DD243629A3 - RADIATION SOURCE FOR OPTICAL DEVICES, ESPECIALLY FOR PHOTOLITHOGRAPHIC PICTURE SYSTEMS - Google Patents
RADIATION SOURCE FOR OPTICAL DEVICES, ESPECIALLY FOR PHOTOLITHOGRAPHIC PICTURE SYSTEMS Download PDFInfo
- Publication number
- DD243629A3 DD243629A3 DD83256179A DD25617983A DD243629A3 DD 243629 A3 DD243629 A3 DD 243629A3 DD 83256179 A DD83256179 A DD 83256179A DD 25617983 A DD25617983 A DD 25617983A DD 243629 A3 DD243629 A3 DD 243629A3
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- radiation
- vessel
- radiation source
- laser
- item
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21B—FUSION REACTORS
- G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
- G21B1/11—Details
- G21B1/23—Optical systems, e.g. for irradiating targets, for heating plasma or for plasma diagnostics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Strahlungsquelle fuer optische Geraete, insbesondere fuer fotolithografische Abbildungssysteme. Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine leistungsstarke, scharf begrenzte und raeumlich partiell kohaerente Strahlungsquelle zu schaffen. Ziel ist es dabei, eine hohe Lebensdauer der Strahlungsquelle zu erreichen und beim Einsatz in fotolithografischen Einrichtungen eine genaue und schnelle Belichtung von fotoempfindlichen Schichten zu ermoeglichen. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass in einem gasdichten, mit einem Arbeitsmedium gefuellten Gefaess Eintritts- und Austrittsoeffnungen vorgesehen sind, ueber die durch optische Mittel zur Fokussierung die Strahlung externer Laser im Entladungsmedium in einem Abstand zur Wand des Gefaesses konzentriert wird. Desweiteren wird die vorteilhafte Ausgestaltung des Gefaesses und der Anordnung der Laser dargelegt. Fig. 2The invention relates to a radiation source for optical devices, in particular for photolithographic imaging systems. The object of the invention is to provide a powerful, sharply delimited and spatially partially coherent radiation source. The aim is to achieve a long service life of the radiation source and to allow accurate and rapid exposure of photosensitive layers when used in photolithographic devices. According to the invention, the object is achieved in that inlet and outlet openings are provided in a gas-tight vessel filled with a working medium, over which optical radiation focusing means concentrates the radiation of external lasers in the discharge medium at a distance from the wall of the vessel. Furthermore, the advantageous embodiment of the Gefaesses and the arrangement of the laser is set forth. Fig. 2
Description
Hierzu 3 Seiten ZeichnungenFor this 3 pages drawings
Die Erfindung betrifft eine Strahlungsquelle für optische Geräte, insbesondere für fotolithografische Abbildungssysteme. Sie ist vorzugsweise dort anwendbar, wo eine Strahlungsleistung benötigt wird, die größer ist als die von Quecksilber-Hochdrucklampen, wie zum Beispiel in fotolithografischen Einrichtungen zur Belichtung einer Fotolackschicht auf einer Halbleiterscheibe.The invention relates to a radiation source for optical devices, in particular for photolithographic imaging systems. It is preferably applicable where a radiant power greater than that of high-pressure mercury lamps is needed, such as in photolithographic devices for exposing a photoresist layer on a semiconductor wafer.
Es sind zur Zeit zahlreiche Strahlungsquellensysteme bekannt, die in wissenschaftlichen Geräten eingesetzt werden und deren Eigenschaften den Bedingungen des Einsatzgebietes weitgehend angepaßt wurden. Diese Eigenschaften betreffen die spektrale Verteilung der Emission und die erreichbare Strahldichte sowie die räumliche und Winkelverteilung der erzeugten Strahlung. Forderungen nach spektralen Strahlungsleistungen, die die spektrale Strahlungsleistung eines schwarzen Strahlers oberhalb des Schmelzpunktes fester Körper übersteigen, können nur durch Plasma erfüllt werden. Plasmen erzeugt man durch Aufheizung eines Arbeitsmediums, vorzugsweise, indem man einen elektrischen Strom hindurchfließen oder hochfrequente elektromagnetische Felder einwirken läßt. Die erreichbaren Strahldichten sind nach oben begrenzt durch die maximale je Volumeneinheit umsetzbare elektrische Leistung, der die Elektroden- und Wandmaterialien thermisch standhalten. Bei Hochfrequenzaufheizung entfällt die Begrenzung durch Elektrodenbelastung, es kommt aber das Problem der räumlichen Konzentrierung der Hochfrequenz-Energie hinzu.There are currently numerous radiation source systems known, which are used in scientific equipment and whose properties were largely adapted to the conditions of the application area. These properties concern the spectral distribution of the emission and the achievable radiance as well as the spatial and angular distribution of the generated radiation. Demands for spectral radiant powers exceeding the spectral radiant power of a blackbody above the melting point of solid bodies can only be met by plasma. Plasmas are produced by heating a working medium, preferably by flowing an electric current or by allowing high-frequency electromagnetic fields to act. The achievable beam densities are limited upwards by the maximum per unit volume convertible electrical power that can withstand the electrode and wall materials thermally. With high-frequency heating, the limitation due to electrode load is eliminated, but there is the problem of spatial concentration of high-frequency energy added.
Verzichtet man auf stationären Betrieb der Strahlungsquelle, so ist eine kurzzeitige Steigerung des Leistungsumsatzes um einige Größenordnungen dadurch möglich, daß die Umwandlung der eingespeisten Leistung in Strahlung erheblich schneller verläuft, als ihre Übertragung auf die Wände und, sofern vorhanden. Elektroden des Entladungsgefäßes. Aber auch in dieser Betriebsart ist neben mechanischen Belastungen durch Stoßwellen, die aber nur in ungünstigen Fällen hinreichend wirken, die Abdampfung und Erosion der Wand- und Elektrodenmaterialien bei einer geforderten Lebensdauer der Strahlungsquelle ein Hindernis bei der Erzeugung intensiver Strahlungsflüsse. Da^ei ist zu beachten, daß bei stationär wie impulsmäßig betriebenen Quellen oberhalb eines typabhängigen Leistungspegels, der bei den technischen Anwendungen praktisch überall bereits erreicht ist, jede weitere Steigerung der Strahlungsleistung mit einer unverhältnismäßig starken Verringerung der Lebensdauer erkauft werden muß. Eine solche kurzlebige Strahlungsquelle ist aber für sehr viele Einsatzzwecke unbrauchbar, weil sie den Wartungsäufwand der mit ihnen bestückten Geräte unzumutbar erhöht, wenn man bedenkt, daß ein Lampenwechsel in der Regel mit hohem Justieraufwand und zeitraubender Anpassung des optischen Übertragungssystems an den spezifischen Strahlungsfluß jeder einzelnen Lampe verbunden ist.Dispensing with stationary operation of the radiation source, so a short-term increase in power consumption by a few orders of magnitude is possible in that the conversion of the power fed into radiation is much faster than their transmission to the walls and, if available. Electrodes of the discharge vessel. But even in this mode, in addition to mechanical loads from shock waves, which only work in unfavorable cases sufficient, the evaporation and erosion of the wall and electrode materials with a required life of the radiation source is an obstacle in the generation of intense radiation fluxes. It should be noted that in steady-state as well as pulsed operated sources above a type-dependent power level, which is practically everywhere already achieved in technical applications, any further increase in radiation power must be paid for with a disproportionate reduction in the lifetime. However, such a short-lived radiation source is unusable for many purposes because it unreasonably increases the maintenance wall of the devices equipped with them, bearing in mind that a lamp replacement usually with high adjustment and time-consuming adjustment of the optical transmission system to the specific Strahlungsfluß each individual lamp connected is.
Innerhalb gewisser Grenzen läßt sich die Strahlungsleistung unter Beibehaltung der Gesamtbelastung der Strahlungsquelle durch selektive Umwandlung der investierten elektrischen Energie in Strahlung bei gewünschter Wellenlänge und bevorzugter Ausbreitungsrichtung steigern. Dies ist möglich durch eine optimierte Zusammensetzung des Arbeitsmediums sowie durch optimale Druck- und Temperaturverhältnisse des Plasmas bei der Abstrahlung. Dabei sind jedoch Einschränkungen zu beachten, die sich aus der Unverträglichkeit verschiedener Arbeitsmedien mit den Elektroden- und Wandmaterialien bei Arbeitstemperatur ergeben, so daß häufig mit Rücksicht auf die Standzeit der Materialien die Entladungsbedingungen fern vom Optimum gewählt werden müssen. Weitere Einschränkungen ergeben sich bei nichtstationärem Betrieb dadurch, daß die Strahlungsquelle gleichzeitig die Funktion eines elektrischen Hochleistungsschalters und die eines Wandlers elektrischer Energie in Strahlung erfüllen muß. Auch hier wird der Optimierungsspielraum für eine effektive Strahlungserzeugung eingeschränkt, weil ein zuverlässiges Zünden und Durchschalten an gewisse Plasmazustände gebunden ist.Within certain limits, the radiation power can be increased while maintaining the overall load of the radiation source by selective conversion of the electrical energy invested in radiation at the desired wavelength and preferred propagation direction. This is possible by an optimized composition of the working medium and by optimal pressure and temperature conditions of the plasma during the radiation. However, there are limitations to be considered, resulting from the incompatibility of different working media with the electrode and wall materials at working temperature, so that often with respect to the life of the materials, the discharge conditions must be chosen far from the optimum. Further restrictions arise in non-stationary operation in that the radiation source must simultaneously fulfill the function of a high-power electrical switch and that of a converter of electrical energy in radiation. Again, the optimization latitude for effective radiation generation is limited because reliable ignition and switching is bound to certain plasma states.
Sowohl für den stationären als auch den Impulsbetrieb ergeben sich bei Strahlern mit Elektroden abgeschattete Raumwinkelbereiche, in denen die Strahlung nicht genutzt werden kann, obwohl der Einsatz geeigneter optischer Bauelemente wie z. B. Ellipsoidreflektoren und/oder Lichtleitfasern eine Ausnutzung auch dieser Bereiche gestatten würde, und damit ein Maximum an abgestrahlter Energie dem optischen System zugeführt werden könnte.Both for stationary and pulsed operation result in radiators with electrodes shadowed solid angle areas in which the radiation can not be used, although the use of suitable optical components such. B. Ellipsoidreflektoren and / or optical fibers would allow utilization of these areas, and thus a maximum of radiated energy could be supplied to the optical system.
Zur Ausleuchtung optischer Systeme bei der fotolithografischen Mikrostrukturierung werden auch Laser als Strahlungsquellen verwendet (SPIE Vol. 174 [1979], S.28...36, „Coherent illumination improves step-and-repeat printing on wafers", by Michel Lacombat et al.) Die hauptsächlichen Einschränkungen derartiger Lichtquellen ergeben sich aus ihrer hohen räumlichen Kohärenz und damit verbundenen Strukturverzerrungen, ihrer hohen Monochromasie und damit verbundenen Stehende-Wellen-Effekten im fotoempfindlichen Material. Weiterhin stehen im allgemeinen in vorteilhaften Spektralbereichen Laser mit hoher Strahlungsleistung bzw. günstigem Wirkungsgrad nicht zur Verfügung.For illumination of optical systems in photolithographic microstructuring, lasers are also used as radiation sources (SPIE Vol. 174 [1979], pp. 28-36, "Coherent illumination of step-and-repeat printing on wafers", by Michel Lacombat et al The main limitations of such light sources arise from their high spatial coherence and associated structural distortions, their high monochromaticity and related standing wave effects in the photosensitive material, and generally, lasers with high radiant power and / or favorable efficiency are not available in advantageous spectral ranges to disposal.
Anwendungen mit Excimer-Lasern, die die erforderliche Energie im gewünschten Wellenlängenbereich (UV-Bereich) emittieren, sind auf kontaktlithografische Verfahren beschränkt (SPIE Vol. 334 [1982], S.259...262, „Ultrafast high resolution contact Lithography using excimer laser", by K.Jain et al.), da die zur Ausleuchtung projektionslithografischer Systeme erforderliche räumliche partielle Kohärenz nicht in einem Maße realisiert werden kann, das einen technischen Einsatz rechtfertigt.Applications with excimer lasers emitting the required energy in the desired wavelength range (UV range) are limited to contact lithographic methods (SPIE Vol. 334 [1982], pp. 259-262, "Ultrafast high resolution contact Lithography using excimer laser ", by K.Jain et al.), because the spatial partial coherence required for the illumination of projection lithographic systems can not be realized to an extent that justifies a technical application.
Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer leistungsstarken Strahlungsquelle, welche eine hohe Lebensdauer aufweist und die es gestattet, einen großen Raumwinkelbereich zu erfassen und die eine genaue und schnelle Belichtung von fotoempfindlichen Schichten erlaubt und damit eine hohe Produktivität bei fotolithografischen Einrichtungen gewährleistet.The object of the invention is to provide a powerful radiation source which has a long lifetime and which allows to detect a large solid angle range and which allows accurate and fast exposure of photosensitive layers and thus ensures high productivity in photolithographic devices.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Strahlungsquelle für optische Geräte, insbesondere für fotolithografische Abbildungssysteme zu schaffen, die die Strahlung eines Plasmas verwendet. Durch räumliche Trennung des Plasmas von der Wand oder anderen Einrichtungen eines Gefäßes sowie durch NichtVerwendung von Elektroden im Gefäß und Hochfrequenzfeldern zur räumlichen Konzentrierung der Energie soll eine hohe Lebensdauer und hohe Leistungsdichte erreicht werden. Des weiteren verringern sich die Belastungen des Gefäßes durch Stoßwellen bei Impulsbetrieb der Strahlungsquelle, und abgeschattete Raumwinkelbereiche durch Elektroden oder andere Einrichtungen im Gefäß treten nicht in Erscheinung.The invention has for its object to provide a radiation source for optical devices, in particular for photolithographic imaging systems, which uses the radiation of a plasma. By spatially separating the plasma from the wall or other means of a vessel and by not using electrodes in the vessel and radio frequency fields to spatially concentrate the energy high life and high power density is to be achieved. Furthermore, the load on the vessel is reduced by shock waves during pulsed operation of the radiation source, and shadowed solid angle ranges due to electrodes or other devices in the vessel do not appear.
Die erfindungsgemäße Strahlungsquelle soll einen weiten Optimierungsspielraum für eine Strahlungserzeugung im gewünschten Wellenlängenbereich besitzen, da Arbeitsmedium, Druck- und Temperaturbedingungen nicht nach Verträglichkeit mit Elektrodenmaterialien ausgewählt werden müssen.The radiation source according to the invention should have a wide scope for optimization of radiation generation in the desired wavelength range, since working medium, pressure and temperature conditions do not have to be selected for compatibility with electrode materials.
Gegenüber Laserstrahlung hat die Strahlungsquelle den Vorteil, daß sie speziell bei fotolithografischen Abbildungssystemen eine hohe räumlich partielle Kohärenz aufweist und spektral so aufgebaut ist, daß StehenderWellen-Effekte im fotoempfindlichen Material verringert werden.Compared to laser radiation, the radiation source has the advantage that it has a high spatial partial coherence especially in photolithographic imaging systems and is spectrally constructed so that standing wave effects are reduced in the photosensitive material.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in einem gasdichten, mit einem Entladungsmedium gefüllten Gefäß mindestens eine für Laserstrahlung durchlässige Eintrittsöffnung sowie mindestens eine für Plasmastrahlung durchlässige Austrittsöffnung vorgesehen sind, und daß zur Erzeugung und Aufrechterhaltung eines strahlenden Plasmas im Entladungsmedium in an sich bekannter Weise mindestens ein Laser außerhalb des Gefäßes vorgesehen ist, wobei optische Mittel zur Fokussierung der Laserstrahlung im Entladungsmedium über eine Eintrittsöffnung angeordnet sind, so daß das Plasma einen Abstand zur Wand des Gefäßes aufweist und die Plasmastrahlung über die Austrittsöffnung das Gefäß verläßt.The object is achieved in that are provided in a gas-tight, filled with a discharge medium vessel at least one laser radiation permeable inlet opening and at least one permeable for plasma radiation outlet opening, and that for generating and maintaining a radiating plasma in the discharge medium in a conventional manner at least a laser is provided outside the vessel, wherein optical means for focusing the laser radiation in the discharge medium are arranged via an inlet opening, so that the plasma has a distance from the wall of the vessel and the plasma radiation leaves the vessel via the outlet opening.
Wenn die zugeführte Strahlungsleistung eines Lasers für einen Durchschlag im Entladungsmedium nicht ausreichend ist, dann ist es vorteilhaft, daß zur Zündung des Entladungsmediums außerhalb des Gefäßes mindestens ein weiterer impulsförmig betriebener Laser angeordnet ist, der durch optische Mittel zur Fokussierung über eine Eintrittsöffnung auf das gleiche Volumen gerichtet ist.If the supplied radiation power of a laser for a breakdown in the discharge medium is not sufficient, then it is advantageous that at least one further pulsed laser is arranged to ignite the discharge medium outside the vessel, by optical means for focusing via an inlet opening to the same volume is directed.
Eine günstige Variante hinsichtlich der Veränderung der örtlichen Lage des strahlenden Plasmas ergibt sich, wenn die optischen Mittel zur Fokussierung der Laserstrahlung außerhalb des Gefäßes angeordnet sind. Auf diese Art und Weise kann man vorteilhaft Einrichtungen zur Justierung der optischen Mittel zur Fokussierung der Laserstrahlung vorsehen.A favorable variant with regard to the change in the local position of the radiating plasma results when the optical means for focusing the laser radiation are arranged outside the vessel. In this way one can advantageously provide means for adjusting the optical means for focusing the laser radiation.
Eine vorteilhafte Vereinfachung im Aufbau der Strahlungsquelle ergibt sich, wenn optische Mittel zur Fokussierung der Laserstrahlung innerhalb und/oder in der Wand des Gefäßes angeordnet sind. So bietet sich die Möglichkeit, daß die innere Wand des Gefäßes als optisches Mittel zur Fokussierung der von außen zugeführten Laserstrahlung ausgebildet ist.An advantageous simplification in the construction of the radiation source results when optical means for focusing the laser radiation are arranged inside and / or in the wall of the vessel. Thus, there is the possibility that the inner wall of the vessel is formed as an optical means for focusing the externally supplied laser radiation.
Zur Erfassung eines möglichst großen Raumwinkelbereiches ist es vorteilhaft, daß die innere Wand des Gefäßes als optisches Mittel zur Abbildung der vom Plasma ausgehenden Strahlung ausgeführt ist. Zweckmäßigerweise wird dann die innere Wand des Gefäßes als Konkavspiegel oder als Ellipsoidspiegel ausgeführt.To detect the largest possible solid angle range, it is advantageous that the inner wall of the vessel is designed as an optical means for imaging the radiation emanating from the plasma. Appropriately, then the inner wall of the vessel is designed as a concave mirror or ellipsoidal mirror.
Vorteilhaft in bezug auf die Erzielung hoher Strahldichten und zur Erhöhung der Lebensdauer ist es, wenn an das Gefäß ein externes Kühlsystem angebracht ist.It is advantageous in terms of achieving high beam densities and increasing service life when an external cooling system is attached to the vessel.
Die Erfindung wird an Hand von folgenden Figuren näher erläutert:The invention will be explained in more detail with reference to the following figures:
Fig. 1: zeigt eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Strahlungsquelle in schematischer Darstellung; Fig. 2: zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem die innere Wand des Gefäßes als optisches Bauelement ausgelegt wurde; Fig.3und4: zeigen Anwendungen, bei denen das Entladungsgefäß als Ellipsoidreflektor ausgelegt wurde.Fig. 1: shows an embodiment of the radiation source according to the invention in a schematic representation; Fig. 2: shows an embodiment in which the inner wall of the vessel has been designed as an optical component; 3 and 4 show applications in which the discharge vessel has been designed as an ellipsoid reflector.
Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Strahlungsquelle in schematischer Darstellung, wo sich in einem gasdichten Gefäß 1 das Entladungsmedium 2 befindet. Das Gefäß 1 besitzt zwei für Laserstrahlung durchlässige Eintrittsöffnungen 3 und 4 sowie eine für Plasmastrahlung durchlässige Austrittsöffnung 5. Die Eintrittsöffnung 3 ist durch das infrarotdurchlässige Fenster 6, und die Eintrittsöffnung 4 ist durch die ultraviolettdurchlässige Linse 7 verschlossen. Die Austrittsöffnung 5 ist mit dem Fenster 8 versehen. Außerhalb des Gefäßes 1 sind zwei Laser 9 und 10 vorgesehen. Die kohärente Strahlung 11 des Lasers 9, welcher ein stationärer CO2-Laser ist, tritt durch das Fenster 6 in das Gefäß 1 und wird mit dem an der Wand des Gefäßes angeordneten Konkavspiegel 12 fokussiert. Der Strahl 13 des Lasers 10, welcher ein Stickstoff-Impulslaser ist, wird mit Hilfe der UV-durchlässigen Linse 7 auf den gleichen Punkt fokussiert und erzeugt dort einen elektrischen Durchschlag und dadurch ein absorptionsfähiges Plasma 14, das durch die Strahlung 11 auf hohe Temperaturen aufgeheizt wird. Durch das Fenster 8 kann die Strahlung 15 des Plasmas dem nachgeschalteten optischen System zugeführt werden. Wenn die Strahlungsquelle impulsmäßig betrieben werden soll, wird anstelle des kontinuierlichen Lasers 9 ein gepulster CO2-Laser eingesetzt. Auf den Impulslaser 10 kann dann in der Regel verzichtet werden, da die Feldstärke des gepulsten CO2-Lasers in vielen Fällen für den Durchschlag ausreicht. Mit einer solchen Anordnung können zum Beispiel in einer Argon- oder Xenonatmosphäre als Arbeitsmedium mit einem Druck von 106Pa etwa ellipsoidförmige Plasmen von 4mm bis 5mm Durchmesser bis zu einer Temperatur von 16000 K erzeugt werden. Die optische Tiefe und die Temperatur können durch Veränderung des Druckes in weiten Grenzen variiert werden: Bei steigendem Druck fällt die Temperatur, und die spektrale Verteilung nähert sich der Planckfunktion. Bei geringeren Drücken steigt die Temperatur, und die Emission wird linienhaft. Temperaturen weit oberhalb 20000 K können mit Helium als Arbeitsmedium, das in konventionellen elektrisch betriebenen Impulslichtquellen wegen der erheblichenFig. 1 shows an embodiment of the radiation source according to the invention in a schematic representation, where in a gas-tight vessel 1, the discharge medium 2 is located. The vessel 1 has two inlet openings 3 and 4 which are permeable to laser radiation, and an outlet opening 5 which is permeable to plasma radiation. The inlet opening 3 is through the infrared-transmissive window 6, and the inlet opening 4 is closed by the ultraviolet-permeable lens 7. The outlet opening 5 is provided with the window 8. Outside the vessel 1, two lasers 9 and 10 are provided. The coherent radiation 11 of the laser 9, which is a stationary CO 2 laser, passes through the window 6 into the vessel 1 and is focused with the arranged on the wall of the vessel concave mirror 12. The beam 13 of the laser 10, which is a nitrogen pulse laser, is focused to the same point by means of the UV transmissive lens 7 and generates there electrical breakdown and thereby an absorptive plasma 14 which is heated by the radiation 11 to high temperatures becomes. Through the window 8, the radiation 15 of the plasma can be supplied to the downstream optical system. If the radiation source is to be pulsed, a pulsed CO 2 laser is used instead of the continuous laser 9. The pulse laser 10 can then be dispensed with as a rule, since the field strength of the pulsed CO 2 laser is sufficient in many cases for the breakdown. With such an arrangement, for example, in an argon or xenon atmosphere as the working medium at a pressure of 10 6 Pa, approximately ellipsoidal plasmas of 4 mm to 5 mm in diameter can be produced up to a temperature of 16,000 K. The optical depth and the temperature can be varied within wide limits by varying the pressure: As the pressure increases, the temperature drops and the spectral distribution approaches the Planck function. At lower pressures, the temperature rises and the emission becomes linear. Temperatures well above 20000 K can be used with helium as a working medium, which in conventional electrically operated pulsed light sources because of the considerable
In Fig. 3 und Fig.4 sind Anwendungen dargestellt, in denen die Entladungsgefäße 35 und 36 als Ellipsoidreflektor ausgelegt wurden. Der Strahl 37 des CO2-Lasers 38 wird mit Hilfe der Fokussierelemente, eines Konkavspiegels 39 beziehungsweise einer infrarotdurchlässigen Linse 40, auf die Brennpunkte 41 und 42 des durch die Reflexionsschichten der Ellipsoidspiegel 43 und 44 gebildeten Eilipsoide fokussiert. Das vom strahlenden Plasma emittierte Licht wird durch den Ellipsoidspiegel im zweiten Brennpunkt 45 beziehungsweise 46 des Ellipsoids gesammelt. Das in diesen Brennpunkten 45,46 abgebildete strahlende Plasma dient als sekundäre Strahlungsquelle für das mit den Kondensorlinsen 47,48 beginnende nachgeschaltete optische System.In Fig. 3 and Fig. 4 applications are shown in which the discharge vessels 35 and 36 have been designed as ellipsoidal reflector. The beam 37 of the CO 2 laser 38 is focused by means of the focusing elements, a concave mirror 39 or an infrared-transmitting lens 40, to the focal points 41 and 42 of the ellipsoids formed by the reflection layers of the ellipsoidal mirrors 43 and 44. The light emitted by the radiating plasma is collected by the ellipsoidal mirror in the second focus 45 and 46 of the ellipsoid. The radiating plasma depicted in these focal points 45, 46 serves as a secondary radiation source for the downstream optical system beginning with the condenser lenses 47, 48.
Claims (9)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD83256179A DD243629A3 (en) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | RADIATION SOURCE FOR OPTICAL DEVICES, ESPECIALLY FOR PHOTOLITHOGRAPHIC PICTURE SYSTEMS |
FR8416445A FR2554302A1 (en) | 1983-11-01 | 1984-10-26 | RADIATION SOURCE FOR OPTICAL APPARATUS, PARTICULARLY FOR PHOTOLITHOGRAPHIC REPRODUCTION SYSTEMS |
NL8403294A NL8403294A (en) | 1983-11-01 | 1984-10-30 | RADIATION SOURCE FOR OPTICAL DEVICES, IN PARTICULAR FOR PHOTOLITHOGRAPHIC IMAGING SYSTEMS. |
CH5212/84A CH666776A5 (en) | 1983-11-01 | 1984-10-31 | RADIATION SOURCE FOR OPTICAL DEVICES, ESPECIALLY FOR PHOTOLITHOGRAPHIC IMAGING SYSTEMS. |
JP59229035A JPS60202936A (en) | 1983-11-01 | 1984-11-01 | Radiation source used for optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD83256179A DD243629A3 (en) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | RADIATION SOURCE FOR OPTICAL DEVICES, ESPECIALLY FOR PHOTOLITHOGRAPHIC PICTURE SYSTEMS |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD243629A3 true DD243629A3 (en) | 1987-03-11 |
Family
ID=5551519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD83256179A DD243629A3 (en) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | RADIATION SOURCE FOR OPTICAL DEVICES, ESPECIALLY FOR PHOTOLITHOGRAPHIC PICTURE SYSTEMS |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60202936A (en) |
CH (1) | CH666776A5 (en) |
DD (1) | DD243629A3 (en) |
FR (1) | FR2554302A1 (en) |
NL (1) | NL8403294A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10008378B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-06-26 | Excelitas Technologies Corp. | Laser driven sealed beam lamp with improved stability |
US10057973B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-08-21 | Excelitas Technologies Corp. | Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013519211A (en) | 2010-02-09 | 2013-05-23 | エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド | Laser-driven light source |
US9097577B2 (en) * | 2011-06-29 | 2015-08-04 | KLA—Tencor Corporation | Adaptive optics for compensating aberrations in light-sustained plasma cells |
IL234727B (en) | 2013-09-20 | 2020-09-30 | Asml Netherlands Bv | Laser-operated light source in an optical system corrected for aberrations and method of designing the optical system |
IL234729B (en) | 2013-09-20 | 2021-02-28 | Asml Netherlands Bv | Laser-operated light source and method including mode scrambler |
US9814126B2 (en) | 2013-10-17 | 2017-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
US9984865B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-05-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light-emitting sealed body |
DE112014005518T5 (en) | 2013-12-06 | 2016-08-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light source device |
WO2015086258A1 (en) * | 2013-12-13 | 2015-06-18 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
JP6707467B2 (en) | 2014-05-15 | 2020-06-10 | エクセリタス テクノロジーズ コーポレイション | Laser driven shield beam lamp |
US9741553B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-08-22 | Excelitas Technologies Corp. | Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps |
US10186416B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-01-22 | Excelitas Technologies Corp. | Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp |
US9576785B2 (en) | 2015-05-14 | 2017-02-21 | Excelitas Technologies Corp. | Electrodeless single CW laser driven xenon lamp |
US10109473B1 (en) | 2018-01-26 | 2018-10-23 | Excelitas Technologies Corp. | Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same |
JP6885636B1 (en) | 2020-03-05 | 2021-06-16 | アールアンドディー−イーサン,リミテッド | Laser-excited plasma light source and plasma ignition method |
US11587781B2 (en) | 2021-05-24 | 2023-02-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser-driven light source with electrodeless ignition |
US12165856B2 (en) | 2022-02-21 | 2024-12-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inductively coupled plasma light source |
US12144072B2 (en) | 2022-03-29 | 2024-11-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | All-optical laser-driven light source with electrodeless ignition |
US12156322B2 (en) | 2022-12-08 | 2024-11-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inductively coupled plasma light source with switched power supply |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4348105A (en) * | 1981-04-30 | 1982-09-07 | Rca Corporation | Radiation shadow projection exposure system |
-
1983
- 1983-11-01 DD DD83256179A patent/DD243629A3/en not_active IP Right Cessation
-
1984
- 1984-10-26 FR FR8416445A patent/FR2554302A1/en active Pending
- 1984-10-30 NL NL8403294A patent/NL8403294A/en not_active Application Discontinuation
- 1984-10-31 CH CH5212/84A patent/CH666776A5/en not_active IP Right Cessation
- 1984-11-01 JP JP59229035A patent/JPS60202936A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10008378B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-06-26 | Excelitas Technologies Corp. | Laser driven sealed beam lamp with improved stability |
US10057973B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-08-21 | Excelitas Technologies Corp. | Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8403294A (en) | 1985-06-03 |
JPS60202936A (en) | 1985-10-14 |
FR2554302A1 (en) | 1985-05-03 |
CH666776A5 (en) | 1988-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DD243629A3 (en) | RADIATION SOURCE FOR OPTICAL DEVICES, ESPECIALLY FOR PHOTOLITHOGRAPHIC PICTURE SYSTEMS | |
DE69711653T2 (en) | RÖNTGERGENERATOR | |
DE19758739B4 (en) | irradiator | |
DE69722609T2 (en) | METHOD AND DEVICE FOR GENERATING X-RAY OR EXTREME UV RADIATION | |
DE112007003819B4 (en) | Laser-driven light source | |
DE3311249C2 (en) | Photolithography apparatus having a light source emitting in the far UV | |
EP0143446B1 (en) | Device for the production of short, high intensity electromagnetic radiation pulses in the wavelength region under 100 nm | |
DE112014001747B4 (en) | Method and apparatus for controlling convective flow in a light assisted plasma | |
DE69813065T2 (en) | X-ray source using laser-generated plasma, and device for semiconductor lithography and method using the same | |
DE112015001623B4 (en) | Laser-assisted plasma light source with optical elements for directing pump illumination so that a large number of spatially separated plasmas are maintained and corresponding method for elongated plasmas | |
DE69328095T2 (en) | LIGHT SOURCES | |
DE2622993A1 (en) | UV LAMP ARRANGEMENT | |
DE69611697T2 (en) | METHOD FOR ACTIVATING PHOTOINITIATORS IN LIGHT-SENSITIVE SUBSTRATES AND DEVICE FOR CURING SUCH SUBSTRATES | |
DE102005023060A1 (en) | Gas discharge source, in particular for EUV radiation | |
DE102019122064A1 (en) | Processing device for laser processing of a workpiece, parts set for a processing device for laser processing of a workpiece and method for laser processing of a workpiece | |
EP1447615B1 (en) | Pulsed sun simulator with improved homogeneity | |
DE112014005636T5 (en) | Plasma cell with free flange | |
DE69309399T2 (en) | Cadmium / rare gas discharge lamp of the short arc type, and projection exposure device using the same | |
DE60102597T2 (en) | HIGH-PERFORMANCE LASER AND ITS APPLICATION FOR GENERATING LIGHT IN EXTREME UV RANGE | |
DE19841040A1 (en) | Marking appliance for e.g. metal surface | |
WO2013107660A1 (en) | Beam guidance system for the focusing guidance of radiation from a high-power laser light source onto a target and lpp x-ray beam source with a laser light source and such a beam guidance system | |
US7609816B2 (en) | Renewable laser target | |
DE10310623A1 (en) | Method and device for generating a plasma by electrical discharge in a discharge space | |
DE102019205251A1 (en) | Projection exposure machine with a heater | |
EP0481270A1 (en) | Process for coupling cw-CO2 laser beams |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |