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DE10131123A1 - Photoresistzusammensetzung, die einen Photoradikalbildner und einen Photosäurebildner enthält - Google Patents

Photoresistzusammensetzung, die einen Photoradikalbildner und einen Photosäurebildner enthält

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Publication number
DE10131123A1
DE10131123A1 DE10131123A DE10131123A DE10131123A1 DE 10131123 A1 DE10131123 A1 DE 10131123A1 DE 10131123 A DE10131123 A DE 10131123A DE 10131123 A DE10131123 A DE 10131123A DE 10131123 A1 DE10131123 A1 DE 10131123A1
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DE
Germany
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photoresist
photoresist composition
diphenyl
triflate
composition according
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE10131123A
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English (en)
Inventor
Jae Chang Jung
Geun Su Lee
Min Ho Jung
Ki Ho Baik
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SK Hynix Inc
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of DE10131123A1 publication Critical patent/DE10131123A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Photoresistzusammensetzung, die einen Photoradikalbildner enthält, spezieller eine Photoresistzusammensetzung, umfassend: (a) ein Photoresistharz, (b) einen Photosäurebildner, (c) ein organisches Lösungsmittel und (d) einen Photoradikalbildner. Die erfindungsgemäße Photoresistzusammensetzung reduziert oder verhindert die Bildung eines abgeschrägten Musters aufgrund einer höheren Säurekonzentration im oberen Abschnitt des Photoresists als im unteren Abschnitt des Photoresists.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Photoresistzu­ sammensetzung, die einen Photoradikalbildner (abgekürzt als "PRG") enthält. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Pho­ toresistzusammensetzung, umfassend (a) ein Photoresistharz, (b) einen Photosäurebildner, (c) ein organisches Lösungsmit­ tel und (d) einen Photoradikalbildner. Der erfindungsgemäße Photoradikalbildner reduziert oder verhindert abgeschrägte Muster sowie eine I/D-Abweichung aufgrund einer höheren Säu­ rekonzentration im oberen Abschnitt des Photoresists als im unteren Abschnitt des Photoresists.
Beschreibung des Standes der Technik
Seit kurzem untersucht man die Verwendung von Photoresi­ sten des chemischen Verstärkungs-Typs (d. h. Photoresistzusam­ mensetzungen) in Photolithographieverfahren, die Lichtquellen wie KrF, ArF, VUV und EUV einsetzen, um eine hohe Empfind­ lichkeit bei sehr genauen Bildherstellungsverfahren auf Halb­ leitervorrichtungen zu erzielen. Diese Photoresistzusammen­ setzungen werden gewöhnlich durch Mischen eines Photosäure­ bildners und eines Matrixharzpolymers (d. h. Photoresistpoly­ mers oder Photoresistharzes) mit einer säurelabilen Gruppe hergestellt.
Bei einem Photolithographieverfahren hängt die Auflösung eines Bildes von der Wellenlänge des verwendeten Lichts ab. So ist die Auflösung um so höher, je kürzer die Wellenlänge ist, d. h. kürzere Wellenlängen ermöglichen die Bildung eines kleineren Musters.
Damit sie sich für ein Photolithographieverfahren eig­ net, muss eine Photoresistzusammensetzung ausgezeichnete Ätz­ beständigkeit, Wärmebeständigkeit und ausgezeichnetes Haft­ vermögen aufweisen. Zur Verringerung der Kosten bei der Her­ stellung von Halbleitervorrichtungen sollte sich zudem eine Photoresistzusammensetzung leicht in einer herkömmlichen Ent­ wicklungslösung, wie 2,38 Gew.-%iger wässriger Tetramethylam­ moniumhydroxid-(TMAH-)Lösung entwickeln lassen. Diese Qua­ litäten sind bei Photolithographieverfahren, die eine Tieful­ traviolettquelle (d. h. eine kurzwellige Lichtquelle) ein­ schließlich KrF (248 nm), ArF (193 nm), VUV (157 nm) und EUV (13 nm) verwenden, besonders wichtig.
Es ist jedoch sehr schwierig, eine Photoresistzusammen­ setzung zu synthetisieren, die alle diese Voraussetzungen er­ füllt. Beispielsweise ist ein Photoresistpolymer mit Polya­ crylat-Grundgerüst leicht erhältlich, besitzt aber geringe Ätzbeständigkeit und lässt sich schwer entwickeln.
Die Ätzbeständigkeit lässt sich durch Anfügen alicycli­ scher Einheiten an das Photoresistpolymer verbessern. Das Vorliegen alicyclischer Einheiten im Photoresistpolymer ver­ ursacht jedoch Probleme beim Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen. Beispielsweise entsteht ein nachteiliges Schrägmuster, wenn das Photoresistharz mit den alicyclischen Einheiten verwendet wird.
Hat das Harz ein niedriges Lichtabsorptionsmaß, wird ein vertikales Muster wie in Fig. 1a gezeigt erzeugt. Bei Ver­ wendung einer chemisch amplifizierten Photoresistzusammenset­ zung, die die alicyclischen Einheiten umfasst, wird das Schrägmuster gebildet, da die oberen Abschnitte der Photore­ sist-(PR)-Zusammensetzung stärker belichtet werden als der untere Abschnitt der PR-Zusammensetzung (siehe Fig. 1b). Man nimmt an, dass die stärkere Belichtung der oberen Abschnitte durch ein Luftbild der PR-Zusammensetzung (oder durch Licht­ absorption durch das Harz) zustande kommt.
Daher besteht ein Bedarf an einer Photoresistzusammen­ setzung, welche die oben genannten Nachteile überwindet.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es werden Photoresistzusammensetzungen offenbart, die die Bildung von Schrägmustern aufgrund einer höheren Konzen­ tration der erzeugten Säure in den oberen Bereichen der Pho­ toresistzusammensetzungen im Vergleich mit den unteren Ab­ schnitten der Photoresistzusammensetzungen signifikant redu­ zieren oder verhindern.
Zudem wird ein Halbleiterelement offenbart, das unter Verwendung der offenbarten Photoresistzusammensetzung herge­ stellt wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1a ist ein Querschnitt der Vertikalmusterbildung, wenn eine beschichtete Photoresistzusammensetzung ein gerin­ ges Lichtabsorptionsmaß aufweist.
Fig. 1b ist ein Querschnitt der Schrägmusterbildung, wenn die beschichtete Photoresistzusammensetzung ein hohes Lichtabsorptionsmaß aufweist.
Fig. 2 zeigt ein Muster, das in Vergleichsbeispiel 1 erhalten wurde.
Fig. 3 zeigt ein Muster, das im erfindungsgemäßen Bei­ spiel 1 erhalten wurde.
Fig. 4 zeigt ein Muster, das im erfindungsgemäßen Bei­ spiel 2 erhalten wurde.
EINGEHENDE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung stellt eine Photoresistzusam­ mensetzung bereit, umfassend (a) ein Photoresistharz, (b) ei­ nen Photosäurebildner, (c) einen Photoradikalbildner und (d) ein organisches Lösungsmittel.
Der erfindungsgemäße Photoradikalbildner ist vorzugswei­ se eine Verbindung der nachstehenden Formel 1:
Formel 1
wobei R1 ein Wasserstoffatom oder ein (C1-C5)-Alkylrest ist; R2 ein Wasserstoffatom, ein (C1-C5)-Alkylrest oder eine Phenylgruppe ist; und R3 ein Wasserstoffatom, ein (C1-C5)- Alkylrest, eine Phenylgruppe oder ein (C1-C5-Alkoxyrest ist.
Die Verbindung der Formel 1 ist stärker bevorzugt ein α,α- Dimethoxy-α-phenylacetophenon der nachstehenden Formel 1a oder α-Hydroxy-α,α-dimethylacetophenon der nachstehenden Formel 1b:
Formel 1a
Formel 1b
Jeder bekannte Photosäurebildner, der durch Licht Säuren erzeugen kann, lässt sich in erfindungsgemäßen PR- Zusammensetzungen verwenden. Herkömmliche Photosäurebildner sind offenbart in US 5 212 043 (18. Mai 1993), WO 97/33198 (12. Sep. 1997) WO 96/37526 (28. Nov. 1996), EP 0 794 458 (10. Sep. 1997), EP 0 789 278 (13. Aug. 1997) und US 6 132 926 (17. Okt. 2000).
Bevorzugte Photosäurebildner umfassen Verbindungen des Sulfid- oder Oniumtyps. In einer bestimmten erfindungsgemäßen Ausführungsform wird der Photosäurebildner aus der Gruppe ausgewählt, bestehend aus Diphenyliodidhexafluorphosphat, Diphenyliodidhexafluorarsenat, Diphenyliodidhexafluorantimo­ nat, Diphenyl-p-methoxyphenyltriflat, Diphenyl-p-toluenyl­ triflat, Diphenyl-pisobutylphenyltriflat, Diphenyl-p-tert.- butylphenyltriflat, Triphenylsulfoniumhexafluorphosphat, Triphenylsulfoniumhexafluorarsenat, Triphenylsulfoniumhexa­ fluor-antimonat, Triphenylsulfoniumtriflat, Dibutylnaphthyl­ sulfoniumtriflat und deren Gemische.
Der Mechanismus der Photoresistzusammensetzung, die den Photosäurebildner umfasst, wird nachstehend eingehend anhand des nachstehenden Reaktionsschemas 1 und der Reaktionsschema­ ta 2a bis 2c beschrieben.
In den nachfolgenden Reaktionsschemata wird Verbindung (IV), nämlich Triphenylsulfoniumtriflat als Photosäurebildner verwendet.
Reaktionsschema 1
Reaktionsschema 2a
Reaktionsschema 2b
Reaktionsschema 2c
Wenn der in der Photoresistzusammensetzung enthaltene Photosäurebildner (IV) belichtet wird, entsteht Säure (X) (siehe Reaktionsschemata 2a bis 2c). Hat das Photoresistharz ein hohes Lichtabsorptionsmaß, wird ein abgeschrägtes Muster gebildet, da im unteren Abschnitt der PR-Zusammensetzung we­ niger Säure gebildet wird als im oberen Abschnitt, und zwar weil die oberen Abschnitte der PR-Zusammensetzung stärker be­ lichtet werden als der untere Abschnitt der PR- Zusammensetzung (siehe Fig. 1b).
Im unteren Abschnitt des Photoresists wird zwar weniger Licht aufgenommen als im oberen Abschnitt des Photoresists, jedoch bildet sich ein vertikales Muster, wenn die Säurekon­ zentration im unteren und oberen Abschnitt des Photoresists ähnlich ist (siehe Fig. 1a). Diese Wirkung lässt sich durch den Photoradikalbildner erzielen.
Ein wichtiger Schritt bei der Bildung von Säure ist Re­ aktionsschema 2b, das die Umwandlungsreaktion von Verbindung (VI) in Verbindung (VIII) zeigt. Die Säurebildung kann daher unterdrückt werden, indem diese Umwandlungsreaktion verhin­ dert wird.
Wird der Photoradikalbildner (I) belichtet, werden Reak­ tionsschema 1 zufolge Radikale, wie (II) und (III), erzeugt. Die Radikale (II) und (III) reagieren mit dem Radikal (VI), wodurch die Umwandlung von Verbindung (VI) in Verbindung (VIII) unterbrochen wird. Die Säurebildung wird somit unter­ drückt.
Genauer gesagt wird mehr Licht im oberen Abschnitt des Photoresists aufgenommen als im unteren Abschnitt, und somit werden viele Radikale (VI) von den Photosäurebildnern (IV) im oberen Abschnitt des Photoresists gebildet. Je mehr Verbin­ dungen (VI) erzeugt werden, desto mehr Säuren (X) werden er­ zeugt. Die von dem Photoradikalbildner (I) erzeugten Radikale (II) und (III) werden ebenfalls viel stärker im oberen Ab­ schnitt des Photoresists gebildet. Die Radikale (II) und (III) reagieren mit der Verbindung (VI), wodurch die Produk­ tion von Verbindung (VIII) verringert wird. Daher liegen ähn­ liche Mengen an Verbindung (VIII) vor, wodurch Säuren im un­ teren und oberen Abschnitt des Photoresists erzeugt werden. Die Säurekonzentration ist im unteren und oberen Abschnitt des Photoresists ebenfalls ähnlich, so dass das in Fig. 1a gezeigte vertikale Muster erhalten wird. Das Photoresist hat zwar ein hohes Lichtabsorptionsmaß, jedoch kann das Photore­ sist ein vertikales Muster bilden, indem der Photoradikal­ bildner verwendet wird.
Die Menge an verwendetem Photosäurebildner reicht dage­ gen von 0,05 Gew.-% bis 10 Gew.-% des in der Zusammensetzung vorhandenen Photoresistharzes.
Die Menge des Photoradikalbildners reicht vorzugsweise von 10 Mol-% bis etwa 300 Mol-% des Photosäurebildners. Das Photoresistharz der Photoresistzusammensetzung kann irgend ein momentan bekanntes chemisch amplifiziertes Photo­ resist-Polymer sein, das offenbart ist in US 5 212 043 (18. Mai 1993), WO 97/33198 (12. Sep. 1997), WO 96/37526 (28. Nov. 1996), EP 0 794 458 (10. Sep. 1997), EP 0789 278 (13. August 1997) und US 6 132 926 (17. Okt. 2000). Das Photoresist- Polymer wird vorzugsweise durch Radikal- Additionspolymerisation der Cycloolefincomonomere herge­ stellt, und die Ringstrukturen der Cycloolefincomonomere verbleiben in der Hauptkette des Photoresistpolymers. Ein Photoresist-Polymer umfasst bspw. Poly(tert.- butylbicyclo[2.2.1]-hept-5-en-2-carboxylat/2- Hydroxyethylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2- carboxylat/Norbornylen/Maleinsäureanhydrid) oder Poly(tert.- Butylbicylo[2.2. 1]hept-5-en-2-carboxylat/2-Hydroxy­ ethylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carboxylat/Bicyclo[2.2.1]hept- 5-en-2-carbonsäure/Maleinsäureanhydrid). PR-Polymere umfassen zur Verbesserung der Haftfestigkeit an den Wafer zudem vor­ zugsweise 2-Hydroxyethylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carboxylat oder 2-Hydroxyethylbicyclo[2.2.2]oct-5-en-2-carboxylat. Das Beispiel von Poly(tert.-butylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2- carboxylat/2-Hydroxyethylbicyclo[2.2.1]hept-5-2en-2-carboxy­ lat/Norbornylen/Maleinsäureanhydrid) wird durch die nachste­ hende Formel 2 veranschaulicht:
Formel 2
Es eignet sich zwar eine Anzahl der in US 5 212 043 (18. Mai 1993), WO 97/33198 (12. Sep. 1997), WO 96/37526 (28. Nov. 1996), EP 0 794 458 (10. Sep. 1997), EP 0789 278 (13. Aug. 1997) und US 6 132 926 (17. Okt. 2000) offenbarten organi­ schen Lösungsmittel zur Verwendung in der erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzung, jedoch wird das organische Lö­ sungsmittel vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Methyl-3-methoxypropionat, Ethyl-3-ethoxypropionat, Pro­ pylenglycolmethyletheracetat (PGMEA), Cyclohexanon und 2- Heptanon. Die Menge des in der Photoresistzusammensetzung verwendeten organischen Lösungsmittels reicht vorzugsweise von 200 Gew.-% bis 800 Gew.-% des Photoresistharzes.
Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Photoresistmusters bereit, umfassend die Schritte:
  • a) Aufbringen einer vorstehend beschriebenen Photore­ sistzusammensetzung auf ein Substrat, so dass ein Photore­ sistfilm erzeugt wird;
  • b) Belichten des Photoresistfilms; und
  • c) Entwickeln des belichteten Photoresistfilms.
Das Verfahren zur Erzeugung des Photoresistmuster kann zudem vor und/oder nach dem Belichtungsschritt (b) einen Backschritt umfassen. Der Backschritt wird gewöhnlich bei ei­ ner Temperatur im Bereich von etwa 70°C bis etwa 200°C durch­ geführt.
Der Belichtungsschritt erfolgt vorzugsweise mit einer Lichtquelle kurzer Wellenlänge, wie ArF (193 nm), KrF (248 nm), VUV (157 nm), EUV (13 nm), Elektronen-, Röntgen- oder Ionenstrahlen. Die Belichtungsenergie reicht vorzugsweise von etwa 1 mJ/cm2 bis etwa 100 mJ/cm2.
Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Halbleiterelement bereit, das mit den vorstehend beschriebenen Photoresistzusammensetzungen hergestellt worden ist.
Wird mit der erfindungsgemäßen Photoresistzusammenset­ zung, die den Photoradikalbildner enthält, erfindungsgemäß ein Muster erzeugt, entsteht das in Fig. 1a gezeigte verti­ kale Muster, jedoch nicht das in Fig. 1b gezeigte abge­ schrägte Muster.
Die vorliegende Erfindung wird nun anhand der nachste­ henden Beispiele beschrieben, die jedoch nicht einschränkend sein sollen.
Vergleichsbeispiel 1 Herstellung von Photoresistzusammen­ setzungen ohne Photoradikalbildner sowie Bildung von Mustern
Zu 160 g PGMEA wurden 20 g Polymer der Formel 2 und 0,24 g Triphenylsulfoniumtriflat gegeben. Das erhaltene Gemisch wurde durch einen 0,20 µm Filter filtriert, so dass eine Pho­ toresistzusammensetzung erhalten wurde.
Die so erhaltene Photoresistzusammensetzung wurde auf einen Silicium-Wafer spinbeschichtet und 90 sek. bei 140°C weichgebacken. Nach dem Backen wurde das Photoresist mit ei­ nem ArF-Lasergerät belichtet und dann 90 sek. bei 140°C nach­ gebacken. Anschließend wurde es in 2,38 Gew.-%iger wässriger TMAH-Lösung entwickelt, so dass ein abgeschrägtes 0,15 µm L/S-Muster erhalten wurde (siehe Fig. 2).
Erfindungsgemäßes Beispiel 1 Herstellung von Photoresistzu­ sammensetzungen mit Photoradikalbildner sowie Bildung von Mu­ stern
Zu 160 g PGMEA wurden 20 g Polymer der Formel 2, 0,24 g Triphenylsulfoniumtriflat und 0,12 g Photoradikalbildner der Formel 1a gegeben. Das erhaltene Gemisch wurde durch einen 0,20 µm Filter filtriert, so dass eine Photoresistzusammen­ setzung erhalten wurde.
Die so erhaltene Photoresistzusammensetzung wurde auf einen Silicium-Wafer spinbeschichtet und 90 sek. bei 140°C weichgebacken. Nach dem Backen wurde das Photoresist mit ei­ nem ArF-Lasergerät belichtet und dann 90 sek. bei 140°C nach­ gebacken. Anschließend wurde es in 2,38 Gew.-%iger wässriger TMAH-Lösung entwickelt, so dass ein abgeschrägtes 0,15 µm L/S-Muster erhalten wurde (siehe Fig. 3).
Erfindungsgemäßes Beispiel 2 Herstellung von Photoresistzu­ sammensetzungen mit Photoradikalbildner sowie Bildung von Mu­ stern
Zu 160 g PGMEA wurden 20 g Polymer der Formel 2, 0,24 g Triphenylsulfoniumtriflat und 0,10 g Photoradikalbildner der Formel 1b gegeben. Das erhaltene Gemisch wurde durch einen 0,20 µm Filter filtriert, so dass eine Photoresistzusammen­ setzung erhalten wurde.
Die so erhaltene Photoresistzusammensetzung wurde auf einen Silicium-Wafer spinbeschichtet und 90 sek. bei 140°C weichgebacken. Nach dem Backen wurde das Photoresist mit ei­ nem ArF-Lasergerät belichtet und dann 90 sek. bei 140°C nach­ gebacken. Anschließend wurde es in 2,38 Gew.-%iger wässriger TMAH-Lösung entwickelt, so dass ein abgeschrägtes 0,15 µm L/S-Muster erhalten wurde (siehe Fig. 4).
Die Photoresistzusammensetzung mit dem Photoradikalbild­ ner bildet anders als Vergleichsbeispiel 1 das vertikale Mu­ ster.
Wie vorher bereits erörtert, verbessern Photoresistzu­ sammensetzungen mit dem Photoradikalbildner gegenüber Photo­ resistzusammensetzungen ohne Photoradikalbildner das nachtei­ lige abgeschrägte Muster (Fig. 2), indem im Wesentlichen rechtwinklige Muster erzeugt werden (Fig. 3 und 4). Die erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzungen eignen sich somit zur Erzielung ultrafeiner Muster, insbesondere für Pho­ tolithographie unter Verwendung einer kurzwelligen Lichtquel­ le, wie ArF (193 nm) und VUV (157 nm).
Die vorhergehende Diskussion der Erfindung wurde zum Zwecke der Veranschaulichung und der Beschreibung gegeben. Der vorhergehende Text soll die Erfindung nicht auf die hier offenbarte Form oder offenbarten Formen einschränken. Die Be­ schreibung der Erfindung umfasst zwar die Beschreibung einer oder mehrerer Ausführungsformen und bestimmter Varianten und Modifikationen, aber es liegen auch andere Varianten und Mo­ difikationen im Umfang der Erfindung, die z. B. innerhalb der Fähigkeiten und des Wissens des Fachmanns liegen, nachdem er die Offenbarung verstanden hat. Es sollen Rechte erhalten werden, die alternative Ausführungsformen im erlaubten Umfang umfassen, einschließlich Strukturen, Funktionen, Bereiche oder Schritte, die zu den beanspruchten alternativ, gegen diese austauschbar und/oder äquivalent sind, unabhängig da­ von, ob diese alternativen, austauschbaren und/oder äquiva­ lenten Strukturen, Funktionen, Bereiche oder Schritte hier offenbart sind oder nicht, und ohne einen patentfähigen Ge­ genstand öffentlich zugänglich machen zu wollen.

Claims (16)

1. Photoresistzusammensetzung, umfassend:
  • a) ein Photoresistharz, (b) einen Photosäurebildner,
  • b) einen Photoradikalbildner und (d) ein organisches Lö­ sungsmittel.
2. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei der Photoradikalbildner eine Verbindung der nachstehenden Formel 1 ist:
Formel 1
wobei:
R1 ein Wasserstoffatom oder ein (C1-C5)-Alkylrest ist;
R2 ein Wasserstoffatom, ein (C1-C5)-Alkylrest oder eine Phenylgruppe ist; und
R3 ein Wasserstoffatom, ein (C1-C5)-Alkylrest, eine Phe­ nylgruppe oder ein (C1-C5)-Alkoxyrest ist.
3. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 2, wobei die Verbindung der Formel 1 ausgewählt ist aus der Gruppe, beste­ hend aus α,α-Dimethoxy-α-phenylacetophenon und α-Hydroxy- α,α-dimethylacetophenon.
4. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei der Photosäurebildner ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Diphenyliodidhexafluorphosphat, Diphenyliodidhexafluorar­ senat, Diphenyliodidhexafluorantimonat, Diphenyl-p-methoxy­ phenyltriflat, Diphenyl-p-toluenyltriflat, Diphenyl-p- isobutylphenyltriflat, Diphenyl-p-tert.-butylphenyltriflat, Triphenylsulfoniumhexafluorphosphat, Triphenylsulfoniumhexa­ fluorarsenat, Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat, Triphe­ nylsulfoniumtriflat, Dibutylnaphthylsulfoniumtriflat und de­ ren Gemische.
5. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Menge des Photosäurebildners von etwa 0,05 Gew.-% bis etwa 10 Gew.-% des Photoresistharzes reicht.
6. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Menge des Photoradikalbildners von etwa 10 Mol% bis etwa 300 Mol-% des Photosäurebildners reicht.
7. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Photoresistharz chemisch amplifiziertes Photoresistpolymer ist, umfassend sich wiederholende Einheiten, hergestellt durch zusätzliche Polymerisation von Cycloolefincomonomeren.
6. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 7, wobei das Pho­ toresist-Polymer ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Poly(tert.-butylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carboxylat/2-Hydroxy­ ethylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carboxylat/Norbornylen/Malein­ säureanhydrid) und Poly(tert.-butylbicylo[2.2.1]hept-5-en-2- carboxylat/2-Hydroxyethylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carboxy­ lat/Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-carbonsäure/Maleinsäureanhydrid).
9. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das organische Lösungsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe, be­ stehend aus Methyl-3-methoxypropionat, Ethyl-3-ethoxypropio­ nat, Propylenglycolmethyletheracetat (PGMEA), Cyclohexanon und 2-Heptanon.
10. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Menge des organischen Lösungsmittels von etwa 200 Gew.-% bis etwa 800 Gew.-% des Photoresistharzes reicht.
11. Verfahren zur Herstellung eines Photoresistharzes, um­ fassend:
  • a) Aufbringen einer Photoresistzusammensetzung nach An­ spruch 1 auf ein Substrat, so dass ein Photoresistfilm er­ zeugt wird;
  • b) Belichten des Photoresistfilms; und
  • c) Entwickeln des belichteten Photoresistfilms.
12. Verfahren nach Anspruch 11, zudem umfassend einen Back­ schritt vor und/oder nach dem Belichtungsschritt (b).
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Backschritt bei einer Temperatur im Bereich von etwa 70°C bis etwa 200°C durchgeführt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Lichtquelle für den Belichtungsschritt ausgewählt ist aus der Gruppe, beste­ hend aus ArF (193 nm), KrF (248 nm), VUV (157 nm), EUV (13 nm), Elektronen-, Röntgen- und Ionenstrahl.
15. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Belichtungsenergie des Lichts von etwa 1 mJ/cm2 bis etwa 100 mJ/cm2 reicht.
16. Halbleiterelement, hergestellt durch das Verfahren nach Anspruch 11.
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