DE10127655A1 - Bulk acoustic wave (BAW) filter arrangement e.g. for shunt resonators, includes inductive component for adjusting given property of second BAW-resonator - Google Patents
Bulk acoustic wave (BAW) filter arrangement e.g. for shunt resonators, includes inductive component for adjusting given property of second BAW-resonatorInfo
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- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine BAW- Filteranordnung (BAW = Bulk Acoustic Wave = akustische Volumenwelle), und insbesondere auf eine neuartige BAW- Filteranordnung mit einem verbesserten Filterverhalten unter Einbeziehung der in Gehäusen inhärent existenten parasitären Bauelemente. The present invention relates to a BAW Filter arrangement (BAW = Bulk Acoustic Wave = acoustic Volume wave), and in particular to a new type of BAW Filter arrangement with an improved filter behavior under Inclusion of the parasitic inherent in housings Components.
Im Stand der Technik sind BAW-Filteranordnungen bekannt, bei denen ein BAW-Filter auf herkömmliche Art und Weise auf einem Substrat gebildet ist, wobei das BAW-Filter einen seriellen Zweig und mehrere parallele Zweige aufweist, wobei in dem seriellen Zweig eine Mehrzahl von BAW-Resonatoren angeordnet ist, ebenso wie in den parallelen Zweigen, so dass sich eine Leiter-Struktur (Ladder-Struktur) der BAW-Filteranordnung ergibt. BAW filter arrangements are known in the prior art, at which a BAW filter in a conventional way on a Substrate is formed, the BAW filter being a serial Branch and has several parallel branches, in which serial branch arranged a plurality of BAW resonators is, just like in the parallel branches, so that one Ladder structure (ladder structure) of the BAW filter arrangement results.
Die BAW-Resonatoren in den jeweiligen Zweigen sind auf einer Oberfläche eines Substrats gebildet, wodurch ein BAW- Filterchip erzeugt wird. Die BAW-Resonatoren in den parallelen Zweigen des BAW-Filters sind gegen Masse geschaltet, und werden auch als Nebenschlussresonatoren bezeichnet. Diese Nebenschlussresonatoren sind mit einer Massefläche des BAW- Filterchips verbunden. The BAW resonators in the respective branches are on one Surface of a substrate formed, whereby a BAW Filter chip is generated. The BAW resonators in the parallel branches of the BAW filter are connected to ground, and are also referred to as shunt resonators. This Shunt resonators with a ground area of the BAW Filter chips connected.
Der BAW-Filterchip wird nach dessen Herstellung in ein Gehäuse eingebaut, wobei der Eingangsanschluss und der Ausgangsanschluss des auf dem Chip gebildeten BAW-Filters elektrisch mit entsprechenden Anschlussflächen in dem Gehäuse, z. B. über Bonddrähte, verbunden sind. Ferner erfolgt eine Verbindung der Massefläche des BAW-Filterchips zu einer Gehäusemasse, was beispielsweise auch durch Bond-Drähte erfolgt. Um die induktive Wirkung einzelner Bonddrähte auf das Verhalten des BAW-Filters so gering als möglich zu halten, werden von der Massefläche auf dem BAW-Filterchip zu der Massefläche in dem Gehäuse eine Mehrzahl von Bonddrähten parallel angeordnet, um so diese parasitären Auswirkungen zu minimieren. The BAW filter chip is in a after its manufacture Housing built in, with the input connector and the Output connection of the BAW filter formed on the chip is electrical with corresponding connection surfaces in the housing, e.g. B. about Bond wires, are connected. There is also a connection the ground area of the BAW filter chip to a housing ground, which is also done, for example, by bond wires. To the inductive effect of individual bond wires on the behavior of the BAW filters are kept as low as possible by the Ground area on the BAW filter chip to the ground area in the Housing a plurality of bond wires arranged in parallel so to minimize this parasitic impact.
Fig. 1 zeigt ein herkömmliches BAW-Filter, wobei schematisch ein Filterchip 100 gezeigt ist, der in einem Gehäuse 102 angeordnet ist. Fig. 1 shows a conventional BAW filter, a filter chip 100 is shown with schematically, which is arranged in a housing 102.
Auf dem Filterchip 100 ist ein Ladder-Filter gebildet, welches fünf BAW-Resonatoren R1-R5 umfasst. Die Resonatoren R1 und R2 sind im seriellen Zweig des Filters angeordnet, und die Resonatoren R3, R4 und R5 sind in den parallelen Zweigen des Filters angeordnet, und sind gegen eine gemeinsame Masse 104 auf dem Filterchip 100 verschaltet. Der Filterchip 100 umfasst ferner einen Eingangsanschluss 106 und einen Ausgangsanschluss 108. A ladder filter is formed on the filter chip 100 , which comprises five BAW resonators R 1 -R 5 . The resonators R 1 and R 2 are arranged in the serial branch of the filter, and the resonators R 3 , R 4 and R 5 are arranged in the parallel branches of the filter, and are connected to a common ground 104 on the filter chip 100 . The filter chip 100 further comprises an input connection 106 and an output connection 108 .
Das Gehäuse 102 umfasst eine Masseelektrode 110 sowie einen Eingangsanschluss 112 und einen Ausgangsanschluss 114. Bei dem in Fig. 1 gezeigten Beispiel sind der Eingang 112 des Gehäuses und der Ausgang 114 des Gehäuses über Bonddrähte mit dem Eingang 106 bzw. dem Ausgang 108 des Filterchips verbunden. Die Masseelektrode 104 des Chips ist über eine Mehrzahl von Bonddrähten oder anderen geeigneten elektrischen Verbindungen mit der Gehäusemasse 110 verbunden, wobei die einzelnen Verbindungen parallel zueinander angeordnet sind, um so die entstehenden Induktivitäten zu minimieren, um so deren Einfluss auf das Verhalten des auf dem Chip 100 gebildeten Filters zu minimieren. The housing 102 comprises a ground electrode 110 and an input connection 112 and an output connection 114 . In the example shown in FIG. 1, the input 112 of the housing and the output 114 of the housing are connected to the input 106 and the output 108 of the filter chip via bonding wires. The ground electrode 104 of the chip is connected to the housing ground 110 via a plurality of bonding wires or other suitable electrical connections, the individual connections being arranged in parallel with one another so as to minimize the inductances that arise, and thus to influence their behavior on the chip To minimize 100 filters formed.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte BAW- Filteranordnung zu schaffen, die gegenüber herkömmlichen Filteranordnungen ein deutlich verbessertes Verhalten aufweist. Based on this prior art, the present Invention the object of an improved BAW To create filter arrangement that over conventional Filter arrangements have a significantly improved behavior.
Diese Aufgabe wird durch eine BAW-Filteranordnung nach Anspruch 1 gelöst. This task is accomplished by a BAW filter arrangement Claim 1 solved.
Die vorliegende Erfindung schafft eine BAW-Filteranordnung,
mit
einem BAW-Filter mit einem ersten BAW-Resonator und einem
zweiten BAW-Resonator, die auf einem Substrat gebildet sind,
wobei der erste BAW-Resonator in einem seriellen Zweig des
BAW-Filters angeordnet ist, und wobei der zweite BAW-
Resonator in einem parallelen Zweig des BAW-Filters
angeordnet ist, wobei dem zweiten BAW-Resonator ein induktives
Bauelement zugeordnet ist, dessen Induktivität gewählt ist, um
eine vorbestimmte Eigenschaft des zweiten BAW-Resonators
einzustellen; und
einem Gehäuse, in dem das Substrat des BAW-Filters angeordnet
ist, wobei das induktive Bauelement, das dem zweiten BAW-
Resonator zugeordnet ist, durch eine elektrische Verbindung
zwischen dem zweiten BAW-Resonator und einer Massefläche in
dem Gehäuse gebildet ist.
The present invention provides a BAW filter arrangement with
a BAW filter with a first BAW resonator and a second BAW resonator formed on a substrate, the first BAW resonator being arranged in a serial branch of the BAW filter, and the second BAW resonator in one parallel branch of the BAW filter is arranged, wherein the second BAW resonator is assigned an inductive component, the inductance of which is selected in order to set a predetermined property of the second BAW resonator; and
a housing in which the substrate of the BAW filter is arranged, the inductive component which is assigned to the second BAW resonator being formed by an electrical connection between the second BAW resonator and a ground surface in the housing.
Gemäß der vorliegenden Erfindung, die sich auf das Gebiet der Hochfrequenzfilter, genauer gesagt auf das Feld der BAW- Filter und BAW-Duplexer bezieht, wird gelehrt, das Gehäuse zu verwenden, um das Filterverhalten zu verbessern. According to the present invention, which is in the field of High frequency filter, more specifically on the field of BAW Related to filters and BAW duplexers, the housing is taught use to improve the filter behavior.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass das Gehäuse, in dem die BAW-Filterchips angeordnet sind, herangezogen werden kann, um das Verhalten des BAW-Filters zu verbessern. Die richtige Verwendung der ohnehin vorhandenen parasitären Bauelemente, welche aufgrund der Gehäusung vorhanden sind, ermöglicht es, das Filterverhalten signifikant zu verbessern. Es wurde erkannt, dass z. B. bei Ladder-Filtern die Bandbreite durch die effektiven Kopplungskonstanten beschränkt ist, welche direkt in Beziehung steht mit den Eigenschaften des piezoelektrischen Materials. Es besteht die Möglichkeit, die Filterbandbreite unter Verwendung von induktiven Bauelementen in Serie mit den Resonatoren zu verbessern The present invention is based on the finding that that the housing in which the BAW filter chips are arranged can be used to determine the behavior of the BAW filter improve. The correct use of the existing one parasitic components due to the package are present, it allows the filter behavior to be significant to improve. It was recognized that e.g. B. with ladder filters the bandwidth through the effective coupling constants is limited, which is directly related to the Properties of the piezoelectric material. There is Possibility of using the filter bandwidth to improve inductive components in series with the resonators
Anders als bei im Stand der Technik bekannten gehäusten BAW- Filtern, bei denen die gegen Masse existierenden induktiven Bauelementen als das Filterverhalten verschlechternd angesehen werden, schlägt die vorliegende Erfindung einen neuartigen Weg vor, der es ermöglicht, einen Vorteil aus der ohnehin vorhandenen Masseinduktivität zu ziehen, um gleichzeitig das Filterverhalten zu verbessern. Unlike in the case of BAW housings known in the prior art Filters in which the inductive against mass exist Components deteriorating as the filter behavior are considered, the present invention proposes novel way that allows you to take advantage of the anyway existing inductance to pull at the same time To improve filter behavior.
In Abkehr von den herkömmlichen Vorgehensweisen bei BAW- Filteranordnungen, bei denen stets versucht wurde, die parasitären induktiven Bauelemente, wie sie durch die Verbindung des Filterchips zu der Gehäusemasse hervorgerufen wurden, zu minimieren, schlägt die vorliegende Erfindung vor, gerade diese gegen Masse existierenden induktiven Bauelemente heranzuziehen, um das Verhalten der BAW-Filter zu verbessern. In departure from the conventional approaches at BAW Filter arrangements that have always been tried, the parasitic inductive components such as those caused by the connection of the filter chip to the housing mass, too minimize, the present invention proposes, just these inductive components existing against ground to improve the behavior of the BAW filter.
Ein Hauptgedanke der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen induktives Bauelement in Serie mit dem Nebenschlussresonator in FBAR-Ladder-Filtern zu verwenden (FBAR = Film Bulk Acoustic Resonator). A main idea of the present invention is an inductive component in series with the Shunt resonator to be used in FBAR ladder filters (FBAR = Film Bulk Acoustic Resonator).
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, werden die Nebenschlussresonatoren beim Einbau des Filterchips in ein Gehäuse direkt über eine zugeordnete Bondverbindung oder eine zugeordnete Lötverbindung mit der Gehäusemasse verbunden, wobei die Induktivität vorzugsweise zwischen 0,6 und 1 nH liegt. Durch dieses serielle induktive Bauelement ist es möglich, die Serienresonanz des BAW- Resonators zu reduzieren, wobei gleichzeitig die Bandbreite erhöht wird. According to a preferred embodiment of the present Invention, the shunt resonators when installing the Filter chips in a housing directly via an associated Bond connection or an associated solder connection with the Housing ground connected, the inductance preferably is between 0.6 and 1 nH. Through this serial inductive Component, it is possible to Reduce resonators while maintaining bandwidth is increased.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, ist zusätzlich ein konzentriertes Spulenelement entweder in dem Gehäuse und/oder auf dem Filterchip vorgesehen, um eine zusätzliche Induktivität bereitzustellen. According to a preferred embodiment of the present Invention, is also a concentrated coil element either in the housing and / or on the filter chip provided to provide additional inductance.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel ist dem BAW- Resonatoren in dem seriellen Zweig ein induktives Bauelement zugeordnet, welches im Fall der am Eingangstor und Ausgangstor liegenden seriellen Resonatoren durch Bonddrähte oder eine entsprechende elektrische Verbindung gebildet sein kann. According to a further exemplary embodiment, the BAW Resonators in the serial branch an inductive component assigned, which in the case of the at the entrance gate and Serial resonators located at the output gate through bond wires or a corresponding electrical connection can be formed.
Bevorzugte Weiterbildungen der Anmeldung sind in den Unteransprüchen definiert. Preferred developments of the application are in the Subclaims defined.
Nachfolgend werden anhand der beiliegenden Zeichnungen bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung näher erläutert. Es zeigen: The following are based on the attached drawings preferred embodiments of the present invention closer explained. Show it:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines herkömmlichen BAW- Filters; Fig. 1 is a schematic representation of a conventional BAW filter;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines BAW-Filters gemäß der vorliegenden Erfindung; Fig. 2 is a schematic representation of a BAW filter according to the present invention;
Fig. 3 einen Graphen, der den Einfluss der Serieninduktivität auf die Bandbreite einer BAW-Leiter-Filteranordnung zeigt; Fig. 3 is a graph showing the influence of the series inductance to the bandwidth of a BAW ladder filter assembly;
Fig. 4 eine BAW-Filteranordnung mit einem BAW-Filter und einem Gehäuse gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; Fig. 4 is a BAW filter arrangement comprising a BAW filter and a housing with a first embodiment of the present invention according to;
Fig. 5 eine BAW-Filteranordnung mit einem BAW-Filter und einem Gehäuse gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und Figure 5 is a BAW filter arrangement comprising a BAW filter and a housing according to a second embodiment of the present invention. and
Fig. 6 eine schematische Darstellung eines BAW-Filters gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Fig. 6 is a schematic representation of a BAW filter according to a third embodiment of the present invention.
In Fig. 2 ist eine BAW-Filteranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt, wobei Elemente, die denjenigen in Fig. 1 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind. In FIG. 2, a BAW filter device according to the present invention is shown, wherein elements are provided with the same reference numerals correspond to those in FIG. 1.
Wie aus einem Vergleich der Fig. 1 und 2 zu erkennen ist, unterscheidet sich die Filteranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung von herkömmlichen BAW-Filteranordnungen dahingehend, dass auf die gemeinsame Masseelektrode zum Anschluss der Nebenschlussresonatoren R3, R4 und R5 des Filterchips 100 verzichtet wurde und statt dessen jeder einzelne der Nebenschlussresonatoren direkt über eine geeignete elektrische Verbindung 116, z. B. einem Bonddraht, mit der Gehäusemasse 110 verbunden. Zusätzlich zu dem induktiven Anteil, der durch die elektrische Verbindung 116 hervorgerufen wird, kommt noch der induktive Anteil der Leitungen in dem Gehäuse und der Gehäusedurchführung, um die Gehäusemasse nach außen zu führen. Die Induktivitäten der Verbindungen 116 beeinflussen das Verhalten des Filters sowohl im Durchlassbereich als auch im Sperrbereich. Die Induktivität seriell zu dem BAW-Resonator erhöht die effektive dynamische Induktivität, wodurch die Resonanzfrequenz sinkt. Da die Antiresonanzfrequenz nur in sehr geringem Maße verschoben wird, wird die Bandbreite eines Resonators mit serieller Induktivität vergrößert, so dass sich im Fall der BAW-Resonatoren in dem parallelen Zweig auch eine vergrößerte Bandbreite der gesamten BAW-Filteranordnung einstellt. As can be seen from a comparison of FIGS. 1 and 2, the filter arrangement according to the present invention differs from conventional BAW filter arrangements in that the common ground electrode for connecting the shunt resonators R 3 , R 4 and R 5 of the filter chip 100 is dispensed with and instead each and every one of the shunt resonators is connected directly via a suitable electrical connection 116 , e.g. B. a bond wire, connected to the housing ground 110 . In addition to the inductive component caused by the electrical connection 116 , there is also the inductive component of the lines in the housing and the housing bushing in order to lead the housing mass to the outside. The inductances of the connections 116 influence the behavior of the filter both in the pass band and in the stop band. The inductance in series with the BAW resonator increases the effective dynamic inductance, as a result of which the resonance frequency drops. Since the anti-resonance frequency is shifted only to a very small extent, the bandwidth of a resonator with serial inductance is increased, so that in the case of the BAW resonators, an increased bandwidth of the entire BAW filter arrangement also arises in the parallel branch.
In Fig. 3 ist der Einfluss der elektrischen Verbindung 116 auf die Bandbreite des in Fig. 2 gezeigten Filters verdeutlicht. Die Kurve A zeigt den Verlauf des Durchlassbereichs für ein herkömmliches BAW-Filter, und die Kurve B zeigt den Verlauf für ein erfindungsgemäßes BAW-Filter, wobei zu erkennen ist, dass durch die Verwendung der elektrischen Verbindungen als zusätzliche induktive Bauelemente eine Erhöhung der Bandbreite des Filters erreicht werden kann. In Fig. 3, the influence of the electrical connection 116 to the bandwidth of the filter shown in Fig. 2 is illustrated. Curve A shows the course of the pass band for a conventional BAW filter, and curve B shows the course for a BAW filter according to the invention, it being evident that the use of the electrical connections as additional inductive components increases the bandwidth of the Filters can be achieved.
Ferner können die induktiven Bauelemente noch zum Stopband- Filtern herangezogen werden, z. B. im Falle des 900 MHz Standards dazu, dass 1800 MHz oder 1900 MHz Band herauszufiltern. Furthermore, the inductive components can still be used for stop band Filters are used, e.g. B. in the case of 900 MHz Standards to filter out the 1800 MHz or 1900 MHz band.
Obwohl die Fig. 2 ein Filter mit einer Mehrzahl von Resonatoren im seriellen Zweig und einer Mehrzahl von Resonatoren im parallelen Zweig des Filters beschreibt, ist es offensichtlich, dass die vorliegende Erfindung auch für Filteranordnungen mit nur einem Resonator im parallelen Zweig und nur einem Resonator im seriellen Zweig geeignet ist. Although FIG. 2 describes a filter with a plurality of resonators in the serial branch and a plurality of resonators in the parallel branch of the filter, it is obvious that the present invention also applies to filter arrangements with only one resonator in the parallel branch and only one resonator in the serial branch is suitable.
Die Induktivität, die durch die elektrische Verbindung 116 seriell zu den Resonatoren hinzugefügt wird, liegt im Größenbereich von etwa 0,6 nH-2 nH. Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die elektrische Verbindung 116 durch einen Bonddraht gebildet, dessen Länge maximal etwa 1 mm- 1,5 mm beträgt, und der eine Induktivität von etwa 0,6 nH/mm -etwa 1 nH/mm aufweist. Alternativ wird die elektrische Verbindung durch eine Lötverbindung erzeugt, deren Induktivität etwa im gleichen Bereich liegt. The inductance that is added in series to the resonators by the electrical connection 116 is in the size range of approximately 0.6 nH-2 nH. According to a preferred exemplary embodiment, the electrical connection 116 is formed by a bond wire, the maximum length of which is approximately 1 mm-1.5 mm, and which has an inductance of approximately 0.6 nH / mm-approximately 1 nH / mm. Alternatively, the electrical connection is produced by a soldered connection, the inductance of which is approximately in the same range.
In Fig. 4 ist ein Beispiel für die erfindungsgemäße Filteranordnung gezeigt, bei der der Filterchip 104 in dem Gehäuse 102 angebracht ist, und über Bonddrähte 116 mit (nicht gezeigt) Anschlussflächen in dem Gehäuse 102 verbunden ist. Diese Anschlussflächen sind über Lötverbindungen 118 aus dem Gehäuse 102 herausgeführt, beispielsweise zu Leiterbahnen auf einer gedruckten Schaltungsplatine 120, auf der das Gehäuse 102 angeordnet ist. FIG. 4 shows an example of the filter arrangement according to the invention, in which the filter chip 104 is mounted in the housing 102 and is connected to connection surfaces (not shown) in the housing 102 via bonding wires 116 . These connection areas are led out of the housing 102 via solder connections 118 , for example to conductor tracks on a printed circuit board 120 on which the housing 102 is arranged.
In Fig. 5 ist ein zweites Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem der BAW-Filterchip 100 in Flip-Chip-Technik in dem Gehäuse 102 angeordnet ist, also mit der aktiven Seite nach unten über entsprechende Lotverbindungen 116 mit Anschlussflächen und Leitungen in dem Gehäuse 102 verbunden ist, die über die Verbindungen 118 zu der Platine 120 herausgeführt sind. In Fig. 5, a second embodiment is shown in which the BAW filter chip 100 is arranged in flip-chip technology in the housing 102. Thus, with the active side down via respective solder joints 116 with pads and wires in the housing 102 which are led out to the board 120 via the connections 118 .
Bei dem in Fig. 4 und in Fig. 5 gezeigten Ausführungsbeispiel werden zusätzlich zu den eigentlichen Induktivitäten der elektrischen Verbindungen 116 noch die Durchführungsinduktivitäten und Induktivitäten der auf dem Gehäuse gebildeten Leitungen zu der Gesamtinduktivität, die seriell zu dem Nebenschlussresonator geschaltet ist, hinzugefügt. In the exemplary embodiment shown in FIG. 4 and in FIG. 5, in addition to the actual inductances of the electrical connections 116 , the feed-through inductances and inductances of the lines formed on the housing are added to the total inductance which is connected in series with the shunt resonator.
In Fig. 6 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt, bei dem zusätzlich zu der elektrischen Verbindung ein weiteres induktives Bauelement L zwischen dem BAW-Resonator R3 und der Gehäusemasse 110 vorgesehen ist, um die Induktivität, mit der der Resonator R3 beaufschlagt wird, weiter zu erhöhen. Ferner ist bei dem in Fig. 6 gezeigtem Ausführungsbeispiel der Masseanschluss des Resonators R4 und der Masseanschluss des Resonators R5 verbunden, und über eine Verbindung 116 mit der Gehäusemasse verschaltet. In FIG. 6, a further embodiment of the present invention is shown, is provided in which in addition to the electrical connection, another inductor L between the BAW resonator R 3 and the frame ground 110 to the inductance, with which the resonator R 3 acted will continue to increase. Furthermore, in the exemplary embodiment shown in FIG. 6, the ground connection of the resonator R 4 and the ground connection of the resonator R 5 are connected and connected to the housing ground via a connection 116 .
Es ist zu erkennen, dass abhängig von der erwünschten Konfiguration und Einstellung der Filtereigenschaften alle Resonatoren einzeln gegen Gehäusemasse 110 verschaltet sind, oder einzelne Resonatoren zusammengefasst werden, und dann entweder auf herkömmliche Art und Weise mit vielen Bonddrähten parallel auf Masse geschaltet werden, oder gemeinsam mit einer Induktivität auf Masse verschaltet werden. It can be seen that, depending on the desired configuration and setting of the filter properties, all resonators are individually connected to housing ground 110 , or individual resonators are combined, and are then either connected in parallel to ground in a conventional manner with many bonding wires, or together with an inductor can be connected to ground.
Anstelle der in Fig. 6 gezeigten Anordnung kann die Induktivität L auch auf dem Chip 100 gebildet sein, oder anteilig auf dem Chip und in dem Gehäuse. Instead of the arrangement shown in FIG. 6, the inductance L can also be formed on the chip 100 , or partially on the chip and in the housing.
Ferner können die Anschlussleitungen zwischen dem Eingang 112 des Gehäuses und dem Eingang 106 des Chips zur Beeinflussung der Eigenschaften des Resonators R1 herangezogen werden, und ebenso die Verbindung zwischen Chipausgang 108 und Gehäuseausgang 114 zur Beeinflussung des Resonators R2. Furthermore, the connection lines between the input 112 of the housing and the input 106 of the chip can be used to influence the properties of the resonator R 1 , as can the connection between the chip output 108 and the housing output 114 to influence the resonator R 2 .
Ferner können den einzelnen BAW-Resonatoren des Filters zusätzliche serielle induktive Bauelement, z. B. in der Form von Spulen, zugeordnet sein, um das Verfalten des Filters abhängig von denselben weiter einzustellen. Furthermore, the individual BAW resonators of the filter additional serial inductive component, e.g. B. in the form of Coils, assigned to the filter's folding depending on the same continue to adjust.
Hinsichtlich der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele wird
darauf hingewiesen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf
diese BAW-Filteranordnungen beschränkt ist, sondern auch
anwendbar ist auf Duplexer, die unter Verwendung von FBAR-
Ladder-Filtern hergestellt wurden.
Bezugszeichenliste
100 Filterchip
102 Gehäuse
104 Masseelektrode auf dem Filterchip
106 Eingangsanschluss auf dem Filterchip
108 Ausgangsanschluss auf dem Filterchip
110 Massefläche des Gehäuses
112 Eingangsanschluss des Gehäuses
114 Ausgangsanschluss des Gehäuses
116 Elektrische Verbindung
118 Lötverbindung
120 Platine
R1, R2 parallele Resonatoren
R3, R4, R5 serielle Resonatoren
L induktives Bauelement
With regard to the exemplary embodiments described above, it is pointed out that the present invention is not restricted to these BAW filter arrangements, but is also applicable to duplexers which have been produced using FBAR ladder filters. LIST OF REFERENCE NUMBERS 100 filter chip
102 housing
104 ground electrode on the filter chip
106 input connector on the filter chip
108 Output connector on the filter chip
110 ground area of the housing
112 Housing input connector
114 Housing output connector
116 Electrical connection
118 solder connection
120 board
R 1 , R 2 parallel resonators
R 3 , R 4 , R 5 serial resonators
L inductive component
Claims (12)
einem BAW-Filter (100) mit einem ersten BAW-Resonator (R1) und einem zweiten BAW-Resonator (R3), die auf einem Substrat gebildet sind, wobei der erste BAW-Resonator (R1) in einem seriellen Zweig des BAW-Filters (100) angeordnet ist, und wobei der zweite BAW-Resonator (R3) in einem parallelen Zweig des BAW-Filters (100) angeordnet ist, wobei dem zweiten BAW- Resonator (R3) ein induktives Bauelement zugeordnet ist, dessen Induktivität gewählt ist, um eine vorbestimmte Eigenschaft des zweiten BAW-Resonators (R3) einzustellen; und
einem Gehäuse (102), in dem das Substrat des BAW-Filters (100) angeordnet ist, wobei das induktive Bauelement, dass dem zweiten BAW-Resonator (R3) zugeordnet ist, durch eine elektrische Verbindung (116) zwischen dem zweiten BAW- Resonator (R3) und einer Massefläche (110) in dem Gehäuse (102) gebildet ist. 1. BAW filter arrangement, with
a BAW filter ( 100 ) with a first BAW resonator (R 1 ) and a second BAW resonator (R 3 ), which are formed on a substrate, the first BAW resonator (R 1 ) being in a serial branch of the BAW filter ( 100 ) is arranged, and wherein the second BAW resonator (R 3 ) is arranged in a parallel branch of the BAW filter ( 100 ), wherein the second BAW resonator (R 3 ) is assigned an inductive component, whose inductance is selected to set a predetermined property of the second BAW resonator (R 3 ); and
a housing ( 102 ) in which the substrate of the BAW filter ( 100 ) is arranged, the inductive component that is assigned to the second BAW resonator (R 3 ) being connected by an electrical connection ( 116 ) between the second BAW Resonator (R 3 ) and a ground surface ( 110 ) is formed in the housing ( 102 ).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2001127655 DE10127655A1 (en) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | Bulk acoustic wave (BAW) filter arrangement e.g. for shunt resonators, includes inductive component for adjusting given property of second BAW-resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2001127655 DE10127655A1 (en) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | Bulk acoustic wave (BAW) filter arrangement e.g. for shunt resonators, includes inductive component for adjusting given property of second BAW-resonator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10127655A1 true DE10127655A1 (en) | 2003-01-02 |
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ID=7687511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2001127655 Withdrawn DE10127655A1 (en) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | Bulk acoustic wave (BAW) filter arrangement e.g. for shunt resonators, includes inductive component for adjusting given property of second BAW-resonator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10127655A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1548938A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-29 | Infineon Technologies AG | TFR ladder filter and method of grounding of TFR ladder filters |
| US8618620B2 (en) | 2010-07-13 | 2013-12-31 | Infineon Technologies Ag | Pressure sensor package systems and methods |
| CN109196778A (en) * | 2016-05-27 | 2019-01-11 | 株式会社村田制作所 | High-frequency filter circuit, high-frequency front-end circuit and communication device |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
| DE19932649A1 (en) * | 1999-07-13 | 2001-02-08 | Epcos Ag | Reactance filter type SAW filter with improved stop band suppression and method for optimizing the stop band suppression |
-
2001
- 2001-06-07 DE DE2001127655 patent/DE10127655A1/en not_active Withdrawn
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| US11192777B2 (en) | 2010-07-13 | 2021-12-07 | Infineon Technologies Ag | MEMS sensor package systems and methods |
| CN109196778A (en) * | 2016-05-27 | 2019-01-11 | 株式会社村田制作所 | High-frequency filter circuit, high-frequency front-end circuit and communication device |
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