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DE10058214A1 - Data bus supports two different types of memories and has controlled switching stages - Google Patents

Data bus supports two different types of memories and has controlled switching stages

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Publication number
DE10058214A1
DE10058214A1 DE2000158214 DE10058214A DE10058214A1 DE 10058214 A1 DE10058214 A1 DE 10058214A1 DE 2000158214 DE2000158214 DE 2000158214 DE 10058214 A DE10058214 A DE 10058214A DE 10058214 A1 DE10058214 A1 DE 10058214A1
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DE
Germany
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data bus
memory module
line termination
switching device
sstl
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DE2000158214
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German (de)
Inventor
Hermann Ruckerbauer
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
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Abstract

The data bus[1] supports two different types of memory module [2,3] coupled by switching stages [6] and using line terminators [7]. The switching stages are controlled by a data bus controller [5]. The controller generates addresses to access the respective memories.

Description

Die Erfindung betrifft einen Datenbus für ein erstes Spei­ chermodul und ein zweites Speichermodul, insbesondere ein erstes Speichermodul, das an einem LVTTL-Datenbus betreibbar ist, und ein zweites Speichermodul, das an einem SSTL-2-Da­ tenbus betreibbar ist.The invention relates to a data bus for a first memory chermodule and a second memory module, in particular one first memory module that can be operated on an LVTTL data bus and a second memory module connected to an SSTL-2-Da tenbus is operable.

Im Abstand von wenigen Jahren erfolgt wiederkehrend eine grundlegende Änderung bei der Technologie für Speicherbau­ steine, wie sie beispielsweise in Personalcomputern einge­ setzt werden können. Gleichermaßen ändert sich oftmals auch das verwendete Datenbussystem, um Daten aus einem Speicher­ baustein auszulesen bzw. Daten in diesen hineinzuschreiben. Dies erfolgt deshalb, um die Leistungsfähigkeit des jeweils verwendeten Datenbus an die schnell wachsende Kapazität des jeweils neueren Speicherbausteins anzupassen.A recurring occurs every few years fundamental change in technology for memory construction stones, such as those used in personal computers can be set. Likewise, often changes the data bus system used to get data from a memory read module or write data into it. This is done to ensure the performance of each used data bus to the rapidly growing capacity of the to adapt to newer memory modules.

Bei einem Technologiewechsel der Speicherbausteine und einem damit verbundenen Wechsel der Technologie des Datenbussystems ist es in aller Regel nicht möglich, die zuvor verwendeten Speicherbausteine mit dem neuen Datenbus zu betreiben. Die auf dem Datenbussystem zur Verfügung gestellten logischen Spannungspegel bzw. Datenübertragungsprotokolle unterscheiden sich in aller Regel voneinander. Insbesondere werden bei höheren Datenübertragungsfrequenzen zunehmend entsprechend angepasste Leitungsabschluss-Einrichtungen notwendig, um Signalreflexionen zu reduzieren.With a change of technology of the memory modules and one associated change in the technology of the data bus system it is usually not possible to use the ones previously used To operate memory modules with the new data bus. The logical provided on the data bus system Differentiate voltage level or data transmission protocols usually differ from each other. In particular, at correspondingly higher data transmission frequencies adapted line termination facilities necessary to Reduce signal reflections.

Um Speicherbausteine verschiedener Technologie gemeinsam in einem Computersystem zu verwenden, ist es daher bislang not­ wendig, die unterschiedlichen Speicherbausteine an voneinan­ der getrennten Datenbussystemen anzuschließen. Insbesondere bei den heute erreichten Datenbusbreiten von 64 Bit und mehr erfordert dies einen ernormen zusätzlichen Verdrahtungsauf­ wand.To share memory devices of different technology together So far it has been necessary to use a computer system maneuverable, the different memory modules from each other the separate data bus systems. In particular with today's data bus widths of 64 bits and more  this requires enormous additional wiring wall.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes System zur Verfügung zu stellen, an dem unterschiedliche Speichermo­ dule betrieben werden können.It is therefore an object of the invention to provide an improved system to make available at the different storage mo can be operated.

Diese Aufgabe wird durch einen Datenbus nach Anspruch 1 und durch ein Speichersystem nach Anspruch 8 gelöst. Weitere vor­ teilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.This object is achieved by a data bus according to claim 1 and solved by a storage system according to claim 8. More before partial configurations are in the dependent claims specified.

Erfindungsgemäß ist ein Datenbus für ein erstes Speichermodul und ein zweites Speichermodul vorgesehen. Der Datenbus weist eine Leitungsabschluss-Einrichtung auf, wobei weiterhin eine Schalteinrichtung vorgesehen ist, um bei einer Adressierung des ersten Speichermoduls die Leitungsabschluss-Einrichtung von jeder Leitung des Datenbusses abzutrennen und bei einer Adressierung des zweiten Speichermoduls die Leitungsab­ schluss-Einrichtung an jede Leitung des Datenbusses anzule­ gen.According to the invention, a data bus for a first memory module and a second memory module is provided. The data bus points a line termination facility, while still a Switching device is provided in order to address of the first memory module the line termination device disconnect from each line of the data bus and at one Addressing the second memory module from the line connecting device to each line of the data bus gene.

Auf diese Weise kann vorteilhaft erreicht werden, zwei unter­ schiedliche Speichermodule an einen Datenbus anzuschließen. Die Schalteinrichtung ermöglicht es, den Datenbus so vorzu­ sehen, dass entweder das erste Speichermodul oder das zweite Speichermodul daran betreibbar ist. Die Schalteinrichtung be­ wirkt, dass die Speichermodule entweder einen Datenbus mit einer Leitungsabschluss-Einrichtung oder ohne eine Leitungs­ abschluss-Einrichtung vorfinden. Die Schalteinrichtung wird so gesteuert, dass sie je nach anzusteuerndem Speichermodul die für das jeweilige Speichermodul erforderlichen elektrischen Bedingungen auf den Datenbus bewirkt. Der Vor­ teil dieser Erfindung ist, dass für den Betrieb von zwei un­ terschiedlichen Speichermodulen, die unterschiedliche Daten­ bus-Konfigurationen benötigen, nur ein Datenbus vorgesehen werden muss. Dadurch wird der Verdrahtungsaufwand minimiert, da eine Realisierung eines zweiten Datenbus entfällt.In this way, two can be advantageously achieved to connect different memory modules to one data bus. The switching device makes it possible to advance the data bus in this way see that either the first memory module or the second Memory module can be operated on it. The switching device be acts that the memory modules either have a data bus a line termination facility or without a line Find the graduation facility. The switching device will controlled so that it depends on the memory module to be controlled those required for the respective memory module electrical conditions on the data bus. The before part of this invention is that for the operation of two un Different memory modules that hold different data bus configurations require only one data bus  must become. This minimizes the wiring effort since a second data bus is not required.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist nun vorgesehen, an einem LVTTL-Datenbus betreibbare Speichermo­ dule und an einem SSTL-2-Datenbus betreibbare Speichermodule an einen gemeinsamen Datenbus anzuschließen. Ohne eine wei­ tere Maßnahme ist es zunächst nicht möglich, ein an einem LVTTL-Datenbus betreibbares Speichermodul an einen SSTL-2-Da­ tenbus anzuschließen. Wegen der bei SSTL-2-Datenbussen üblicherweise vorgesehenen Leitungsabschluss-Einrichtung wür­ den die für die LVTTL-Datenbusse notwendigen Signalpegel von 2,4 V für High-Signale und 0,4 V für Low-Signale aufgrund ei­ nes über einen Abschlusswiderstand anliegenden Spannungs­ potentials VTT nicht erreicht. Dies hat zur Folge, dass die Speichermodule, die für den Anschluss an ein LVTTL-Datenbus vorgesehen sind, an einem SSTL-2-Datenbus nicht funktionieren würden.According to a preferred embodiment of the invention, provision is now made to connect memory modules that can be operated on an LVTTL data bus and memory modules that can be operated on an SSTL-2 data bus to a common data bus. Without a further measure, it is initially not possible to connect a memory module that can be operated on an LVTTL data bus to an SSTL-2 data bus. Because of the line termination device usually provided for SSTL-2 data buses, the signal levels of 2.4 V for high signals and 0.4 V for low signals required for the LVTTL data buses would be due to a voltage potential present via a terminating resistor V TT not reached. As a result, the memory modules that are intended for connection to an LVTTL data bus would not function on an SSTL-2 data bus.

Ebenso können für einen SSTL-2-Datenbus vorgesehene Speicher­ module nicht an einem LVTTL-Datenbus betrieben werden. Die hohen Datenübertragungsfrequenzen sowie die doppelte Daten­ rate bewirken an den nicht angepassten Enden der Datenbuslei­ tungen bei einem LVTTL-Datenbus Leitungsreflexionen die zu erheblichen Störungen bei der Datenübertragung führen, wo­ durch die Verwendung eines SSTL-2-Speichermoduls an einem LVTTL-Datenbus nicht möglich ist.Memory provided for an SSTL-2 data bus can also be used modules cannot be operated on an LVTTL data bus. The high data transmission frequencies as well as double the data rate cause at the unmatched ends of the data bus line reflections on an LVTTL data bus significant disruption in data transmission where by using an SSTL-2 memory module on one LVTTL data bus is not possible.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass mit der Schalteinrichtung der Datenbus unterteilt wird, um zwischen einem Ausleseende des Datenbusses und der Schalteinrichtung das erste Speichermodul und zwischen der Schalteinrichtung und der Leitungsabschluss-Einrichtung das zweite Speichermodul angeordnet ist. Auf diese Weise kann er­ reicht werden, dass bei einer geöffneten Schalteinrichtung das erste Speichermodul, das vorzugsweise so vorgesehen ist, dass es an einem Bus ohne Leitungsabschluss-Einrichtung betreibbar ist, bei einer geöffneten Schalteinrichtung an­ steuerbar ist. Ist die Schalteinrichtung geschlossen, so liegt an einem Ende des Datenbus eine Leitungsabschluss-Ein­ richtung an und das zweite Speichermodul, dass an einem Da­ tenbus mit Leitungsabschluss-Einrichtung betreibbar ist, kann angesteuert werden.In a further preferred embodiment can be provided be that the switching device divides the data bus to switch between a read end of the data bus and the Switching device, the first memory module and between the Switching device and the line termination device that second memory module is arranged. That way he can be enough that with an open switching device the first memory module, which is preferably provided that it's on a bus with no line termination facility  is operable with an open switching device is controllable. If the switching device is closed, so there is a line termination on at one end of the data bus direction and the second memory module that on a Da tenbus can be operated with a line termination device can be controlled.

Eine wesentliche Ausführungsform der Erfindung wird im fol­ genden anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:An essential embodiment of the invention is in the fol genden explained in more detail with reference to the drawings. Show it:

Fig. 1a ein erfindungsgemäßes Datenbussystem an dem sowohl Speichermodule, die an einem LVTTL-Datenbus betreibbar sind, als auch Speichermodule, die an einem SSTL-2-Datenbus betreibbar sind, angeschlossen sind; und Figures 1a shows an inventive data bus system in which both memory modules, which are operable at a LVTTL data bus, and memory modules which are operable in a SSTL-2 data bus connected. and

Fig. 1b eine Leitungsabschlussschaltung, wie sie an dem Da­ tenbussystem nach Fig. 1a betrieben wird. Fig. 1b, a line termination circuit, as it is operated on the Da tenbussystem according to Fig. 1a.

Fig. 1a zeigt ein erfindungsgemäßes Datenbussystem 11, an dem zwei LVTTL-Speichermodule 2 und zwei SSTL-2-Speichermodule 3 parallel angeschlossen sind. Das Datenbussystem 1 weist Da­ tenbusleitungen 4 auf, die an einem Ende mit einer Daten­ bussteuereinrichtung 5 und an einem anderen Ende Leitungsab­ schlüsse 7 aufweisen. Die Datenbusleitungen 4 sind durch eine Schalteinrichtung 6 unterteilt, so dass sich die LVTTL-Spei­ chermodule 2 zwischen der Datenbussteuereinrichtung 5 und der Schalteinrichtung 6 befinden und sich die SSTL-2-Speichermo­ dule 3 zwischen der Schalteinrichtung 6 und den Leitungsab­ schlüssen 7 befinden. Die Schalteinrichtung 6 ist über eine Steuerleitung 8 mit der Datenbussteuereinrichtung 5 verbun­ den, so dass die Datenbussteuereinrichtung 5 die Schaltein­ richtung 6 steuert, um den Teil der Datenbusleitungen 4, an dem die SSTL-2-Speichermodule 3 und die Leitungsabschlüsse 7 angeschlossen sind, von dem Teil der Datenbusleitungen 4 mit den LVTTL-Speichermodulen 22 zu trennen bzw. damit zu verbin­ den. Fig. 1a shows an inventive data bus system 11 to which two LVTTL memory modules 2 and two SSTL-2 memory modules 3 are connected in parallel. The data bus system 1 has data bus lines 4 which have bus terminators 5 at one end and line terminators 7 at another end. The data bus lines 4 are divided by a switching device 6 , so that the LVTTL memory modules 2 are located between the data bus control device 5 and the switching device 6 and the SSTL-2 memory modules 3 are located between the switching device 6 and the line terminations 7 . The switching device 6 is connected via a control line 8 to the data bus control device 5 , so that the data bus control device 5 controls the switching device 6 to the part of the data bus lines 4 to which the SSTL-2 memory modules 3 and the line terminations 7 are connected to separate or connect the part of the data bus lines 4 with the LVTTL memory modules 22 .

Eine mögliche Schaltung der Leitungsabschlüsse 7 ist unter Fig. 1b gezeigt. Die Leitungsabschlüsse 7 weisen im wesent­ lichen einen Widerstand 72, der seriell zu einem Spannungs­ potentialanschluss 73 geschaltet ist, und eine parasitäre Ka­ pazität 71 auf. Die Leitungsabschlüsse sind notwendig, um auf den Datenbusleitungen Signalreflexionen zu unterdrücken. Signalreflexionen treten beispielsweise auf, wenn an einem SSTL-2-Datenbus betreibbare Speichermodule an einem Datenbus ohne Leitungsabschlüsse angeschlossen wären, weil diese Spei­ chermodule in der Regel höhere Datenübertragungsfrequenzen haben und zudem Daten mit einer doppelten Datenrate, d. h. aufsteigende und fallende Flanken, des verwendeten Takt­ signals übertragen.A possible switching of the line terminations 7 is shown in FIG. 1b. The line terminations 7 essentially have a resistor 72 , which is connected in series to a voltage potential connection 73 , and a parasitic capacitance 71 . The line terminations are necessary to suppress signal reflections on the data bus lines. Signal reflections occur, for example, if memory modules that can be operated on an SSTL-2 data bus would be connected to a data bus without line terminations, because these memory modules generally have higher data transmission frequencies and, moreover, data with a double data rate, ie rising and falling edges, of the clock used signals transmitted.

Gemäß der SSTL-2-Spezifikation beträgt der Wert des seriellen Widerstandes 72 25 Ω. Die Kapazität 71 entspricht der para­ sitären Kapazität der Leitungen und beträgt für jede Daten­ busleitung 4 etwa 30 pF. Der Spannungspotentialanschluss 73 ist mit dem einer Spannungsquelle VTT verbunden. Das Span­ nungspotential von VTT liegt etwa bei der Hälfte des für die Speichermodule 3 vorgesehenen Versorgungsspannungspotentials. Auf diese Weise kann das SSTL-2-Datenbussystem an verschie­ dene Versorgungsspannungen angepasst werden.According to the SSTL-2 specification, the value of the serial resistor 72 is 25 Ω. The capacitance 71 corresponds to the parasitic capacitance of the lines and is approximately 30 pF for each data bus line 4 . The voltage potential connection 73 is connected to that of a voltage source V TT . The voltage potential of V TT is approximately half of the supply voltage potential provided for the memory modules 3 . In this way, the SSTL-2 data bus system can be adapted to different supply voltages.

Üblicherweise ist bei einem SSTL-Datenbus ein weiterer serieller Widerstand vorgesehen, der in jeder Datenbusleitung zwischen einer Datenbussteuereinrichtung und den SSTL-2-Spei­ chermodulen angeordnet ist. Der Wert dieses Widerstandes be­ trägt ca. 20 Ω.Usually there is another one with an SSTL data bus serial resistor provided in each data bus line between a data bus control device and the SSTL-2 memory chermodules is arranged. The value of this resistance be carries approx. 20 Ω.

Ferner werden Speichermodule, die für LVTTL-Datenbusse vorge­ sehen sind, ohne Leitungsabschluss-Einrichtungen betrieben, so dass Signalreflexionen auf den Datenbusleitungen 3 auftre­ ten können.Furthermore, memory modules that are provided for LVTTL data buses are operated without line termination devices, so that signal reflections can occur on the data bus lines 3 .

Aus den o. g. Gründen ist es nicht möglich, an einem Datenbus mit Leitungsabschlüssen LVTTL-Speichermodule zu betreiben. From the above For reasons it is not possible to connect to a data bus to operate with line terminations LVTTL memory modules.  

Damit nun die LVTTL-Speichermodule 2 trotzdem verwendet wer­ den können, signalisiert die Datenbussteuereinrichtung 5 über die Steuerleitung 8 der Schalteinrichtung 6, dass die SSTL-2- Speichermodule 3 und die Leitungsabschlüsse 7 von den Daten­ busleitungen 4 getrennt werden sollen. Nun können die LVTTL- Speichermodule 2 auf herkömmliche Weise adressiert werden, da diese einen einfachen Datenbus 1 ohne einen Leitungsabschluss 7 vorfinden.So that the LVTTL memory modules 2 can still be used anyway, the data bus control device 5 signals via the control line 8 of the switching device 6 that the SSTL-2 memory modules 3 and the line terminations 7 are to be separated from the data bus lines 4 . Now the LVTTL memory modules 2 can be addressed in a conventional manner, since they find a simple data bus 1 without a line termination 7 .

Wenn ein SSTL-2-Speichermodul 3 adressiert werden soll, so signalisiert die Datenbussteuereinrichtung 5 der Schaltein­ richtung 6, die SSTL-2-Speichermodule 3 und die Leitungsab­ schlüsse 7 mit den Datenbusleitungen 4 zu verbinden. Die Schalteinrichtung 6 ist vorzugsweise so vorgesehen, dass sie im geschlossenen Zustand einen Widerstand von 20 Ω aufwei­ sen, um der oben beschriebenen SSTL-2-Spezifikation zu ent­ sprechen. Nun kann die Datenbussteuereinrichtung 5 auf die SSTL-2-Speichermodule 3 zugreifen, wobei die SSTL-2-Speicher­ module 3 an ihren Anschlüssen ein Datenbussystem 1 gemäß der SSTL-2-Spezifikation vorfinden. Die ebenfalls sich an dem Da­ tenbus angeschlossenen LVTTL-Speichermodule 22 beeinflussen die Funktionsweise des Datenbussystems im SSTL-2-Betrieb nicht, da die an den Datenbusleitungen 24 anliegenden Aus­ gänge der LVTTL-Speichermodule 22 hochohmig geschaltet sind, solange sie nicht durch die Datenbussteuereinrichtung adres­ siert werden.If an SSTL-2 memory module 3 is to be addressed, the data bus control device 5 signals the switching device 6 to connect the SSTL-2 memory modules 3 and the line terminators 7 to the data bus lines 4 . The switching device 6 is preferably provided such that it has a resistance of 20 Ω in the closed state in order to correspond to the SSTL-2 specification described above. Now the data bus control device 5 can access the SSTL-2 memory modules 3 , the SSTL-2 memory modules 3 having a data bus system 1 according to the SSTL-2 specification at their connections. The LVTTL memory modules 22 , which are also connected to the data bus, do not influence the functioning of the data bus system in SSTL-2 operation, since the outputs from the LVTTL memory modules 22 connected to the data bus lines 24 are switched to high impedance as long as they are not addressed by the data bus control device be settled.

Die beschriebene Ausführungsform eignet sich insbesondere zur Verwendung von Speichermodulen, die für LVTTL-Datenbusse und SSTL-2-Datenbusse konzipiert sind. Es ist mit dem erfindungs­ gemäßen Datenbus jedoch grundsätzlich möglich, Speichermo­ dule, die an Datenbussen mit bzw. ohne Leitungsabschluss-Ein­ richtung betreibbar sind, miteinander an einem einzigen Da­ tenbussystem gemäß der Erfindung betrieben werden können.The embodiment described is particularly suitable for Use of memory modules for LVTTL data buses and SSTL-2 data buses are designed. It is with the Invention According to the data bus, however, basically possible, storage mo dule on data buses with or without line termination on direction are operable with each other on a single Da tenbus system can be operated according to the invention.

Die in der vorangehenden Beschreibung, den Ansprüchen und den Zeichnungen offenbaren Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirk­ lichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsfor­ men wesentlich sein. The in the preceding description, the claims and the Drawings disclosing features of the invention can both  individually as well as in any combination for the forfeiture Lichung the invention in its various embodiments be essential.  

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11

Datenbussystem
data bus system

22

LVTTL-Speichermodul
LVTTL memory module

33

SSTL-2-Speichermodul
SSTL-2 memory module

44

Datenbusleitungen
data bus

55

Datenbussteuereinrichtung
Datenbussteuereinrichtung

66

Schalteinrichtung
switching device

77

Leitungsabschlussschaltung
Line termination circuit

88th

Steuerleitung
control line

7171

Kapazität
capacity

7272

Widerstand
resistance

7373

Spannungspotentialanschluss
VTT
Voltage potential terminal
V TT

Spannungspotential
voltage potential

Claims (8)

1. Datenbus (1) für ein erstes Speichermodul (2) und für ein zweites Speichermodul, wobei der Datenbus eine Leitungsab­ schluss-Einrichtung umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schalteinrichtung (6) für den Datenbus (1) vorge­ sehen ist, um bei einer Adressierung des ersten Speichermo­ duls (2) die Leitungsabschluss-Einrichtung (7) von dem Daten­ bus (1) abzutrennen und bei einer Adressierung des zweiten Speichermoduls (3) die Leitungsabschluss-Einrichtung (7) an den Datenbus (1) anzulegen.1. Data bus ( 1 ) for a first memory module ( 2 ) and for a second memory module, the data bus comprising a line termination device, characterized in that a switching device ( 6 ) for the data bus ( 1 ) is provided in order to duls (2) separate addressing of the first Speichermo the line termination device (7) of the data bus (1) and to apply the line termination device (7) to the data bus (1) in an addressing the second memory module (3). 2. Datenbus (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schalteinrichtung (6) mit einem Widerstand beaufschlagt ist, so dass bei einem geschlossenen Schaltzustand ein serieller Widerstand an dem Datenbus (1) anliegt.2. Data bus ( 1 ) according to claim 1, characterized in that the switching device ( 6 ) is acted upon by a resistor, so that when the switching state is closed, a serial resistor is applied to the data bus ( 1 ). 3. Datenbus (1) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schalteinrichtung (6) den Datenbus (1) unterteilt, so dass das erste Speichermodul (2) zwischen einem Ausleseende des Datenbusses (1) und der Schalteinrichtung (6) angeordnet ist und das zweite Speichermodul (3) zwischen der Schaltein­ richtung (6) und der Leitungsabschluss-Einrichtung (7) ange­ ordnet ist.3. Data bus ( 1 ) according to claim 2, characterized in that the switching device ( 6 ) divides the data bus ( 1 ), so that the first memory module ( 2 ) is arranged between a read end of the data bus ( 1 ) and the switching device ( 6 ) and the second memory module ( 3 ) between the switching device ( 6 ) and the line termination device ( 7 ) is arranged. 4. Datenbus (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass jede Leitungsabschluss-Einrichtung (7) einen Widerstand (72), eine Kapazität (71) und eine Span­ nungsquelle (73) aufweist, wobei die Spannungsquelle (73) über den Widerstand (72) mit dem Datenbus verbunden (1) ist und die Kapazität (71) als Lastkapazität geschaltet ist.4. data bus (1) according to one of the preceding claims, by in that each line termination device (7) voltage source (73) comprises a resistor (72), a capacitance (71) and a chip, wherein the voltage source (73) connected via the resistor (72) to the data bus (1) and the capacitance (71) is connected as a load capacity. 5. Datenbus (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass das erste Speichermodul (2) an ei­ nem LVTTL-Datenbus betreibbar ist. 5. Data bus ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the first memory module ( 2 ) can be operated on an LVTTL data bus. 6. Datenbus (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass das zweite Speichermodul (3) an einem SSTL-2-Datenbus betreibbar ist.6. Data bus ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the second memory module ( 3 ) can be operated on an SSTL-2 data bus. 7. Datenbus (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass der Datenbus (1) Adressleitungen, Steuerleitungen und Datenleitungen umfasst.7. Data bus ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the data bus ( 1 ) comprises address lines, control lines and data lines. 8. Speichersystem mit einem Datenbus (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass ein erstes Speichermodul (2) und ein zweites Speichermo­ dul (3) an dem Datenbus (1) vorgesehen sind,
wobei das erste Speichermodul (2) so gestaltet ist, um es an einen Datenbus (1) ohne Leitungsabschluss-Einrichtung (7) an­ zuschließen, und das zweite Speichermodul (3) so gestaltet ist, um es an einen Datenbus (1) mit einer Leitungsabschluss- Einrichtung (7) anzuschließen.
8. Storage system with a data bus ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that
that a first memory module ( 2 ) and a second memory module ( 3 ) are provided on the data bus ( 1 ),
wherein the first memory module ( 2 ) is designed to connect it to a data bus ( 1 ) without line termination device ( 7 ), and the second memory module ( 3 ) is designed to connect it to a data bus ( 1 ) with a Connect the line termination device ( 7 ).
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4748426A (en) * 1986-11-07 1988-05-31 Rodime Plc Active termination circuit for computer interface use

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4748426A (en) * 1986-11-07 1988-05-31 Rodime Plc Active termination circuit for computer interface use

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