DE10003497A1 - Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure - Google Patents
Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäureInfo
- Publication number
- DE10003497A1 DE10003497A1 DE2000103497 DE10003497A DE10003497A1 DE 10003497 A1 DE10003497 A1 DE 10003497A1 DE 2000103497 DE2000103497 DE 2000103497 DE 10003497 A DE10003497 A DE 10003497A DE 10003497 A1 DE10003497 A1 DE 10003497A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- crystallization
- stage
- mother liquor
- acrylic acid
- stages
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title claims abstract description 110
- 238000001640 fractional crystallisation Methods 0.000 title claims abstract description 23
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000746 purification Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 29
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 17
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N Acrolein Chemical compound C=CC=O HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 17
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 17
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 9
- STNJBCKSHOAVAJ-UHFFFAOYSA-N Methacrolein Chemical compound CC(=C)C=O STNJBCKSHOAVAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical compound CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035900 sweating Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMIMRNSIRUDHCM-UHFFFAOYSA-N Isopropylaldehyde Chemical compound CC(C)C=O AMIMRNSIRUDHCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011552 falling film Substances 0.000 description 4
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 4
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000003701 inert diluent Substances 0.000 description 3
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 3
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZAGLMPBQOKGGT-UHFFFAOYSA-N [4-[4-(4-prop-2-enoyloxybutoxy)benzoyl]oxyphenyl] 4-(4-prop-2-enoyloxybutoxy)benzoate Chemical compound C1=CC(OCCCCOC(=O)C=C)=CC=C1C(=O)OC(C=C1)=CC=C1OC(=O)C1=CC=C(OCCCCOC(=O)C=C)C=C1 ZZAGLMPBQOKGGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 239000002638 heterogeneous catalyst Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/42—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C51/43—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change of the physical state, e.g. crystallisation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Es wird ein Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure durch fraktionierte Kristallisation aus einem flüssigen, diese enthaltendem Gemisch vorgeschlagen, wonach mindestens die unterste Kristallisationsstufe (S1) eine dynamische Kristallisation ist, und die Mutterlauge der untersten Kristallisationsstufe mindestens 20 Gew.-%, bevorzugt mindestens 30 Gew.-%, besonders bevorzugt mindestens 45 Gew.-% von Wasser verschiedene Verunreinigungen enthält.
Description
Die Erfindung betrifft ein Reinigungsverfahren, das sowohl für Methacrylsäure
als auch für Acrylsäure geeignet ist. Der Begriff (Meth)acrylsäure steht im
folgenden für "Methacrylsäure oder Acrylsäure".
Acrylsäure ist eine bedeutende Grundchemikalie. Aufgrund ihrer sehr
reaktionsfähigen Doppelbindung sowie der Säurefunktion eignet sie sich
insbesondere als Monomeres zur Herstellung von Polymerisaten. Von der
hergestellten Menge an Acrylsäuremonomeren wird der größere Teil vor der
Polymerisation - zu z. B. Klebstoffen, Dispersionen oder Lacken - verestert. Nur
der kleinere Teil der hergestellten Acrylsäuremonomeren wird direkt - zu z. B.
"Superabsorbern" - polymerisiert. Während im allgemeinen bei der direkten
Polymerisation der Acrylsäure Monomere hoher Reinheit benötigt werden, sind
die Anforderungen an die Reinheit der Acrylsäure nicht so hoch, wenn diese vor
der Polymerisation verestert wird.
Es ist allgemein bekannt, daß Acrylsäure durch heterogen katalysierte
Gasphasenoxidation von Propen mit molekularem Sauerstoff an im festen
Aggregatzustand befindlichen Katalysatoren bei Temperaturen zwischen 200 und
400°C zweistufig über Acrolein hergestellt werden kann. Hierbei werden
oxidische Mehrkomponenten-Katalysatoren z. B. auf der Basis von Oxiden der
Elemente Molybdän, Chrom, Vanadium oder Tellur eingesetzt.
Zur Aufarbeitung des bei der katalytischen Gasphasenoxidation anfallenden
Gasgemisches sind eine Vielzahl von Verfahren vorgeschlagen worden.
Aus DE-B-21 36 396 ist bekannt, die Acrylsäure aus den bei der katalytischen
Oxidation von Propen bzw. Acrolein erhaltenen Reaktionsgasen durch
Gegenstromabsorption mit einem Gemisch aus 75 Gew.-% Diphenylether und
25 Gew.-% Diphenyl abzutrennen. Weiterhin ist aus DE-A 24 49 780 das Abkühlen
des heißen Reaktionsgases durch Teilverdampfen des Lösungsmittels in einem
Direktkondensator (Quenchapparat) vor der Gegenstromabsorption bekannt.
Problematisch ist hierbei sowie bei weiteren Verfahrensschritten der Anfall von
Feststoffen in den Apparaten, der die Anlagenverfügbarkeit reduziert. Dieser
Feststoffanfall kann dadurch reduziert werden, daß man dem relativ unpolaren
Lösungsmittelgemisch aus Diphenylether und Diphenyl ein polares Lösungsmittel
wie Dimethylphthalat in einer Menge von 0,1 bis 25 Gew.-% zufügt.
Neben der oben beschriebenen Absorption des die Acrylsäure enthaltenden
Reaktionsprodukts in ein hochsiedendes Lösungsmittelgemisch sehen andere
bekannte Verfahren eine Totalkondensation von Acrylsäure und des weiterhin bei
der katalytischen Oxidation entstehenden Reaktionswassers vor. Dabei entsteht
eine wäßrige Acrylsäurelösung, die über Destillation mit einem azeotropen Mittel
oder über ein Extraktionsverfahren (vgl. DE-A-21 64 767) weiter aufgearbeitet
werden kann. In EP-A-551 111 wird das mittels katalytischer Gasphasenoxidation
hergestellte Gemisch von Acrylsäure und Nebenprodukten mit Wasser in einem
Absorptionsturm in Berührung gebracht und die erhaltene wäßrige Lösung in
Anwesenheit eines Lösungsmittels, das mit polaren Leichtsiedern wie Wasser
oder Essigsäure ein Azeotrop bildet, destilliert. DE-B-23 23 328 beschreibt die
Abtrennung von Acrylsäure aus einer wäßrigen Acrylsäure-Veresterungsablauge
oder einer wäßrigen Acrylsäure-Lösung, wie sie bei der Acrylsäure-Herstellung
durch Oxidation von Propen oder Acrolein entsteht, durch Extraktion mit einem
speziellen Gemisch organischer Lösungsmittel.
Nachteilig bei den oben beschriebenen Verfahren ist, daß zur Extraktion oder
Absorption ein organisches Lösungsmittel verwendet wird, das in einer weiteren
Verfahrensstufe durch ein thermisches Trennverfahren, wie eine Destillation,
abgetrennt wird. Hierbei besteht die Gefahr einer Polymerisierung der Acrylsäure.
Die DE-A-196 27 847 beschreibt ein Verfahren, wonach Acrylsäure aus dem
gasförmigen, Wasser enthaltenden Produktgemisch der katalytischen
Gasphasenoxidation von Propen/oder Acrolein zu Acrylsäure, im Anschluß an
eine Partial- oder Totalkondensation aus der dabei entstehenden wässrigen
Lösung ohne Zusatz von Hilfsstoffen auskristallisiert werden kann.
In EP-B-0 616 998 wird ein Verfahren zur Reinigung von Acrylsäure mittels
fraktionierter Kristallisation beschrieben, wobei die Acrylsäure durch eine
Kombination von dynamischer und statischer Kristallisation in mehreren Stufen
mittels Kristallisations-/Schmelzzyklen gereinigt wird, und dabei der Rückstand
der dynamischen Kristallisation durch die statische Kristallisation weiter
eingeengt wird. Dabei werden die Verunreinigungen im Rückstand bei der
statischen Kristallisation bis auf etwa 50 Gew.-% angereichert, wodurch die
Rückstandsmengen deutlich vermindert werden. Nachteilig ist jedoch, daß die
Vorlage für die statische Kristallisation, die gleichzeitig Rückstand der
dynamischen Kristallisation ist, bestimmten qualitativen Einschränkungen
unterliegt, und daß somit eine Abstimmung zwischen statischen und dynamischen
Kristallisationsstufen erforderlich ist. Ein weiterer Nachteil sind die
unwirtschaftlich langen Verweilzeiten bei der statischen Kristallisation.
Demgegenüber ist es Aufgabe der Erfindung, ein Reinigungsverfahren für
(Meth)acrylsäure mittels fraktionierter Kristallisation zur Verfügung zu stellen,
das eine mindestens vergleichbare Aufkonzentrierung der Verunreinigungen im
Rückstand und somit eine mindestens vergleichbare Ausbeute des
Kristallisationsverfahrens bei geringerem Kristallisieraufwand und eine kürzere
Verweilzeit mindestens in der rückstandserzeugenden Kristallisationsstufe
ermöglicht.
In einer besonderen Ausgestaltung ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren
zur kombinierten Kristallisation und Destillation zur Verfügung zu stellen, das
eine hohe Aufkonzentrierung der Verunreinigungen im Rückstand bei hoher
Ausbeute und kurzen Verweilzeiten ermöglicht.
Die Lösung geht aus von einem Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure durch
fraktionierte Kristallisation aus einem flüssigen, diese enthaltendem Gemisch.
Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die unterste
Kristallisationsstufe eine dynamische Kristallisation ist, und daß die Mutterlauge
der untersten Kristallisationsstufe mindestens 20 Gew.-%, bevorzugt mindestens
30 Gew.-%, besonders bevorzugt mindestens 45 Gew.-%, von Wasser verschie
dene Verunreinigungen enthält.
Es wurde überraschend gefunden, daß (Meth)acrylsäure enthaltende flüssige
Gemische selbst bei einem hohen Grad an Verunreinigungen noch mittels
dynamischer Kristallisation mit kurzen Verweilzeiten und guten Trennleistungen
gereinigt werden können. Die Aufkonzentrierung der von Wasser verschiedenen
Verunreinigungen in der Mutterlauge kann dabei auf mindestens 20 Gew.-%,
bevorzugt mindestens 30 Gew.-%, besonders bevorzugt auf mindestens 45 Gew.-%
erfolgen, um hohe Ausbeuten des Reinigungsverfahrens zu erreichen.
Das vorliegende Reinigungsverfahren wird durch fraktionierte Kristallisation
durchgeführt, das heißt durch eine mehrstufige Kristallisation. Üblicherweise
werden bei fraktionierter Kristallisation alle Stufen oberhalb der Zuführung des
Ausgangsgemisches, das heißt zu reineren Gemischen hin, Reinigungsstufen
genannt und alle anderen Stufen, das heißt unterhalb der Zuführung des
Ausgangsgemisches, Abtriebsstufen. Zweckmäßigerweise werden mehrstufige
Kristallisationsverfahren nach dem Gegenstromprinzip betrieben, wonach das
Kristallisat jeder Stufe nach Abtrennung von der Mutterlauge der jeweiligen Stufe
mit dem nächst höheren Reinheitsgrad zugeführt wird, während der
Kristallisationsrückstand, d. h. die Mutterlauge, der jeweiligen Stufe mit dem
nächst niedrigeren Reinheitsgrad zugeführt wird. Dabei werden üblicherweise die
Kristallisationsstufen entsprechend dem Reinheitsgrad des jeweiligen Kristallisats
als höhere bzw. niedrigere Kristallisationsstufen bezeichnet. Entsprechend wird
die Abtriebsstufe, die das Kristallisat beziehungsweise die Mutterlauge mit dem
niedrigsten Reinheitsgrad erzeugt, als unterste Kristallisationsstufe bezeichnet.
Die erfindungsgemäß mindestens in der untersten Kristallisationsstufe eingesetzte
dynamische Kristallisation ist grundsätzlich jedes Kristallisationsverfahren, das
unter erzwungener Bewegung der Mutterlauge durchgeführt wird.
Die vorliegend mindestens in der untersten Kristallisationsstufe bevorzugt
eingesetzte dynamische Kristallisation ist eine Suspensionskristallisation, das
heißt ein Kristallisationsverfahren, wonach aus einem in der Regel feststofffreien,
flüssigen Mehrkomponenten-System als Ausgangsmaterial, das in Lösung oder
Schmelze vorliegt, durch Wärmeabführung in der Masse des Ausgangsmaterials
Einzelkristalle gebildet werden. Die die Mutterlauge und die aus dispergierten
Einzelkristallen bestehende feste Phase enthaltende Kristallsuspension muß
während des Suspensionskristallisationsverfahrens bewegt werden, wozu
insbesondere ein Umpumpen oder Rühren geeignet ist. Eine Haftung von
Kristallen an Flächen ist hierbei nicht notwendig, sie ist sogar unerwünscht. Da
die Kristallsuspension bewegt werden muß, wird die Suspensionskristallisation
den dynamischen Kristallisationsverfahren zugerechnet.
Das die (Meth)acrylsäure enthaltende Gemisch wird bevorzugt durch katalytische
Gasphasenoxidation von C3- bzw. C4-Alkanen, -Alkenen, -Alkanolen und/oder
-Alkanalen und/oder Vorstufen davon hergestellt. Besonders vorteilhaft wird das
Gemisch durch katalytische Gasphasenoxidation von Propen, Acrolein, tert.-
Butanol, Isobuten, Isobutan, Isobutyraldehyd, Methacrolein, Isobuttersäure oder
Methyl-tert.-butylether hergestellt. Als Ausgangsverbindungen können alle
Vorstufen der genannten Verbindungen verwendet werden, bei denen sich die
eigentliche C3-/C4-Ausgangsverbindung erst intermediär während der
Gasphasenoxidation bildet. Beispielhaft genannt für die Herstellung der
Methacrylsäure sei Methyl-tert.-butylether oder Isobuttersäure.
Besonders vorteilhaft ist die katalytische Gasphasenreaktion von Propen und/oder
Acrolein zu Acrylsäure mit molekularem Sauerstoff nach bekannten Verfahren,
beispielsweise nach DE-A-19 62 431. Vorzugsweise wird hierbei bei Tempera
turen zwischen 200 und 450°C und ggf. erhöhtem Druck gearbeitet. Vorzugsweise
werden als heterogene Katalysatoren oxidische Mehrkomponenten-Katalysatoren
auf der Basis der Oxide von Molybdän, Bismut und Eisen in der 1. Stufe
(Oxidation von Propen zu Acrolein) und der Oxide von Molybdän und Vanadium
in der 2. Stufe (Oxidation von Acrolein zu Acrylsäure) eingesetzt. Wird Propan
als Ausgangsstoff verwendet, so kann dieses zu einem Propen-/Propan-Gemisch
umgesetzt werden durch katalytische Oxidehydrierung, wie in US-A-5,510,558
beschrieben, durch homogene Oxidehydrierung, entsprechend CN-A-1 105 352
oder durch katalytische Dehydrierung, wie in EP-A-0 253 409 beschrieben. Bei
Einsatz eines Propen-/Propan-Gemisches wirkt Propan als Verdünnungsgas.
Geeignete Propen-/Propan-Gemische sind auch Raffineriepropen (70% Propen
und 30% Propan) oder Crackerpropen (95% Propen und 5% Propan).
Grundsätzlich können Propen-/Propan-Gemische wie die oben genannte mit
Sauerstoff oder Luft oder einem Gemisch aus Sauerstoff und Stickstoff jeder
Zusammensetzung zu Acrolein und Acrylsäure oxidiert werden.
Die Umsetzung von Propen zu Acrylsäure ist stark exotherm. Das Reaktionsgas, das
neben den Edukten und Produkten vorteilhafterweise ein inertes Verdünnungsgas,
z. B. Luftstickstoff, einen oder mehrere gesättigte C1-C6-Kohlenwasserstoffe,
insbesondere Methan und/oder Propan und/oder Wasserdampf enthält, kann daher
nur einen kleinen Teil der Reaktionswärme aufnehmen. Obwohl die Art der ver
wendeten Reaktoren an sich keiner Beschränkung unterliegt, werden meist Rohr
bündelwärmetauscher verwendet, die mit dem Oxidationskatalysator gefüllt sind, da
bei diesen der überwiegende Teil der bei der Reaktion freiwerdenden Wärme durch
Konvektion und Strahlung an die gekühlten Rohrwände abgeführt werden kann.
Bei der katalytischen Gasphasenoxidation wird nicht reine Acrylsäure, sondern ein
gasförmiges Gemisch erhalten, das neben der Acrylsäure als Nebenkomponenten im
wesentlichen nicht umgesetztes Acrolein und/oder Propen, Wasserdampf, Koh
lenmonoxid, Kohlendioxid, Stickstoff, Propan, Sauerstoff, Essigsäure, Propionsäure,
Formaldehyd, weitere Aldehyde und Maleinsäureanhydrid enthalten kann.
Üblicherweise enthält das Reaktionsproduktgemisch, jeweils bezogen auf das
gesamte Reaktionsgemisch, 1 bis 30 Gew.-% Acrylsäure, 0,05 bis 1 Gew.-% Propen
und 0,05 bis 1 Gew.-% Acrolein, 0,05 bis 10 Gew.-% Sauerstoff, 0,05 bis 2 Gew.-%
Essigsäure, 0,01 bis 2 Gew.-% Propionsäure, 0,05 bis 1 Gew.-% Formaldehyd, 0,05
bis 2 Gew.-% Aldehyde, 0,01 bis 0,5 Gew.-% Maleinsäureanhydrid und 20 bis 98 Gew.-%,
vorzugsweise 50 bis 98 Gew.-% inerte Verdünnungsgase. Als inerte
Verdünnungsgase sind insbesondere gesättigte C1-C6-Kohlenwasserstoffe, wie 0 bis
90 Gew.-% Methan und/oder Propan, daneben 1 bis 30 Gew.-% Wasserdampf, 0,05
bis 15 Gew.-% Kohlenoxide und 0 bis 90 Gew.-% Stickstoff, jeweils bezogen auf
100 Gew.-% Verdünnungsgas, enthalten.
Die Methacrylsäure kann analog zu Acrylsäure durch katalytische Gasphasen
reaktion von C4-Ausgangsverbindungen mit molekularem Sauerstoff hergestellt
werden. Besonders vorteilhaft ist die Methacrylsäure durch katalytische
Gasphasenoxidation von Isobuten, Isobutan, tert.-Butanol, Isobutyraldehyd,
Methacrolein oder Methyl-tert.-butylether erhältlich. Als Katalysatoren werden
ebenfalls übergangsmetallische Mischoxidkatalysatoren (z. B. Mo, V, W und/oder
Fe) verwendet. Besonders geeignete Verfahren sind solche, bei denen die
Herstellung ausgehend von Methacrolein erfolgt, insbesondere dann, wenn das
Methacrolein durch gasphasenkatalytische Oxidation von tert.-Butanol, Isobutan
oder Isobuten oder durch Umsetzung von Formaldehyd mit Propionaldehyd gemäß
EP-B-0 092 097 erzeugt wird. Somit besteht auch die Möglichkeit, Methacrylsäure
zweistufig herzustellen durch (1) Kondensation von Propionaldehyd mit
Formaldehyd (in Gegenwart eines sekundären Amins als Katalysator) zu
Methacrolein und (2) anschließende Oxidation des Methacroleins zu
Methacrylsäure.
Ebenso wie bei der Herstellung der Acrylsäure wird nicht reine Methacrylsäure,
sondern ein gasförmiges Gemisch erhalten, das neben der Methacrylsäure als
Nebenkomponenten im wesentlichen nicht umgesetztes Methacrolein und/oder
Wasserdampf, Kohlenmonoxid, Kohlendioxid, Stickstoff, Sauerstoff, Essigsäure,
Propionsäure, weitere Aldehyde und Maleinsäureanhydrid enthalten kann. Das
erfindungsgemäße Verfahren wird insbesondere dann eingesetzt, wenn das
Reaktionsgemisch 0,02 bis 2 Gew.-% Methacrolein bezogen auf das gesamte
Reaktionsgemisch und ansonsten im wesentlichen die gleichen entsprechenden
Bestandteile wie bei der Herstellung der Acrylsäure enthält.
Das Verfahren wird im folgenden beispielhaft für Acrylsäure beschrieben, es gilt
jedoch analog auch für Methacrylsäure.
Das flüssige Acrylsäure enthaltende Ausgangsgemisch für das vorliegende
Verfahren unterliegt keinen besonderen Beschränkungen. Es enthält mindestens
75 Gew.-% (Meth)acrylsäure, bevorzugt mindestens 90 Gew.-%
(Meth)acrylsäure, besonders bevorzugt mindestens 95 Gew.-% (Meth)acrylsäure.
Den Rest bilden Verunreinigungen wie Wasser, Säuren und Aldehyde,
insbesondere Acrolein, Essigsäure, Propionsäure, Diacrylsäure,
Maleinsäure(anhydrid), Aldehyde sowie der Polymerisationsinhibitor
Phenothiazin.
Dieses flüssige Ausgangsgemisch wird erfindungsgemäß einer fraktionierten
Kristallisation unterworfen, wobei die Zahl der eingesetzten Kristallisationsstufen
grundsätzlich keinen Einschränkungen unterliegt, sondern insbesondere durch die
Zusammensetzung des Ausgangsgemisches, die angestrebte Reinheit des
Endproduktes und die angestrebte Ausbeute bestimmt ist.
Erfindungsgemäß ist zwingend nur die unterste Kristallisationsstufe, d. h. die
Kristallisationstufe, in der der Rückstand erzeugt wird, eine dynamische
Kristallisation, bevorzugt eine Suspensionskristallisation. Das der untersten, den
Rückstand erzeugenden Kristallisationsstufe zugeführte Gemisch enthält
mindestens 5 Gew.-%, bevorzugt mindestens 8 Gew.-%, besonders bevorzugt
mindestens 10 Gew.-% von Wasser verschiedene Verunreinigungen. Für die
restlichen Kristallisationsstufen gibt es keine Einschränkungen bezüglich der
anzuwendenden Kristallisationsverfahren. Bevorzugt werden, wie zum Beispiel in
EP-A-0 616 998 beschrieben, hierzu dynamische Kristallisationsverfahren
eingesetzt. Es ist beispielsweise auch möglich, sämtliche Stufen der fraktionierten
Kristallisation als dynamische Kristallisation, insbesondere als
Suspensionskristallisation auszuführen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht eingeschränkt bezüglich der
Verfahrensführung der dynamischen Kristallisation, insbesondere Suspensions
kristallisation; diese kann absatzweise oder kontinuierlich betrieben werden.
Dabei ist die kontinuierliche Fahrweise aus Wirtschaftlichkeitsgründen bevorzugt.
Die Wärmeabführung bei der dynamischen Kristallisation, insbesondere
Suspensionskristallisation kann bevorzugt durch Kühlung von Apparatewänden oder
durch Teilverdampfung der kristallisierenden Lösung im Vakuum erfolgen.
Besonders bevorzugt wird die Wärmeabführung in den Kristallisationsstufen, die als
dynamische Kristallisation gefahren werden, durch indirekte Kühlung über
Wärmetauscherflächen bewirkt. Als Wärmeträger können alle hierzu geeigneten
Mischungen eingesetzt werden, insbesondere Wasser/Methanol- oder
Wasser/Glykol-Gemische.
Bei der Suspensionskristallisation durch Kühlung wird die Wärme über Kratzkühler,
die mit einem Rührkessel oder einem Behälter ohne Rührwerk verbunden sind,
abgeführt. Der Umlauf der Kristallsuspension wird hierbei durch eine Pumpe
gewährleistet. Daneben besteht auch die Möglichkeit, die Wärme über die Wand
eines Rührkessels mit wandgängigem Rührer abzuführen. Eine weitere bevorzugte
Ausführungsform bei der Suspensionskristallisation ist die Verwendung von
Kühlscheibenkristallisatoren, wie sie beispielsweise von der Firma GMF (Gouda in
Holland) hergestellt werden. Bei einer weiteren geeigneten Variante zur
Suspensionskristallisation durch Kühlung wird die Wärme über herkömmliche
Wärmeüberträger (bevorzugt Rohrbündel- oder Plattenwärmeüberträger) abgeführt.
Diese Apparate besitzen im Gegensatz zu Kratzkühlern, Rührkesseln mit
wandgängigen Rührern oder Kühlscheiben keine Vorrichtung zur Vermeidung von
Kristallschichten auf den wärmeübertragenden Flächen. Wird im Betrieb ein Zustand
erreicht, bei dem der Wärmedurchgangswiderstand durch Verkrustung einen zu
hohen Wert annimmt, erfolgt die Umschaltung auf einen zweiten Apparat. Während
der Betriebszeit des zweiten Apparates wird der erste Apparat regeneriert
(vorzugsweise durch Abschmelzen der Kristallschicht oder Durchspülen des
Apparats mit ungesättigter Lösung). Wird im zweiten Apparat ein zu hoher
Wärmedurchgangswiderstand erreicht, schaltet man wieder auf den ersten Apparat
um, usw. Diese Variante kann auch mit mehr als zwei Apparaten im Wechsel
betrieben werden. Außerdem kann die Kristallisation durch eine herkömmliche
Verdampfung der Lösung im Vakuum erfolgen.
Vorteilhafterweise liegt die Temperatur der Mutterlauge während der Kristallisation
in der untersten Stufe zwischen -30 und +5°C, insbesondere zwischen -25 und ±0°C,
besonders bevorzugt -20 und -5°C.
Für die Trennung des nach der dynamischen Kristallisation, insbesondere
Suspensionkristallisation erhaltenen Fest-Flüssig-Gemisches eignen sich alle
bekannten Verfahren der Fest-Flüssig-Trennung. Vorzugsweise werden die Kristalle
durch Filtrieren, Sedimentieren und/oder Zentrifugieren von der Mutterlauge
abgetrennt. Es ist jedoch auch möglich, die Mutterlauge vom Kristallisat zum
Beispiel durch Ablaufen lassen zu entfernen. Vorteilhafterweise wird dem Filtrieren
oder Zentrifugieren eine Voreindickung der Suspension, z. B. durch Hydrozyklone,
vorgeschaltet. Zum Zentrifugieren eignen sich alle bekannten Zentrifugen, die
diskontinuierlich oder kontinuierlich arbeiten. Besonders vorteilhaft werden
Schubzentrifugen verwendet, die ein- oder mehrstufig betrieben werden können.
Daneben eignen sich auch Schneckensiebzentrifugen oder Schnecken
austragszentrifugen (Dekanter). Eine Filtration erfolgt vorteilhafterweise mittels
Filtemutschen, die kontinuierlich oder diskontinuierlich, mit oder ohne Rührwerk,
oder mittels Bandfilter betrieben werden. Allgemein kann das Filtrieren unter Druck
oder im Vakuum erfolgen. Während und/oder nach der Fest-Flüssig-Trennung
können weitere Verfahrensschritte zur Steigerung der Reinheit der Kristalle bzw. des
Kristallkuchens vorgesehen werden. In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung
der Erfindung schließt sich nach dem Abtrennen der Kristalle von der Mutterlauge
ein ein- oder mehrstufiges Waschen und/oder Schwitzen der Kristalle oder des
Kristallkuchens an. Die verwendete Waschflüssigkeit unterliegt hierbei keiner
Einschränkung. Vorteilhafterweise wird jedoch mit Reinware gewaschen, d. h. mit
einer Flüssigkeit, die Acrylsäure enthält, deren Reinheit höher ist als die der
Mutterlauge. Daneben ist auch eine Wäsche mit Wasser möglich. Das Waschen kann
in hierfür üblichen Apparaten erfolgen, wie Waschkolonnen, in denen die
Abtrennung der Mutterlauge und das Waschen in einem Apparat erfolgen, in
Zentrifugen, die ein- oder mehrstufig betrieben werden können, oder in
Filternutschen oder Bandfiltern. Das Waschen kann auf Zentrifugen oder Bandfiltern
ein- oder mehrstufig durchgeführt werden, wobei die Waschflüssigkeit im
Gegenstrom zum Kristallkuchen geführt werden kann. Daneben kann ein
sogenanntes Schwitzen zur Erhöhung der Reinheit der Kristalle vorgesehen sein, bei
dem es sich um ein lokales Abschmelzen verunreinigter Bereiche handelt. Besonders
bevorzugt ist die Durchführung des Schwitzens auf Zentrifugen oder Bandfiltern,
jedoch kann auch die Durchführung einer Kombination aus Waschen und Schwitzen
in einem Apparat geeignet sein.
In besonders geeigneter Weise wird als Waschflüssigkeit für das Kristallisat einer
gegebenen Suspensionskristallisationsstufe der Zulauf zu derselben Kristalli
sationstufe eingesetzt. Bevorzugt wird dabei das Massenverhältnis von
Waschflüssigkeit zu Kristallisat im Bereich von 0,1 bis 1, besonders bevorzugt im
Bereich von 0,2 bis 0,6 kg Waschflüssigkeit zu kg Kristallisat eingestellt.
Durch das erfindungsgemäße fraktionierte Kristallisationsverfahren wird eine
angestrebte Aufkonzentrierung der Verunreinigungen im Rückstand und somit
eine angestrebte Ausbeute des Kristallisationsverfahrens bei geringerem
Kristallisieraufwand und eine kürzere Verweilzeit mindestens in der
rückstandserzeugenden Kristallisationsstufe erreicht.
Die dynamische Kristallisation, insbesondere die Suspensionskristallisation hat
kürzere Verweilzeiten und eine, bei gleichem Kristallisieraufwand bessere
Reinigungswirkung pro Kristallisationsstufe gegenüber der statischen
Kristallisation. Gemische mit hohem Verunreinigungsgrad können mit kurzen
Verweilzeiten und guten Trennergebnissen gereinigt werden. Weitere Vorteile
sind das Entfallen des Abstimmungsbedarfs zwischen der rückstandserzeugenden
und den höheren Kristallisationsstufen und somit eine höhere Flexibilität sowie
das Entfallen von Mutterlaugeeinschlüssen gegenüber der schicht- und somit
einschlußbildenden statischen Kristallisation. Letzteres erlaubt das Erreichen einer
gewünschten Aufpegelung der Verunreinigungen im Rückstand, d. h. einer
angestrebten Ausbeute mit einem geringeren Kristallisieraufwand.
In einer besonderen Ausführungsform ist es möglich, die fraktionierte
Kristallisation mit mindestens einer weiteren destillativen Reinigungsstufe zu
kombinieren, wobei der destillativen Reinigungsstufe mindestens ein Teil der
Mutterlauge aus mindestens einer Abtriebsstufe der fraktionierten Kristallisation
zugeführt wird unter Bildung eines Destillationsrückstands, der mindestens
teilweise ausgeschleust wird und eines Kopfprodukts, das einer oder mehreren
Abtriebsstufen der fraktionierten Kristallisation zugeführt wird, die unterhalb der
Abtriebsstufe liegen, aus der die Mutterlauge für die Zuführung zur destillativen
Reinigungsstufe abgezogen wurde. Der Teil der Mutterlauge mindestens einer
Abtriebsstufe, der der destillativen Reinigungsstufe zugeführt wird, beträgt
bevorzugt 5 bis 100 Gew.-%, insbesondere 50 bis 100 Gew.-%, besonders
bevorzugt 90 bis 100 Gew.-% der jeweiligen Mutterlauge.
Für die Destillation kann grundsätzlich jede Destillationskolonne verwendet
werden. Die Destillation, Destillationsstufe oder der Destillationsschritt kann
einstufig oder mehrstufig durchgeführt werden. Bei einer mehrstufigen oder
fraktionierten Destillation (auch Rektifikation genannt), die vorteilhafterweise in
Rektifizierkolonnen durchgeführt wird, wird eine Kolonne mit Siebböden, z. B.
Dualflowböden oder Querstromsiebböden aus Metall, verwendet. Die Destillation
kann auch mittels eines Verdampfers und eines nachgeschalteten Kondensators
durchgeführt werden. Besonders bevorzugt sind hierbei Dünnschichtverdampfer
als Fallstromverdampfer oder Dünnschichtverdampfer mit rotierenden Wischern.
Als Kondensatoren werden die üblichen Kondensatoren eingesetzt, wobei diese
keinen Beschränkungen unterliegen. Besonders bevorzugt sind
Einspritzkondensatoren. Bei einer einstufigen Destillation wird zweckmäßiger
weise ein einfacher Verdampfer, zum Beispiel eine Blase, und ein üblicher
Kondensator eingesetzt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand einer Zeichnung und eines Beispiels
näher erläutert:
Fig. 1a zeigt als Ausführungsbeispiel der Erfindung die fraktionierte Kristallisa
tion einer Acrylsäuremischung, wobei insgesamt 6 Kristallisationsstufen zum
Einsatz kommen. Die den Rückstand erzeugende Stufe S1 ist eine Suspensions
kristallisation, alle weiteren Stufen sind dynamische Kristallisationsstufen vom
Typ Fallfilm, wie beispielsweise in EP-A-0 616 998 beschrieben. Die Fallfilm
stufen F1 bis F3 sind wie die Stufe S1 Abtriebsstufen der fraktionierten
Kristallisation, die Stufen F4 und F5 sind Reinigungsstufen der fraktionierten
Kristallisation.
Fig. 1b zeigt als weiteres Ausführungsbeispiel dieselbe fraktionierte
Kristallisation, kombiniert mit einer Destillationsstufe D1.
Gemäß einer bevorzugten Verfahrensvariante ist zusätzlich zur untersten, den
Rückstand erzeugenden Kristallisationsstufe S1, auch die nächst höhere Stufe S2
als Suspensionskristallisation ausgeführt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind sämtliche Abtriebs
stufen, d. h. sämtliche Stufen unterhalb der Zuführung des Ausgangsgemisches, als
Suspensionskristallisation ausgeführt.
Fig. 2a zeigt als weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung die fraktionierte
Kristallisation einer Acrylsäuremischung, wobei insgesamt 4 Kristallisations
stufen zum Einsatz kommen. Die den Rückstand erzeugende Stufe S1 ist eine
Suspensionskristallisation, ebenso die nächst höhere Stufe S2. Alle weiteren
Stufen sind dynamische Kristallisationsstufen vom Typ Fallfilm, wie
beispielsweise in EP-A-0 616 998 beschrieben. Die Stufen S1 und S2 sind
Abtriebsstufen der fraktionierten Kristallisation, die Stufen F1 und F2 sind
Reinigungsstufen der fraktionierten Kristallisation.
Fig. 2b zeigt als weiteres Ausführungsbeispiel dieselbe fraktionierte
Kristallisation, kombiniert mit einer Destillationsstufe D1.
Ein Strom gemäß der in Tabelle 1 angegebenen Ausgangszusammensetzung
wurde einer sechsstufigen fraktionierten Kristallisation mit einem Verschaltungs
schema wie in Fig. 1a dargestellt, unterzogen. Nach Durchlaufen der Reinigungs
stufen F4 und F5 wurde ein Reinprodukt mit der in Tabelle 1 angegebenen
Zusammensetzung erhalten. Nach Durchlaufen der Abtriebsstufen F3 bis S1
wurde ein Rückstand mit der in Tabelle 1 angegebenen Zusammensetzung
erhalten.
Die Suspensionskristallisationsstufe S1 erhielt als Zulauf die von der Stufe F1
kommende Mutterlauge mit der in Tabelle 2 angegebenen Zusammensetzung. Das
in der Stufe S1 erhaltene Kristallisat wies die in Tabelle 2 angegebene
Zusammensetzung auf und wurde der Stufe F1 zugeführt. Die in der Stufe S1
nach Abtrennen der Kristalle erhaltene Mutterlauge wurde teilweise als Rückstand
(Strom III) ausgeschleust und wies die in Tabelle 1 gezeigte Zusammensetzung
des Rückstandes auf. Der nicht ausgeschleuste Teil der Mutterlauge wurde in die
Kristallisation zurückgeführt. Das Massenverhältnis von ausgeschleuster zu
zurückgeführter Mutterlauge lag bei 1 : 8. Die Suspensionskristallisationsstufe S1
wurde in einem Rührkessel mit wandgängigem Rührer durchgeführt. Die
Kristallisationstemperatur lag bei -8°C. Die Verweilzeit der Suspensions
kristallisation lag bei 4 h. Die Abtrennung der erzeugten Kristalle erfolgte auf
einer Siebzentrifuge bei einer Verweilzeit von 1 min auf der Zentrifuge
(Siebkorbdurchmesser 200 mm, 2000 Umdrehungen/min). Es erfolgte keine
Waschung des Filterkuchens.
Die mit der fraktionierten Kristallisation erreichte Ausbeute an Acrylsäure lag bei
99,4%.
Das Beispiel zeigt, daß mittels einer dynamischen, insbesondere Suspensions
kristallisation als unterster Kristallisationsstufe in einer fraktionierten
Kristallisation die Reinigung von Acrylsäure mit hoher Produktreinheit und
insbesondere mit hoher Ausbeute des Reinigungsverfahrens möglich ist. Die
gewünschte Aufkonzentrierung von Verunreinigungen im Rückstand (= hohe
Ausbeute) ist selbst ohne Waschen oder Schwitzen des Kristallisats in der
untersten Stufe möglich.
Gegenüber einer Verweilzeit in der rückstandserzeugenden untersten
Kristallisationsstufe nach dem Verfahren der Erfindung von 4 h beträgt die
Verweilzeit im Kristallisator in jeder Stufe der statischen Kristallisation während
des Kristallisierens und Schwitzens nach dem Stand der Technik gemäß
EP-A-0 616 998 dagegen 8 bis 9 h. Somit wird erfindungsgemäß eine Reduzierung der
Verweilzeit und, durch Einsparung einer Abtriebsstufe, der Kristallisieraufwand
reduziert.
Claims (13)
1. Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure durch fraktionierte Kristalli
sation aus einem flüssigen, diese enthaltendem Gemisch, dadurch
gekennzeichnet, daß mindestens die unterste Kristallisationsstufe (S1) eine
dynamische Kristallisation ist, und daß die Mutterlauge der untersten
Kristallisationsstufe mindestens 20 Gew.-%, bevorzugt mindestens 30 Gew.-%,
besonders bevorzugt mindestens 45 Gew.-% von Wasser ver
schiedene Verunreinigungen enthält.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dynamische
Kristallisation eine Suspensionskristallisation ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, daß die
gegenüber der untersten (S1) nächsthöhere Kristallisationsstufe (S2) eine
Suspensionskristallisation ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
alle Abtriebsstufen Suspensionskristallisationen sind.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Suspensionskristallisationsstufen kontinuierlich durchgeführt werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis S. dadurch gekennzeichnet, daß
die Wärmeabführung in den Kristallisationstufen, die als dynamische
Kristallisation gefahren werden, durch indirekte Kühlung, über
Wärmetauscherflächen erfolgt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß
das (die) bei der (den) als Suspensionskristallisation gefahrene(n)
Kristallisationsstufe(n) (S1, S2) anfallende Fest-Flüssig-Gemisch(e) durch
Filtrieren und/oder Zentrifugieren aufgetrennt wird (werden).
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Kristallisat
mit einer Waschflüssigkeit gewaschen wird, wobei das Massenverhältnis
von Waschflüssigkeit zu Kristallisat im Bereich von 0,1 bis 1, besonders
bevorzugt im Bereich von 0,2 bis 0,6 kg Waschflüssigkeit zu kg
Kristallisat eingestellt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Wasch
flüssigkeit für das Kristallisat einer gegebenen Suspensionskristalli
sationstufe (S1, S2) der Zulauf zu derselben Kristallisationsstufe eingesetzt
wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß
die Temperatur der Mutterlauge während der dynamischen Kristallisation
in der untersten Stufe (S1) zwischen -30 und +5°C, insbesondere zwischen
-25 und ±0°C, besonders bevorzugt zwischen -20 und -5°C, liegt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch
mindestens eine weitere destillative Reinigungsstufe (D1), wobei der
Reinigungsstufe (D1) mindestens ein Teil der Mutterlauge aus mindestens
einer Abtriebsstufe der fraktionierten Kristallisation zugeführt wird unter
Bildung eines Destillationsrückstandes, der mindestens teilweise
ausgeschleust wird und eines Kopfprodukts, das einer oder mehrerer
Abtriebsstufen der fraktionierten Kristallisation zugeführt wird, die
unterhalb der Abtriebsstufe liegen, aus der die Mutterlauge für die
Zuführung zur Reinigungsstufe (D1) abgezogen wurde.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil der
Mutterlauge einer Abtriebsstufe, der der Reinigungsstufe (D1) zugeführt
wird, 5 bis 100 Gew.-%, insbesondere 50 bis 100 Gew.-%, besonders
bevorzugt 90 bis 100 Gew.-% der jeweiligen Mutterlauge beträgt.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die
Reinigungsstufe (D1) einstufig und mehrstufig durchgeführt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000103497 DE10003497A1 (de) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000103497 DE10003497A1 (de) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10003497A1 true DE10003497A1 (de) | 2001-04-12 |
Family
ID=7628887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000103497 Withdrawn DE10003497A1 (de) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10003497A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001055076A2 (de) * | 2000-01-27 | 2001-08-02 | Basf Aktiengesellschaft | Reinigungsverfahren für (meth)acrylsäure |
WO2002090310A1 (de) * | 2001-05-10 | 2002-11-14 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren der kristallisativen reinigung einer roh-schmelze wenigstens eines monomeren |
US6670501B1 (en) * | 1997-07-12 | 2003-12-30 | Lucite International Uk Limited | Process for the production of methyl methacrylate |
EP1507809A1 (de) * | 2002-05-13 | 2005-02-23 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung geruchsarmer hydrogel-bildender polymerisate |
US7129376B2 (en) | 2001-05-10 | 2006-10-31 | Basf Aktiengesellschaft | Method for the production of a purified melt of at least one monomer |
US7960485B2 (en) | 2004-11-18 | 2011-06-14 | Basf Aktiengesellschaft | Method for producing water-absorbing polymers |
EP3307412A1 (de) * | 2015-06-11 | 2018-04-18 | Sulzer Chemtech AG | Verfahren und vorrichtung zur reinigung einer mischung mit öl und wachs |
CN115505012A (zh) * | 2022-11-04 | 2022-12-23 | 国药集团三益药业(芜湖)有限公司 | 一种红霉素原料的生产工艺 |
-
2000
- 2000-01-27 DE DE2000103497 patent/DE10003497A1/de not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6670501B1 (en) * | 1997-07-12 | 2003-12-30 | Lucite International Uk Limited | Process for the production of methyl methacrylate |
WO2001055076A2 (de) * | 2000-01-27 | 2001-08-02 | Basf Aktiengesellschaft | Reinigungsverfahren für (meth)acrylsäure |
WO2001055076A3 (de) * | 2000-01-27 | 2001-12-20 | Basf Ag | Reinigungsverfahren für (meth)acrylsäure |
US6852881B2 (en) | 2000-01-27 | 2005-02-08 | Basf Aktiengesellschaft | Purification method for (meth)acrylic acid |
WO2002090310A1 (de) * | 2001-05-10 | 2002-11-14 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren der kristallisativen reinigung einer roh-schmelze wenigstens eines monomeren |
US7129376B2 (en) | 2001-05-10 | 2006-10-31 | Basf Aktiengesellschaft | Method for the production of a purified melt of at least one monomer |
US7319166B2 (en) | 2001-05-10 | 2008-01-15 | Basf Aktiengesellschaft | Method of purifying a raw melt of at least one monomer by crystallization |
EP1507809A1 (de) * | 2002-05-13 | 2005-02-23 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung geruchsarmer hydrogel-bildender polymerisate |
US7307132B2 (en) | 2002-05-13 | 2007-12-11 | Basf Aktiengesellschaft | Method for producing low-odor hydrogel-forming polymers |
US7960485B2 (en) | 2004-11-18 | 2011-06-14 | Basf Aktiengesellschaft | Method for producing water-absorbing polymers |
EP3307412A1 (de) * | 2015-06-11 | 2018-04-18 | Sulzer Chemtech AG | Verfahren und vorrichtung zur reinigung einer mischung mit öl und wachs |
CN115505012A (zh) * | 2022-11-04 | 2022-12-23 | 国药集团三益药业(芜湖)有限公司 | 一种红霉素原料的生产工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1091923B1 (de) | Verfahren zur reinigung von acrylsäure oder methacrylsäure durch kristallisation und destillation | |
EP0920408B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Acrylsäure oder Methacrylsäure | |
EP1015410B2 (de) | Verfahren zur herstellung von acrylsäure und methacrylsäure | |
EP0784046B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Acrylsäure und deren Estern | |
EP1163201B1 (de) | Verfahren zur herstellung von acrylsäure | |
EP1252129B1 (de) | Reinigungsverfahren für (meth)acrylsäure | |
EP1189861B1 (de) | Verfahren zur reiningung und herstellung von acrylsäure oder methacrylsäure | |
DE19924533A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Acrylsäure | |
EP1098867A1 (de) | Verfahren zur herstellung von acrylsäure | |
DE102008040799A1 (de) | Verfahren zur Auftrennung von in einem Produktgasgemisch einer partiellen heterogen katalysierten Gasphasenoxidation einer C3-Vorläuferverbindung der Acrylsäure als Hauptbestandteil enthaltener Acrylsäure und als Nebenprodukt enthaltenem Glyoxal | |
DE102008041573A1 (de) | Verfahren zur Auftrennung von in einem Produktgasgemisch einer partiellen heterogen katalysierten Gasphasenoxidation einer C3-Vorläuferverbindung der Acrylsäure als Hauptbestandteil enhaltener Acrylsäure und als Nebenprodukt enthaltenem Glyoxal | |
DE19838845A1 (de) | Verfahren zur Reinigung und zur Herstellung von Acrylsäure | |
WO1998001411A2 (de) | Verfahren zur abtrennung von (meth)acrylsäure | |
DE10003497A1 (de) | Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure | |
EP0863124A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von (Meth)acrylsäure | |
DE19746689A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von (Meth)acrylsäure | |
EP1856021B1 (de) | Verfahren zur abtrennung von methacrolein aus acrylsäure als hauptbestandteil sowie zielprodukt und methacrolein als nebenkomponente enthaltender flüssiger phase | |
DE19909923A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Acrylsäure | |
EP1856020B1 (de) | Verfahren zur abtrennung von methacrylsäure aus acrylsäure als hauptbestandteil sowie zielprodukt und methacrylsäure als nebenkomponente enthaltender flüssiger phase | |
DE102005009890A1 (de) | Verfahren zur Abtrennung von Methacrylsäure aus Acrylsäure als Hauptbestandteil sowie Zielprodukt und Methacrylsäure als Nebenkomponente enthaltender flüssiger Phase | |
DE102005015637A1 (de) | Verfahren zur Abtrennung von Methacrolein aus Acrylsäure als Hauptbestandteil sowie Zielprodukt und Methacrolein als Nebenkomponente enthaltender flüssiger Phase | |
DE102005015639A1 (de) | Verfahren zur Abtrennung von Methacrylsäure aus Acrylsäure als Hauptbestandteil sowie Zielprodukt und Methacrylsäure als Nebenkomponente enthaltender flüssiger Phase | |
DE10227073A1 (de) | Modifiziertes Verfahren zur Reinigung von Acrylsäure oder Methacrylsäure durch Kristallisation und Destillation | |
EP0921113A1 (de) | Verfahren zur Kristallisation von Methacrylsäure | |
DE102005009887A1 (de) | Verfahren zur Abtrennung von Methacrolein aus Acrylsäure als Hauptbestandteil sowie Zielprodukt und Methacrotein als Nebenkomponente enthaltender flüssiger Phase |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAV | Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1 | ||
8130 | Withdrawal |