[go: up one dir, main page]

CZ281606B6 - Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok - Google Patents

Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok Download PDF

Info

Publication number
CZ281606B6
CZ281606B6 CS921020A CS102092A CZ281606B6 CZ 281606 B6 CZ281606 B6 CZ 281606B6 CS 921020 A CS921020 A CS 921020A CS 102092 A CS102092 A CS 102092A CZ 281606 B6 CZ281606 B6 CZ 281606B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
etching
copper
etching solution
ammonium
vanadium
Prior art date
Application number
CS921020A
Other languages
English (en)
Inventor
Bernd Lindinger
Original Assignee
Elo-Chem Ätztechnik Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elo-Chem Ätztechnik Gmbh filed Critical Elo-Chem Ätztechnik Gmbh
Publication of CZ102092A3 publication Critical patent/CZ102092A3/cs
Publication of CZ281606B6 publication Critical patent/CZ281606B6/cs

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/32Alkaline compositions
    • C23F1/34Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/46Regeneration of etching compositions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067Etchants

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)

Abstract

Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok k leptání desek vodičů a tvarových dílců z mědi a slitin mědi, s obsahem tetraminsíranu měďnatého, amoniaku, síranu amonného, chloridu amonného, popřípadě dusičnanu amonného, jakož i katalyzátoru zvyšujícího rychlost leptání, obsahuje jako katalyzátor vanad nebo některou sloučeninu vanadu v množství od 1 mg do 99 mg na jeden litr leptacího roztoku, vypočteno jako vanad.ŕ

Description

Oblast techniky
Vynález se týká elektrolyticky regenerovatelného leptaciho roztoku k leptání desek vodičů a tvarových dílců z mědi a slitin mědi, s obsahem síranu tetramomědnatého, amoniaku, síranu amonného, chloridu amonného popřípadě dusičnanu amonného, jakož i katalyzátoru zvyšujícího rychlost leptání.
Dosavadní stav techniky
Při výrobě desek vodičů se zpravidla vychází ze základního materiálu povlečeného mědí. Žádané dráhy vodičů se vyrobí tak, že obrazec drah vodičů se nanese na povrch médi sítovým tiskem nebo fotograficky jako odolný obrazec. Povrch mědi nepokrytý odolným obrazcem se odleptá vhodným leptacím prostředkem.
Jiný způsob, používaný u dvouvrstvých desek vodičů potiskne později odleptaný povrch a ponechá volné dráhy vodičů a průchodné spoje. Potom se dráhy vodičů galvanicky zesílí, vývrty se galvanicky pomědí a přes oba útvary se galvanicky nanese odolný povlak z cínu nebo slitiny cínu a olova. Potom se zpočátku nanesený organicky odolný povlak sloupne a pod ním ležící měd se rozpustí vhodným leptacím prostředkem. Dráhy vodičů a průchodné spoje jsou před rozpuštěním chráněny kovovým odolným povlakem.
Zatímco k výrobě jednovrstvých desek spojů se používají kyselé leptací prostředky, při výrobě desek s průchodnými spoji vyžaduje použitá technika kovových odolných povlaků použití alkalických leptacích prostředků. Jako optimální leptací prostředek se posadil chlorid tetramomédnatý, který kromě dostatečné rychlosti leptání nevykazuje téměř žádné podleptání, nenapadá podstatné kovový odolný povlak a má vysokou schopnost přijímání médi.
Nedostatky tohoto známého způsobu leptání spočívají v tom, že odleptaná méd může být znovuzískána pouze velmi nákladným způsobem, což nemůže být prakticky provedeno uživatelem a upotřebený roztok musí být zneškodněn. To se může provést nákladným odstraněním jedovatosti z komplexního chloridu tetramomědnatého, nebo, což je pro uživatele jednodušší, převzetím upotřebeného roztoku výrobcem. Pouze v oblasti ES se takto ročně dopravuje po silnicích více než 6 milionů litrů leptaciho prostředku. Míra ohrožení je evidentní.
Problém mohl být vyřešen teprve vyvinutím leptaciho prostředku na bázi síranu, ze kterého může být rozpuštěná měd odloučena elektrolyticky, je ji tedy možno znovu získat. Leptací prostředek při tom může být mezi leptacím zařízením a recyklačním zařízením veden v okruhu a nemusí být obnovován až na ztráty. Znovuzískaná méd může být se ziskem prodána.
Proti tomu stojí nevýhoda síranu tetramomědnatého jako leptacího prostředku, že ve srovnání s chloridem tetramomédnatým má asi o 30 % nižší rychlost leptání, což znamená delší časy leptání, a tím menší vyrobené množství. Tato nevýhoda může být vyrov
-1_ nána delšími leptacími moduly nebo nasazením urychlovače, který značné zvětšuje rychlost leptání.
Takové zvýšení rychlosti leptání je cílem předloženého vynálezu.
Používané leptací roztoky sestávají obvykle ze síranu tetramomédnatého, amoniaku, síranu amonného a chloridu amonného nebo ze solí odpovídajících iontů. Popisovanému způsobu také odpovídají leptací roztoky prosté halogenidů. Další přísada pro zamezení oxidace odolného povlaku z cínu nebo slitiny cínu a olova a k vytvoření pasivity anodové strany bipolárních elektrod je kyselina fosforečná nebo některý rozpustný fosforečnan. Také složení, která nahrazují část množství síranu dusičnanem, mohou být podle vynálezu urychlena.
Popsaná známá složení dosahují rychlosti leptání asi 30 až 35 gm mědi za 1 minutu.
Podstata vynálezu
Předmětem vynálezu je elektrolytický regenerovatelný leptací roztok k leptání desek vodičů a tvarových dílců z médi a slitin médi, s obsahem síranu tetramomédfnatého, amoniaku, síranu amonného, chloridu amonného, popřípadě dusičnanu amonného, jakož i katalyzátoru zvyšujícího rychlost leptání, jehož podstata spočívá v tom, že leptací roztok obsahuje jako katalyzátor vanad nebo některou sloučeninu vanadu ve množství od 1 mg do 99 mg na 1 litr leptacího roztoku, počítáno jako vanad.
Výhodně obsahuje leptací roztok na jeden litr 63,60 až
127.20 g mědi, 0,530 až 5,35 g chloridu amonného, 6,40 až
83.20 g dusičnanu amonného, 237,75 až 277,40 g síranu amonného, jakož i amoniak v množství, postačujícím k nastavení hodnoty pH na 8,1 až 8,8.
Leptací roztok obsahuje také výhodně 0,1 až 20 g/1 roztoku fosforečnanu ve formě kyseliny fosforečné nebo soli kyseliny fosforečné.
Další výhodné provedení leptaciho roztoku spočívá v tom, že na jeden litr roztoku obsahuje 330 g pentahydrátu síranu mědnatého, 80 g síranu amonného, 4 g chloridu amonného, 4 g hydrogenfosforečnanu amonného, 90 mg oxidu vanadičného a amoniak v množství, postačuj ícím k nastavení hodnoty pH na 8,4.
Jako možná provedení lze uvést tři složení leptacích roztoků. Množství složek jsou uvedena na 1 litr roztoku.
1. Roztok: 60 až 120 g Cu, 150 až 200 g SO4, 0,5 až 5 g Cl, 1 až mg V.
2. Roztok: 60 až 20 g Cu, 120 až 177 g SO4, 10 až 100 g NO3, 0,5 až 5 g Cl, 1 až 99 mg V.
3. Roztok: 60 až 120 g Cu, 120 až 170 g SO4, 10 až 100 g NO3,
0,5 až 5 g Cl, 0,5 až 20 g PO4, 1 až 99 mg V.
-2CZ 281606 B6
Všechny tři uvedené roztoky obsahují navíc amoniak k nastavení alkalické hodnoty pH.
Těmito opatřeními podle předloženého vynálezu se přesně dávkovaným přidáním vanadu, vanadanů nebo jiných solí vanadu může zvýšit rychlost leptání katalyzovaných leptacích roztoků na hodnoty asi od 40 do 50 um mědi za jednu minutu.
Je známo, že rychlost leptání je závislá na teplotě a na hodnotě pH. Pro leptací roztok podle předloženého vynálezu jsou optimální teploty od 35 ’C do 60 °C a hodnoty pH od 8,1 do 8,8.
Vanad, popřípadě sloučeniny vanadu jsou jako katalyzátory pro leptací roztoky na bázi síranu tetramoměčínatého o sobě známé z patentového spisu DE-A1 33 05 319, avšak tam předepsaná složení nenalezla žádné rozšíření v praxi, protože popisované leptací roztoky měly závažné nedostatky.
Tak například patentový spis DE-A1 33 05 319 vyžaduje absolutní nepřítomnost halogenů, když pro leptací roztok je jako význak uvedeno, že obsahuje ionty SO4 a je prostý chloru.
Takový požadavek, zjištěný jako ne zcela smysl mající, není pro předložený vynález formulován.
Zvláště neuspokojivá jsou však podle DE-A1 33 05 319 dosažená množství odloučené médi v recyklačních zařízeních. Jednak byla odloučená med příliš křehká, jednak nebyla soudržná, měla sklon ke drolení a bylo obtížné ji oddělit od katody, viz patentový spis DE-A1 34 29 902 a dále uvedeny srovnávací příklad.
Tyto nedostatky jsou koncentrací vanadu od 1 do 99 mg na jeden litr leptacího roztoku odstraněny, takže vanad odloučený spolu s médi je v ní obsažen pouze v nepatrné koncentraci 10 μ-g/g a tedy nezpůsobuje žádné zkřehnutí ani drolení měděných katod.
Leptací proces odpovídá ve zjednodušeném znázornění rovnici
Cu + Cu++ = 2Cu+
Zpětná oxidace Cu+ na Cu++ se děje vzdušným kyslíkem. Protože rychlost leptání závisí na koncentraci iontů Cu++, je tato spoluurčena rychlostí zpětné oxidace, která může být velmi proměnlivá v závislosti na leptacím zařízení, například na přívodu vzduchu, jeho tlaku atd.
Vynález je blíže vysvětlen v následujících příkladech.
Příklady provedení vynálezu
Příklad 1
Leptací roztok obsahující 330 g pentahydrátu síranu mědínatého, 80 g síranu amonného, 4 g chloridu amonného, 90 mg oxidu vanad i č něho a 4 g hydrogenfosforečnanu amonného na 1 litr roztoku, jehož hodnota pH byla nastavena pomocí amoniaku na 8,4, byl pou žit v leptacím zařízení při pracovní teplotě 50 °C k odleptání desek vodičů jednostranné pokrytých mědí a desek s průchodnými spoji. Při plynulém provozu bylo dosaženo rychlosti leptání asi 40 μιη médi za jednu minutu.
Při elektrolytické regeneraci se měď odlučuje katodicky a může být z katody snadno stažena jako souvislá fólie.
Příklad 2 (srovnávací)
Byl proveden postup podle patentového spisu DE-A1 33 05 319 s optimálním složením leptacího roztoku v něm uvedeném. Tento leptací roztok obsahoval na jeden litr 179,04 g síranu tetramomědnatého, 59,4 g síranu amonného, 7,65 amoniaku a 1 g vanadanu amonného. Hodnota pH byla 9,65. Při pokusu leptání desek vodičů pokrytých médi mohly být v podstatě dosaženy rychlosti leptání uvedené ve zmíněném patentovém spise DE-A1 33 05 319. Po následující elektrolytické regeneraci leptacího roztoku nebylo možné obdržet žádné souvislé nánosy mědi. Vyloučená měď nebyla pevně souvislá, měla sklon ke drolení a bylo možné jí jen špatně oddělit od elektrody použité k vyloučení mědi.

Claims (4)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok k leptání desek vodičů a tvarových dílců z mědi a slitin mědi, s obsahem síranu tetramoměčťnatého, amoniaku, síranu amonného, chloridu amonného, popřípadě dusičnanu amonného, jakož i katalyzátoru zvyšujícího rychlost leptání, vyznačující se tím, že obsahuje jako katalyzátor vanad nebo některou sloučeninu vanadu v množství 1 až 99 mg na jeden litr leptacího roztoku, počítáno jako vanad.
  2. 2. Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok podle nároku 1, vyznačující se tím, že na jeden litr roztoku obsahuje 63,60 až 127,20 g mědi, 0,530 až 5,35 g chloridu amonného, 6,40 až 83,20 g dusičnanu amonného, 237,75 až 277,40 g síranu amonného, jakož i amoniak v množství, postačujícím k nastavení hodnoty pH na 8,1 až 8,8.
  3. 3. Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok podle nároků 1 nebo 2, vyznačující se tím, že obsahuje 0,1 až 20 g/1 roztoku fosforečnanu ve formě kyseliny fosforečné nebo soli kyseliny fosforečné.
  4. 4. Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok podle některého z nároků 1 až 3, vyznačující se tím, že na jeden litr roztoku obsahuje 330 g pentahydrátu síranu mědfnatého, 80 g síranu amonného, 4 g chloridu amonného, 4 g hydrogenfosforečnanu amonného, 90 mg oxidu vanadičného a amoniak v množství, postačujícím k nastaveni hodnoty pH na 8,4.
CS921020A 1990-07-05 1991-06-22 Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok CZ281606B6 (cs)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0143390A AT395177B (de) 1990-07-05 1990-07-05 Aetzloesung
US07/562,745 US6129858A (en) 1990-07-05 1990-08-06 Etching solution
PCT/EP1991/001159 WO1992001086A1 (de) 1990-07-05 1991-06-22 Ätzlösung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ102092A3 CZ102092A3 (en) 1993-01-13
CZ281606B6 true CZ281606B6 (cs) 1996-11-13

Family

ID=25595841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS921020A CZ281606B6 (cs) 1990-07-05 1991-06-22 Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok

Country Status (15)

Country Link
US (1) US6129858A (cs)
EP (1) EP0491020B1 (cs)
AT (2) AT395177B (cs)
CA (1) CA2069933C (cs)
CZ (1) CZ281606B6 (cs)
DE (1) DE59100461D1 (cs)
DK (1) DK0491020T3 (cs)
ES (1) ES2046055T3 (cs)
HK (1) HK115195A (cs)
HU (1) HU210320B (cs)
IL (1) IL98645A (cs)
LT (1) LTIP1580A (cs)
RU (1) RU2078850C1 (cs)
SK (1) SK281643B6 (cs)
WO (1) WO1992001086A1 (cs)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR9406854A (pt) * 1993-06-16 1996-03-26 Call Hans Peter Sistema de alvejamento de múltiplos componentes
DE4339320A1 (de) * 1993-11-18 1995-05-24 Elochem Aetztechnik Gmbh Verfahren zum beschleunigten Ätzen und Abscheiden von Metallen in ammoniakalischen Ätzanlagen
DE102004030924A1 (de) * 2004-06-25 2006-01-19 Elo-Chem-Csm Gmbh Elektrolytisch regenerierbare Ätzlösung
DE102006036888A1 (de) * 2005-11-10 2007-05-16 Eve Recycling Sarl Regenerierbare Ätzlösung
CN103614726B (zh) * 2011-03-04 2015-07-29 侯延辉 一种蚀刻方法
CN114752940B (zh) * 2022-04-21 2024-02-06 盛隆资源再生(无锡)有限公司 一种碱性含铜蚀刻废液的回收方法
WO2024114054A1 (zh) * 2022-11-30 2024-06-06 叶涛 一种线路板氨碱性硫酸四氨合铜蚀刻工艺及其装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1294804A (en) * 1970-07-24 1972-11-01 Shipley Co Etchant for cupreous metals
DE2625869A1 (de) * 1976-06-09 1977-12-22 Siemens Ag Waessrige ammoniakalische aetzloesung zum aetzen von kupfer und kupferlegierungen
JPS5355474A (en) * 1976-10-29 1978-05-19 Kyoritsu Kogyo Method of treating ammonium peroxysulfate waste liquid
US4319955A (en) * 1980-11-05 1982-03-16 Philip A. Hunt Chemical Corp. Ammoniacal alkaline cupric etchant solution for and method of reducing etchant undercut
DE3305319A1 (de) * 1983-02-16 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrolytisches vollregenerierverfahren einer ammoniakalischen aetzloesung
DE3429902A1 (de) * 1984-08-14 1986-02-27 Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH & Co, 7033 Herrenberg Verfahren zum aetzen von kupferfilmen auf leiterplatten unter elektrolytischer rueckgewinnung von kupfer aus der aetzloesung

Also Published As

Publication number Publication date
ES2046055T3 (es) 1994-01-16
WO1992001086A1 (de) 1992-01-23
EP0491020A1 (de) 1992-06-24
DE59100461D1 (de) 1993-11-11
SK281643B6 (sk) 2001-06-11
LTIP1580A (en) 1995-06-26
HU210320B (en) 1995-03-28
US6129858A (en) 2000-10-10
HK115195A (en) 1995-07-21
EP0491020B1 (de) 1993-10-06
RU2078850C1 (ru) 1997-05-10
CA2069933A1 (en) 1992-01-06
ATE95578T1 (de) 1993-10-15
SK102092A3 (en) 1996-06-05
ATA143390A (de) 1992-02-15
DK0491020T3 (da) 1994-03-21
AT395177B (de) 1992-10-12
IL98645A0 (en) 1992-07-15
CZ102092A3 (en) 1993-01-13
HUT64109A (en) 1993-11-29
CA2069933C (en) 2000-06-20
IL98645A (en) 1994-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3455709B2 (ja) めっき方法とそれに用いるめっき液前駆体
US4269678A (en) Method for regenerating a cupric chloride and/or ferric chloride containing etching solution in an electrolysis cell
EP0079505A1 (en) A method of recovering copper from spent etch solutions
KR100292944B1 (ko) 지지체 금속표면을 다른 금속으로 치환 도금하는 방법
EP1427869B1 (en) Regeneration method for a plating solution
CZ281606B6 (cs) Elektrolyticky regenerovatelný leptací roztok
JPH03500186A (ja) 銅腐食液組成物
US4424097A (en) Metal stripping process and composition
JPS6150154B2 (cs)
JP4673368B2 (ja) エッチング溶液
JP2982658B2 (ja) 電気めっき液中の金属濃度の低下方法
KR100272318B1 (ko) 부식액
JPH05295567A (ja) 腐食性溶液
US6168670B1 (en) Method of pickling articles of copper and metals less noble than copper
Luke Etching of copper with sulphuric acid/hydrogen peroxide solutions
JPH06264281A (ja) パラジウムメッキ液及び該メッキ液を用いたパラジウムメッキ方法
JPS59222584A (ja) 銅および銅合金のエツチング液
JPH02254188A (ja) 塩化銅溶液の電解処理方法
JPH0355554B2 (cs)
JPS6233307B2 (cs)
GB1571298A (en) Electroplating solutions for and method of electrodeposition of aluminium
JPS58157959A (ja) 無電解めつき浴の再生方法およびそれに使用する装置
JPH07197279A (ja) 錫または錫合金の剥離液
JPH0336288A (ja) 電気スズめっきのスラッジ発生防止方法
CS263985B1 (cs) Způsob zpracování vyčerpaných lázní na leptání mědi

Legal Events

Date Code Title Description
IF00 In force as of 2000-06-30 in czech republic
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20040622