DE10013261A1 - Mikromechanisch herstellbarer optischer Strahlteiler - Google Patents
Mikromechanisch herstellbarer optischer StrahlteilerInfo
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Abstract
Der beschriebene Strahlteiler (39) weist einen aus Silizium gefertigten Stützrahmen (40) auf, der im Innern eine aus Siliziumnitrid gebildete Membran (42) trägt. Die Membran (42) weist insbesondere Durchgangsöffnungen (43) auf, zwischen denen Stege (43') ausgebildet sind. Auf der einem einfallenden Strahl (47) zugewandten Seite der Membran (42) befindet sich eine Aluminium-Beschichtung, durch die das Reflexionsvermögen bzw. der Reflexionsgrad der Membran (42) erhöht wird. Ein einfallendes Strahlenbündel (47) trifft unter einem Einfallswinkel PHI auf den Strahlteiler (39) auf. Ein Teil (48) des einfallenden Strahls (47) wird an den Stegen (43') reflektiert, wohingegen der restliche Teil (49) des Strahls (47) frei die Durchgangsöffnungen (43) durchstrahlt. Es findet demnach eine Strahlteilung in den reflektierten Teil (48) und in den transmittierten Teil (49) statt.
Description
Die Erfindung betrifft einen Strahlteiler zur Aufspaltung eines
elektromagnetischen Strahls in mindestens zwei Teilstrahlen. Im Besonderen
bezieht sich die Erfindung auf solche Strahlteiler mit im wesentlichen flach
ausgebildeten, die Teilung des Strahls bewirkenden Funktionselementen.
Im Bereich der eingangs genannten Strahlteiler sind bereits eine Reihe
unterschiedlicher Technologien bekannt, um die genannte Aufspaltung des
Strahls zu bewerkstelligen. Deren Funktion beruht dabei auf optischen
Eigenschaften eines zugrunde liegenden Dielektrikums, wobei sich insbesondere
Reflexionen des einfallenden Strahls an optischen Grenzflächen zu Nutze
gemacht werden. Ein derartiger Strahlteiler ist in Fig. 1a gezeigt. Ein
einfallender Strahl 10 fällt auf eine vordere Außenfläche 11 eines Dielektrikums
12 und wird dort teilweise reflektiert 13. Der durchgehende Strahlenteil 14
durchdringt 15 danach eine hintere Außenfläche 16 des Dielektrikums 12 und
wird dabei ebenfalls wieder teil-reflektiert 17. Der teil-reflektierte Strahl 17 tritt
dann zum Teil wieder aus der vorderen Aussenfläche 11 des Dielektrikums 12
heraus 18 und bildet zusammen mit dem Teilstrahl 13 ein Teilstrahlenbündel 13,
18. Es wird hervorgehoben, dass die Fig. 1a auch insofern stark vereinfacht ist,
als bei Treffen des Teilstrahls 17 auf die vordere Außenfläche 11 weitere
Reflexionen auftreten, die hier nicht dargestellt sind.
Anhand dieser vereinfachten Darstellungen werden bereits zwei grundlegende
Probleme im Bereich der genannten Strahlteiler sichtbar. Zum einen entstehen
aufgrund der gezeigten Doppelreflexion sogenannte "Geisterbilder", durch die die
Strahleigenschaften des reflektierten Strahls erheblich verschlechtert werden und
insbesondere zu einer Strahlaufweitung führen. Zudem führt der bei dem
durchgehenden (transmittierten) Strahl auftretende Parallelversatz zu einer
axialen Bildversetzung, die ebenfalls oft unerwünscht oder sogar nicht
hinnehmbar ist.
Die genannten Probleme haben bereits zur Entwicklung von Strahlteilern geführt,
bei denen die Dicke des Dielektrikums - in Richtung des transmittierten Strahls -
möglichst dünn ausgebildet ist, um die genannten Effekte bei den
Mehrfachreflexionen bzw. dem Parallelversatz des durchgehenden Strahls zu
minimieren. Ein derartiger Membran-Strahlteiler ist schematisch in Fig. 1b
dargestellt. Dieser Strahlteiler weist eine an einem Rahmen 20 angeordnete
Membran 21 auf. Ein einfallender Strahl 22 wird an der Membran sowohl teil-
transmittiert 23 als auch teil-reflektiert 24. Diese Membran-Strahlteiler 20, 21 sind
so dünn ausgebildet (etwa 2 µm Nitrocellulosefilm), dass die beiden reflektierten
Strahlenbündel 24 praktisch übereinander liegen, d. h. sowohl kein Strahlversatz
als auch keine Strahlaufweitung (wie oben beschrieben) stattfinden. Diese
Strahlteiler haben allerdings den Nachteil, dass sie für den fernen UV-Bereich
nicht geeignet sind und zudem die an dünnen Membranen üblicherweise
auftretenden Interferenzen sich beim Einsatz solcher Strahlteiler sehr störend
auswirken.
Zudem wurden bereits Strahlteiler vorgeschlagen, bei denen die Außenflächen
keilförmig ausgebildet sind und dadurch zum Ausblenden der reflektierten
Teilstrahlen führen, allerdings mit dem Nachteil, dass es zu einem Knick in der
optischen Achse kommt.
Der vorbeschriebene einschlägige Stand der Technik ist im Übrigen in einem
Katalog der Firma ORIEL INSTRUMENTS mit dem Titel "The Book of Photon
Tools", und zwar im Abschnitt "Prism & Beamsplitters, Beam Splitters Technical
Discussion" offenbart. Aus diesem Katalog sind auch die Fig. 1 und 2
entnommen. Die vorgenannten Nachteile haben ferner bereits zu einer völlig
unterschiedlichen Technologie geführt, die ebenfalls in dem genannten Katalog
beschrieben ist. Das dort zugrundeliegende Strahlteilerprinzip soll nun anhand
der in Fig. 2 gezeigten perspektivischen Ansicht (mit einer in der rechten
Bildhälfte dargestellten Ausschnittvergrößerung) eines solchen Strahlteilers kurz
erläutert werden. Bei diesem Strahlteiler erfolgt die Strahlteilung mittels eines auf
ein Dielektrikum 30 aufgebrachten Punktmusters 31 eines hochreflektierenden
Materials, und zwar in dem vorliegenden eine Aluminiumschicht. Bei diesem
Strahlteiler wird ein Teil eines einfallenden Strahls an dem Punktmuster 31
reflektiert und der übrige Teil an den unbeschichteten Bereichen 32 des
Dielektrikums 30 transmittiert. Durch ein Verkippen dieses Strahlteilers bezüglich
der optischen Achse des einfallenden Strahls kann somit erreicht werden, dass
der einfallende Strahl in einer der Fig. 1 ähnlichen Weise in Teilstrahlen aufgeteilt
wird.
Sämtliche der vorbeschriebenen Strahlteilertechnologien weisen allerdings nach
wie vor erhebliche Nachteile auf. Zum einen treten bei ihnen noch chromatische,
sphärische und astigmatische Bildfehler und zusätzlich relativ große Reflexions-
bzw. Intensitätsverluste beim Durchstrahlen eines Dielektrikums auf. So wird
beim Durchgang eines Strahls durch das Dielektrikum eine zunächst
unpolarisierte Strahlung aufgrund der zur Strahlteilung benötigten Einbauwinkel
teilweise polarisiert. Jedoch können die genannten Nachteile durch
Zusatzmaßnahmen wenigstens verringert werden. So läßt sich die Intensität der
genannten Geisterbilder z. B. durch Verwendung reflexionsmindernder Schichten
reduzieren und/oder durch Ausblenden störender Reflexionen sogar
unterdrücken.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Strahlteiler der
vorbeschriebenen Art anzugeben bzw. bereitzustellen, der die genannten
Nachteile aus dem Stand der Technik bekannter Strahlteiler vermeidet.
Es sollen dabei insbesondere optische Abbildungsfehler wie die Erzeugung von
Geisterbildern, der Parallelversatz zwischen einfallendem und ausfallendem
Strahl sowie eine axiale Bildverschiebung bzw. Bildunschärfe möglichst wirksam
vermieden werden.
Darüber hinaus sollen die an den genannten Dielektrika auftretenden Reflexions-
bzw. Transmissionsverluste möglichst vermieden werden.
Zudem soll verhindert werden, dass insbesondere die reflektierten Strahlen bei
bestimmten Einfallswinkeln aufgrund der Reflexion polarisiert werden und daher
die ausfallenden Teilstrahlen gegenüber dem einfallenden Strahl polarisiert sind.
Überdies soll erreicht werden, dass der Strahlteiler im gesamten optischen
Wellenlängenbereich einsetzbar sowie ebenso gut für den ultravioletten Bereich
des Spektrums geeignet ist.
Schließlich soll der Strahlteiler gegenüber den bekannten Strahlteilern einfacher
und daher kostengünstiger herstellbar sein.
Die genannten Aufgaben werden bei einem Strahlteiler der eingangs genannten
Art dadurch gelöst, dass das Funktionselement entsprechend einem Punktmuster
angeordnete Durchgangsöffnungen bzw. Perforationen aufweist, wobei zwischen
den Durchgangsöffnungen liegende Bereiche des Funktionselementes
wenigstens auf der Seite des einfallenden Strahls im Wesentlichen reflektierend
und im Wesentlichen parallel ausfallende Teilstrahlen bildend ausgebildet sind.
Die Aufteilung des einfallenden Strahls erfolgt bei dem erfindungsgemäßen
Strahlteiler dadurch, dass sich ein Teil des einfallenden Strahls, und zwar der in
Höhe der Durchgangsöffnungen auf die Membran auftreffende Teil, frei durch
den Strahlteiler hindurchbewegen kann, wobei der restliche Teil des einfallenden
Strahls an den zwischen den Durchgangsöffnungen liegenden Bereichen des
Funktionselementes reflektiert wird. Da der transmittierte Strahlanteil
ausschließlich in Luft übertragen wird und somit auf ein optisch aktives Medium
wie beispielsweise ein Dielektrikum verzichtet werden kann, treten beim
transmittierten Strahl keinerlei Intensitätsverluste, Polarisierung oder etwaige
Abbildungsfehler auf, wie etwa bei den in der Beschreibungseinleitung
beschriebenen, aus dem Stand der Technik bekannten Strahlteilern. Durch
geeignete Wahl einer reflektierenden Beschichtung auf der dem einfallenden
Strahl zugewandten Seite des Funktionselementes kann erreicht werden, dass
der reflektierte Strahlanteil ebenfalls nahezu ohne jegliche Intensitätsverluste und
ohne jegliche Polarisierung aus dem Strahlteiler austritt.
Bevorzugt ist das Funktionselement als Membrane ausgebildet, die aus einem für
den jeweiligen elektromagnetischen Strahl im Wesentlichen nicht-transparenten
bzw. nicht-strahldurchlässigen Material, insbesondere aus einem
Halbleitermaterial, Metall oder dergleichen, hergestellt sein kann. Die Membrane
mit den entsprechenden Durchgangsöffnungen kann dabei insbesondere
mikromechanisch hergestellt sein, was eine Mikro-Dimensionierung der
Durchgangsöffnungen, insbesondere von deren Öffnungsquerschnitten,
ermöglicht, so dass der Strahlteiler in einem weiten Bereich von
Strahldurchmessern einsetzbar ist. Vorteilhafterweise ermöglicht dies auch den
Einsatz des Strahlteilers im Bereich der Laseroptik. Um dabei zu erreichen, dass
die Strahlquerschnittsfläche des einfallenden Strahls ausreichend viele
Durchgangsöffnungen abdeckt, um ein festes und vorgebbares Teilerverhältnis
zu garantieren, kann vorgesehen sein, dass der mittlere Abstand zwischen
jeweils zwei Durchgangsöffnungen um wenigstens einen Faktor 2 bis 5 kleiner ist
als der Durchmesser des einfallenden Strahls ist.
Das Funktionselement weist im Bereich der Durchgangsöffnungen bevorzugt
eine Dicke von etwa 1-100 µm auf. Das jeweils anzuwendende
mikromechanische Herstellungsverfahren richtet sich dabei nach dem jeweiligen
Ausgangsmaterial, d. h. im Falle von Halbleitermaterial vorzugsweise mittels
fotolithographischer Ätztechniken oder lasergestütztem Ätzen, sowie im Falle von
Metall durch mechanisches oder chemisches Abdünnen eines Metallbleches bzw
einer Metallfolie und anschließendes Bohren, insbesondere Mikrobohren, des so
hergestellten Metallbleches bzw. der Metallfolie zur Ausbildung der
Durchgangsöffnungen.
Zum Bereitstellen des reflektierenden Verhaltens des Funktionselementes
wenigstens auf der Seite des einfallenden Strahls kann hierzu auf dieser Seite
des Elementes eine reflektierende Schicht aufgebracht werden oder alternativ
diese Seite des Elementes poliert, insbesondere elektrochemisch poliert werden.
Hinsichtlich der Anordnung der Durchgangsöffnungen in der Ebene des
Funktionselementes können diese zum einen als gleichmäßig verteiltes
Punktmuster ausgebildet sein, wobei grundsätzlich alle denkbaren
Punktverteilungen, beispielsweise eine rechtwinklige, schiefwinklige oder eine
solche mit optimierter Ausnutzung der Fläche des Funktionselementes (z. B. in
Form einer dichtesten Kugelpackung), vorgesehen sein. Gemäß einer
Anordnungsvariante kann das Punktmuster eine in wenigstens einer
Raumrichtung nicht-gleichmäßige Punktverteilung aufweisen, wodurch erreicht
werden kann, dass der Strahlteiler in Bereiche mit unterschiedlichem
Strahlteilungsverhältnis segmentierbar ist. Alternativ kann diese Art der
Segmentierung auch durch Ausbilden von Bereichen unterschiedlicher
Öffnungsquerschnitte der Durchgangsöffnungen erreicht werden.
Beim Einsatz eines erfindungsgemäßen Strahlteilers in einer optischen
Meßanordnung wird dieser in Bezug auf die durch den einfallenden Strahl
gebildete optische Achse bevorzugt verdreht bzw. verkippt angeordnet, um zu
erreichen, dass der reflektierte Strahl nicht mit dem einfallenden Strahl koinzidiert
bzw. kollidiert. Um einem vom jeweiligen Drehwinkel abhängigen
Strahlteilungsverhältnis wirksam vorzubeugen, kann das Funktionselement ferner
so ausgebildet sein, dass dessen Dicke im Bereich der Durchgangsöffnungen, in
Relation zum Öffnungsquerschnitt der Durchgangsöffnungen, vorzugsweise ein
Verhältnis möglichst kleiner als 1 aufweist. Je größer dieses Verhältnis ist, umso
geringer ist nämlich die Ausbeute des transmittierten Strahls, und zwar
unabhängig von dem Drehwinkel des Strahlteilers, da die Ausbeute dann im
Wesentlichen nur noch durch an Innenkanten der Durchgangsöffnungen etwa
zusätzlich auftretende Reflexionen beeinflusst werden kann.
Die Durchgangsöffnungen sind bevorzugt quadratisch oder rund ausgebildet,
wobei sich die räumliche Ausgestaltung der Durchgangsöffnungen hauptsächlich
nach dem jeweiligen Herstellungsverfahren richtet, d. h. im Falle einer
chemischen Ätzung von Halbleitermaterial im Wesentlichen entlang der
Kristallachsen quadratisch ausgebildet ist oder im Falle einer Mikrobohrung von
Metallfolie rund ausgebildet sind.
Aufgrund der relativ geringen Dicke des Funktionselementes im Bereich der
Durchgangsöffnungen kann das Funktionselement an seinem Rand durch ein
Stützelement getragen sein, um die mechanische Stabilität des
Funktionselementes insgesamt zu erhöhen. Das Stützelement ist dabei
bevorzugt als Materialwulst(-verdickung) des Ausgangsmaterials gebildet, d. h.
beispielsweise im Falle von Halbleitermaterial durch entsprechendes anisotropes
Ätzen mittels fotolithographischer Maskentechnik gebildet. Im Falle einer
Metallfolie als Ausgangsmaterial kann das Stützelement hingegen durch
Verhindern einer Ausdünnung der Metallfolie im Randbereich erzeugt werden,
und zwar mittels einer geeigneten, beim chemischem Ausdünnen der Metallfolie
angewendeten Maskentechnik.
Schließlich kann das Funktionselement, im Falle eines Halbleitermaterials,
vorteilhaft durch Anordnung einer Anzahl von Funktionselementen auf einem
Waver hergestellt werden. Dies ermöglicht eine Massenproduktion des
erfindungsgemäßen Strahlteilers ähnlich der Herstellung von Halbleiterchips in
der Mikroelektronik.
Die Erfindung wird im Folgenden weiter unter Heranziehung von Zeichnungen
erläutert, wobei sich gleiche Referenzzeichen auf funktional gleiche oder ähnliche
Merkmale beziehen.
Fig. 1a, b zeigen schematisierte Strahlwege zweier Ausführungsformen eines
aus dem Stand der Technik bekannten Strahlteilers;
Fig. 2 zeigt in größerem Detail und entsprechender
Ausschnittvergrößerung ein weiteres Ausführungsbeispiel eines
Strahlteilers gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 3a, b zeigen zwei orthogonale Ansichten einer bevorzugten
Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Strahlteilers;
Fig. 4a, b zeigen zwei alternative Ausführungsformen mit jeweils
unterschiedlichem Durchgangsöffnungsquerschnitt gemäß der
Erfindung;
Fig. 5a, b zeigen zwei alternative Ausführungsformen mit unterschiedlichem
Punktraster und kreisförmiger Ausgestaltung der
Durchgangsöffnungen gemäß der Erfindung; sowie
Fig. 6 zeigt eine typische optische Messanordnung enthaltend einen
erfindungsgemäßen Strahlteiler.
Die Fig. 1 und 2 wurden bereits im Zusammenhang mit der in der
Beschreibungseinleitung enthaltenen Würdigung des Standes der Technik näher
beschrieben.
Fig. 3a ist eine Seitenansicht einer bevorzugten Ausführungsform eines
erfindungsgemäßen Strahlteilers 39. Der Strahlteiler 39 weist einen aus Silizium
gefertigten Stützrahmen 40 mit einer auf der gegenüberliegenden Seite eines
einfallenden Strahls (Strahlrichtung in Pfeilrichtung 'A') hin gebildeten
Abschrägung 41 auf. Der Stützrahmen ist quadratisch ausgebildet und hat eine
Kantenlänge von etwa 10-20 mm. Die Dicke des Stützrahmens 40 beträgt etwa
0.5 mm. Eine durch die Abschrägung 41 gebildete Ausnehmung 41' endet auf
der dem einfallenden Strahl A zugewandten Seite des Strahlteilers in eine
Membran 42, die aus Siliziumnitrid gebildet ist. Das Siliziumnitrid dient, wie
nachfolgend noch beschrieben wird, als Maske bei der Herstellung der gezeigten
Strukturen des Strahlteilers, insbesondere bei einem rein mikromechanisch
hergestellten Strahlteiler. Die Membran 42 weist insbesondere
Durchgangsöffnungen 43 auf, zwischen denen Stege 43' ausgebildet sind. Eine
entsprechende Siliziumnitridschicht 46 befindet sich zudem auf der dem
einfallenden Strahl abgewandten Seite A des Strahlteilers. Zwischen dem
Siliziumsubstrat 40 und den beiden Siliziumnitridschichten 42, 46 befinden sich
jeweils noch Siliziumdioxidschichten 44, 45. Auf der dem einfallenden Strahl 47
zugewandten Siliziumdioxidschicht 45 befindet sich zusätzlich eine Aluminium-
Beschichtung, durch die das Reflexionsvermögen bzw. der Reflexionsgrad der
Membran 42 erhöht wird und damit das Verhältnis von reflektiertem zu
transmittiertem Strahl besser vorhersagbar ist.
Es sei nun angenommen, dass ein einfallendes Strahlenbündel 47 (es kann sich
dabei um eine Lichtstrahl oder einen elektromagnetischen Strahl beliebiger
Wellenlänge handeln) unter einem Einfallswinkel ϕ auf den Strahlteiler 39 auftrifft.
Ein Teil 48 des einfallenden Strahls 47 wird an den Stegen 43' reflektiert,
wohingegen der restliche Teil 49 des Strahls 47 frei durch die
Durchgangsöffnungen 43 hindurch transmittiert wird. Es findet demnach eine
Strahlteilung in den reflektierten Teil 48 und in den transmittierten Teil 49 statt.
Fig. 3b zeigt nun eine entsprechende Draufsicht des in Fig. 3a gezeigten
Strahlteilers 39, und zwar entgegen der Blickrichtung des einfallenden Strahls A.
An der Oberfläche des Stützrahmens 40 sind in der gezeigten Ansicht die
Siliziumnitridschicht 46 sowie die Abschrägung 41 zu ersehen. Ferner sind in
dieser Darstellung die Durchgangsöffnungen 43 und die entsprechenden Stege
43' gut sichtbar. Die Durchgangsöffnungen 43 sind quadratisch ausgebildet, was
in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel durch den nachfolgend beschriebenen
Herstellungsprozess bedingt ist. Die Durchgangsöffnungen können, je nach
Herstellungsverfahren, in einer Vielzahl von geometrischen Formen ausgebildet
sein, wie nachfolgend noch eingehend beschrieben wird.
Hinsichtlich der Herstellung des erfindungsgemäßen Strahlteilers wird in einem
Wafer aus Silizium oder einem anderen geeigneten Halbleitermaterial zunächst
durch anisotropes Ätzen eine Membran erzeugt, welche in einem weiteren
Arbeitsgang entsprechend dem gewünschten Teilverhältnis strukturiert wird. Das
Silizium bildet den mechanischen Rahmen des Strahlteilers. Bei Bedarf kann der
Siliziumchip in eine weitere Fassung, z. B. einen Metall- oder Kunststoffrahmen,
eingebettet werden. Der Silizumwafer wird beidseitig mit Siliziumdioxid und
Siliziumnitrid beschichtet. Die notwendigen photolithographischen Schritte zur
Definition des Rahmens und der Durchgangsöffnungen finden vor dem großen
Ätzangriff auf das Silizium ebenfalls auf beiden Seiten des Wafers statt. Auf der
Vorderseite wird die Siliziumnitridmaske und auf der Rückseite die Siliziumdioxid
und eine Siliziumnitridmaske zur Bildung der Durchgangsöffnungen geöffnet bzw.
perforiert. Im Anschluss wird mittels anisotroper Ätztechnik(en) das Silizium
weggeräumt, bis eine dünne Membranschicht übrig bleibt. In der Folge wird der
SiO2-Anteil der Membran vollständig weggeätzt. Übrig bleibt ein Gitter aus
Siliziumnitrid, welches von der Vorderseite mit Aluminium metallisiert wird. Im
Anschluss daran werden dann die Strahlteilerchips in einem Sägeprozess
vereinzelt und bei Bedarf eingefasst. Die Membran besteht entweder nur aus SiO2
oder nur aus Si3N4. Alternativ wird die Membran aus hochdotiertem Silizium
gebildet oder aus Kombinationen aus den genannten Schichten. Der
Herstellungsprozess kann in bekannter Weise vielfältig variiert werden.
Anhand der Fig. 4a und 4b soll nun gezeigt werden, wie das
Strahlteilungsverhältnis zwischen reflektiertem und transmittiertem Strahl allein
aufgrund der Abmessungen des Strahlteilers einstellbar ist und welche
geometrischen Randbedingungen dabei zu berücksichtigen sind. Die Figuren
zeigen eine vergrößerte seitliche Schnittansicht eines Membranausschnittes mit
Stegen 50 und Durchgangsöffnungen 51.
Die in Fig. 4a gezeigte, die tatsächlichen Abmessungen nur sehr schematisch
wiedergebende Darstellung einer Ausführungsform der Membran zeichnet sich
gegenüber der in Fig. 4b gezeigten Membran zunächst durch eine geringere
Membrandicke 52 aus. Im Idealfall ist die Membrandicke 52 dabei wesentlich
geringer als die Lateralabmessungen der Durchgangsöffnungen 53 sowie der
Stege 54. Die geringere Dicke hat den Vorteil, dass ein einfallendes
Strahlenbündel 55 beim Durchgang durch die Durchgangsöffnungen 51 nur
relativ gering an der Innenseite der jeweilgen Durchgangsöffnungen reflektiert
wird und somit die Intensität des transmittierten Teilstrahls 56 wesentlich größer
ist als die Intensität des reflektiert-transmittierten Teilstrahls 56'. Das
Strahlteilungsverhältnis zwischen dem transmittierten Teilstrahl 56 und dem
reflektierten Teilstrahl 57, d. h. das jeweilige Verhältnis der Intensitäten dieser
Teilstrahlen, ist in dem Beispiel wesentlich kleiner als 1, da der
Durchgangsöffnungsquerschnitt 53 entsprechend kleiner ist als die Breite 54
bzw. die Fläche der Stege 50.
Bei der in Fig. 4b ebenfalls nur schematisch wiedergegebenen
Ausführungsform der Membran ist nun die Membrandicke 58 wesentlich größer
als die Stegbreite 60, was beispielsweise herstellungsbedingt oder durch das
jeweils verwendete Membranmaterial gegeben sein kann. Die Membrandicke
kann, entgegen dem gezeigten Beispiel, sogar wesentlich größer sein als der
Durchgangsöffnungsquerschnitt 59. Ein einfallendes Strahlenbündel 61 teilt sich
wiederum in einen transmittierten Strahlenteil 62 und in einen reflektierten
Strahlenteil 63 auf. Aufgrund der größeren Membrandicke 58 kommt es hier,
gegenüber zur Ausführung gemäß Fig. 4a, vermehrt zu Reflexionen 64,
allerdings führen diese Reflexionen die entsprechenden Teilstrahlen 64 meist aus
der optischen Achse heraus und wirken sich daher in den meisten Fällen nicht
störend aus. Im Gegenteil können diese reflektiert-transmittierten Teilstrahlen 64
sogar gezielt zu einer dreifachen Strahlteilung ausgenutzt werden.
Fig. 5a, b zeigen schematisch Membranausschnitte in Draufsicht zweier
alternativer Ausführungsformen mit unterschiedlichem Punktraster und
kreisförmiger Ausgestaltung der Durchgangsöffnungen. Fig. 5a zeigt einen
Membranausschnitt 70 mit einer kubisch angelegten Rasteranordnung mit
Durchgangsöffnungsquerschnitten 71 und Abständen 72 zwischen den
Durchgangsöffnungen. Der in Fig. 5b gezeigte Membranausschnitt 73 weist
dagegen eine hexagonale Anordnung der Durchgangsöffnungen mit jeweiligen
Abständen 75 und Stegbreiten 75. Der Vorteil einer dichtestens Packung der
Durchgangsöffnungen gemäß Fig. 5b gegenüber der kubischen Anordnung
gemäß Fig. 5a liegt darin, dass der Transmissionsanteil gegenüber dem
Reflexionsanteil trotz einer stabilen Auslegung der Zwischenstege 76 erheblich
verbessert werden kann.
In Fig. 6 ist schließlich eine optische Messanordnung 80 enthaltend einen
erfindungsgemäßen Strahlteiler schematisch dargestellt. Die Messanordnung 80
weist eine Streulinse 81 auf, mittels der ein einfallender Strahl 82, beispielsweise
ein Laserstrahl, so aufgeweitet 83 wird, dass er auf einen erfindungsgemäßen
Strahlteiler bzw. seine Membran 84 möglichst flächenabdeckend auftrifft. Der
Strahlteiler 84 ist gegenüber der Orthogonalen zur optischen Achse unter einem
Winkel ϕ 85 angeordnet. Das einfallende Strahlenbündel 83 wird in einen
transmittierten Strahlenteil 86 und einen reflektierten Strahlenteil 87 aufgeteilt,
wobei der Reflexionswinkel ϑ 88 im Wesentlichen durch den Kippwinkel ϕ 85
bestimmt ist.
Claims (23)
1. Strahlteiler zur Aufspaltung eines einfallenden elektromagnetischen
Strahls in mindestens zwei ausfallende Teilstrahlen mittels eines
strahlaufteilenden, insbesondere flach ausgebildeten Funktionselementes,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Funktionselement entsprechend einem Punktmuster
angeordnete Durchgangsöffnungen aufweist, wobei zwischen den
Durchgangsöffnungen liegende Bereiche des Funktionselementes
wenigstens auf der Seite des einfallenden Strahls im Wesentlichen
reflektierend und im Wesentlichen parallel ausfallende Teilstrahlen bildend
ausgebildet sind.
2. Strahlteiler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das
Funktionselement als insbesondere mikromechanisch hergestellte
Membran ausgebildet ist.
3. Strahlteiler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das
Funktionselement aus im Wesentlichen nicht-transparentem Material,
insbesondere aus Halbleitermaterial, Metall, oder dergleichen hergestellt
ist.
4. Strahlteiler nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das
Funktionselement aus Metallfolie hergestellt ist.
5. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Punktmuster als im Wesentlichen
gleichmäßig angeordnetes oder als wenigstens in einer Raumrichtung
eine nicht-gleichmäßige, insbesondere wenigstens eine Stufe
aufweisende, stufenförmig sich ändernde Punktverteilung aufweisendes
Punktraster ausgebildet ist.
6. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungsquerschnitte der
Durchgangsöffnungen wenigstens in einer Raumrichtung unterschiedlich
ausgebildet sind.
7. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement wenigstens im
Bereich der Durchgangsöffnungen eine Dicke von etwa 1 bis 100 µm
aufweist.
8. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement ein möglichst
kleines Verhältnis von Dicke des Funktionselementes zu
Öffnungsquerschnitt der Durchgangsöffnungen, insbesondere ein
Verhältnis kleiner als 1, aufweist.
9. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der mittlere Abstand zwischen jeweils zwei
Durchgangsöffnungen um wenigstens einen Faktor 2 bis 5 kleiner ist als
der Durchmesser des einfallenden Strahls.
10. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsöffnungen im Wesentlichen
quadratisch oder rund ausgebildet sind.
11. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement wenigstens auf der
Seite des einfallenden Strahls ein Materialschicht mit möglichst großem
Reflexionskoeffizienten, insbesondere einen Metallfilm, aufweist.
12. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement einen vorzugsweise
in seinem Außenbereich angeordnetes Stützelement, insbesondere ein
aus dem Material des Funktionselementes selbst gebildeten Stützrahmen,
aufweist.
13. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement mindestens zwei
Bereiche mit unterschiedlichem Punktmuster und/oder unterschiedlicher
Verteilung der Öffnungsquerschnitte der Durchgangsöffnungen aufweist.
14. Strahlteiler nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Strahlteilungsverhältnis durch
Veränderung des Winkels der Flächenebene des Funktionselementes
gegenüber dem Einfallswinkel des Strahls einstellbar ist.
15. Verfahren zur Herstellung eines Strahlteilers zur Aufspaltung eines
einfallenden elektromagnetischen Strahls in mindestens zwei ausfallende
Teilstrahlen mittels eines strahlaufteilenden, insbesondere flach
ausgebildeten Funktionselementes, insbesondere zur Herstellung eines
Strahlteilers nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch die Schritte:
Bereitstellen eines für den Strahl im Wesentlichen nicht-transparenten bzw. reflektierenden und im Wesentlichen flach ausgebildeten Trägers,
Strukturieren des Trägers mit entsprechend einem Punktmuster angeordneten Durchgangsöffnungen.
gekennzeichnet durch die Schritte:
Bereitstellen eines für den Strahl im Wesentlichen nicht-transparenten bzw. reflektierenden und im Wesentlichen flach ausgebildeten Trägers,
Strukturieren des Trägers mit entsprechend einem Punktmuster angeordneten Durchgangsöffnungen.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das
Funktionselement mikromechanisch hergestellt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das
Funktionselement mittels fotolithografisch-chemischem, insbesondere
anisotropem Ätzen, oder mittels lasergestütztem Ätzen hergestellt wird.
18. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüch 15 bis 17, dadurch
gekennzeichnet, dass als Trägermaterial ein keramischer Werkstoff,
insbesondere Silizium, oberflächlich oxidiertes Silizium, Siliziumnitrid,
hochdotiertes Silizium, oder dergleichen, oder ein metallischer Werkstoff,
insbesondere abgedünntes Metallblech, verwendet wird.
19. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 18, dadurch
gekennzeichnet, dass die Durchgangsöffnungen des Funktionselementes
mittels Bohren, insbesondere lasergestütztem Mikrobohren, hergestellt
wird.
20. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 19, dadurch
gekennzeichnet, dass auf den Träger, wenigstens auf der Seite des
einfallenden Strahls, eine im Wesentlichen reflektierende Schicht
aufgebracht wird.
21. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 20, dadurch
gekennzeichnet, dass der Träger, wenigstens auf der Seite des
einfallenden Strahls, insbesondere elektrochemisch poliert wird.
22. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 21, dadurch
gekennzeichnet, dass das Strahlteilungsverhältnis zwischen
transmittiertem und reflektiertem Strahl durch geeignete Abstimmung der
Träger- bzw. Membrandicke sowie geeignete Anordnung bzw.
Dimensionierung der Durchgangsöffnungen eingestellt wird.
23. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 22, dadurch
gekennzeichnet, dass mindestens zwei Funktionselemente auf einem
Träger, insbesondere einem Wafer, hergestellt werden.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2271959A1 (de) * | 2008-05-06 | 2011-01-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Herstellung von dünn-pellicular-strahlteilern |
US8761550B2 (en) | 2008-01-31 | 2014-06-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical taps for circuit board-mounted optical waveguides |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6542304B2 (en) * | 1999-05-17 | 2003-04-01 | Toolz, Ltd. | Laser beam device with apertured reflective element |
US6891685B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-05-10 | Sioptical, Inc. | Anisotropic etching of optical components |
US20030206978A1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-11-06 | Bob Sherwood | Agglomerated particles including an active agent coprocessed with silicified microcrystalline cellulose |
DE502004001764D1 (de) * | 2003-05-22 | 2006-11-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Leichtbaustrukturelement |
US6859330B2 (en) * | 2003-06-04 | 2005-02-22 | Intel Corporation | Micromachined pellicle splitters and tunable laser modules incorporating same |
CN101983345A (zh) * | 2008-01-31 | 2011-03-02 | 惠普开发有限公司 | 基于mems的薄膜分束器 |
JP5775707B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2015-09-09 | オリンパス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1253138A (en) * | 1915-02-16 | 1918-01-08 | Brewster Film Corp | Light-splitting device for color photography. |
US2043292A (en) * | 1932-04-12 | 1936-06-09 | Colourgravure Ltd | Light dividing device |
BE758627A (fr) * | 1969-11-07 | 1971-04-16 | Oetiker Jakob | Element structurel optique |
US4302089A (en) * | 1979-10-15 | 1981-11-24 | Nippon Kogaku K.K. | Reflecting mirror device in a single lens reflex camera |
JPS58122502A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-21 | Canon Inc | 面積型ビ−ムスプリツタ− |
US4797696A (en) * | 1985-07-24 | 1989-01-10 | Ateq Corporation | Beam splitting apparatus |
US5243465A (en) * | 1992-05-12 | 1993-09-07 | Tencor Instruments | Area-division beamsplitter with broad spectral bandwidth |
US5450240A (en) * | 1993-07-22 | 1995-09-12 | Elsag International N.V. | Device and method for light beam splitting for dual sensor flame detector |
WO1998014818A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines strahlteilerformkörpers und verwendung des strahlteilerformkörpers in einem optoelektronischen modul |
-
2000
- 2000-03-17 DE DE10013261A patent/DE10013261B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-15 US US09/809,382 patent/US6525884B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8761550B2 (en) | 2008-01-31 | 2014-06-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical taps for circuit board-mounted optical waveguides |
EP2271959A1 (de) * | 2008-05-06 | 2011-01-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Herstellung von dünn-pellicular-strahlteilern |
EP2271959A4 (de) * | 2008-05-06 | 2012-03-28 | Hewlett Packard Development Co | Herstellung von dünn-pellicular-strahlteilern |
EP2562572A1 (de) * | 2008-05-06 | 2013-02-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Herstellung von Pellicle-Strahlteilern |
US8711484B2 (en) | 2008-05-06 | 2014-04-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fabrication of thin pellicle beam splitters |
Also Published As
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US6525884B2 (en) | 2003-02-25 |
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