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DD147437A1 - METHOD OF STRUCTURING THE INSULATING LAYER OF FLEXIBLE INSULATION LAYER METAL COMPOUNDS - Google Patents

METHOD OF STRUCTURING THE INSULATING LAYER OF FLEXIBLE INSULATION LAYER METAL COMPOUNDS Download PDF

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Publication number
DD147437A1
DD147437A1 DD21715179A DD21715179A DD147437A1 DD 147437 A1 DD147437 A1 DD 147437A1 DD 21715179 A DD21715179 A DD 21715179A DD 21715179 A DD21715179 A DD 21715179A DD 147437 A1 DD147437 A1 DD 147437A1
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
layer
insulating layer
structuring
insulation layer
flexible insulation
Prior art date
Application number
DD21715179A
Other languages
German (de)
Inventor
Hans-Joerg Lessig
Stefan Schneidewind
Guenter Wiedemann
Dieter Pollack
Original Assignee
Lessig Hans Joerg
Stefan Schneidewind
Guenter Wiedemann
Dieter Pollack
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Filing date
Publication date
Application filed by Lessig Hans Joerg, Stefan Schneidewind, Guenter Wiedemann, Dieter Pollack filed Critical Lessig Hans Joerg
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Publication of DD147437A1 publication Critical patent/DD147437A1/en

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  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung der Isolationsschicht von flexiblen Isolationsschicht-Metall-Verbunden wie insbesondere Zwischentraeger fuer das Filmtraegerbonden oder flexible Leiterplatten. Die Erfindung loest die Aufgabe, mit einem weiteren Verfahren die Isolationsschicht flexibler Isolationsschicht-Metall-Verbunde selektiv abzutragen, ohne die Metallschicht zu verletzen, zu deformieren oder in ihrer Struktur zu aendern. Es wurde gefunden, dasz alle Punkte der Aufgabe erfuellt werden, wenn die Isolationsschicht mit einem Laserstrahl der Wellenlaenge > 2 Mikrometer, vorzugsweise 10,6 Mikrometer, verdampft wird.The invention relates to a method for structuring the insulating layer of flexible insulation layer-metal composites such as in particular intermediate carrier for Filmtraegerbonden or flexible printed circuit boards. The invention solves the problem of selectively removing the insulating layer of flexible insulation layer-metal composites without damaging the metal layer, deforming it or changing its structure. It has been found that all the objects of the problem are met when the insulating layer is evaporated with a laser beam of wavelength> 2 microns, preferably 10.6 microns.

Description

217151217151

Int.Cl. H 01 L/21/60Int.Cl. H 01 L / 21/60

Verfahren zur Strukturierung der Isolationsschicht von flexiblen Isolationsschicht-Metall-Verbunden'Process for Structuring the Insulation Layer of Flexible Insulation Layer-Metal Composites

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung der Isolationsschicht von flexiblen Isolationsschicht-Ivletall-Verbunden wie insbesondere Zwischenträger für das Filmtragerbonden oder flexible Leiterplatten. .The invention relates to a method for structuring the insulation layer of flexible insulation layer-Ivletall-composites such as in particular intermediate carrier for the Filmtragerbonden or flexible printed circuit boards. ,

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

!Flexible Verbundmaterialien aus Isolations-, Kleber- und Metallschichten ·v/erden seit längerer Zeit in der Elektrotechnik/Elektronik eingesetzt, z. B. für flexible gedruckte Verdrahtungen ab 1953· Industriell hat sich auch das Pilmträgerbonden von Chips mit einem flexiblen mehrschichtigen Zwischenträger durchgesetzt. Diese Zwischenträger bestehen beispielsweise aus einer etwa 35yum starken Kupferschicht, einer Kleberschicht und einer etwa 70 Aim starken Polyimid-, Polyesteroder anderen Isolationsschicht.Flexible composite materials made of insulation, adhesive and metal layers have long been used in electrical engineering / electronics, eg. B. for flexible printed wiring from 1953 · Industrially, the Pilmträgerbonden of chips has prevailed with a flexible multi-layer subcarrier. These intermediate carriers consist for example of an approximately 35yum thick copper layer, an adhesive layer and an approximately 70 Aim strong polyimide, polyester or other insulating layer.

Vor dem Kontaktieren der in die Kupferschicht eingeätzten Leiter mit Bauelementen, z. B. Chips, oder anderen Leitern " ' muß die Isolationsschicht im Bereich der Kontaktierstelle entfernt sein. Bas Kontaktierfenster kann vor dem Zusammenfügen der Schichten in die Isolationsschicht eingeschnitten. sein oder 'es wird aus dem fertigen Verbundmaterial selektiv herausgearbeitet. Before contacting the etched into the copper layer conductor with components, eg. For example, chips, or other conductors, the insulating layer must be removed in the region of the contacting point, and the contacting layer can be cut into the insulating layer before the layers are joined together or it can be selectively worked out of the finished composite material.

Wach der ersten Variante kann kein allgemein verwendbares Ausgangsmaterial hergestellt werden. Die Geometrie derWach the first variant can not be produced generally useful starting material. The geometry of the

— 2 —- 2 -

-ζ- 217151-ζ- 217151

Kontaktierfenster ist festgelegt. Außerdem wird die Kupferschicht bei der Herstellung des Schichtverbunds im Bereich des Kontaktierfensters u. U. deformiert. Diese Deformation wirkt sich nachteilig auf die späteren Verfahrensschritte aus, bzw. macht sie unmöglich. Insbesondere gefährdet ist der Schritt der fotolithografischen S'trukturierung der Metallschicht.Contact window is fixed. In addition, the copper layer in the production of the layer composite in the region of the contacting window u. U. deformed. This deformation adversely affects the later process steps, or makes them impossible. Particularly at risk is the step of photolithographic structuring of the metal layer.

Aus dem Schichtverbund müssen die Isolations- und ggf. die Kleberschicht selektiv, möglichst ohne Beeinträchtigung der Kupferschicht, abgetragen werden. Es sind hierzu verschiedene Versuche bzw. Techniken bekannt geworden.From the layer composite, the insulation and possibly the adhesive layer must be removed selectively, if possible without affecting the copper layer. For this purpose, various attempts or techniques have become known.

Zum einen wird die Isolationsschicht nach einem Abdeckschritt mittels 98%iger Schwefelsäure bei etwa 90 0C herausgeätzt. Die aggressiven Chemikalien verlangen entsprechende Arbeitsschutzmaßnahmen... Zusätzliche Abdeck- und Stripprozesse sind erforderlich. An den Abdecklack v/erden hohe Anforderungen gestellt.On the one hand, the insulating layer is etched out after a covering step using 98% strength sulfuric acid at about 90 ° C. The aggressive chemicals require appropriate occupational safety measures ... Additional covering and stripping processes are required. High demands are placed on the covering varnish.

Zum anderen wird die Isolationsschicht örtlich abgeschliffen. Das Verfahren ist insbesondere zum Freilegen von Flachbandleitungen bekannt geworden. Zum Herausschleißen der relativ kleinen Kontaktierfenster in den Zwischenträgern ist es ungeeignet, zumal nicht mit Sicherheit verhindert v/erden kann, daß die Kupferschicht angegriffen und deformiert wird.On the other hand, the insulation layer is ground down locally. The method has become known in particular for exposing flat ribbon cables. To unscrew the relatively small contacting window in the intermediate carriers, it is unsuitable, especially since it can not be prevented with certainty that the copper layer is attacked and deformed.

Es wurde auch versucht, die Isolationsschicht mit erhitzten Stempeln herauszubrennen. Die Lochqualität (Rand, verkohlte Rückstände) ist unzureichend und eine Deformation der Kupferschicht ließ sich auch hier nicht verhindern.It was also tried to burn out the insulation layer with heated punches. The hole quality (edge, charred residues) is insufficient and a deformation of the copper layer could not be prevented here.

Seit Mitte der 60er Jahre ist in der Elektronik-Technologie bekannt, Widerstandsschichten auf Keramik- oder Glassubstraten mit einem Laser zu trimmen. Das überschüssige Widerstandsmaterial wird verdampft. Durch Optimierung des Lasers (YAG-Laser) ist es gelungen, die Selektivität des Verfahrens zu erhöhen. Das Keramiksubstrat wird nur noch geringfügig, etwa 3/um, abgetragen.Since the mid-sixties, it has been known in electronics technology to use a laser to trim resistor layers on ceramic or glass substrates. The excess resistance material is evaporated. By optimizing the laser (YAG laser), it has been possible to increase the selectivity of the process. The ceramic substrate is removed only slightly, about 3 / um.

Bisher wird dieses Verfahren zur Strukturierung von Isolationsschichten, insbesondere von Isolationsschichten flexiblerSo far, this method for structuring insulation layers, in particular of insulating layers is more flexible

-3- 2t7151-3- 2t7151

Isolationsschicht-Metall-Ver "bunde, nicht eingesetzt. Ein noch so geringfügiger Abtrag der Kupferschicht reicht aus, um ihre Oberfläche, Ebenheit und Struktur unzulässig zu verändern.Insulation layer-to-metal bonds, not used Even the slightest removal of the copper layer is sufficient to unduly alter their surface, flatness and structure.

Ziel der;ErfindungGoal of ; invention

Das Ziel der Erfindung ist ein weiteres Verfahren zur Strukturierung der Isolationsschicht flexibler Isolationsschicht-Metall -Verbünde.The object of the invention is a further method for structuring the insulating layer of flexible insulation layer metal interconnections.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Die Erfindung löst die Aufgabe, mit einem weiteren Verfahren . die Isolationsschicht flexibler Isolationsschicht-Metall-Verbunde selektiv abzutragen, ohne die Metallschicht zu verletzen, zu deformieren oder in ihrer Struktur zu ändern.The invention solves the problem with a further method. to selectively ablate the insulating layer of flexible insulation-metal composites without damaging, deforming or altering the structure of the metal layer.

Es wurde gefunden, daß alle Punkte der Aufgabe erfüllt werden, wenn die Isolationsschicht mit einem Laserstrahl der Wellenlänge > 2 μτη, vorzugsweise 10,6 pn, verdampft wird. Durch das unterschiedliche Reflexionsvermögen der Isolationsund Kleberschicht einerseits (r<50 %) und der Metallschicht andererseits (r»99 %) wird die Metallschicht weder verletzt noch sonst in irgendeiner unzulässigen Weise angegriffen.It has been found that all points of the problem are met when the insulating layer is evaporated with a laser beam of wavelength > 2 μτη, preferably 10.6 pn. Due to the different reflectivity of the insulating and adhesive layer on the one hand (r <50 %) and the metal layer on the other hand (r »99 %) , the metal layer is neither injured nor otherwise attacked in any improper manner.

Ausführungsbeispielembodiment

Ein Zwischenträger aus einem mehrschichtigen flexiblen Basismaterial mit einer Polyester (PSTP) -Isolierschicht ("Mylar" der Firma Du Pont) wird mit einem COp-Laser bestrahlt und dadurch das Polyester abgetragen. Hierzu wird der Strahl entweder nach einem vorgegebenen Programm über die abzutragende ' Flache geführt oder es wird vorher eine Maske aus Metall aufgelegt und seilenweise abgetragen.An intermediate carrier of a multilayer flexible base material with a polyester (PSTP) insulation layer ("Mylar" from Du Pont) is irradiated with a COp laser and thereby the polyester is removed. For this purpose, the beam is either guided over a predetermined program on the 'flat to be removed or it is previously placed a mask made of metal and removed by the rope.

Claims (2)

Erfindungsanspruchinvention claim 1. Verfahren zur Strukturierung der Isolationsschicht von flexiblen Isolationschicht-Metall-Verbunden, gekennzeichnet dadurch, daß die Isolationsschicht mit einem Laserstrahl der Wellenlänge > 2 pm verdampft wird.1. A process for structuring the insulating layer of flexible insulation layer-metal composites, characterized in that the insulating layer is evaporated with a laser beam of wavelength> 2 pm . 2· Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch^ da.S mit einem Laserstrahl der Wellenlänge 10,6 um gearbeitet wird.2 * Method according to item 1, characterized in that the laser beam of wavelength 10.6 μm is used.
DD21715179A 1979-11-27 1979-11-27 METHOD OF STRUCTURING THE INSULATING LAYER OF FLEXIBLE INSULATION LAYER METAL COMPOUNDS DD147437A1 (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4132947A1 (en) * 1991-10-04 1993-04-08 Export Contor Aussenhandel ELECTRONIC CIRCUIT ARRANGEMENT
WO1999062310A1 (en) * 1998-05-27 1999-12-02 Exitech Limited Method and apparatus for drilling microvia holes in electrical circuit interconnection packages

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