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DE10026255A1 - Lumineszenzdiosdenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN - Google Patents

Lumineszenzdiosdenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN

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Publication number
DE10026255A1
DE10026255A1 DE10026255A DE10026255A DE10026255A1 DE 10026255 A1 DE10026255 A1 DE 10026255A1 DE 10026255 A DE10026255 A DE 10026255A DE 10026255 A DE10026255 A DE 10026255A DE 10026255 A1 DE10026255 A1 DE 10026255A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chip
substrate
epitaxial layer
layer
epitaxial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10026255A
Other languages
English (en)
Inventor
Manfred Mundbrod-Vangerow
Berthold Hahn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE20009283U external-priority patent/DE20009283U1/de
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE10026255A priority Critical patent/DE10026255A1/de
Priority to EP10182208.8A priority patent/EP2273574B9/de
Priority to JP2001581353A priority patent/JP2003533030A/ja
Priority to CNB018086616A priority patent/CN1292494C/zh
Priority to CNB018087345A priority patent/CN1252837C/zh
Priority to EP01931364.2A priority patent/EP1277241B1/de
Priority to PCT/DE2001/001002 priority patent/WO2001082384A1/de
Priority to US10/239,106 priority patent/US6878563B2/en
Priority to JP2001579374A priority patent/JP2003532298A/ja
Priority to EP10180345.0A priority patent/EP2270875B1/de
Priority to US10/258,340 priority patent/US7319247B2/en
Priority to EP01931363.4A priority patent/EP1277240B1/de
Priority to PCT/DE2001/001003 priority patent/WO2001084640A1/de
Priority to TW090109884A priority patent/TW522575B/zh
Priority to TW090109885A priority patent/TW567616B/zh
Publication of DE10026255A1 publication Critical patent/DE10026255A1/de
Priority to US11/065,769 priority patent/US20060011925A1/en
Priority to US11/067,349 priority patent/US7691659B2/en
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Abstract

Lumineszenzdiodenchip mit einem elektrisch leitfähigen und strahlungsdurchlässigen Substrat, bei dem die Epitaxieschichtenfolge (3) auf ihrer vom Substrat (2) abgewandten p-Seite (9) im Wesentlichen ganzflächig mit einer reflektierenden, bondfähigen p-Kontaktschicht (6) versehen ist. Das Substrat (2) ist an seiner von der Epitaxieschichtenfolge (3) abgewandten Hauptfläche (10) mit einer Kontaktmetallisierung (7) versehen, die nur einen Teil dieser Hauptfläche (10) bedeckt, und die Lichtauskopplung aus dem Chip (1) erfolgt über den freien Bereich der Hauptfläche (10) des Substrats (2) und über die Chipflanken (14). Ein weiterer Lumineszenzdiodenchip weist ausschließlich Epitaxieschichten auf. Die p-leitende Epitaxieschicht (5) auf ihrer von der n-leitenden Epitaxieschicht (4) abgewandten Hauptfläche (9) im Wesentlichen ganzflächig mit einer reflektierenden, bondfähigen p-Kontaktschicht (6) versehen und die n-leitende Epitaxieschicht (4) ist auf ihrer von der p-leitenden Epitaxieschicht (5) abgewandten Hauptfläche (8) mit einer n-Kontaktschicht (7) versehen, die nur einen Teil dieser Hauptfläche bedeckt. Die Lichtauskopplung aus dem Chip (1) erfolgt über den freien Bereich der Hauptfläche (8) der n-leitenden Epitaxieschicht (4) und über die Chipflanken (14).

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Lumineszenzdiodenchip nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 oder 3 sowie auf ein Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauele­ ments mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN.
Bei der Herstellung von Lumineszenzdiodenchips auf der Basis von GaN besteht das grundlegende Problem, daß die maximal er­ zielbare elektrische Leitfähigkeit von p-dotierten Schichten, insbesondere von p-dotierten GaN- oder AlGaN-Schichten, nicht ausreicht, um mit bei herkömmlichen Lumineszenzdiodenchips aus anderen Materialsystemen üblicherweise verwendeten Vor­ derseitenkontakten, die zur Erzielung möglichst hoher Strah­ lungsauskopplung nur einen Bruchteil der Vorderseite des Chips bedecken, eine Stromaufweitung über den gesamten late­ ralen Querschnitt des Chips zu erzielen.
Ein Aufwachsen der p-leitenden Schicht auf ein elektrisch leitendes Substrat, wodurch eine Stromeinprägung über den ge­ samten lateralen Querschnitt der p-leitenden Schicht möglich wäre, führt zu keinem wirtschaftlich vertretbarem Ergebnis. Die Gründe hierfür sind, daß die Herstellung von elektrisch leitenden gitterangepaßten Substraten (z. B. GaN-Substraten) für das Aufwachsen von GaN-basierten Schichten mit hohem technischen Aufwand verbunden ist und daß das Aufwachsen von p-dotierten GaN-basierten Schichten auf für undotierte und n- dotierte GaN-Verbindungen geeignete nicht gitterangepaßten Substrate zu keiner für eine Lumineszenzdiode hinreichenden Kristallqualität führt.
Bei einem bekannten Ansatz zur Bekämpfung des oben genannten Problems wird auf die vom Substrat abgewandte Seite der p­ leitenden Schicht ganzflächig eine für die Strahlung durch­ lässige Kontaktschicht oder eine zusätzliche elektrisch gut leitfähige Schicht zur Stromaufweitung aufgebracht, die mit einem Bondkontakt versehen ist.
Der erstgenannte Vorschlag ist jedoch mit dem Nachteil ver­ bunden, daß ein erheblicher Teil der Strahlung in der Kon­ taktschicht absorbiert wird. Beim zweitgenannten Vorschlag ist ein zusätzlicher Verfahrensschritt erforderlich, der den Fertigungsaufwand erhöht.
Die Aufgabe der Erfindung besteht zunächst darin, einen Lumi­ neszenzdiodenchip der eingangs genannten Art mit einer ver­ besserten Stromaufweitung zu entwickeln, dessen zusätzlicher Herstellungsaufwand gering gehalten ist. Weiterhin soll ein Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem derartigen Chip zur Verfügung gestellt werden.
Die erstgenannte Aufgabe wird mit einem Lumineszendiodenchip mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 oder des Patentan­ spruches 3 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegen­ stand der Patentansprüche 2 und 4 bis 6. Bevorzugte Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Lumineszendiodenchip sind Gegenstand der Patentansprüche 7 bis 9. Ein bevorzugtes Lumineszenzdiodenbauelement ist Gegenstand des Patentanspru­ ches 10.
Bei einem Lumineszenzdiodenchip gemäß der Erfindung ist das Substrat elektrisch leitfähig. Auf das Substrat sind zunächst die n-leitenden Schichten der Epitaxieschichtenfolge aufge­ bracht. Auf dieser befinden sich die p-leitenden Schichten der Epitaxieschichtenfolge, gefolgt von einer lateral ganz­ flächig aufgebrachten reflektierenden, bondfähigen p-Kontakt­ schicht. Das Substrat ist an seiner von der Epitaxieschich­ tenfolge abgewandten Hauptfläche mit einer Kontaktmetallisie­ rung versehen ist, die nur eine Teil dieser Hauptfläche be­ deckt. Die Lichtauskopplung aus dem Chip erfolgt über den freien Bereich der Hauptfläche des Substrats und über die Chipflanken.
Das Substrat dient hier vorteilhafterweise als Fenster­ schicht, die die Auskopplung der im Chip erzeugten Strahlung verbessert. Zur Optimierung der Dicke des Substrat ist dieses vorteilhafterweise nach dem Aufwachsen der Epitaxieschichten­ folge beispielsweise mittels Schleifen und/oder Ätzen ge­ dünnt.
Bei einem weiteren Lumineszenzdiodenchip gemäß der Erfindung weist der Chip ausschließlich Epitaxieschichten auf. Dazu ist ein Aufwachssubstrat nach dem epitaktischen Aufwachsen der Epitaxieschichtenfolge entfernt. Die p-leitende Epitaxie­ schicht ist auf ihrer von der n-leitenden Epitaxieschicht ab­ gewandten Hauptfläche im Wesentlichen ganzflächig mit einer reflektierenden, bondfähigen p-Kontaktschicht versehen. Auf der von der p-leitenden Epitaxieschicht abgewandten Hauptflä­ che der n-leitenden Epitaxieschicht befindet sich eine n-Kon­ taktschicht, die nur einen Teil dieser Hauptfläche bedeckt. Die Lichtauskopplung aus dem Chip erfolgt über den freien Be­ reich der Hauptfläche der n-leitenden Epitaxieschicht und über die Chipflanken.
Das Aufwachssubstrat kann in diesem Fall sowohl elektrisch isolierend als auch strahlungsundurchlässig sein und demzu­ folge vorteilhafterweise allein hinsichtlich optimaler Auf­ wachsbedingungen ausgewählt werden.
Der besondere Vorteil eines derartigen sogenannten Dünnfilm- LED-Chips besteht in einer verringerten, idealerweise keiner Strahlungsabsorption im Chip und einer verbesserten Auskopp­ lung der Strahlung aus dem Chip, insbesondere aufgrund der verminderten Anzahl von Grenzflächen mit Brechungsindex­ sprung.
Mit beiden erfindungsgemäßen Lumineszenzdiodenchips ist der besondere Vorteil verbunden, daß die Möglichkeit besteht, den Verlustwärme erzeugenden Bereich (insbesondere die p-dotierte Schicht und den pn-Übergang) des Chips sehr nahe an eine Wär­ mesenke zu bringen; die Epitaxieschichtenfolge ist praktisch unmittelbar an eine Wärmesenke thermisch ankoppelbar. Dadurch kann der Chip sehr effektiv gekühlt werden, wodurch die Sta­ bilität der ausgesandten Strahlung erhöht ist. Ebenso ist auch der Wirkungsgrad des Chips erhöht.
Bei beiden erfindungsgemäßen Lumineszenzdiodenchips ist auf­ grund der ganzflächigen Kontaktierung vorteilhafterweise die Flußspannung reduziert.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung eines erfindungsgemäßen Lumineszenzdiodenchips weist die p-Kontaktschicht eine auf die p-Seite aufgebrachte transparente erste Schicht und eine auf diese aufgebrachte spiegelnde zweite Schicht auf. Dadurch kann die Kontaktschicht auf einfache Weise sowohl hinsicht­ lich ihrer elektrischen Eigenschaften als auch ihrer Refle­ xionseigenschaften optimiert werden.
Bevorzugte Materialien für die erste und zweite Schicht sind Pt und/oder Pd bzw. Ag, Au und/oder Al. Die spiegelnde Schicht kann aber auch als dielektrischer Spiegel ausgebildet sein.
Bei einer anderen bevorzugten Weiterbildung weist die p-Kon­ taktschicht eine PtAg- und/oder eine PdAg-Legierung auf.
Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip gemäß der Erfindung wird der Chip mit der p-Seite auf eine Chipmontagefläche eines elektrischen Anschlußteiles, insbe­ sondere eines elektrischen Leiterrahmens montiert.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Fig. 1a bis 4e beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Fig. 1a, eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein erstes Ausführungsbeispiel;
Fig. 1b, eine schematische Darstellung eines bevorzugten p- Kontaktschicht;
Fig. 2, eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein zweites Ausführungsbeispiel;
Fig. 3a bis 3c, eine schematische Darstellung eines Ver­ fahrensablaufes zur Herstellung des Ausführunsbeispieles ge­ mäß Fig. 1a;
Fig. 4a bis 4e, eine schematische Darstellung eines Ver­ fahrensablaufes zur Herstellung des Ausführunsbeispieles ge­ mäß Fig. 2;
In den Figuren der verschiedenen Ausführungsbeispiele sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit densel­ ben Bezugszeichen versehen.
Bei dem Lumineszenzdiodenchip 1 von Fig. 1a ist auf einem SiC-Substrat 2 eine strahlungsemittierende Epitaxieschichten­ folge 3 aufgebracht. Diese weist beispielsweise eine n-lei­ tend dotierte GaN- oder AlGaN-Epitaxieschicht 4 und eine p­ leitend dotierte GaN- oder AlGaN-Epitaxieschicht 5 auf. Ebenso kann beispielsweise eine auf GaN basierende Epitaxie­ schichtenfolge 3 mit einer Doppelheterostruktur, einer Ein­ fach-Quantenwell(SQW)-Struktur oder einer Multi-Quanten­ well(MQW)-Struktur mit einer bzw. mehreren undotierten Schicht(en) 19, beispielsweise aus InGaN oder InGaAlN, vor­ geshen sein.
Das SiC-Substrat 2 ist elektrisch leitfähig und für die von der Epitaxieschichtenfolge 3 ausgesandte Strahlung durchläs­ sig.
Auf ihrer vom SiC-Substrat 2 abgewandten p-Seite 9 ist auf die Epitaxieschichtenfolge 3 im Wesentlichen ganzflächig eine reflektierende, bondfähige p-Kontaktschicht 6 aufgebracht. Diese besteht beispielsweise im Wesentlichen aus Ag, aus ei­ ner PtAg- und/oder einer PdAg-Legierung.
Die p-Kontaktschicht 6 kann aber auch, wie in Fig. 1b sche­ matisch dargestellt, aus einer strahlungsdurchlässigen ersten Schicht 15 und einer spiegelnden zweiten Schicht 16 zusammen­ gesetzt sein. Die erste Schicht 15 besteht beispielsweise im Wesentlichen aus Pt und/oder Pd und die zweite Schicht 16 beispielsweise im Wesentlichen aus Ag, Au und/oder A1 oder einer dielektrischen Spiegelschicht.
An seiner von der Epitaxieschichtenfolge 3 abgewandten Hauptfläche 10 ist das SiC-Substrat 2 mit einer Kontaktmetal­ lisierung 7 versehen, die nur einen Teil dieser Hauptfläche 10 bedeckt und als Bondpad zum Drahtbonden ausgebildet ist. Die Kontaktmetallisierung 7 besteht beispielsweise aus einer auf das SiC-Substrat 2 aufgebrachten Ni-Schicht, gefolgt von einer Au-Schicht.
Der Chip 1 ist mittels Die-Bonden mit seiner p-Seite, das heißt mit der p-Kontaktschicht 6 auf eine Chipmontagefläche 12 eines elektrischen Anschlußrahmens 11 (Leadframe) mon­ tiert. Die n-Kontaktmetallisierung 7 ist über einen Bonddraht 17 mit einem Anschlußteil 18 des Anschlußrahmens 11 verbun­ den.
Die Lichtauskopplung aus dem Chip 1 erfolgt über den freien Bereich der Hauptfläche 10 des SiC-Substrats 2 und über die Chipflanken 14.
Optional weist der Chip 1 ein nach dem Aufwachsen der Epita­ xieschichtenfolge 3 gedünntes SiC-Substrat 2 auf (dies ist in Fig. 1a mit Hilfe der gestrichelten Linien angedeutet).
Das in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem der Fig. 1a zum einen dadurch, daß der Chip 1 ausschließlich Epitaxieschichten der Epitaxieschichtenfolge 3 und keine Substratschicht aufweist. Letztere wurde nach dem Aufwachsen der Epitaxieschichten beispielsweise mittels Ätzen und/oder Schleifen entfernt. Hinsichtlich der Vorteile eines derartigen sogenannten Dünnfilm-LED-Chips wird auf den allge­ meinen Teil der Beschreibung verwiesen. Zum anderen weist die Epitaxieschichtenfolge 3 eine Doppelheterostruktur, eine Ein­ fach-Quantenwell(SQW)-Struktur oder eine Multi-Quanten­ well(MQW)-Struktur mit einer bzw. mehreren undotierten Schicht(en) 19, beispielsweise aus InGaN oder InGaAlN auf. Beispielhaft ist hier auch ein LED-Gehäuse 21 schematisch dargestellt.
Bei dem in den Fig. 3a bis 3c schematisch dargestellten Verfahrensablauf zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbau­ elements mit einem Lumineszenzdiodenchip 1 gemäß Fig. 1a wird zunächst die strahlungsemittierende Epitaxieschichten­ folge 3 auf das SiC-Substrat 2 aufgewachsen (Fig. 3a). Nach­ folgend wird auf die p-Seite 9 der Epitaxieschichtenfolge 3 ganzflächig die bondfähige p-Kontaktschicht 6 und auf einen Teilbereich der von der Epitaxieschichtenfolge 3 abgewandten Hauptfläche 10 des Substrats 2 die n-Kontaktschicht 7 aufge­ bracht (Fig. 3b). Diese Prozess-Schritte finden alle im so­ genannten Waferverbund statt, wodurch eine Vielzahl von Chips gleichzeitig nebeneinander herstellbar sind.
Nach den oben beschriebenen Prozess-Schritten wird der Wafer­ verbund in einzelne Chips 1 zertrennt. Die einzelnen Chips werden anschließend mittels Löten jeweils mit der bondfähigen p-Kontaktschicht 6 auf eine Chipmontagefläche 12 eines elek­ trischen Leiterrahmens 11 montiert (Fig. 3c).
Das in den Fig. 4a bis 4e schematisch dargestellte Verfah­ ren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit ei­ nem Lumineszenzdiodenchip 1 gemäß Fig. 2 unterscheidet sich von dem der Fig. 3a bis 3c im Wesentlichen dadurch, daß nach dem Aufwachsen der Epitaxieschichtenfolge 3 und vor oder nach dem Aufbringen der p-Kontaktschicht 6 das Substrat 2 entfernt wird (Fig. 4c). Das Substrat 2 kann in diesem Fall sowohl elektrisch isolierend als auch strahlungsundurchlässig sein und demzufolge vorteilhafterweise allein hinsichtlich optimaler Aufwachsbedingungen ausgelegt werden.
Nach dem Entfernen des Substrats 2 wird auf die n-Seite 13 der Epitaxieschichtenfolge 3 die n-Kontaktmetallisierung 7 aufgebracht (Fig. 4d), bevor dann analog den oben in Verbin­ dung mit der Fig. 3c bereits beschriebenen Montageschritte erfolgen (Fig. 4e).
Die Erläuterung der Erfindung anhand der obigen Ausführungs­ beispiele ist selbstverständlich nicht als Einschränkung auf diese zu verstehen. Die Erfindung ist vielmehr insbesondere bei allen Lumineszenzdiodenchips nutzbar, bei denen die von einem Aufwachssubstrat entfernt liegende Epitaxieschicht eine unzureichende elektrische Leitfähigkeit aufweist.

Claims (10)

1. Lumineszenzdiodenchip (1), bei dem eine strahlungsemit­ tierende Epitaxieschichtenfolge (3) mit einer n-leitenden Epitaxieschicht (4) und einer p-leitenden Epitaxieschicht (5) auf der Basis von GaN mit der n-leitenden Seite (8) auf einem elektrisch leitfähigen Substrat (2) aufgebracht ist und das Substrat (2) für eine von der Epitaxieschich­ tenfolge (3) ausgesandte Strahlung durchlässig ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) elektrisch leitfähig ist, die Epitaxieschichtenfolge (3) auf ihrer vom Substrat (2) abgewandten p-Seite (9) im Wesentlichen ganzflächig mit einer reflektierenden, bondfähigen p-Kontaktschicht (6) versehen ist, das Substrat (2) an seiner von der Epita­ xieschichtenfolge (3) abgewandten Hauptfläche (10) mit einer Kontaktmetallisierung (7) versehen ist, die nur eine Teil dieser Hauptfläche (10) bedeckt, und daß die Lichtauskopplung aus dem Chip (1) über den freien Bereich der Hauptfläche (10) des Substrats (2) und über die Chipflanken (14) erfolgt.
2. Lumineszenzdiodenchip (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein nach dem Aufbringen der Epitaxieschichtenfolge (3) gedünntes Substrat (2) vorgesehen ist.
3. Lumineszenzdiodenchip (1) mit einer strahlungsemittieren­ den Epitaxieschichtenfolge (3) auf der Basis von GaN, die eine n-leitende Epitaxieschicht (4) und eine p-leitende Epitaxieschicht (5) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (1) mittels Entfernen eines Aufwachssubstrats nach dem epitaktischen Aufwachsen der Epitaxieschichten­ folge (3) ausschließlich Epitaxieschichten aufweist, die p-leitende Epitaxieschicht (5) auf ihrer von der n- leitenden Epitaxieschicht (4) abgewandten Hauptfläche (9) im Wesentlichen ganzflächig mit einer reflektierenden, bondfähigen p-Kontaktschicht (6) versehen ist und die n-leitende Epitaxieschicht (4) auf ihrer von der p- leitenden Epitaxieschicht (5) abgewandten Hauptfläche (8) mit einer n-Kontaktschicht (7) versehen ist, die nur ei­ nen Teil dieser Hauptfläche bedeckt, und daß die Licht­ auskopplung aus dem Chip (1) über den freien Bereich der Hauptfläche (8) der n-leitenden Epitaxieschicht (4) und über die Chipflanken (14) erfolgt.
4. Lumineszenzdiodenchip nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die p-Kontaktschicht (6) eine auf die p-Seite (9) aufge­ brachte transparente erste Schicht (15) und eine auf diese aufgebrachte spiegelnde zweite Schicht (16) auf­ weist.
5. Lumineszenzdiodenchip nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (15) im Wesentlichen Pt und/oder Pd aufweist und die zweite Schicht (16) Ag, Au und/oder Al aufweist oder als dielektrischer Spiegel ausgebildet ist.
6. Lumineszenzdiodenchip nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die p-Kontaktschicht (6) eine PtAg- und/oder eine PdAg- Legierung aufweist.
7. Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauele­ ments mit einem Lumineszenzdiodenchip (1) auf der Basis von GaN, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte:
  • a) Epitaktisches Aufwachsen einer strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge (3) auf ein Substrat (2), das für die von der Epitaxieschichtenfolge (3) ausgesandte Strah­ lung durchlässig ist, derart, daß eine n-Seite (8) der Epitaxieschichtenfolge (3) dem Substrat (2) zugewandt und eine p-Seite (9) der Epitaxieschichtenfolge (3) vom Sub­ strat (2) abgewandt ist,
  • b) ganzflächiges Aufbringen einer bondfähigen p-Kontakt­ schicht (6) auf die p-Seite (9) der Epitaxieschichten­ folge (3),
  • c) Aufbringen einer n-Kontaktschicht (7) auf einen Teil­ bereich einer von der Epitaxieschichtenfolge (3) abge­ wandten Hauptfläche (10) des Substrats (2),
  • d) Aufbringen des Chips (1) auf eine Chipmontagefläche (12) eines LED-Gehäuses, einer Leiterbahn in einem LED- Gehäuse oder eines elektrischen Anschlußrahmens (11), mit der bondfähigen p-Kontaktschicht (6) zur Chipmontageflä­ che hin.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der n-Kontaktschicht (7) das Substrat (2) gedünnt wird.
9. Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauele­ ments mit einem Lumineszenzdiodenchip (1) auf der Basis von GaN, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte:
  • a) Epitaktisches Aufwachsen einer strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge (3) auf ein Substrat (2), derart, daß eine n-Seite (8) der Epitaxieschichtenfolge (3) dem Substrat (2) zugewandt und eine p-Seite (9) der Epitaxie­ schichtenfolge vom Substrat (3) abgewandt ist,
  • b) ganzflächiges Aufbringen einer bondfähigen p-Kontakt­ schicht (6) auf die p-Seite (9) der Epitaxieschichten­ folge (3),
  • c) Entfernen des Substrats (2) von der Epitaxieschichten­ folge (3),
  • d) Aufbringen einer n-Kontaktschicht (7) auf einen Teil­ bereich der in Schritt c) freigelegten Hauptfläche (13) der Epitaxieschichtenfolge (3),
  • e) Aufbringen des Chips (1) auf eine Chipmontagefläche (12) eines LED-Gehäuses, einer Leiterbahn in einem LED- Gehäuse oder eines elektrischen Anschlußrahmens (11), mit der bondfähigen p-Kontaktschicht (6) zur Chipmontageflä­ che (12) hin.
10. Lumineszenzdiodenbauelement mit einem Lumineszenzdioden­ chip gemäß einem der Patentansprüche 1 bis 9, bei dem der Chip (1) auf einer Chipmontagefläche (12) eines LED-Ge­ häuses (21), insbesondere auf einem Leiterrahmen (11) oder einer Leiterbahn des LED-Gehäuses, montiert ist, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Kontaktmetallisierung (6) auf der Chipmontagefläche (12) aufliegt.
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