DE10126159A1 - Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff - Google Patents
Gasentladungslampe mit Down-Conversion-LeuchtstoffInfo
- Publication number
- DE10126159A1 DE10126159A1 DE10126159A DE10126159A DE10126159A1 DE 10126159 A1 DE10126159 A1 DE 10126159A1 DE 10126159 A DE10126159 A DE 10126159A DE 10126159 A DE10126159 A DE 10126159A DE 10126159 A1 DE10126159 A1 DE 10126159A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ion
- gas discharge
- iii
- phosphor
- discharge lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 79
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 40
- -1 lanthanoid ion Chemical class 0.000 claims abstract description 53
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N lead(2+) Chemical compound [Pb+2] RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- JDIBGQFKXXXXPN-UHFFFAOYSA-N bismuth(3+) Chemical compound [Bi+3] JDIBGQFKXXXXPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000003081 coactivator Effects 0.000 claims description 10
- 150000002222 fluorine compounds Chemical group 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N europium(3+) Chemical compound [Eu+3] LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021644 lanthanide ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N Manganese(2+) Chemical compound [Mn+2] WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HKCRVXUAKWXBLE-UHFFFAOYSA-N terbium(3+) Chemical compound [Tb+3] HKCRVXUAKWXBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AWSFICBXMUKWSK-UHFFFAOYSA-N ytterbium(3+) Chemical compound [Yb+3] AWSFICBXMUKWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SCKNFLZJSOHWIV-UHFFFAOYSA-N holmium(3+) Chemical compound [Ho+3] SCKNFLZJSOHWIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 58
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 24
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 22
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 12
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910016655 EuF 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 5
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 5
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910005690 GdF 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005693 GdF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004379 HoF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004299 TbF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000929049 Xenopus tropicalis Derriere protein Proteins 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- ZLUSCZLCHQSJRU-UHFFFAOYSA-N thallium(1+) Chemical compound [Tl+] ZLUSCZLCHQSJRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000002792 vascular Effects 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7772—Halogenides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7772—Halogenides
- C09K11/7773—Halogenides with alkali or alkaline earth metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/779—Halogenides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/779—Halogenides
- C09K11/7791—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
- H01J61/44—Devices characterised by the luminescent material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
Eine Gasentladungslampe, ausgerüstet mit einem Gasentladungsgefäß, gefüllt mit einer Gasfüllung, die geeignet ist für eine Gasentladung, die VUV-Strahlung emittiert, mit einer Leuchtstoffbeschichtung, die einen Down-Conversion-Leuchtstoff enthält, und mit Mitteln zur Zündung und Aufrechterhaltung einer Gasentladung, bei der der Down-Conversion-Leuchtstoff in einem Wirtsgitter ein Paar von Aktivatoren aus einem ersten Lanthanoiden-Ion und einem zweiten Lanthanoiden-Ion und einen Sensibilisator ausgewählt aus der Gruppe des Thallium(I)-Ions, des Blei(II)-Ions und des Bismut(III)-Ions enthält, ist umweltfreundlich und hat eine hohe Lampeneffizienz eta¶lamp¶. DOLLAR A Die Erfindung betrifft weiterhin einen Down-Conversion-Leuchtstoff, der in einem Wirtsgitter ein Paar von Aktivatoren aus einem ersten Lanthanoiden-Ion und einem zweiten Lanthanoiden-Ion und einen Sensibilisator ausgewählt aus der Gruppe des Thallium(I)-Ions, des Blei(II)-Ions und des Bismut(III)-Ions enthält.
Description
Die Erfindung betrifft eine Gasentladungslampe, ausgerüstet mit einem Gasentladungs
gefäß, gefüllt mit einer Gasfüllung, die geeignet ist, eine Gasentladung, die VUV-Strahlung
emittiert, zu unterstützen, mit einer Leuchtstoffbeschichtung, die einen Down-Con
version-Leuchtstoff enthält, und mit Mitteln zur Zündung und Aufrechterhaltung einer
Gasentladung.
Konventionelle Leuchtstofflampen sind Quecksilbergasentladungslampen, deren Lichtaus
strahlung auf einer Quecksilberniederdruckgasentladung basiert. Eine Quecksilbernieder
druckgasentladung emittiert Strahlung überwiegend im nahen UV mit einem Maximum
bei 254 nm, die durch UV-Leuchtstoffe in sichtbares Licht umgewandelt wird.
Die Quecksilbergasentladungslampe hat eine ausgereifte Technologie und ist in Bezug auf
die Lampeneffizienz ηlamp durch andere Lampentechnologien nur schwer zu erreichen oder
gar zu übertreffen.
Das Quecksilber in der Gasfüllung wird jedoch verstärkt als umweltschädliche und giftige
Substanz angesehen, die in modernen Massenprodukten aufgrund der Umweltgefährdung
bei Anwendung, Produktion und Entsorgung möglichst vermieden werden sollte.
Deswegen bemüht man sich seit einiger Zeit um die Entwicklung alternativer Lampen
technologien.
Eine der quecksilberfreien bzw. quecksilberarmen Alternativen zur herkömmlichen Queck
silbergasentladungslampe ist die Xenon-Niederdruckgasentladungslampe, die eine Gas
füllung hat, die überwiegend Xenon enthält. Eine Gasentladung in einer Xenon-Nieder
druckgasentladungslampe emittiert Vakuum-Ultraviolettstrahlung (VUV-Strahlung), im
Gegensatz zu der UV-Strahlung der Quecksilberentladung. Die VUV-Strahlung wird von
Excimeren, z. B. Xe2 * erzeugt und ist eine molekulare Bandenstrahlung mit einem breiten
Spektrum im Bereich um 172 nm.
Mit dieser Lampentechnologie werden auch schon Entladungseffizienzen ηdis von 65%
erreicht.
Ein weiterer Vorteil der Xenon-Niederdruckgasentladungslampe ist die kurze Ansprechzeit
der Gasentladung, die sie als Signallampe für Automobile, als Lampe für Kopier- und
Faxgeräte und als Wasserdesinfektionslampe interessant macht.
Aber obwohl die Xenon-Niederdruckgasentladungslampe eine Entladungseffizienz ηdis
erreicht, die mit der der Quecksilbergasentladungslampe vergleichbar ist, ist die Lampen
effizienz ηlamp der Xenon-Niederdruckgasentladungslampe noch deutlich niedriger als die
der Quecksilbergasentladungslampe.
Grundsätzlich setzt sich die Lampeneffizienz ηlamp aus den Komponenten Entladungs
effizienz ηdis, Leuchtstoffeffizienz ηphos, dem Anteil des erzeugten sichtbaren Lichtes, das
die Lampe verlässt ηesc und dem Anteil ηvuv der UV-Strahlung, die vom Leuchtstoff erzeugt
wird, zusammen:
ηlamp = ηdis.ηphos.ηesc.ηvuv
Eine Handicap der herkömmlichen Xenon-Niederdruckgasentladungslampe liegt in der
vom Prinzip her ineffektiven Umwandlung eines energiereichen VUV-Photons mit einer
Wellenlängen von etwa 172 nm in ein vergleichsweise energiearmes Photon aus dem
sichtbaren Spektrum von 400 bis 700 nm durch die Leuchtstoffbeschichtung der Lampe.
Selbst wenn die Quantenausbeute des Leuchtstoffs bei 100% liegt, wird durch die
Konversion eines VUV-Photons in eine sichtbares Photon durchschnittlich 65% der
Energie durch strahlenlose Übergänge verloren.
Überraschenderweise ist es jedoch bereits gelungen, VUV-Leuchtstoffe zu entwickeln, die
eine Quantenausbeute von mehr als 100% für die Umwandlung von VUV-Photonen in
sichtbare Photonen erreichen. Diese Quantenausbeute wird dadurch erzielt, dass ein VUV-
Quant mit einer Elektronenenergie von 7.3 eV in zwei sichtbare Quanten mit einer
Elektronenenergie um 2.5 eV konvertiert wird. Derartige Leuchtstoffe für Xenon
Niederdruckgasentladungslampen sind beispielsweise aus Rene T. Wegh, Harry Donker,
Koentraad D. Oskam, Andries Meijerink "Visible Quantum Cutting in LiGdF4:Eu3+
through Downconversion" Science 283, 663, bekannt.
In Analogie zu den schon länger bekannten Multiphotonen-Leuchtstoffen, die durch "Up-
conversion" aus zwei sichtbaren langwelligen Photonen ein kurzwelliges Photon erzeugen,
werden diese neuen Leuchtstoffe, die aus einem kurzwelligen Photon zwei langweilige
Photonen erzeugen, als Down-Conversion-Leuchtstoffe bezeichnet.
Aber obwohl die Quantenausbeute der bekannten Down-Conversion-Leuchtstoffe hoch
ist, bedeutet dies nicht, dass dadurch auch die Leuchtstoffeffizienz ηphos hoch ist. Für die
Leuchtstoffeffizienz ηphos spielt nicht nur die Quantenausbeute, sondern auch die Fähigkeit
des Leuchtstoffes, die zu konvertierende VUV-Strahlung zu absorbieren, eine Rolle. Das
Absorptionsvermögen der bekannten Down-Conversion-Leuchtstoffe ist jedoch recht
schwach. Es wird zuviel Energie durch unerwünschte Absorptionen im Gitter verloren und
dadurch die Besetzung der angeregten Zustände vermindert.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Gasentladungslampe, ausgerüstet mit
einem Gasentladungsgefäß, gefüllt mit einer Gasfüllung, die geeignet ist für eine Gasent
ladung, die VUV-Strahlung emittiert, mit einer Leuchtstoffbeschichtung, die einen Down-
Conversion-Leuchtstoff enthält, und mit Mitteln zur Zündung und Aufrechterhaltung
einer Gasentladung, mit verbesserter Effizienz zur Verfügung zu stellen.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch eine Gasentladungslampe, ausgerüstet mit
einem Gasentladungsgefäß, gefüllt mit einer Gasfüllung, die geeignet ist, eine Gasent
ladung, die VUV-Strahlung emittiert, zu unterstützen, mit einer Leuchtstoffbeschichtung,
die einen Down-Conversion-Leuchtstoff enthält, und mit Mitteln zur Zündung und
Aufrechterhaltung einer Gasentladung, bei der der Down-Conversion-Leuchtstoff ein Paar
von Aktivatoren aus einem ersten Lanthanoiden-Ion und einem zweiten Lanthanoiden-Ion
und einen Sensibilisator, ausgewählt aus der Gruppe des Thallium(I)-Ions, des Blei(II)-Ions
und des Bismut(III)-Ions enthält.
Besonders vorteilhafte Wirkungen gegenüber dem Stand der Technik entfaltet die
Erfindung, wenn das erste Lanthanoiden-Ion das Gadolinium(III)-Ion und das zweite
Lanthanoiden-Ion aus dem Holmium(III)-Ion und dem Europium(III)-Ion ausgewählt ist.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Down-Conversion-
Leuchtstoff als das erste Lanthanoiden-Ion das Gadolinium(III)-Ion und als das zweite
Lanthanoiden-Ion Holmium(III)-Ion und einen Coaktivator, ausgewählt aus der Gruppe
des Terbium(III)-Ions, des Ytterbium(III)-Ions, des Dysprosium(III)-Ions, des
Europium(III)-Ions, Samarium(III)-Ions und des Mangan(II)-Ions enthält.
Es kann auch bevorzugt sein, dass das Wirtsgitter des Down-Conversion-Leuchtstoffs ein
Fluorid ist.
Es ist besonders bevorzugt, dass der Down-Conversion-Leuchtstoff das erste
Lanthanoiden-Ion in einer Konzentration von 10.0 bis 99.98 Mol-%, das zweite
Lanthanoiden-Ion in einer Konzentration von 0.01 bis 30.0 Mol-% und den Sensibilisator
in einer Konzentration von 0.01 bis 30.0 Mol-% enthält.
Nach einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Gasentladungslampe enthält der
Down-Conversion-Leuchtstoff den Sensibilisator in einer Konzentration von 0.5 Mol-%.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung enthält der Down-Conversion-
Leuchtstoff den Coaktivator in einer Konzentration von 0.01 bis 30.0 Mol-%.
Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung enthält der Down-Conversion-
Leuchtstoff den Coaktivator in einer Konzentration von 0.5 Mol-%.
Die Erfindung betrifft auch einen Down-Conversion-Leuchtstoff, der in einem Wirtsgitter
ein Paar von Aktivatoren aus einem ersten Lanthanoiden-Ion und einem zweiten
Lanthanoiden-Ion und einen Sensibilisator, ausgewählt aus der Gruppe des Thallium(I)-
Ions, des Blei(II)-Ions und des Bismut(III)-Ions enthält.
Der Leuchtstoff zeichnet sich durch eine hohe Quantenausbeute, eine hohe Absorption
von VUV-Photonen und außerdem eine hohe chemische Beständigkeit aus und ist daher
für kommerzielle Anwendungen, auch in Plasmabildschirmen, besonders geeignet. Ein
derartiger Leuchtstoff kann vorteilhaft auch für Signallampen in Automobilen eingesetzt
werden.
Nachfolgend wird die Erfindung weiter erläutert.
Eine Gasentladungslampe nach der Erfindung umfasst ein Gasentladungsgefäß mit einer
Gasfüllung und mit mindestens einer Wandung, die eine für sichtbare Strahlung
mindestens teilweise transparente Fläche mit einer Leuchtstoffschicht aufweist. Die
Leuchtstoffschicht enthält eine Leuchtstoffzubereitung mit einem aus einem anorga
nischen, kristallinen Wirtsgitter, der seine Leuchtfähigkeit durch eine Aktivierung durch
ein Aktivatorpaar aus einem ersten und einem zweiten Lanthanoiden-Ion erworben hat.
Der Down-Conversion-Leuchtstoff wird durch einen Sensibilisator aus der Gruppe des
Thallium(I)-Ions, des Blei(II)-Ions und des Bismut(III)-Ions sensibilisiert. Außerdem ist
die Gasentladungslampe mit einer Elektrodenstruktur zur Zündung der Gasentladung und
mit weiteren Mitteln zur Zündung und Aufrechterhaltung der Gasentladung ausgerüstet.
Bevorzugt ist die Gasentladungslampe eine Xenon-Niederdruckgasentladungslampe. Es
sind verschiedene Typen von Xenon-Niederdruckgasentladungslampen bekannt, die sich
durch die Zündung der Gasentladung unterscheiden. Das Spektrum der Gasentladung
enthält zunächst einen hohen Anteil an für das menschliche Auge unsichtbarer VUV-
Strahlung, die innerhalb der Beschichtung mit VUV-Leuchtstoffen auf der Innenseite des
Gasentladungsgefäßes in sichtbares Licht umgewandelt und abgestrahlt wird.
Im folgenden soll unter Vakuum-Ultraviolettstrahlung elektromagnetische Strahlung mit
einer maximalen Emission in einem Wellenlängenbereich zwischen 145 und 185 nm
verstanden werden.
In einer typische Bauform für die Gasentladungslampe besteht diese aus einem
zylindrischen, mit Xenon gefüllten Lampenkolben aus Glas, auf dessen Wandung außen
ein Paar streifenförmiger Elektroden elektrisch isoliert voneinander angeordnet ist. Die
streifenförmigen Elektroden erstrecken sich über die gesamte Länge des Lampenkolbens,
wobei sie sich mit ihren Längsseiten unter Freilassung von zwei Spalten gegenüberliegen.
Die Elektroden sind an die Pole einer Hochspannungsquelle angeschlossen, die mit einer
Wechselspannung in der Größenordnung von 20 kHz bis 500 kHz derart betrieben wird,
dass sich eine elektrische Entladung nur im Bereich der inneren Oberfläche des
Lampenkolbens bildet.
Wenn eine Wechselstromspannung an die Elektroden angelegt wird, kann in dem xenon
haltigen Füllgas eine stille elektrische Ladung gezündet werden. Dadurch bilden sich im
Xenon Excimere, d. h. Moleküle, die aus einem angeregten Xenon-Atom und einem
Xenon-Atom im Grundzustand bestehen.
Xe + X* = Xe2 *
Die Anregungsenergie wird als VUV-Strahlung mit einer Wellenlänge von λ = 170 bis 190 nm
wieder abgegeben. Diese Umwandlung von Elektronenenergie in UV-Strahlung erfolgt
sehr effizient. Die erzeugten VUV-Photonen werden von den Leuchtstoffen der Leucht
stoffschicht absorbiert und die Anregungsenergie wird in dem längerwelligen Bereich des
Spektrums teilweise wieder abgegeben.
Grundsätzlich sind für das Entladungsgefäß eine Vielzahl von Bauformen wie Platten,
einfache Rohre, Koaxialrohre, gerade, u-förmig, kreisförmig gebogene oder gewendelte,
zylinderförmige oder anders geformte Entladungsröhren möglich.
Als Material für das Entladungsgefäßes werden Quarz oder Glassorten verwendet.
Die Elektroden bestehen aus einem Metall, z. B. Aluminium oder Silber, einer Metall
legierung oder aus einer transparenten leitfähigen anorganischen Verbindung z. B. ITO.
Sie können als Beschichtung, als aufgeklebte Folie, als Draht oder als Drahtnetz ausgebildet
sein.
Das Entladungsgefäß ist mit einem Gasgemisch, das ein Edelgas wie Xenon, Krypton,
Neon oder Helium enthält, gefüllt. Gasfüllungen, die überwiegend aus sauerstofffreiem
Xenon von niedrigem Gasdruck, z. B. 2 Torr, bestehen, sind bevorzugt. Die Gasfüllung
kann auch eine kleine Menge Quecksilber enthalten, um während der Entladung einen
niedrigen Gasdruck aufrecht zu erhalten.
Die Innenwandung des Gasentladungsgefäßes ist teilweise oder ganz mit einer Leuchtstoff
schicht, die ein oder auch mehrere Leuchtstoffe bzw. Leuchtstoffzubereitungen enthält,
beschichtet. Weiterhin kann die Leuchtstoffschicht noch organisches oder anorganisches
Bindemittel oder eine Bindemittelzusammensetzung enthalten.
Die Leuchtstoffbeschichtung ist bevorzugt auf der Innenwand des Gasentladungsgefäßes
als Substrat aufgebracht und kann eine einzelne Leuchtstoffschicht oder mehrere Leucht
stoffschichten, insbesondere Doppelschichten aus Grund- und Deckschicht, umfassen.
Eine Leuchtstoffbeschichtung mit Grund- und Deckschicht erlaubt es, die Menge des
Down-Conversion-Leuchtstoffs in der Deckschicht zu reduzieren und in der Grundschicht
einen weniger kostspieligen Leuchtstoff zu verwenden. Die Grundschicht enthält bevor
zugt als Leuchtstoff ein Calciumhalophosphat-Leuchtstoff, der ausgewählt ist, um den
gewünschten Farbton der Lampe zu erreichen.
Die Deckschicht enthält den Down-Conversion-Leuchtstoff, der so einen wesentlichen
Teil der von der Gasentladung erzeugten VUV-Strahlung direkt in die gewünschte
Strahlung im sichtbaren Bereich umzuwandeln.
Ein wesentliches Merkmal des erfindungsgemäßen Down-Conversion-Leuchtstoffs ist es,
dass er ein Paar von Aktivatoren aus einem ersten und einem zweiten Lanthanoiden-Ion
und einen Sensibilisator in einem Wirtsgitter enthält.
Das erste Lanthanoiden-Ion des Aktivatorpaars ist bevorzugt das Gadolinium(III)ion, das
zweite Lanthanoidion des Aktivatorpaars kann ausgewählt sein aus Holmium(III)ion und
Europium(III)ion.
Der Sensibilisator ist ausgewählt aus der Gruppe des Thallium(I)-Ions, des Blei(II)-Ions
und des Bismut(III)-Ions. Allgemein bezeichnet man diese Ionen auch entsprechend ihrer
Elektronenkonfiguration auch als 6 s2-Ionen.
Der Sensibilisator verstärkt die Empfindlichkeit des Down-Conversion-Leuchtstoffs für
VUV-Strahlung und macht sie weniger wellenlängenabhängig. Er hat eine starke
Eigenabsorption im gewünschten VUV-Bereich von 100 bis 200 nm, der oberhalb der
Eigenabsorption der nicht sensibilisierten Down-Conversion-Leuchtstoffe bei 183, 195
und 202 nm liegt. Die Weiterleitung der Anregungsenergie zum Aktivatorpaar ist mit
Verlusten behaftet, weil Gitterstörungen die das Gitter durchquerenden Anregungszu
stände zur Abgabe von Energie an das Gitter in Form von Wärmeschwingungen veran
lassen. Dann wird die reduzierte absorbierte Anregungsenergie an den Aktivator weiter
gegeben und löst den Down-Conversion-Mechanismus aus. Der Down-Conversion-
Leuchtstoff luminesziert somit verstärkt, weil er durch den Sensibilisator zur Lumineszenz
fähigkeit unter VUV-Strahlung "sensibilisiert" worden ist.
Der Down-Conversion-Leuchtstoff kann auch noch einen Coaktivator enthalten. Der
Coaktivator ist ausgewählt aus der Gruppe der dreiwertigen Ionen des Terbiums,
Ytterbiums, Dysprosiums, Europiums und Samariums und des zweiwertigen Ions des
Mangans. Das Paar von Aktivatoren aus einem ersten Lanthanoiden-Ion und einem
zweiten Lanthanoiden-Ion und das Coaktivator-Ion wirkt zusammen bei der sequentiellen
Emission von Photonen, mit der der Leuchtstoff mehr als ein sichtbares Photon aus einem
VUV Photon erzeugt.
Der Anregungsmechanismus kann erfolgen durch eine 8S-6G-Anregung des
Gadolinium(III)-Ions, der ein Cross-relaxation-Übergang zwischen dem Gd(III)-Ion und
dem Holmium(III)-ion oder des Europium(IIII)-Ions folgt. Durch den Cross-Relaxation-
Übergang geht das Gadolinium(III)-ion vom 6G-Zustand in den 6P-Zustand über, durch
die freiwerdende Energie geht das Holmium(III)-Ion oder das Europium(III)-Ion vom 5I8-
Zustand in den 5F5-Zustand über. Anschließend emittiert das Holmium(III)-Ion oder das
Europium(III)-Ion ein sichtbares Photon, dessen Energie dem Übergang von 5F5 nach 5I8
bzw. 5D0 nach 7F1 entspricht.
Nach einem Energietransfer vom 6P-Zustand des Gadolinium(III)ions auf den Coaktivator
emittiert dieser ebenfalls ein sichtbares Photon.
Das Wirtsgitter des Down-Conversion-Leuchtstoffs kann aus einem anorganischen Mate
rial wie Fluoride, Oxide, Halogenide, Aluminate, Gallate, Phosphate, Borate oder Silikate
bestehen, das mit einigen Prozenten der beiden Aktivatoren dotiert ist. Dabei können die
Aktivatoren auf Gitterplätzen oder auf Zwischengitterplätzen des Wirtsgitters angeordnet
sein.
Bevorzugt sind Fluoride als Wirtsgitter, wie z. B. Fluoride der Zusammensetzung M1F mit
M1 = Li, Na, K, Rb, Cs oder Fluoride der Zusammensetzung M2F2 mit M2 = Mg, Ca, Sr,
Ba oder Fluoride der Zusammensetzung M3F3 mit M3 = B, Al, In, Ga, Sc, Y, La, und den
Lanthanoiden. Besonders bevorzugt ist GdF3, in dem das erste Lanthanoidaktivatorion
Gd3+ Bestandteil des Wirtsgitters ist.
Weiterhin sind als Wirtsgitter ternäre gadoliniumhaltige Fluoride der Zusammensetzung
M1GdF4, M1 2GdF5, M1 3GdF6, M1Gd2F7, M1Gd3F10, M1 5Gd9F32, mit M1 = Li, Na, K, Rb,
Cs oder M2GdF5, M2 2GdF7, M2 3GdF9, M2Gd2F8, M2Gd3F11, M2Gd4F14, M2 13Gd6F43 mit
M2 = Mg, Ca, Sr, Ba, Mn, Zn, in denen ebenfalls Gadolinium Bestandteil des Wirtsgitters
ist, bevorzugt.
Ebenso sind als Wirtsgitter Fluoride der Zusammensetzung M1M3F4, M1 2M3F5, M1 3M3F6,
M1M3 2F7, M1M3 3F10, M1 5M3 9F32 mit M1 = Li, Na, K, Rb, Cs und mit M3 = B, Al, In, Ga,
Sc, Y, La, und den Lanthanoiden, M2M3F5, M2 2M3F7, M2 3M3F9, M2M3 2F8, M2M3 3F11,
M2M3 4F14, M2 13M3 6F43 mit M2 = Mg, Ca, Sr, Ba, Mn, Zn und M3 = B, Al, In, Ga, Sc, Y,
La, und den Lanthanoiden; M3M4F7, M3 2M4F10, M3 3M4F13, M3M4 2F11, M3M4 3F15,
M3M4 4F19 mit M3 = B, Al, In, Ga, Sc, Y, La, und den Lanthanoiden und M4 = Ti, Zr, Si,
Ge, Sn, Pb, bevorzugt.
Besonders bevorzugte Wirtsgitter sind Fluoride, deren Wirtsgitter auf dem Calciumfluorit-
Kristallgittertyp basiert. In diesen Gittern haben die Kationen eine 8fache Koordination.
Ebenfalls besonders bevorzugt sind Fluoride deren Gitter sich von YF3-Kristallgittertyp
herleitet, in dem die Kationen eine 9fache Koordination haben. Durch die hohen Koor
dinationszahlen und die unpolaren Liganden zeichnen sich diese Wirtsgitter durch ein
niedriges Ligandenfeld für Kationen, die Bestandteil des Wirtsgitters sind, aus.
Die mit dem Aktivatorpaar dotierten Leuchtstoffe enthalten bevorzugt 10 bis 99,8 Mol-%
des dreiwertigen Gd3+ und 0.01 bis 30 Mol-%, besonders bevorzugt 1.0 Mol-% des drei
wertigen Holmiums oder des dreiwertigen Europiums.
Der Down-Conversion-Leuchtstoff kann leicht mit den dreiwertigen Coaktivatoren
Terbium, Ytterbium, Dysprosium, Europium, Samarium oder Mangan dotiert werden,
wenn man bei der Herstellung der Leuchtstoffe den Ausgangsverbindungen ein Fluorid
ausgewählt aus der Gruppe TbF3, YbF3, DyF3, EuF3, SmFe oder MnF2 zufügt.
Der Absorptionskoeffizient der erfindungsgemäßen sensibilisierten Down-Conversion-
Leuchtstoffe ist für die Wellenlängen im Bereich der Xenonstrahlung besonders groß und
die Quantenausbeute hoch. Das Wirtsgitter beteiligt sich nicht an dem Lumineszenz
prozess, es beeinflusst aber die genaue Lage der Energieniveaus der Aktivatorionen, und
infolgedessen die Wellenlängen von Absorption und Emission. Die Emissionsbanden liegen
im Bereich vom langen Ultraviolett bis zum Gelborange, jedoch überwiegend im roten und
grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums. Die Löschtemperatur dieser
Leuchtstoffe liegt bei über 100°C.
Die Korngröße der Leuchtstoffpartikel ist nicht kritisch. Üblicherweise werden die Leucht
stoffe als feinkörnige Pulver mit einer Korngrößenverteilung zwischen 1 und 20 µm ver
wendet.
Als Herstellungsverfahren für Leuchtstoffschicht auf einer Wandung des Entladungs
gefäßes kommen sowohl Trockenbeschichtungsverfahren, wie z. B. elektrostatische Ab
scheidung oder elektrostatisch unterstütztes Bestäuben, als auch ein Nassbeschichtungs
verfahren wie z. B. Tauchen oder Sprühen in Betracht.
Für Nassbeschichtungsverfahren muss die Leuchtstoffzubereitung in Wasser, einem
organischen Lösemittel, gegebenenfalls zusammen mit einem Dispergiermittet einem
Tensid und einem Antischaummittel, oder einer Bindemittelzubereitung dispergiert
werden. Geeignet für Bindemittelzubereitungen für eine Gasentladungslampe nach der
Erfindung sind organische oder anorganische Bindemittel, die einer Betriebstemperatur
von 250°C ohne Zersetzung, Versprödung oder Verfärbung überstehen.
Beispielsweise kann die Leuchtstoffrubereitung auf eine Wandung des Entladungsgefäßes
mittels eines Flow Coating-Verfahrens aufgebracht werden. Die Beschichtungssuspen
sionen für das Flow-Coating-Verfahren enthalten Wasser oder eine organischen Ver
bindung wie Butylacetat als Lösungsmittel. Die Suspension wird durch Zugabe von
Hilfsmitteln, wie Stabilisatoren, Verflüssigern Cellulosederivaten, stabilisiert und in ihren
rheologischen Eigenschaften beeinflusst. Die Leuchtstoffsuspension wird als dünne Schicht
auf die Gefäßwände aufgebracht, getrocknet und bei 600°C eingebrannt.
Es kann auch bevorzugt sein, dass die Leuchtstoffzubereitung für die Leuchtstoffschicht
elektrostatisch auf der Innenseite des Entladungsgefäßes abgeschieden wird.
Für eine Gasentladungslampe, die weißes Licht abstrahlen soll, werden bevorzugt ein
blauemittierender Leuchtstoff aus der Gruppe BaMgAl10O17:Eu2 und Sr5(PO4)3Cl:Eu2+
mit einem rotemittierenden Leuchtstoff aus der Gruppe Rb Gd2F7:Eu,Tl; KMgF3:Eu,Pb;
BaGd2F8:Eu,Pb; KGd2F7:Eu,Bi und einem grünemittierenden Leuchtstoff aus der Gruppe
(Y,Gd)BO3:Tb und LaPO4:Ce,Tb oder mit einem grün-roten Leuchtstoff wie
LiGdF4:Ho,Tb,Tl kombiniert.
Die Leuchtstoffschicht hat üblicherweise eine Schichtdicke von 5 bis 100 µm.
Das Gefäß wird dann evakuiert, um alle gasförmigen Verunreinigungen, insbesondere
Sauerstoff zu entfernen. Anschließend wird das Gefäß mit Xenon gefüllt und verschlossen.
Ein zylindrisches Entladungsgefäß aus Glas mit eine Länge von 590 mm, einem Durchmesser
von 24 mm und einer Wandstärke von 0,8 mm wird mit Xenon bei einem Druck
von 200 hPa gefüllt. Das Entladungsgefäß enthält eine achsparallele Innenelektrode in
Form eines Edelmetallstabs mit 2,2 mm Durchmesser. Auf der Außenfläche des Ent
ladungsgefäßes befindet sich die Außenelektrode aus zwei 2 mm breiten Streifen aus
Leitsilber, die achsparallel angeordnet und mit der Spannungsversorgung leitend ver
bunden sind. Die Lampe wird mit gepulster Gleichspannung betrieben.
Die Innenwand des Entladungsgefäßes ist mit einer Leuchtstoffschicht beschichtet.
Die Leuchtstoffschicht enthält ein Dreibandenleuchtstoffgemisch mit folgenden
Komponenten: BaMgAl10O17:Eu2+ als blaue Komponente und LiGdF4:Ho,Tb,Tl als grün-
rote Komponente.
Zur Herstellung des LiGdF4:Ho,Tb,Tl mit 1,0 Mol-% Holmium und 0,5 Mol-% Terbium
und 2,0 Mol-% Thallium werden 29.55 g GdF3, 3,83 g LiF, 0.31 g HoF3, 0.15 g TbF3
und 0.63 g TIF3 gründlich gemischt und in einem Achatmörser gemahlen. Die Mischung
wird in einem Korundtiegel in einem Quarzrohr unter Atmosphäre aus Argon mit einem
Druck von 8 hPa für 2 h bei 300°C vorgebrannt. Während des Brennen wurde das
Quarzrohr 3mal mit Argon gespült und wieder auf 8 hPa evakuiert. Anschließend wurde
die Ofentemperatur mit einer Geschwindigkeit von 5,5°C/min auf 650°C erhöht und die
Mischung 8 h bei 650°C gesintert. Das gesinterte Pulver wird erneut gemahlen und auf
eine Korngröße < 40 µm gesiebt. Die Kristallstruktur der gebildeten Phase wurde
röntgendiffraktometrisch überprüft.
Damit wurde eine Lichtausbeute von anfangs 37 lm/W erzielt. Nach 1000 Betriebsstunden
lag die Lichtausbeute bei 34 lm/W. Die Quantenausbeute für VUV-Licht liegt bei 70%
Ein zylindrisches Entladungsgefäß aus Glas mit eine Länge von 590 mm, einem Durch
messer von 24 mm und einer Wandstärke von 0,8 mm wird mit Xenon bei einem Druck
von 200 hPa gefüllt. Das Entladungsgefäß enthält eine achsparallele Innenelektrode in
Form eines Edelmetallstabs mit 2,2 mm Durchmesser. Auf der Außenfläche des Entladungsgefäßes
befindet sich die Außenelektrode aus zwei 2 mm breiten Streifen aus Leit
silber, die achsparallel angeordnet und mit der Spannungsversorgung leitend verbunden
sind. Die Lampe wird mit gepulster Gleichspannung betrieben.
Die Innenwand des Entladungsgefäßes ist mit einer Leuchtstoffschicht beschichtet.
Die Leuchtstoffschicht enthält ein Dreibandenleuchtstoffgemisch mit folgenden Kompo
nenten: BaMgM10O17:Eu2+ als blaue Komponente, LaPO4:Ce,Tb als grüne Komponente
und KGd2F7:Eu,Bi als rote Komponente.
Zur Herstellung des KGd2F7:Eu,Bi mit 1,0 Mol-% Europium und 5,0 Mol Bismut werden
29.70 g GdF3, 0,29 g EuF3, 4,27 g KF und 1,86 g BiF3 gründlich gemischt und in einem
Achatmörser gemahlen. Die Mischung wird in einem Korundtiegel in einem Quarzrohr
unter Atmosphäre aus Argon mit einem Druck von 8 hPa für 2 h bei 300°C vorgebrannt.
Während des Brennen wurde das Quarzrohr 3mal mit Argon gespült und wieder auf 8 hPa
evakuiert. Anschließend wurde die Ofentemperatur mit einer Geschwindigkeit von 5,5
°C/min auf 650°C erhöht und die Mischung 8 h bei 650°C gesintert. Das gesinterte
Pulver wird erneut gemahlen und auf eine Korngröße < 40 µm gesiebt. Die Kristall
struktur der gebildeten Phase wurde röntgendiffraktometrisch überprüft.
Damit wurde eine Lichtausbeute von anfangs 37 lm/W erzielt. Nach 1000 Betriebsstunden
lag die Lichtausbeute bei 34 lm/W. Die Quantenausbeute für VUV-Licht liegt bei 70%
Ein zylindrisches Entladungsgefäß aus Glas mit eine Länge von 590 mm, einem Durch
messer von 24 mm und einer Wandstärke von 0,8 mm wird mit Xenon bei einem Druck
von 200 hPa gefüllt. Das Entladungsgefäß enthält eine achsparallele Innenelektrode in
Form eines Edelmetallstabs mit 2,2 mm Durchmesser. Auf der Außenfläche des Ent
ladungsgefäßes befindet sich die Außenelektrode aus zwei 2 mm breiten Streifen aus
Leitsilber, die achsparallel angeordnet und mit der Spannungsversorgung leitend ver
bunden sind. Die Lampe wird mit gepulster Gleichspannung betrieben.
Die Innenwand des Entladungsgefäßes ist mit einer Leuchtstoffschicht beschichtet.
Die Leuchtstoffschicht enthält ein Dreibandenleuchtstoffgemisch mit folgenden Kompo
nenten: BaMgAl10O17:Eu2+ als blaue Komponente, LaPO4:Ce,Tb als grüne Komponente
und BaGd2Fg:Eu,Pb als rote Komponente.
Zur Herstellung des BaGd2F8:Eu,Pb mit 1,0 Mol-% Europium und 1,0 Mol Blei werden
29.70 g GdF3, 0,29 g EuF3, 12,88 g BaF2 und 0,34 g PbF2 gründlich gemischt und in
einem Achatmörser gemahlen. Die Mischung wird in einem Korundtiegel in einem
Quarzrohr unter Atmosphäre aus Argon mit einem Druck von 8 hPa für 2 h bei 300°C
vorgebrannt. Während des Brennen wurde das Quarzrohr 3mal mit Argon gespült und
wieder auf 8 hPa evakuiert. Anschließend wurde die Ofentemperatur mit einer
Geschwindigkeit von 5,5°C/min auf 650°C erhöht und die Mischung 8 h bei 650°C
gesintert. Das gesinterte Pulver wird erneut gemahlen und auf eine Korngröße < 40 µm
gesiebt. Die Kristallstruktur der gebildeten Phase wurde röntgendiffraktometrisch
überprüft.
Damit wurde eine Lichtausbeute von anfangs 37 lm/W erzielt. Nach 1000 Betriebsstunden
lag die Lichtausbeute bei 34 lm/W. Die Quantenausbeute für VUV-Licht liegt bei 70%
Ein zylindrisches Entladungsgefäß aus Glas mit eine Länge von 590 mm, einem Durch
messer von 24 mm und einer Wandstärke von 0,8 mm wird mit Xenon bei einem Druck
von 200 hPa gefüllt. Das Entladungsgefäß enthält eine achsparallele Innenelektrode in
Form eines Edelmetallstabs mit 2,2 mm Durchmesser. Auf der Außenfläche des Ent
ladungsgefäßes befindet sich die Außenelektrode aus zwei 2 mm breiten Streifen aus
Leitsilber, die achsparallel angeordnet und mit der Spannungsversorgung leitend
verbunden sind. Die Lampe wird mit gepulster Gleichspannung betrieben.
Die Innenwand des Entladungsgefäßes ist mit einer Leuchtstoffschicht beschichtet.
Die Leuchtstoffschicht enthält ein Dreibandenleuchtstoffgemisch mit folgenden Kompo
nenten: BaMgAl10O17:Eu2+ als blaue Komponente, LaPO4:Ce,Tb als grüne Komponente
und KMgF3:Eu,Pb als rote Komponente.
Zur Herstellung des KMgF3:Eu,Pb mit 1,0 Mol-% Europium und 1,0 Mol Blei
werden 30,00 MgF2, 1,00 g EuF3, 30,87 g KF und 1,18 g PbF2 gemischt und in einem
Achatmörser gemahlen. Die Mischung wird in einem Korundtiegel in einem Quarzrohr
unter Atmosphäre aus Argon mit einem Druck von 8 hPa für 2 h bei 300°C vorgebrannt.
Während des Brennen wurde das Quarzrohr 3mal mit Argon gespült und wieder auf 8 hPa
evakuiert. Anschließend wurde die Ofentemperatur mit einer Geschwindigkeit von 5,5
°C/min auf 650°C erhöht und die Mischung 8 h bei 650°C gesintert. Das gesinterte
Pulver wird erneut gemahlen und auf eine Korngröße < 40 µm gesiebt. Die Kristall
struktur der gebildeten Phase wurde röntgendiffraktometrisch überprüft.
Damit wurde eine Lichtausbeute von anfangs 37 lm/W erzielt. Nach 1000 Betriebsstunden
lag die Lichtausbeute bei 34 lm/W. Die Quantenausbeute für VUV-Licht liegt bei 70%
Ein zylindrisches Entladungsgefäß aus Glas mit eine Länge von 590 mm, einem Durch
messer von 24 mm und einer Wandstärke von 0,8 mm wird mit Xenon bei einem Druck
von 200 hPa gefüllt. Das Entladungsgefäß enthält eine achsparallele Innenelektrode in
Form eines Edelmetallstabs mit 2,2 mm Durchmesser. Auf der Außenfläche des Ent
ladungsgefäßes befindet sich die Außenelektrode aus zwei 2 mm breiten Streifen aus
Leitsilber, die achsparallel angeordnet und mit der Spannungsversorgung leitend
verbunden sind. Die Lampe wird mit gepulster Gleichspannung betrieben.
Die Innenwand des Entladungsgefäßes ist mit einer Leuchtstoffschicht beschichtet.
Die Leuchtstoffschicht enthält ein Dreibandenleuchtstoffgemisch mit folgenden Kompo
nenten: BaMgAl10O17:Eu2+ als blaue Komponente, LaPO4:Ce,Tb als grüne Komponente
und RbGd2F7:Eu, als rote Komponente.
Zur Herstellung des RbGd2F7;Eu,Tl mit 1,0 Mol-% Europium und 2,0 Mol Thallium
werden 29.70 g GdF3, 0,29 g EuF3, 8,02 g RbF und 0,31 TlF gründlich gemischt und in
einem Achatmörser gemahlen. Die Mischung wird in einem Korundtiegel in einem
Quarzrohr unter Atmosphäre aus Argon mit einem Druck von 8 hPa für 2 h bei 300°C
vorgebrannt. Während des Brennen wurde das Quarzrohr 3mal mit Argon gespült und
wieder auf 8 hPa evakuiert. Anschließend wurde die Ofentemperatur mit einer
Geschwindigkeit von 5,5°C/min auf 650°C erhöht und die Mischung 8 h bei 650°C
gesintert. Das gesinterte Pulver wird erneut gemahlen und auf eine Korngröße < 40 µm
gesiebt. Die Kristallstruktur der gebildeten Phase wurde röntgendiffraktometrisch
überprüft.
Damit wurde eine Lichtausbeute von anfangs 37 lm/W erzielt. Nach 1000 Betriebsstunden
lag die Lichtausbeute bei 34 lm/W. Die Quantenausbeute für VUV-Licht liegt bei 70%
Claims (9)
1. Gasentladungslampe, ausgerüstet mit einem Gasentladungsgefäß, gefüllt mit einer
Gasfüllung, die geeignet ist für eine Gasentladung, die VUV-Strahlung emittiert, mit einer
Leuchtstoffbeschichtung, die einen Down-Conversion-Leuchtstoff enthält, und mit
Mitteln zur Zündung und Aufrechterhaltung einer Gasentladung, bei der der Down-
Conversion-Leuchtstoff in einem Wirtsgitter ein Paar von Aktivatoren aus einem ersten
Lanthanoid-Ion und einem zweiten Lanthanoid-Ion und einen Sensibilisator, ausgewählt
aus der Gruppe des Thallium(I)-Ions, des Blei(II)-Ions und des Bismut(III)-Ions enthält.
2. Gasentladungslampe gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass das erste Lanthanoiden-Ion das Gadolinium(III)-Ion und das zweite Lanthanoiden-Ion
ausgewählt ist aus Holmium(III) und Europium(III).
3. Gasentladungslampe gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Down-Conversion-Leuchtstoff als das erste Lanthanoiden-Ion das
Gadolinium(III)-Ion und als das zweite Lanthanoiden-Ion Holmium(III)-Ion oder das
Europium(III)-Ion und einen Coaktivator
ausgewählt aus der Gruppe des Terbium(III)-Ions, des Ytterbium(III)-Ions, des
Dysprosium(III)-Ions, des Europium(II)-Ions, Samarium(II)-Ions und des Mangan(II)-
Ions enthält.
4. Gasentladungslampe gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Wirtsgitter des Down-Conversion-Leuchtstoffs ein Fluorid ist.
5. Gasentladungslampe gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Down-Conversion-Leuchtstoff das erste Lanthanoiden-Ion in einer Konzentration
von 10 bis 99.98 Mol %, das zweite Lanthanoiden-Ion in einer Konzentration von 0.01
bis 30 Mol-% und den Sensibilisator in einer Konzentration von 0.01 bis 30.0 Mol-%
enthält.
6. Gasentladungslampe gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Down-Conversion-Leuchtstoff den Sensibilisator in einer Konzentration von 0.5 Mol-%
enthält.
7. Gasentladungslampe gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Down-Conversion-Leuchtstoff den Coaktivator in einer Konzentration von 0.01
bis 30 Mol-% enthält.
8. Gasentladungslampe gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Down-Conversion-Leuchtstoff den Coaktivator in einer Konzentration von 0.5 Mol-%
enthält.
9. Down-Conversion-Leuchtstoff, der in einem Wirtsgitter ein Paar von Aktivatoren aus
einem ersten Lanthanoiden-Ion und einem zweiten Lanthanoiden-Ion und einen
Sensibilisator, ausgewählt aus der Gruppe des Thallium(I)-Ions, des Blei(II)-Ions und des
Bismut(III)-Ions enthält.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10126159A DE10126159A1 (de) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
| PCT/IB2002/001990 WO2002097859A1 (en) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | Gas discharge lamp with downconversion phosphor |
| DE60229743T DE60229743D1 (de) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | Gasentladungslampe mit abwärtsumsetzungsphosphor |
| CNB028019342A CN1274004C (zh) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | 具有降频转换荧光体的放电灯 |
| US10/479,087 US7141920B2 (en) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | Gas discharge lamp with downconversion phosphor |
| JP2003500947A JP2004527637A (ja) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | ダウンコンバージョン蛍光体を有するガス放電ランプ |
| EP02733114A EP1397826B1 (de) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | Gasentladungslampe mit abwärtsumsetzungsphosphor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10126159A DE10126159A1 (de) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10126159A1 true DE10126159A1 (de) | 2002-12-05 |
Family
ID=7686533
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10126159A Withdrawn DE10126159A1 (de) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
| DE60229743T Expired - Fee Related DE60229743D1 (de) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | Gasentladungslampe mit abwärtsumsetzungsphosphor |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE60229743T Expired - Fee Related DE60229743D1 (de) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | Gasentladungslampe mit abwärtsumsetzungsphosphor |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7141920B2 (de) |
| EP (1) | EP1397826B1 (de) |
| JP (1) | JP2004527637A (de) |
| CN (1) | CN1274004C (de) |
| DE (2) | DE10126159A1 (de) |
| WO (1) | WO2002097859A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005021680A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-10 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Gas discharge lamp with down conversion phosphor |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10238399A1 (de) * | 2002-08-22 | 2004-02-26 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Strahlung |
| US8106586B1 (en) | 2004-04-26 | 2012-01-31 | Imaging Systems Technology, Inc. | Plasma discharge display with fluorescent conversion material |
| US7270773B2 (en) * | 2005-01-10 | 2007-09-18 | General Electric Company | Quantum-splitting fluoride-based phosphors, method of producing, and radiation sources incorporating same |
| US20070007897A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Billings Garth W | Electromagnetic radiation sources and materials for their construction |
| EP1852488A1 (de) * | 2006-05-01 | 2007-11-07 | Association Suisse pour la Recherche Horlogère | Elektrolumineszierende Verbindung |
| EP1837387B1 (de) * | 2006-03-13 | 2011-01-05 | Association Suisse pour la Recherche Horlogère | Phosphoreszierende Verbindungen |
| US8952612B1 (en) | 2006-09-15 | 2015-02-10 | Imaging Systems Technology, Inc. | Microdischarge display with fluorescent conversion material |
| JP5581518B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2014-09-03 | パナソニック株式会社 | 光照射治療・予防用閃光放電管及び光照射治療・予防装置 |
| KR102530756B1 (ko) * | 2016-01-13 | 2023-05-10 | 삼성전자주식회사 | 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 |
| CN113035480B (zh) * | 2021-02-26 | 2022-02-11 | 中国科学院江西稀土研究院 | 一种磁制冷材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915951B2 (ja) * | 1974-12-10 | 1984-04-12 | 松下電器産業株式会社 | ディスプレイ用真空紫外線励起螢光体装置 |
| DE4311197A1 (de) * | 1993-04-05 | 1994-10-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle |
| AU720126B2 (en) * | 1995-04-14 | 2000-05-25 | Kabushiki Kaisha Tokyo Kagaku Kenkyusho | Phosphor with afterglow characteristic |
| US6692660B2 (en) * | 2001-04-26 | 2004-02-17 | Nanogram Corporation | High luminescence phosphor particles and related particle compositions |
| EP1048049B1 (de) * | 1998-10-19 | 2007-01-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lumineszentes material |
| DE10121097A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
| DE10121095A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
| DE10121096A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
-
2001
- 2001-05-30 DE DE10126159A patent/DE10126159A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-05-30 DE DE60229743T patent/DE60229743D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-30 EP EP02733114A patent/EP1397826B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-30 JP JP2003500947A patent/JP2004527637A/ja active Pending
- 2002-05-30 WO PCT/IB2002/001990 patent/WO2002097859A1/en active Application Filing
- 2002-05-30 CN CNB028019342A patent/CN1274004C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-30 US US10/479,087 patent/US7141920B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005021680A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-10 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Gas discharge lamp with down conversion phosphor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004527637A (ja) | 2004-09-09 |
| US20040155569A1 (en) | 2004-08-12 |
| WO2002097859A1 (en) | 2002-12-05 |
| DE60229743D1 (de) | 2008-12-18 |
| US7141920B2 (en) | 2006-11-28 |
| CN1463464A (zh) | 2003-12-24 |
| EP1397826B1 (de) | 2008-11-05 |
| EP1397826A1 (de) | 2004-03-17 |
| CN1274004C (zh) | 2006-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1253624B1 (de) | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff | |
| EP1048620B1 (de) | Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe | |
| EP1271617A2 (de) | Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung | |
| DE10129464A1 (de) | Niederdruckgasentladungslampe mit quecksilberfreier Gasfüllung | |
| DE10057881A1 (de) | Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht | |
| DE10126159A1 (de) | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff | |
| EP1253625B1 (de) | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff | |
| EP2737003B1 (de) | Leuchtstoff mit schutzschicht und leuchtstofflampe denselben enthaltend | |
| EP1254943B1 (de) | Down-Conversion-Leuchtstoff, und Gasentladungslampe mit diesem Leuchtstoff | |
| DE10130330A1 (de) | Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit blauen Leuchtstoff | |
| DE10009916A1 (de) | Plasmabildschirm mit blauem Leuchtstoff | |
| DE10026913A1 (de) | Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht | |
| US4107571A (en) | Light emitting device having luminescent screen with self activated blue light emitting phosphor | |
| US20060290258A1 (en) | Gas discharge lamp with down conversion phosphor | |
| DE102016111534A1 (de) | Niederdruckentlandungslampe |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH, 20 |
|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |