DE10100296A1 - Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderbarer Kapazität, insbesondere Hochfrequenz-Mikroschalter - Google Patents
Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderbarer Kapazität, insbesondere Hochfrequenz-MikroschalterInfo
- Publication number
- DE10100296A1 DE10100296A1 DE10100296A DE10100296A DE10100296A1 DE 10100296 A1 DE10100296 A1 DE 10100296A1 DE 10100296 A DE10100296 A DE 10100296A DE 10100296 A DE10100296 A DE 10100296A DE 10100296 A1 DE10100296 A1 DE 10100296A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrically conductive
- conductive connection
- connection
- capacitor
- signal line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/127—Strip line switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Es wird eine Vorrichtung mit einem Kondensator (200) mit veränderbarer Kapazität C(U) zur Impedanzänderung eines Teilstücks eines koplanaren Wellenleiters vorgeschlagen, die insbesondere als Hochfrequenz-Mikroschalter einsetzbar ist. Dabei ist eine Masseleitung (110, 111) und eine von einer zumindest bereichsweise freitragenden, elektrisch leitenden Verbindung (121) unterbrochene Signalleitung (120) vorgesehen, wobei der Kondensator (200) die elektrisch leitende Verbindung (121) und eine mit der Masseleitung (110, 111) verbundene weitere elektrisch leitende Verbindung (130) umfasst. Weiterhin ist eine mit der elektrisch leitenden Verbindung (121) in Verbindung stehende Struktur (150) vorgesehen, die derart ausgebildet ist, dass sie in der elektrisch leitenden Verbindung (121) auftretende mechanische Spannungen reduziert. Eine weitere Ausgestaltung der vorgeschlagenen Vorrichtung sieht vor, die elektrisch leitende Verbindung (121) aus einem Material mit gegenüber Silizium ähnlichem thermischen Ausdehnungskoeffizienten und gegenüber Metallen hohem Elastizitätsmodul, insbesondere aus Molybdän, Tantal oder Wolfram, auszubilden. Beide Ausführungsformen werden bevorzugt kombiniert.
Description
Die Erfindung betrifft eine insbesondere in Mikromechanik
gefertigte Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderba
rer Kapazität zur Impedanzänderung eines koplanaren Wellen
leiters nach der Gattung der unabhängigen Ansprüche.
In der unveröffentlichten Anmeldung DE 100 37 385.2 ist ein
mikromechanisch gefertigter Hochfrequenz-Schalter beschrie
ben, der eine dünne Metallbrücke aufweist, die auf einer
vorgegebenen Länge in die Signalleitung eines koplanaren
Wellenleiters eingesetzt ist und diese dort unterbricht.
Weiter ist dort vorgeschlagen worden, unterhalb der Metall
brücke eine elektrische leitende Verbindung zwischen zwei
parallel zu der Signalleitung geführten Masseleitungen des
koplanaren Wellenleiters vorzusehen, die oberflächlich un
terhalb der Brücke mit einer dielektrischen Schicht versehen
ist. Die Metallbrücke bildet somit mit der elektrisch lei
tenden Verbindung einen Kondensator mit dem die Impedanz des
betreffenden Teilstücks des koplanaren Wellenleiters verän
derbar ist. Bei Betrieb des Hochfrequenz-Schalters kann nun
die Brücke elektrostatisch bzw. durch Anlegen einer geeigne
ten Spannung an den Kondensator auf die dielektrische
Schicht gezogen werden, wodurch sich die Kapazität des aus
Brücke und elektrisch leitender Verbindung gebildeten Plat
tenkondensators vergrößert, was die Ausbreitungseigenschaf
ten der auf dem Wellenleiter geführten elektromagnetischen
Wellen beeinflusst. Insbesondere wird im "off"-Zustand, d. h.
die Metallbrücke ist unten, ein Großteil der Leistung re
flektiert, während im "on"-Zustand, d. h. die Metallbrücke
ist oben, wird ein Großteil der Leistung transmittiert wird.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung mit einem Kondensator mit
veränderbarer Kapazität hat gegenüber dem Stand der Technik
den Vorteil, das auftretende Temperaturänderungen bei Be
trieb der Vorrichtung nicht zu temperaturabhängigen elektro
mechanischen Eigenschaften dieser Vorrichtung führen.
Insbesondere wird durch das Vorsehen einer zusätzlichen, be
vorzugt U-förmigen Struktur und insbesondere die Verwendung
dieser Struktur zur Aufhängung der zweiten Verbindung auf
zumindest einer Seite ein Ausgleich von "in-plane"-Span
nungen ermöglicht, d. h. diese Struktur bewirkt vorteilhaft,
dass intrinsische und/oder thermisch induzierte Spannungen
in der von der zweiten Verbindung gebildeten Brücke größten
teils abgebaut werden. Zudem ist vorteilhaft, dass die Rück
stellkraft bei einer "out-of-plane"-Auslenkung dieser Brücke
bzw. zweiten Verbindung von Biegemomenten analog zu einem
einseitig eingespannten, dünnen Balken ist, und dass die
"out-of-plane"-Biegesteifigkeit der eingebrachten Struktur
vernachlässigbar ist.
Darüber hinaus ist auch vorteilhaft, dass die Biegesteifig
keit der von der zweiten Verbindung gebildeten Brücke über
den Temperaturgang des Elastizitätsmoduls des Materials der
Brücke nur schwach temperaturabhängig ist.
Da in der Mikromechanik als Substratmaterial vielfach Sili
zium verwendet wird, das einen wesentlich geringeren thermi
schen Ausdehnungskoeffizienten als die meisten übrigen Me
talle besitzt, welche aufgrund ihrer elektrischen Leitfähig
keit zur Realisierung der zweiten Verbindung eingesetzt wer
den, ist als Material für die zweite elektrisch leitfähige
Verbindung die Verwendung von Molybdän, Wolfram oder Tantal
vorteilhaft.
Besonders vorteilhaft ist der Einsatz von Molybdän, da die
ses einerseits einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
von 4.10-6 pro Kelvin besitzt, der dem von Silizium mit
2,7.10-6 pro Kelvin ähnlich ist, und da es andererseits ei
nen Elastizitätsmodul aufweist, der mit 340 GPa der ver
gleichbar hoch dem von anderen Metallen, beispielsweise Alu
minium mit 70 GPa, ist.
Durch die Verwendung von Molybdän, Tantal oder Wolfram wird
erreicht, dass Temperaturänderungen nicht oder nur in deut
lich verringertem Ausmaß zu einem Aufbau von Spannungen in
der zweiten Verbindung führen, und dass damit solche Tempe
raturänderungen nicht mehr in unerwünschter Weise die erfor
derliche Schaltspannung und auftretenden Schaltzeiten der
Vorrichtung beeinträchtigen. Zudem wird über die erreichte
Reduktion dieser Spannungen auch Einfluss auf die zur Bewe
gung der zweiten Verbindung beim Schalten auftretenden Kräf
te, insbesondere Rückstellkräfte, genommen.
Der hohe Elastizitätsmodul von Molybdän, Tantal oder Wolfram
hat zudem den Vorteil, dass die von der zweiten Verbindung
gebildete Brücke ausreichend biegesteif ist.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
So ist vorteilhaft, wenn Molybdän, Tantal oder Wolfram als
Material für die zweite Verbindung und gleichzeitig als Ma
terial für die eingefügte Struktur eingesetzt werden.
Das Vorsehen der zusätzlichen Struktur hat weiter den Vor
teil, das über deren gezielte Formgebung und Dimensionierung
eine zusätzliche Induktivität in das Ersatzschaltbild der
erfindungsgemäßen Vorrichtung eingebracht wird, über die die
Einfügedämpfung dieser Vorrichtung reduziert werden kann.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und in der nach
folgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt Fig. 1 ei
ne erfindungsgemäße Vorrichtung in Draufsicht, Fig. 2 zeigt
Fig. 1 in perspektivischer Darstellung und Fig. 3 zeigt
ein Ersatzschaltbild der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Die Fig. 1 zeigt als Ausführungsbeispiel einen mikromecha
nisch hergestellten Hochfrequenzkurzschlussschalter. Dabei
ist auf einem Tragkörper 90 aus hochohmigem Silizium mit ei
ner Dicke von beispielsweise 100 µm bis 500 µm eine Isolier
schicht 100 mit geringem Verlustwinkel, beispielsweise aus
Siliziumdioxid, mit einer Dicke von 100 nm bis 3 µm vorgese
hen, auf der ein koplanarer Wellenleiter aufgebracht ist,
der drei koplanare, elektrisch leitfähige Leitungen auf
weist, die, zumindest lokal, im Wesentlichen parallel zuein
ander geführt sind. Die Leitungen des koplanaren Wellenlei
ters sind bevorzugt metallisch ausgeführt und auf der Isolierschicht
100 zunächst beispielsweise mittels Aufsputtern
einer. Start-Metallisierung und über einen oder mehrere nach
folgende galvanische Prozessschritte erzeugt worden. Die
beiden äußeren der drei Leitungen des koplanaren Wellenlei
ters entsprechen einer ersten Masseleitung 110 und einer
zweiten Masseleitung 111, während die mittlere Leitung einer
Signalleitung 120 des koplanaren Wellenleiters entspricht.
In Fig. 1 ist dabei lediglich der für die erfindungsgemäße
Vorrichtung interessierende Ausschnitt eines solchen auf der
Isolierschicht 100 geführten koplanaren Wellenleitets darge
stellt.
Die beiden Masseleitungen 110, 111 des koplanaren Wellenlei
ters sind mittels einer ersten, elektrisch leitenden Verbin
dung 130, beispielsweise aus einem Metall, verbunden, die
bereichsweise flächig auf die Isolierschicht 100 aufgebracht
ist, und die eine geringe "Höhe" im Vergleich zur "Höhe" der
Masseleitungen 110, 111 aufweist. Insofern verbindet die er
ste Verbindung 130 die Masseleitungen 110, 111 an deren
"Fuß" auf der Isolierschicht 100 in Form einer Kurschluss
brücke. Im Bereich der ersten Verbindung 130 ist weiter die
Signalleitung 120 des koplanaren Wellenleiters unterbrochen,
d. h. die erste Verbindung 130 ist mit der Signalleitung 120
nicht elektrisch leitend verbunden. Zudem ist auf die erste
Verbindung 130 im Bereich der Unterbrechung der Signallei
tung 120 eine in Fig. 1 nicht sichtbare Dielektrizitäts
schicht 140 aufgebracht.
In Fig. 1 ist weiter dargestellt, dass die unterbrochene
Signalleitung 120 mit einer zweiten, elektrisch leitenden
Verbindung 121 versehen ist, die in Form einer metallenen
Verbindungsbrücke oder Signalbrücke zwischen den Enden der
unterbrochenen Signalleitung 120 eingesetzt ist, und die in
einem gewissen Abstand zu der Ebene der Isolierschicht 100
zunächst parallel zu diesem geführt ist, wobei der Abstand
der zweiten Verbindung 121 zu der Isolierschicht 100 bzw. zu
der ersten Verbindung 130 etwa der Höhe der Signalleitung
120 entspricht. Hierdurch "schwebt" - bei Abwesenheit von
Kräften auf die zweite Verbindung 121 - die zweite Verbin
dung 121 zwischen den Enden der unterbrochenen Signalleitung
120 zumindest weitgehend freitragend.
Die zweite Verbindung 121 ist bevorzugt aus Molybdän ausge
führt. Es eignen sich weiter aber auch anderer elektrisch
leitende Materialien mit gegenüber Silizium ähnlichem ther
mischen Ausdehnungskoeffizienten und gegenüber üblichen Me
tallen wie Aluminium hohem Elastizitätsmodul. Ihre typischen
Abmesssungen liegen zwischen 20 µm × 150 µm und 100 µm ×
600 µm bei einer Dicke von 0,5 µm bis 1,5 µm.
Weiter ist in Fig. 1 erkennbar, dass zwischen der zweiten
Verbindung 121, die bevorzugt in Form eines flachen Strei
fens ausgeführt ist, und der Signalleitung 120 eine mit bei
den in Verbindung stehende Struktur 150 vorgesehen ist, die
als U-förmige oder mäanderförmige, in der Ebene des Strei
fens der zweiten Verbindung 121 flächig verlaufende Feder
ausgebildet ist. Diese Struktur 150 bewirkt eine Reduktion
von in der zweiten Verbindung 121 auftretenden mechanischen
Spannungen, wie sie insbesondere bei Temperaturschwankungen
auftreten oder auch intrinsisch gegeben sind.
Die Struktur 150 dient weiter gemäß Fig. 1 zumindest ein
seitig als Aufhängung und Verbindung der freitragenden,
elektrisch leitenden zweiten Verbindung 121 mit einem zuge
ordneten Teilstück der Signalleitung 120. Dazu kann die
Struktur 150 wie dargestellt an einem oder alternativ auch
an beiden Enden der zweiten Verbindung 121 vorgesehen sein.
Zudem ist es ebenso möglich, die Struktur 150 bereichsweise,
beispielsweise mittig, in die zweite Verbindung 121 einzu
setzen.
Bevorzugt ist die zweite Verbindung 121 und die Struktur 150
einstückig ausgeführt, d. h. die Struktur 150 ist ein struk
turierter Teil der zweiten Verbindung 121.
Die Fig. 2 zeigt den Ausschnitt der erfindungsgemäßen Vor
richtung gemäß Fig. 1 perspektivisch. Dabei ist auch die
Dielektrizitätsschicht 140 sowie die unter der Dielektrizi
tätsschicht 140 geführte, die erste Masseleitung 110 und die
zweite Masseleitung 111 elektrisch leitend verbindende erste
Verbindung 130 sichtbar.
In Fig. 3 ist ein Ersatzschaltbild der erfindungsgemäßen
Vorrichtung dargestellt, wobei die beiden Masseleitungen
110, 111 lediglich in Form einer einzigen Leitung des ko
planaren Wellenleiters dargestellt sind, da diese sich auf
gleichem Potential befinden. Daneben ist die Signalleitung
120 des koplanaren Wellenleiters in Fig. 3 dargestellt.
Zwischen der Signalleitung 120 und den Masseleitungen 110,
111 ist ein Kondensator 200 (C(U)) angeordnet. Weiter ist an
dieser Stelle eine erste Induktivität 221 (L1) gegeben, die
in Fig. 1 bzw. 2 im Wesentlichen durch die erste Verbindung
130 realisiert ist.
Diese erste Induktivität 221 (L1) kann durch eine Struktu
rierung der ersten Verbindung 130, die als Gleichspannungs
kurzschluss zwischen den Masseleitungen 110, 111 wirkt, de
finiert werden. Sie ist dabei vor allem über eine örtliche
Variation des Länge-Breite-Verhältnisses der ersten Verbin
dung 130 oder deren Form, beispielsweise mäanderförmig oder
ähnliches, festlegbar.
Der Kondensator 200 in Fig. 3 wird zumindest teilweise
durch die erste Verbindung 130 und die zweite Verbindung 121
realisiert, wobei dessen Kapazität dadurch veränderbar ist,
dass sich die zweite Verbindung 121 bei Anlegen einer geeig
neten Spannung, insbesondere einer Gleichspannung U zwischen
Signalleitung 120 und Masseleitungen 110, 111, mechanisch
verformt, und somit zumindest in Teilbereichen ihren Abstand
zu der ersten Verbindung 130 ändert. Insbesondere weist der
Kondensator 200 in unverformtem Zustand der zweiten Verbin
dung 121, d. h. bei nicht angelegter Gleichspannung U bzw. im
"on"-Zustand, eine Kapazität Con und bei Anliegen der
Gleichspannung U und einer damit verbundenen Auslenkung der
zweiten Verbindung aus der Ruhelage in Richtung auf die Die
lektrizitätsschicht 140 hin, d. h. im "off"-Zustand, eine Ka
pazität Coff auf.
Die vorgesehene Struktur 150 in Form einer U-förmigen Feder
wirkt weiter ebenfalls durch die damit verbundene
Strompfadverengung und Strompfadverlängerung als in Serie
geschaltete zweite Induktivität 220 (L2), welche besonders
bei hohen Frequenzen zu zusätzlichen Reflexionen führt. In
dem Ersatzschaltbild gemäß Fig. 3 bewirkt die zweite Induk
tivität 220 eine Reduktion der Einfügedämpfung der Vorrich
tung, welche vor allem durch die Reflexion an der Kapazität
Con bestimmt ist. Insofern kann diese Kapazität Con durch die
Induktivität L2 kompensiert werden, welche wiederum beson
ders einfach durch eine geeignete Dimensionierung und Struk
turierung der Struktur 150 gegeben bzw. einstellbar ist. Be
vorzugt wird die Induktivität L2 so eingestellt, dass für
die Impedanz ZL der Signalleitung 120 bei der jeweiligen Be
triebsfrequenz und gilt:
Weiterhin kann durch geeignete Dimensionierung und Formge
bung des Gleichspannungskurzschlusses, d. h. der ersten Ver
bindung 130, die zu dem gebildeten Plattenkondensator 200 in
Reihe angeordnete erste Induktivität 221 (L1) bei der jewei
ligen Betriebsfrequenz der erfindungsgemäßen Vorrichtung so
eingestellt werden, so dass ein Serienschwingkreis entsteht,
dessen Resonanzfrequenz νres im ausgeschalteten Zustand der
zweiten Verbindung 121 bei der Betriebsfrequenz der Vorrich
tung liegt:
Im "on"-Zustand, d. h. in dem Zustand in dem sich die zweite
Verbindung bzw. Brücke 121 mit relativ großen Abstand zur
Isolierschicht 100 oben befindet, wird die Vorrichtung dann
durch die verringerte Kapazität des Plattenkondensators 200
außerhalb dieser Resonanzfrequenz betrieben, so dass sich
keine höhere Einfügedämpfung ergibt. Die Betriebsfrequenzen
der erläuterten Vorrichtung betragen im Übrigen für Anwen
dungen im Bereich ACC (Adaptive Cruise Control) oder SRR
(Short Range Radar) 77 GHz oder 24 GHz.
In den Fig. 1 und 2 ist die mechanisch verformbare zweite
Verbindung 121 für den Fall dargestellt, dass das darge
stellte Teilstück des koplanaren Wellenleiters einen hohen
Transmissionskoeffizienten und einen geringen Reflexions
koeffizienten aufweist. Der Abstand der ersten Verbindung
130 und der zweiten Verbindung 121, der mit der Dielektrizi
tätsschicht 140 die Kapazität C(U) des Kondensators 200 maß
geblich bestimmt, sind in Fig. 2 maximal; sie liegt bei ca.
2 µm bis 4 µm. Für den Fall, dass zwischen der ersten Ver
bindung 130 und der zweiten Verbindung 121 eine Gleichspan
nung U angelegt wird, ergibt sich eine elektrostatische An
ziehungskraft zwischen der ersten Verbindung 130 und der
zweiten Verbindung 121, was dazu führt, dass die zweite Verbindung
121 verformt und zumindest in einen Teilbereich,
nämlich im Wesentlichen in der Mitte der Metallbrücke, zur
ersten Verbindung 130 bzw. zur auf die erste Verbindung 130
aufgebrachten Dielektrizitätsschicht 140 gezogen wird, die
beispielsweise aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid be
steht.
Hinsichtlich weiteren Details zu der erläuterten Vorrichtung
und deren Funktionsweise sei im Übrigen auf die Anmeldung DE 100 37 385.2
verwiesen.
Claims (11)
1. Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderbarer
Kapazität zur Impedanzänderung eines Teilstücks eines ko
planaren Wellenleiters, insbesondere Hochfrequenz-Mikro
schalter, mit einer Masseleitung (110, 111) und einer von
einer zumindest bereichsweise freitragenden, elektrisch lei
tenden Verbindung (121) unterbrochenen Signalleitung (120),
wobei der Kondensator (200) die elektrisch leitende Verbin
dung (121) und eine mit der Masseleitung (110, 111) verbun
dene weitere elektrisch leitende Verbindung (130) zumindest
teilweise umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens
eine mit der elektrisch leitenden Verbindung (121) in Ver
bindung stehende Struktur (150) vorgesehen ist, die derart
ausgebildet ist, dass sie in der elektrisch leitenden Ver
bindung (121) auftretende mechanische Spannungen reduziert.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die Struktur (150) die elektrisch leitende Verbindung
(121) in Form einer Aufhängung mit einem Teilstück der Si
gnalleitung (120) verbindet.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Struktur (150) bereichsweise in die elek
trisch leitende Verbindung (121) eingesetzt oder die elek
trisch leitfähige Verbindung (121) bereichsweise zu der
Struktur (150) strukturiert ist, wobei die Struktur (150)
insbesondere eine Aufhängung der elektrisch leitenden Ver
bindung (121) bildet.
4. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitfähige Ver
bindung (121) zumindest bereichsweise in Form eines Strei
fens und die Struktur (150) als U-förmige oder mäanderförmi
ge Feder, insbesondere als in der Ebene des Streifens flä
chig verlaufende U-förmige oder mäanderförmige Feder, ausge
bildet ist.
5. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur (150) derart aus
gebildet ist, dass sie intrinsische und/oder aufgrund von
Temperaturschwankugen in der elektrisch leitenden Verbindung
(121) auftretende, insbesondere parallel zu der Ebene der
Struktur (150) gerichtete mechanische Spannungen reduziert
oder unterdrückt.
6. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Signalleitung (120) des
Wellenleiters auf einer vorgegebenen Länge von der elek
trisch leitenden Verbindung (121) und der Struktur (150) un
terbrochen ist, und dass die weitere elektrisch leitende
Verbindung (130) zwei parallel zu der Signalleitung (120)
geführte Masseleitungen (110, 111) des Wellenleiters in dem
von der vorgegebenen Länge definierten Bereich miteinander
verbindet.
7. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur (150) und/oder die
elektrisch leitende Verbindung (121) aus einem Material mit
gegenüber Silizium ähnlichem thermischen Ausdehnungskoef
fizienten und gegenüber Metallen hohem Elastizitätsmodul,
insbesondere aus Molybdän, Tantal oder Wolfram, ausgebildet
ist.
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Änderung der Kapazität (C)
des Kondensators (200) durch eine elektrostatische Kraft
zwischen der elektrisch leitenden Verbindung (121) und der
weiteren elektrisch leitenden Verbindung (130) bewirkbar
ist.
9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die weitere elektrisch leitende
Verbindung (130) eine erste Induktivität (221) in Reihe mit
dem Kondensator (200) bildet.
10. Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderbarer
Kapazität zur Impedanzänderung eines Teilstücks eines ko
planaren Wellenleiters, insbesondere Hochfrequenz-Mikro
schalter, mit einer Masseleitung (110, 111) und einer von
einer zumindest bereichsweise freitragenden, elektrisch lei
tenden Verbindung (121) unterbrochenen Signalleitung (120),
wobei der Kondensator (200) die elektrisch leitende Verbin
dung (121) und eine mit der Masseleitung (110, 111) verbun
dene weitere elektrisch leitende Verbindung (130) zumindest
teilweise umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die elek
trisch leitende Verbindung (121) aus einem Material mit ge
genüber Silizium ähnlichem thermischen Ausdehnungskoeffizi
enten und gegenüber Metallen hohem Elastizitätsmodul,
insbesondere aus Molybdän, Tantal oder Wolfram, ausgebildet
ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
dass eine mit der elektrisch leitenden Verbindung (121) in
Verbindung stehende Struktur (150) vorgesehen ist, die der
art ausgebildet ist, dass sie in der elektrisch leitenden
Verbindung (121) auftretende mechanische Spannungen redu
ziert.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10100296A DE10100296A1 (de) | 2001-01-04 | 2001-01-04 | Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderbarer Kapazität, insbesondere Hochfrequenz-Mikroschalter |
EP01990296A EP1350281B1 (de) | 2001-01-04 | 2001-12-13 | Vorrichtung mit einem kondensator mit veränderbarer kapazität, insbesondere hochfrequenz-mikroschalter |
US10/220,683 US6882255B2 (en) | 2001-01-04 | 2001-12-13 | Device having a capacitor with alterable capacitance, in particular a high-frequency microswitch |
DE50114201T DE50114201D1 (de) | 2001-01-04 | 2001-12-13 | Vorrichtung mit einem kondensator mit veränderbarer kapazität, insbesondere hochfrequenz-mikroschalter |
PCT/DE2001/004693 WO2002054528A1 (de) | 2001-01-04 | 2001-12-13 | Vorrichtung mit einem kondensator mit veränderbarer kapazität, insbesondere hochfrequenz-mikroschalter |
JP2002554911A JP4072060B2 (ja) | 2001-01-04 | 2001-12-13 | 可変容量コンデンサを有する装置、とりわけ高周波マイクロスイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10100296A DE10100296A1 (de) | 2001-01-04 | 2001-01-04 | Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderbarer Kapazität, insbesondere Hochfrequenz-Mikroschalter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10100296A1 true DE10100296A1 (de) | 2002-07-11 |
Family
ID=7669815
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10100296A Ceased DE10100296A1 (de) | 2001-01-04 | 2001-01-04 | Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderbarer Kapazität, insbesondere Hochfrequenz-Mikroschalter |
DE50114201T Expired - Lifetime DE50114201D1 (de) | 2001-01-04 | 2001-12-13 | Vorrichtung mit einem kondensator mit veränderbarer kapazität, insbesondere hochfrequenz-mikroschalter |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50114201T Expired - Lifetime DE50114201D1 (de) | 2001-01-04 | 2001-12-13 | Vorrichtung mit einem kondensator mit veränderbarer kapazität, insbesondere hochfrequenz-mikroschalter |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6882255B2 (de) |
EP (1) | EP1350281B1 (de) |
JP (1) | JP4072060B2 (de) |
DE (2) | DE10100296A1 (de) |
WO (1) | WO2002054528A1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100547217B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2006-01-26 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 마이크로 릴레이 |
DE10342938A1 (de) * | 2003-09-17 | 2005-04-21 | Bosch Gmbh Robert | Bauteil zu Impedanzänderung bei einem koplanaren Wellenleiter sowie Verfahren zu Herstellung eines Bauelements |
US7126438B2 (en) * | 2004-05-19 | 2006-10-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Circuit and method for transmitting an output signal using a microelectromechanical systems varactor and a series inductive device |
KR20080001241A (ko) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | Mems 스위치 및 그 제조방법 |
US20090088105A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Ahmadreza Rofougaran | Method and system for utilizing a programmable coplanar waveguide or microstrip bandpass filter for undersampling in a receiver |
JP2008301516A (ja) * | 2008-07-31 | 2008-12-11 | Tw Denki Kk | アンテナ構造、携帯端末及びアンテナ構造のホルダー |
JP7022711B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2022-02-18 | アンリツ株式会社 | 伝送線路及びエアブリッジ構造 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5619061A (en) * | 1993-07-27 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical microwave switching |
CA2211830C (en) * | 1997-08-22 | 2002-08-13 | Cindy Xing Qiu | Miniature electromagnetic microwave switches and switch arrays |
US6100477A (en) * | 1998-07-17 | 2000-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Recessed etch RF micro-electro-mechanical switch |
KR100344790B1 (ko) * | 1999-10-07 | 2002-07-19 | 엘지전자주식회사 | 마이크로 기계구조를 이용한 주파수 가변 초고주파 필터 |
DE10037385A1 (de) | 2000-08-01 | 2002-02-14 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung mit einem Kondensator |
US6606017B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-08-12 | Motorola, Inc. | Switchable and tunable coplanar waveguide filters |
-
2001
- 2001-01-04 DE DE10100296A patent/DE10100296A1/de not_active Ceased
- 2001-12-13 EP EP01990296A patent/EP1350281B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-13 WO PCT/DE2001/004693 patent/WO2002054528A1/de active IP Right Grant
- 2001-12-13 US US10/220,683 patent/US6882255B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-13 JP JP2002554911A patent/JP4072060B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-13 DE DE50114201T patent/DE50114201D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6882255B2 (en) | 2005-04-19 |
US20030146804A1 (en) | 2003-08-07 |
JP4072060B2 (ja) | 2008-04-02 |
DE50114201D1 (de) | 2008-09-18 |
EP1350281A1 (de) | 2003-10-08 |
WO2002054528A1 (de) | 2002-07-11 |
EP1350281B1 (de) | 2008-08-06 |
JP2004516778A (ja) | 2004-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60312665T2 (de) | Haltlos elektrostatisch aktiviertes mikroelektromechanisches Schaltsystem | |
DE602005003008T2 (de) | RF MEMS Schalter mit einer flexiblen und freien Schaltmembran | |
EP1224675B1 (de) | Durchstimmbarer hochfrequenz-kondensator | |
DE60314875T2 (de) | Mikroelektromechanischer hf-schalter | |
DE112006003383T5 (de) | Anordnung von MEMS-Bauelementen mit in Reihe gekoppelten Kondensatoren | |
DE10100296A1 (de) | Vorrichtung mit einem Kondensator mit veränderbarer Kapazität, insbesondere Hochfrequenz-Mikroschalter | |
DE69829990T2 (de) | Vorrichtung für das micromechanische schalten von signalen | |
EP1319260B1 (de) | Koplanarer wellenleiterschalter | |
DE69930169T2 (de) | Mikromechanischer schalter | |
EP1520320B1 (de) | Elektrisches bauelement, insbesondere mikroelektrisches oder mikroelektromechanisches hochfrequenzbauelement | |
DE19859028A1 (de) | Frequenzstabilisierte Hohlleiteranordnung | |
EP1024508A2 (de) | Elektrostatisch durchstimmbare Kapazität | |
EP1665315B1 (de) | Bauteil zur impedanzänderung bei einem koplanaren wellenleiter sowie verfahren zur herstellung eines bauelements | |
DE60307672T2 (de) | Mikromechanischer elektrostatischer schalter mit niedriger betätigungsspannung | |
EP1719144B1 (de) | Hochfrequenz-mems-schalter mit gebogenem schaltelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE60301699T2 (de) | Kompakte Streifenleiterantenne mit einer Anpassungsanordnung | |
DE10217387A1 (de) | Elektrisches Anpassungsnetzwerk mit einer Transformationsleitung | |
DE102004062992B4 (de) | Schaltbares Hochfrequenz-MEMS-Element mit bewegbarem Schaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE19615497A1 (de) | Planarer Strahler | |
EP2369609B1 (de) | HF-MEMS-Schalter | |
DE102017126112A1 (de) | Ein- und Auskopplungsvorrichtung zwischen einem Schaltungsträger und einem Wellenleiter | |
EP0901692B1 (de) | Verfahren zur abstimmung von planaren supraleitenden filtern | |
DE10061205B4 (de) | Mikromechanischer Mikrowellenschalter | |
DE102004064163B4 (de) | Schaltbares Hochfrequenz-MEMS-Element mit bewegbarem Schaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102020120527A1 (de) | Hochfrequenz-Zuleitung und elektronische Komponente mit Hochfrequenz-Zuleitung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |