spitzenkontaktes in eine vorher am Träger angebrachte Kerbe oder durch Einquetschen in eine Bohrung vorgenommen. Diese Kontakte genügen an sich den Ansprüchen rein statischer Beanspruchung. Sie geben jedoch im Niederfrequenzgebiet und noch mehr im Hochfrequenzgebiet Anlaß zu einer mehr oder weniger beträchtlichen Rauschkomponente. Diese rührt, wie sich auf Grund der der Erfindung zugrunde liegenden Versuche herausgestellt hat, von den sich beim Zusammenquetschen ergebenden kleinen Zwischenräumen und Spalten her, die sich zwischen dem Federdraht und dem Träger bilden und bei einer einwandfreien Lötung nicht vorhanden sein würden.Method for holding spring contacts for semiconductor arrangements with pointed contacts In semiconductor arrangements with pointed contacts, for example Directional ladders, transistors, etc., the pointed spring contacts, those generally made of tungsten, molybdenum or other elastic ones that are difficult to process Metals are made to be fastened in a holder. It is known for fastening of contact tips to solder them into a holder. Pass the contact tips but made of materials, including tungsten and molybdenum, that are not let solder, so the attachment of the tip contact in the holder is through Pinching the tip contact in a notch previously made on the carrier or made by squeezing into a hole. These contacts are sufficient in themselves Purely static requirements. However, they give in the low frequency range and even more so in the high-frequency area give rise to a more or less considerable Noise component. This arises, as is evident from the underlying principles of the invention Experiments have shown, of the small ones resulting from the squeezing Gaps and gaps between the spring wire and the carrier form and would not be present in a perfect soldering.
Die Erfindung bezieht sich auf solche Verfahren zur Halterung von Federkontakten für Halbleiteranordnungen mit Spitzkontakten, beispielsweise für Richtleiter, Transistoren od. dgl. mit dem Halbleiter Germanium, die diese Nachteile vermeiden. Erfindungsgemäß wird der Federkontakt durch Einquetschen oder Zusammenkneifen in einer Halterung befestigt, und die sich hierbei ergebenden Hohlräume werden bei und/oder nach dem Befestigen durch einen bei Zimmertemperatur flüssigen oder sich durch Druck verflüssigenden leitenden Stoff so ausgefüllt, daß ein homogener Kontakt gebildet wird. Das Ausfüllen der Hohlräume kann nach beendigtem Einquetsch- bzw. Zusammenkneifvorgang vorgenommen werden, beispielsweise durch Auftragen mit Pinsel oder Spachtel. Als geeignete Flüssigkeit hat sich hierbei eine Leitflüssigkeit, z. B. Leitsilber, ergeben. Dieses dringt auf Grund der Kapillarkräfte in alle störenden Hohlräume hinein und schafft dadurch einen guten leitenden Kontakt zwischen dem Federdraht und der Halterung.The invention relates to such methods of holding Spring contacts for semiconductor arrangements with pointed contacts, for example for Directional conductors, transistors or the like with the semiconductor germanium, which have these disadvantages avoid. According to the invention, the spring contact is made by squeezing or pinching together fixed in a holder, and the resulting cavities are at and / or after fixing by a liquid at room temperature or by itself filled by pressure-liquefying conductive substance so that a homogeneous contact is formed. The filling of the cavities can be done after the squeezing or Be made pinching, for example by applying with a brush or spatula. A conductive liquid has proven to be a suitable liquid here, z. B. conductive silver result. Due to the capillary forces, this penetrates into all disturbing ones Cavities into it and thereby creates a good conductive contact between the Spring wire and the bracket.
Gemäß einer besonderen Ausbildung des Erfindungsgedankens kann die leitende Verbindung auch durch einen Überzug auf dem Trägermetall aus einem gut leitenden weichen Material hergestellt werden, welches vor Beginn des Einquetsch- bzw. Zusammenkneifvorganges auf dem Träger angeordnet wird. Das weiche leitende Material kann unter Umständen auch ein weiches Metall, wie z. B. Lötzinn oder eine weiche Lötmasse, sein, welche bereits bei verhältnismäßig niedrigen Quetsch- und Kneifdrücken in den Fließzustand gerät und dabei als Flüssigkeit wirkend die entstehenden Hohlräume ausfüllt.According to a special embodiment of the inventive concept, the conductive connection also through a coating on the carrier metal from a well conductive soft material are produced, which before the start of the squeezing or pinching process is arranged on the carrier. The soft head Material can also be a soft metal, such as B. solder or a soft solder, which is already at relatively low pinch and Pinch press gets into the flow state and acts as a liquid Fills cavities.
In der Zeichnung ist eine Ausführungsform der Halterung nach der Erfindung beispielsweise dargestellt.In the drawing is an embodiment of the holder according to the invention for example shown.
1 bedeutet ein Stück Halbleitermaterial aus Germanium, welches auf einem metallischen Träger 2 angeordnet ist. 3 bedeutet einen Federkontakt aus Molybdän oder Wolfram. 4 ist ein Messingträger, in dessen Kerbe 6 das Ende des Federdrahtes 3 eingeführt wird. Nach dem Zusammenquetschen ergeben sich Hohlräume 5, die in der Zeichnung in sehr stark vergrößertem Maßstab angedeutet sind. Das obere Ende des Federkontaktes 3 wird einschließlich des Trägers 4 mit den Hohlräumen 5 z. B. mit Leitsilber gemäß einer weiteren besonderen Ausbildung der Erfindung bestrichen, wobei das Leitsilber in die Hohlräume 5 eindringt und diese vollständig ausfüllt. Anschließend wird das Ganze erhitzt, damit die flüssige Komponente verfliegt.1 means a piece of semiconductor material made of germanium which is on a metallic carrier 2 is arranged. 3 means a spring contact made of molybdenum or tungsten. 4 is a brass carrier, in the notch 6 of which the end of the spring wire 3 is introduced. After squeezing, cavities 5 result in the Drawing are indicated on a very enlarged scale. The top of the Spring contact 3 is including the carrier 4 with the cavities 5 z. B. with Coated conductive silver according to a further special embodiment of the invention, the conductive silver penetrates into the cavities 5 and completely fills them. Then the whole thing is heated so that the liquid component dissipates.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES44955A DE1014234B (en) | 1955-07-28 | 1955-07-28 | Method for holding spring contacts for semiconductor arrangements with pointed contacts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES44955A DE1014234B (en) | 1955-07-28 | 1955-07-28 | Method for holding spring contacts for semiconductor arrangements with pointed contacts |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1014234B true DE1014234B (en) | 1957-08-22 |
Family
ID=7485331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES44955A Pending DE1014234B (en) | 1955-07-28 | 1955-07-28 | Method for holding spring contacts for semiconductor arrangements with pointed contacts |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1014234B (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB503924A (en) * | 1937-10-14 | 1939-04-14 | Percy Geikie Donald | Improvements relating to panels for baths |
US2429222A (en) * | 1943-06-05 | 1947-10-21 | Bell Telephone Labor Inc | Method of making contact wires |
-
1955
- 1955-07-28 DE DES44955A patent/DE1014234B/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB503924A (en) * | 1937-10-14 | 1939-04-14 | Percy Geikie Donald | Improvements relating to panels for baths |
US2429222A (en) * | 1943-06-05 | 1947-10-21 | Bell Telephone Labor Inc | Method of making contact wires |
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