CZ2014675A3 - Thin wideband radio absorber - Google Patents
Thin wideband radio absorber Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2014675A3 CZ2014675A3 CZ2014-675A CZ2014675A CZ2014675A3 CZ 2014675 A3 CZ2014675 A3 CZ 2014675A3 CZ 2014675 A CZ2014675 A CZ 2014675A CZ 2014675 A3 CZ2014675 A3 CZ 2014675A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- frames
- thickness
- frequency selective
- composite
- frequency
- Prior art date
Links
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
Tenký širokopásmový radioabsorbér představovaný vrstvou kompozitu magnetického plniva v elastomerní matrici celkové tloušťky v intervalu 1/20 až 1/60 .lambda..sub.m.n., opatřenou na výstupní straně podkladní kovovou vrstvou a na vstupní straně nebo uvnitř frekvenčně selektivní mřížkou, má frekvenčně selektivní mřížku (1) tvořenou sestavou pravidelně rozmístěných plošných vodivých prvků, která je vytvořena souběžně po obou stranách nevodivého polymerního substrátu (2) o tloušťce 0,02 až 0,2 mm. Na jedné straně nevodivého polymerního substrátu (2) mají plošné vodivé prvky tvar obvodově uzavřených rámečků (3) a na protilehlé straně tvar podélných obrazců (4) překrývajících v půdorysném průmětu vždy každý rámeček (3) se čtyřmi nejblíže sousedícími rámečky (3) tak, že podélný obrazec (4) přesahuje přes vnější strany rámečků (3). Zároveň platí, že rozteč (P) všech plošných vodivých prvků je shodná a je v intervalu od 0,5 .lambda..sub.m.n.do D.sub.2.n., kde .lambda..sub.m.n.je střední vlnová délka operačního pásma absorbéru a D.sub.2.n.je vnější strana rámečků (3).The thin broadband radioabsorber, represented by a layer of a magnetic filler composite in an elastomeric matrix of a total thickness in the range of 1/20 to 1/60 .lambda..sub.mn, is provided with a frequency selective lattice on the downstream side and a frequency selective lattice on the input side or inside. a grid (1) formed by an array of regularly spaced surface conductive elements which is formed parallel to both sides of the non-conductive polymer substrate (2) having a thickness of 0.02 to 0.2 mm. On one side of the non-conductive polymer substrate (2), the surface conductive elements have the form of circumferentially closed frames (3) and on the opposite side the shape of the longitudinal patterns (4) overlapping each frame (3) with the four closest adjacent frames (3) in a plan view. that the longitudinal pattern (4) extends over the outer sides of the frames (3). At the same time, the spacing (P) of all surface conductive elements is identical and is in the interval from 0.5 .lambda..sub.mndo D.sub.2.n, where .lambda..sub.mn is mean wave the length of the absorber operating zone and D.sub.2 is the outside of the frames (3).
Description
Tenký širokopásmový radioabsorbér
Oblast techniky
Vynález se týká tenkého širokopásmového radioabsorbéru, který spadá do oblasti absorpčních materiálů určených pro řešení problémů moderní elektroniky.
Dosavadní stav techniky
Vzhledem ktomu, že v současnosti elektronika proniká do takřka všech odvětví lidské činnosti, je stále častěji nutno řešit problém elektromagnetické kompatibility a elektromagnetické interference, stejně jako negativní vliv elektromagnetického záření na přírodu a člověka. Jedním ze způsobů řešení těchto problémů představují elektromagnetické absorbéry. Mezi hlavní charakteristiky absorbérů patří šířka stíněného frekvenčního pásma, dále tloušťka a hmotnost daného absorbérů. Jedním ze způsobů rozšíření operačního pásma absorbérů bez zvětšení jeho hmotnosti a tloušťky je použití tzv. frekvenčně selektivních povrchů (FSP) v konstrukci daného absorbérů. Této problematice je věnována řada vědeckých článků a patentů. Řada patentovaných řešení je zaměřena na použití frekvenčně selektivních prvků v absorbérech rezistivního typu, ve kterých je elektromagnetická energie pohlcována rezistivními prvky absorbérů. Např. v patentech US 6^538^596 a US 5^627*541 jsou prvky pohlcujícími elektromagnetické záření rezistivní vrstvy s rezistivitou rovnající se okolnímu (volnému) prostředí (120 π Ω). V patentu CN 102026531 jsou prvky pohlcujícími elektromagnetické záření rezistory s rezistivitou 44,9 kQ, začleněné mezi kovové prvky FSP. Tyto typy absorbérů však nejsou prioritně určeny a ani vhodné pro řešení problémů souvisejících s nežádoucími účinky elektromagnetického záření v moderní elektronice. Jsou zaměřeny přednostně na „stealth“ technologie -antidetekční systémy. Navíc tyto absorbéry mají i kvalitativně nižší charakteristiky (šíře pracovního frekvenčního pásma a úspora tloušťky). Tak kupříkladu v patentu US 6^538^596 relativní operační frekvenční pásmo (fmax/fmin) absorbérů je rovno 2 a jeho tloušťka vztažená na vlnovou délku leží v intervalu 1/16 až 1/12 vlnové délky. V patentu CN 102026531 je navržen radioabsorbér s FSP, který má relativně menší tloušťku (1/40 vlnové délky), nicméně není pro něj udána šířka frekvenčního pásma, která podle kvalifikovaného odhadu činí 1,1. V dokumentu autora Farhad Bayatpur: Metamaterial-Inspired Frequency-Selective Surfaces a v patentové přihlášce US 201^10903 A se s cílem rozšíření rezonanční frekvence absorbérů navrhuje použití kapacitního zkratu FSP - kapacitní vazby. Toho je dle uvedených zdrojů • · • · · · -2- « « ♦ · >r dosaženo pomocí kapacitního zkratu mřížek složených z elektrovodivých smyček, kdy tyto jsou zkratovány pomocí koncentrovaných kapacitorů a kapacitních diod umístěných mezi nimi. Nedostatkem popsaných řešení tohoto typu je jejich složitost a nákladnost vzhledem k nutnosti použití elektronických komponent a s tím souvisejících pracných technologií, jako je pájení kontaktů.
V užitném vzoru C^27j02^jUl je popsán návrh širokopásmového absorbéru na bázi kompozitu (elastomer plněný magnetickým plnivem) a FSP ve tvaru periodické mřížky skládající se plošných vodivých prvků vytvářejících elektromagnetické smyčky, umístěných na jedné straně polymemí vrstvy. Šířka operačního pásma absorbéru závisí na rezonanční frekvenci, Q faktoru a poloze FSP v materiálu, přičemž operační frekvenční pásmo je tím širší, čím menší je Q faktor. Toto řešení je technicky jednodušší, výhodnější a méně nákladné než právě popsané postupy, nicméně technologie používané v sériové výrobě nedovolují realizovat bez využití kapacitních zkratů mřížku FSP popsaného typu sQ faktorem nižším než 1,3, což značně omezuje šířku frekvenčního pásma absorbéru.
Podstata vynálezu
Uvedené nevýhody a nedostatky do značné míry odstraňuje tenký širokopásmový radioabsorbér představovaný vrstvou kompozitu magnetického plniva v elastomemí matrici celkové tloušťky v intervalu 1/20 až 1/60 λ™, opatřenou na výstupní straně podkladní kovovou vrstvou a na vstupní straně nebo uvnitř frekvenčně selektivní mřížkou, podle vynálezu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že frekvenčně selektivní mřížka radioabsorbéru, tvořená sestavou pravidelně rozmístěných plošných vodivých prvků, je vytvořena souběžně po obou stranách nevodivého polymemího substrátu o tloušťce 0,02 až 0,2 mm, přičemž na jedné straně nevodivého polymemího substrátu mají plošné vodivé prvky tvar obvodově uzavřených rámečků a na protilehlé straně tvar podélných obrazců překrývajících v půdorysném průmětu vždy každý rámeček se čtyřmi nejblíže sousedícími rámečky tak, že podélný obrazec přesahuje přes vnější obvodové strany těchto rámečků a nepřesahuje přes vnitřní strany rámečků, a zároveň rozteč všech plošných vodivých prvků je shodná a je v intervalu od 0,5 Xm do D2, kde Xm je střední vlnová délka operačního pásma absorbém a D2 je vnější strana rámečků.
Frekvenčně selektivní mřížka radioabsorbéru podle vynálezu má s výhodou podélné obrazce orientovány kolmo k nejbližším stranám rámečků.
Frekvenčně selektivní mřížka radioabsorbéru podle vynálezu svým umístěním s výhodou rozděluje kompozitní vrstvu na dvě části, ve směru vstupu záření označené jako vstupní kompozitní vrstva tloušťky d\ a výstupní kompozitní vrstva tloušťky dz, přičemž poměr jejich tlouštěk d\: dz)e 2:1 až 4:1.
Hlavní výhodou širokopásmového radioabsorbéru podle vynálezu je možnost dosahovat hodnot Q faktoru značně nižších než 1,3, a to například pomocí fotolitografie s rozlišením do 0,15 mm. Tato možnost je dána právě konstrukcí frekvenčně selektivní mřížky, jejíž vodivé prvky dvojího odlišného typu jsou navzájem provázaně umístěny po obou stranách nevodivé polymemí vrstvy, přičemž již známé vodivé prvky tvaru obvodově uzavřených rámečků, vytvářející samostatné elektromagnetické smyčky, jsou z druhé strany nevodivé polymemí fólie doplněny podstatně menšími vodivými prvky ve tvaru podélných obrazců. Vzájemnou interakcí obou systémů se i při současných technických limitech rozlišení fotolitografie dosahuje účinku snižujícího hodnoty Q faktoru výrazně pod hodnotu 1,3. Komplexní řešení parametrů kompozitní vrstvy a dané frekvenčně selektivní mřížky umožňuje využití širokopásmového radioabsorbéru podle vynálezu ve zvoleném pásmu vyšších či nižších frekvencí, vybraném z celkového rozmezí 1 až 15 GHz.
Frekvenční rozsah 1 až 15 GHz má mimořádný význam, jelikož v tomto pásmu frekvencí pracuje celá řada elektronických zařízení, mezi něž patří radary a systémy mobilních sítí. Zabezpečení tohoto pásma efektivními absorbéry je proto velmi důležité. Realizace tenkého a lehkého absorbéru podle vynálezu přitom umožňuje volbou druhu použitého kompozitního materiálu absorbéru, jeho tloušťkou a také strukturou a polohou frekvenčně selektivní mřížky v materiálu cíleně nasměrovat funkční pásmo radioabsorbéru na horní, dolní nebo střední část uvedeného frekvenčního rozsahu 1 až 15 GHz podle konkrétní potřeby dané aplikace. Blíže o tom v příkladech konkrétního provedení vynálezu.
Objasnění výkresů Příkladné provedení vynálezu je přiblíženo pomocí přiložených výkresů, kde značí: - obr. 1 - Schéma absorbéru; - obr. 2 - Elektromagnetické charakteristiky kompozitu - ε\ ε'\ μ\ μ - obr. 3 - Frekvenční závislosti koeficientu odrazu (R) od vrstev kompozitů o tloušťce rovné tloušťce efektivní (dm) a z jedné strany podložené kovovou deskou; - obr. 4a, b - Schéma frekvenčně selektivní mřížky; • · ···· • · · ·
- obr. 5 - Frekvenční závislosti koeficientu odrazu od absorbérů s frekvenčně selektivní mřížkou pro d\ldi = 2. Příklady uskutečnění vynálezu Příklad 1
Jak je vidět z obr. 1, tenký širokopásmový absorbér zahrnuje vrstvu kompozitu magnetického plniva velastomemí matrici celkové tloušťky 3 mm, rozdělenou frekvenčně selektivní mřížkou i na vstupní kompozitní vrstvu 5 a výstupní kompozitní vrstvu 6, za níž je umístěna podkladní kovová vrstva 7.
Frekvenčně selektivní mřížka 1 je vytvořena na bázi nevodivého polymemího substrátu 2, zde z polyetylentereftalátu (PET), o tloušťce t = 0,1 mm, na jehož obou stranách jsou pravidelně rozmístěny sestavy plošných vodivých prvků typu 3, 4, přičemž na jedné ze stran nevodivého polymemího substrátu 2 mají plošné vodivé prvky tvar obvodově uzavřených rámečků 3, zde tvaru čtverce o délce vnitřní strany Dj = 8 mm a délce vnější strany Di =10,5 mm, zatímco na protilehlé straně mají plošné vodivé prvky tvar podélných obrazců 4, zde konkrétně tvar obdélníků o stranách li = 2 mm, I2 = 1 mm. Tyto obdélníky spojují v půdorysném průmětu vždy každý čtvercový rámeček 3 se čtyřmi nejblíže sousedícími rámečky 3 tak, že přesahují přes vnější obvodové strany čtvercových rámečků 3 a nepřesahují dovnitř rámečků 3. Toto rozložení je zřejmé z obr. 4. Rozteč P všech plošných vodivých prvků - jak rámečků 3, tak podélných obrazců 4, je 11 mm. Pro tuto strukturu frekvenčně selektivní mřížky i je charakteristické to, že koeficient odrazu na rezonanční frekvenci fo je ve volném prostoru roven -1. Další charakteristikou této frekvenčně selektivní mřížky i je faktor kvality Qo. Oba tyto parametry - rezonanční frekvence fo i faktor kvality Qo - jsou závislé na geometrii a rozmístění plošných vodivých prvků 3,4, tedy na rozměrech Di a D2, li a b a rozteči P.
Pro výpočet těchto strukturních parametrů frekvenčně selektivní mřížky I (/1, h, D\, D2, P) tak, aby tato měla optimální hodnoty /0 a Qo, lze s výhodou použít software FEKO (komerčně dostupný software pro simulaci elektromagnetických vlastností). Optimální hodnoty fo a Qo, při kterých operační frekvenční pásmo tohoto absorbérů podle vynálezu má maximální šířku, se pak pro různé poměry d\!di získají pomocí teorie přenosu signálu (angl. theory of chains and long lineš). • · • · • * · · • · • · • * · ·
• · *
« · « · • · t « « ««* * · «
Vstupní kompozitní vrstva 5 i výstupní kompozitní vrstva 6 absorbéru, mezi nimiž je umístěna frekvenčně selektivní mřížka I, jsou vytvořeny z kompozitu na bázi elastomeru plněného karbonylovým železem. Kompozit má následující složení a hustotu: 50 % obj. elastomemí matrice - silikonového elastomeru SYLGARD 184, p = 4.43 g cm'3 a 50 % obj. magnetického plniva - karbonylového železa typu (struktury) ES.
Frekvenční závislosti komplexní permitivity a permeability tohoto kompozitu jsou uvedené na obr. 2 - viz křivky č. 1. Kompozit je charakterizován určitými hodnotami fm (střední frekvence - frekvence, které odpovídá hluboké minimum na frekvenční závislosti R; dále už jen fm) a dm, pro které hodnota koeficientu odrazuje nižší než -20 dB. Na obr. 3 je zobrazena frekvenční závislost koeficientu odrazu R pro tuto kompozitní vrstvu o výše uvedené efektivní tloušťce dm spolu s vyznačením polohy minima (/„,). Na stejném obrázku je čárkovaně vyznačena hranice -10 dB. Použitá již uvedená tloušťka kompozitu se volila tak, aby byla v celkovém souhrnu vstupní kompozitní vrstvy 5 a výstupní kompozitní vrstvy 6 rovna efektivní tloušťce (dm). Šířka operačního rozsahu absorbéru souvisí s charakteristikou a polohou frekvenčně selektivní mřížky \ v absorbéru.
Tato hodnota je uvedena vtab. 1 a odpovídá danému kompozitnímu materiálu výše popsaného složení. Ve stejných tabulkách lze nalézt také hodnoty okrajových frekvencí/nax a fnm, které odpovídají rozsahu, v němž hodnota koeficientu odrazu od absorbéru nepřevyšuje -10 dB. Frekvenční závislost koeficientu odrazu pro absorbér na bázi daného kompozitu při poměru d\ldi = 2 je uvedena na obr. 5 (viz křivka č. 1). Srovnání této závislosti s analogickou závislostí uvedenou na obr. 3 pro absorbér tvořený pouze tímto kompozitním materiálem bez jakékoliv frekvenčně selektivní mřížky (viz křivky č. 1) ukazuje, že použití výše popsané frekvenčně selektivní mřížky \ v absorbéru podle příkladu 1 umožňuje zvětšit relativní šířku operačního pásma (fmax/fmm) z 1,7 na 2,9. Jak je patrné z uvedené tabulky, největší hodnoty podílu fmax/fmm lze dosáhnout v rozsahu d\ld2 = 2 až 4. Přitom hodnoty Qo se nacházejí v rozsahu 0,26 až 1,00.
Takto nízkých hodnot Q faktoru by bylo možno u frekvenčně selektivní mřížky dosud známého typu s čtvercovými vodivými prvky (jednostranné) dosáhnout pouze za podmínky, že jejich vzájemná vzdálenost nepřesáhne 0,15 mm. To je však z technologického hlediska na hranici nebo i za hranicí možností současných sériových výrobních postupů. Nutné přiblížení sousedních čtvercových rámečků 3 u frekvenčně selektivní mřížky X absorbéru podle vynálezu při dosažení výše uvedeného širokopásmového účinku absorbéru se s jistotou drží * · * · · ·
nad hodnotou 0,1 mm, a proto je tato struktura z hlediska aktuálních možností litografie snadno realizovatelná. U frekvenčně selektivní mřížky 1 řešené podle vynálezu podélné obrazce 4 ve tvaru plných obdélníků, umístěné na druhé straně nevodivého polymemího substrátu 2 představují kapacitní „zkrat“ mezi sousedními rámečky 3 hlavní mřížky umístěné na první straně nevodivého polymemího substrátu 2. Čtvercové rámečky 3 představují z hlediska své funkce uzavřené elektromagnetické smyčky. Vliv uvedených kapacitních zkratů na rezonanční frekvenci fo a Q faktor frekvenčně selektivní mřížky 1 je analogický efektu prostého zmenšení vzdálenosti mezi čtvercovými rámečky 3, jelikož v obou případech se zvětšuje efektivní kapacita mezi těmito prvky. Efekt zmenšení Qo i rezonanční frekvence fo takové mřížky sestavené z elektromagnetických smyček pomocí kapacitního zkratu byl potvrzen experimentální cestou, a to srovnáním charakteristik dosavadní a nové frekvenčně selektivní mřížky i. Naměřený Q faktor a rezonanční frekvence fo při srovnání absorbérů na bázi již známých jednostranných mřížek a oboustranné frekvenčně selektivní mřížky 1 podle vynálezu dosahovaly následujících hodnot: Qo = 0,8 (dosud) a Qo = 0,5 (podle vynálezu), fo = 7,4 GHz (dosud), 5,4 GHz (podle vynálezu). Příklad 2
Tenký širokopásmový absorbér zahrnuje vrstvu kompozitu magnetického plniva v elastomemí matrici celkové tloušťky 2 mm, opět rozdělenou frekvenčně selektivní mřížkou I na vstupní kompozitní vrstvu 5 a výstupní kompozitní vrstvu 6, za níž je umístěna podkladní kovová vrstva 7.
Frekvenčně selektivní mřížka l aplikovaná v tomto absorbérů je ve všech atributech shodná s frekvenčně selektivní mřížkou i popsanou v příkladu 1.
Vstupní kompozitní vrstva 5 i výstupní kompozitní vrstva 6 absorbérů, mezi nimiž je umístěna frekvenčně selektivní mřížka i, jsou vytvořeny z kompozitu na bázi elastomeru plněného karbonylovým železem a skleněnými kuličkami. Kompozit má následující složení a hustotu: 45 % obj. elastomemí matrice - silikonového elastomeru SYLGARD 184, p = 3.64 g cm'3, 40 % obj. magnetického plniva - karbonylového železa typu (struktury) HQ, 15 % obj. skleněných mikrokuliček MSVPA9. ~7- • ·
Ar
Frekvenční závislosti komplexní permitivity a permeability tohoto kompozitu jsou uvedené na obr. 2 - viz křivky č. 2. Kompozit je charakterizován určitými hodnotami fm (střední frekvence - frekvence, které odpovídá hluboké minimum na frekvenční závislosti R; dále už jen fm) a dm, pro které hodnota koeficientu odrazu je nižší než -20 dB. Na obr. 3 - viz křivka č. 2 - je zobrazena frekvenční závislost koeficientu odrazu R pro tuto kompozitní vrstvu o výše uvedené efektivní tloušťce dm spolu s vyznačením polohy minima (/m). Na stejném obrázku je Čárkovaně vyznačena hranice -10 dB. Použitá již uvedená tloušťka kompozitu se volila tak, aby byla v celkovém souhrnu vstupní kompozitní vrstvy 5 a výstupní kompozitní vrstvy 6 rovna efektivní tloušťce (dm). Šířka operačního rozsahu absorbéru souvisí s charakteristikou a polohou frekvenčně selektivní mřížky i v absorbéru.
Tato hodnota je uvedena vtab. 2 a odpovídá danému kompozitnímu materiálu výše popsaného složení. Ve stejné tabulce lze nalézt také hodnoty okrajových frekvencí fmax afmin, které odpovídají rozsahu, v němž hodnota koeficientu odrazu od absorbéru nepřevyšuje — 10 dB. Frekvenční závislost koeficientu odrazu pro absorbér na bázi daného kompozitu při poměru d\/di = 2 je uvedena na obr. 5 (viz křivka č. 2). Srovnání této závislosti s analogickou závislostí uvedenou na obr. 3 pro absorbér tvořený pouze tímto kompozitním materiálem bez jakékoliv frekvenčně selektivní mřížky (viz křivky č. 2) ukazuje, že použití výše popsané frekvenčně selektivní mřížky i v absorbéru podle příkladu 1 umožňuje zvětšit relativní šířku operačního pásma ifmscx/fm\n) z 1,8 na 2,8 Jak je patrné z uvedené tabulky, největší hodnoty podílu fmax/fmin lze dosáhnout v rozsahu d\/d2 - 2 až 4. Přitom hodnoty Qo se nacházejí v rozsahu 0,33 až 1,20. Příklad 3
Tenký širokopásmový absorbér zahrnuje vrstvu kompozitu magnetického plniva v elastomemí matrici celkové tloušťky 2 mm, opět rozdělenou frekvenčně selektivní mřížkou I na vstupní kompozitní vrstvu 5 a výstupní kompozitní vrstvu 6, za níž je umístěna podkladní kovová vrstva 7.
Frekvenčně selektivní mřížka I aplikovaná v tomto absorbéru je ve všech atributech shodná s frekvenčně selektivní mřížkou I popsanou v příkladu 1.
Vstupní kompozitní vrstva 5 i výstupní kompozitní vrstva 6 absorbéru, mezi nimiž je umístěna frekvenčně selektivní mřížka I, jsou vytvořeny z kompozitu na bázi elastomeru plněného karbonylovým železem a skleněnými kuličkami. Kompozit má následující složení a hustotu: -8 • ·«·· • * · • ·*·
Jk 50 % obj. elastomemí matrice - silikonového elastomeru SYLGARD 184, p = 2.93 g cm', 30 % obj. magnetického plniva - karbonylového železa typu (struktury) HQ, 20 % obj. skleněných mikrokuliček MSVPA9.
Frekvenční závislosti komplexní permitivity a permeability tohoto kompozitu jsou uvedené na obr. 2 - viz křivky č. 3. Kompozit je charakterizován určitými hodnotami fm (střední frekvence - frekvence, které odpovídá hluboké minimum na frekvenční závislosti R‘, dále už jen fm) a dm, pro které hodnota koeficientu odrazuje nižší než -20 dB. Na obr. 3 - viz křivka č. 3 - je zobrazena frekvenční závislost koeficientu odrazu R pro tuto kompozitní vrstvu o výše uvedené efektivní tloušťce dm spolu s vyznačením polohy minima (fm). Na stejném obrázku je čárkovaně vyznačena hranice -10 dB. Použitá již uvedená tloušťka kompozitu se volila tak, aby byla v celkovém souhrnu vstupní kompozitní vrstvy 5 a výstupní kompozitní vrstvy 6 rovna efektivní tloušťce (dm). Šířka operačního rozsahu absorbéru souvisí s charakteristikou a polohou frekvenčně selektivní mřížky i v absorbéru.
Tato hodnota je uvedena vtab. 3 a odpovídá danému kompozitnímu materiálu výše popsaného složení. Ve stejné tabulce lze nalézt také hodnoty okrajových frekvencí fmXi a/min, které odpovídají rozsahu, v němž hodnota koeficientu odrazu od absorbéru nepřevyšuje -10 dB. Frekvenční závislost koeficientu odrazu pro absorbér na bázi daného kompozitu při poměru d\/d2 = 2 je uvedena na obr. 5 (viz křivka č. 3). Srovnání této závislosti s analogickou závislostí uvedenou na obr. 3 pro absorbér tvořený pouze tímto kompozitním materiálem bez jakékoliv frekvenčně selektivní mřížky (viz křivky č. 3) ukazuje, že použití výše popsané frekvenčně selektivní mřížky 1 v absorbéru podle příkladu 1 umožňuje zvětšit relativní šířku operačního pásma (fmax/fnin) z 1,7 na 2,8. Jak je patrné z uvedené tabulky, největší hodnoty podílu fnax/fnin lze dosáhnout v rozsahu d\/d2 = 2 až 4. Přitom hodnoty Qo se nacházejí v rozsahu 0,36 až 1,30. Z výše uvedených příkladů provedení vyplývá, že u stejné struktury frekvenčně selektivní mřížky i lze cíleně nastaveným složením kompozitu tvořícího vstupní kompozitní vrstvu 5 a výstupní kompozitní vrstvu 6 dosáhnout účinnosti absorbéru podle vynálezu pro zvolené či «uf požadované pásmo frekvencí v dolní, střední či horní části intervalu 1*15 GHz. Závěrem lze říci, že rezonanční frekvence fo je u absorbéru s frekvenčně selektivní mřížkou i podle vynálezu 4 až 8 krát menší než rezonanční frekvence dosavadních absorbéru s optimální (jednovrstvou) mřížkou uvedených vtab. 1 až 3. Proto rozměry takové mřížky včetně vzdálenosti mezi elektromagnetickými smyčkami potřebné pro dosažení požadovaného
»· · · · · X • « • * # « účinku jsou přímo úměrně menší než u absorbéru popsaného v příkladech provedení vynálezu, tj. 4 až 8 krát menší. Například pro absorbér ztab. 2 v případě d\IČ2 = 2 by vzdálenost mezi sousedními smyčkami při použití předchozí jednovrstvé mřížky měla činit 0,1 mm. Jak bylo ukázáno výše, realizace takových a menších vzdáleností by pomocí běžných sériových technologií litografie byla krajně obtížná.
Průmyslová využitelnost
Tenký širokopásmový radioabsorbér podle vynálezu je využitelný v různých pásmech frekvenčního rozsahu 1 až 15 GHz, což má mimořádný význam pro celou řadu elektronických zařízení, mezi něž patří radary a systémy mobilních sítí. Zabezpečení tohoto pásma efektivními absorbéry je proto velmi důležité pro řešení mnohých problémů moderní elektroniky.
Seznam vztahových značek: 1 - frekvenčně selektivní mřížka 2 - nevodivý polymemí substrát 3 - rámečky 4 - podélné obrazce 5 - vstupní kompozitní vrstva 6 - výstupní kompozitní vrstva 7 - podkladní kovová vrstva
Thin Broadband Radioabsorber
Technical field
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a thin broadband radioabsorber that is within the field of absorbent materials designed to solve the problems of modern electronics.
Background Art
Given that electronics are currently penetrating almost all sectors of human activity, the problem of electromagnetic compatibility and electromagnetic interference, as well as the negative effects of electromagnetic radiation on nature and humans, are increasingly being addressed. One way of solving these problems is by electromagnetic absorbers. The main characteristics of absorbers include the width of the shielded frequency band, the thickness and weight of the absorber. One way of extending the absorber's operating bandwidth without increasing its weight and thickness is to use so-called frequency selective surfaces (FSPs) in the construction of the absorber. A number of scientific articles and patents are devoted to this issue. Many patented solutions are focused on the use of frequency selective elements in resistive type absorbers in which electromagnetic energy is absorbed by resistive elements of absorbers. E.g. U.S. Pat. Nos. 6,538,595 and 5,627,654 disclose electromagnetic radiation absorbing elements of a resistive layer having a resistivity equal to the surrounding (free) environment (120 π Ω). In patent CN 102026531, electromagnetic radiation absorbing elements are resistors with a resistivity of 44.9 k k, incorporated among the metal elements of the FSP. However, these types of absorbers are not primarily intended or suitable for solving problems associated with the undesirable effects of electromagnetic radiation in modern electronics. They are focused primarily on "stealth" technologies - detection systems. In addition, these absorbers also have qualitatively lower characteristics (working frequency bandwidth and thickness reduction). Thus, for example, in U.S. Pat. No. 6,538,596, the relative operating frequency band (fmax / fmin) of the absorbers is equal to 2, and its thickness relative to the wavelength lies in the range of 1/16 to 1/12 of the wavelength. In the patent CN 102026531 a radioabsorber with an FSP is proposed which has a relatively smaller thickness (1/40 wavelength), but is not given a frequency bandwidth which, according to a qualified estimate, is 1.1. In Farhad Bayatpur's Metamaterial-Inspired Frequency-Selective Surfaces and U.S. Pat. No. 201,10903 A, the use of capacitive FSP-capacitance coupling is proposed with the aim of extending the resonance frequency of absorbers. This is achieved by means of capacitive shorting of grids composed of electroconductive loops, which are short-circuited by means of concentrated capacitors and capacitive diodes located between them. The drawbacks of the described solutions of this type are their complexity and cost due to the necessity of using electronic components and related laborious technologies such as contact soldering.
A design of a broadband absorber based on a composite (an elastomer filled with a magnetic filler) and a FSP in the form of a periodic lattice consisting of planar conducting elements forming electromagnetic loops located on one side of the polymer layer is described in the utility model C 27-27. The width of the absorber's operating band depends on the resonance frequency, Q factor, and the position of the FSP in the material, with the smaller frequency factor being the smaller the Q factor. This solution is technically simpler, more advantageous and less costly than the procedures just described, but the technologies used in serial production do not allow the FSP grid of the type described with a sQ factor of less than 1.3 to be realized without utilizing capacitive short circuits, which greatly limits the frequency bandwidth of the absorber.
SUMMARY OF THE INVENTION
The above drawbacks and drawbacks are largely eliminated by the thin broadband radioabsorber, represented by a layer of magnetic filler composite in an elastomeric matrix of a total thickness of 1/20 to 1/60 λ ™, provided with an underlying metal layer on the outlet side and a frequency selective grid on the input side or inside. according to the invention.
The essence of the invention is that the radio-selective lattice of the radioabsorber, formed by a set of regularly spaced flat conductive elements, is formed parallel to both sides of a non-conducting polymeric substrate having a thickness of 0.02 to 0.2 mm, wherein on one side the non-conducting polymeric substrate has a surface conductive the elements in the form of circumferentially closed frames and, on the opposite side, the shape of the elongated patterns overlapping each frame with four closest adjacent frames in plan view, such that the longitudinal pattern extends beyond the outer peripheral sides of the frames and does not extend beyond the inner sides of the frames, and the spacing of all the surface conductive elements is equal to and is in the interval from 0.5 Xm to D2, where Xm is the mean wavelength of the absorbing band and D2 is the outside of the frames.
The frequency selective grid of the radioabsorber according to the invention preferably has longitudinal patterns oriented perpendicular to the nearest sides of the frames.
The radio-selective lattice of the radioabsorber of the present invention preferably divides the composite layer into two parts, in the direction of the radiation input indicated as the input composite layer of thickness d and the output composite layer of thickness dz, wherein the ratio of their thickness d: dz) e is 2: 1 to 4: 1.
The main advantage of the broadband radioabsorber according to the invention is the possibility to achieve Q factor values well below 1.3, for example by photolithography with a resolution of up to 0.15 mm. This possibility is given precisely by the structure of the frequency selective lattice, whose conductive elements of two different types are interconnected on both sides of the nonconductive polymer layer, the already known conductive elements of the circumferentially closed frames forming separate electromagnetic loops are complemented on the other side of the non-conducting polymeric film substantially smaller conductive elements in the form of longitudinal patterns. By interacting with both systems, even with the current technical limits of photolithography resolution, the Q factor decreases significantly below 1.3. The comprehensive solution of the composite layer and the frequency selective lattice parameters allows the use of the broadband radioabsorber of the invention in a selected band of higher or lower frequencies selected from a range of 1 to 15 GHz.
The 1 to 15 GHz frequency range is of paramount importance, as a wide range of electronic devices, including radars and mobile network systems, operate in this frequency range. Securing this band with effective absorbers is therefore very important. The realization of the thin and light absorber according to the invention makes it possible, by selecting the type of absorber composite material used, its thickness and also the structure and position of the frequency selective lattice in the material, to target the radioabsorber functional band to the upper, lower or middle part of said frequency range 1 to 15 GHz. application. More specifically, in the examples of a particular embodiment of the invention.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS An exemplary embodiment of the invention is illustrated with the aid of the accompanying drawings, in which: FIG. - Fig. 2 - Electromagnetic characteristics of the composite - ε ε 'μ - μ - Fig. 3 - Frequency dependence of the reflection coefficient (R) from the composite layers with a thickness equal to effective (dm) and one side supported by a metal plate; Fig. 4a, b - Frequency selective grid scheme; • · · · · · · ·
- Fig. 5 - Frequency dependence of the reflection coefficient of absorbers with frequency selective lattice for dd = 2.
As can be seen from FIG. 1, a thin broadband absorber comprises a layer of a magnetic filler composite in a physical matrix of a total thickness of 3 mm, divided by a frequency selective lattice as well as an input composite layer 5 and an exit composite layer 6, behind which a base metal layer 7 is placed.
The frequency selective grid 1 is formed on the basis of a non-conducting polymeric substrate 2, here of polyethylene terephthalate (PET), with a thickness of t = 0.1 mm, on which sides of the surface conductive element types 3, 4 are regularly distributed, and on one side of the non-conducting polymeric substrate 2 has the surface conductive elements in the form of circumferentially closed frames 3, here in the form of a square with an inner side length Dj = 8 mm and an outer side length Di = 10.5 mm, whereas on the opposite side the surface conductive elements have the shape of longitudinal patterns 4, here specifically, the shape of the rectangles with sides li = 2 mm, I2 = 1 mm. These rectangles always connect each square frame 3 with four closest adjacent frames 3 so that they extend over the outer circumferential sides of the square frames 3 and do not extend inside the frames 3. This is shown in FIG. both the frames 3 and the longitudinal patterns 4 are 11 mm. It is characteristic of this structure of the frequency selective lattice that the reflection coefficient at resonance frequency f0 is equal to -1 in free space. Another characteristic of this frequency selective lattice i is the Qo quality factor. Both these parameters - the resonance frequency fo and the quality factor Qo - are dependent on the geometry and distribution of the surface conductive elements 3,4, ie on the dimensions D1 and D2, if ab and pitch P.
FEKO software (commercially available software for simulating electromagnetic properties) can be advantageously used to calculate these structural parameters of the frequency selective lattice I (/ 1, h, D, D2, P) so that it has optimal values / 0 and Qo. The optimum values of f0 and qo, in which the operating frequency band of the absorbers according to the invention has a maximum width, are then obtained for the different ratios by the theory of chains and long line. • · · · · · · · · · · · ·
• · *
«« «« ««
Both the composite composite layer 5 and the absorber exit composite layer 6 between which the frequency selective grid I is positioned are formed from an elastomer-based composite filled with carbonyl iron. The composite has the following composition and density: 50% by volume of elastomeric matrix - silicone elastomer SYLGARD 184, p = 4.43 g cm -1 and 50% by volume of magnetic filler - carbonyl iron type (structure) ES.
The frequency dependencies of the complex permittivity and permeability of this composite are shown in Fig. 2 - see curves no. 1. The composite is characterized by certain values of fm (mean frequency - frequency, which corresponds to the deep minimum on the frequency dependence R; fm only) and dm, for which the coefficient value deters less than -20 dB. Fig. 3 shows the frequency dependence of the reflection coefficient R for this composite layer with the aforementioned effective thickness dm together with the indication of the minimum position (/ „,). In the same picture, the dashed line is -10 dB. The thickness of the composite used has been chosen so that it is equal to the effective thickness (dm) in the total composite input layer 5 and the output composite layer 6. The width of the absorber's operating range is related to the characteristic and position of the frequency selective lattice in the absorber.
This value is given by vtab. 1 and corresponds to a given composite material of the composition described above. In the same tables, we can also find the values of the edge frequencies / nax and fnm, which correspond to the range in which the reflection coefficient value of the absorber does not exceed -10 dB. The frequency dependence of the reflection coefficient for an absorber based on a given composite at a ratio of d1d = 2 is shown in Figure 5 (see curve 1). Comparison of this dependence with the analogous dependence shown in Fig. 3 for an absorber consisting only of this composite material without any frequency selective lattice (see curves # 1) shows that the use of the above-described frequency selective lattice in Example 1 allows to increase the relative width of the operative band (fmax / fmm) from 1.7 to 2.9. As can be seen from the table below, the largest fmax / fmm values can be obtained in the range ddd2 = 2 to 4. The Qo values are in the range of 0.26 to 1.00.
Such low Q factor values could only be achieved with a frequency selective lattice of the previously known square conductive element type (one-sided) provided that their spacing does not exceed 0.15 mm. However, this is from the technological point of view or beyond the possibilities of current serial production processes. Necessary approximation of adjacent square frames 3 of the frequency selective grid X of the absorber of the invention while achieving the aforementioned broadband absorber effect is confidently retained.
above 0.1 mm, this structure is easily feasible for current lithography possibilities. In the frequency selective grid 1 according to the invention, the solid rectangular longitudinal patterns 4 located on the other side of the nonconductive polymer substrate 2 represent a capacitive "short circuit" between adjacent main grid frames 3 located on the first side of the nonconducting polymer substrate 2. its functions of a closed electromagnetic loop. The effect of said capacitance shorts on the resonance frequency f0 and Q of the frequency selective lattice factor 1 is analogous to the effect of simply reducing the distance between square frames 3, since in both cases the effective capacity between these elements increases. The reduction effect Qo and the resonant frequency f0 of such a grid assembled from electromagnetic loops by a capacitive short circuit were confirmed by an experimental route by comparing the characteristics of the existing and new frequency selective lattices i. The measured Q factor and the resonance frequency fo when comparing the absorbers based on the already known one-sided lattices and the two-sided frequency selective grids 1 according to the invention reached the following values: Q 0 = 0.8 (still) and Q 0 = 0.5 (according to the invention), fo = 7.4 GHz (yet), 5.4 GHz (according to the invention). Example 2
The thin broadband absorber comprises a layer of a magnetic filler composite in an elastomeric matrix of a total thickness of 2 mm, again divided by a frequency selective lattice I into an input composite layer 5 and an exit composite layer 6, behind which a base metal layer 7 is placed.
The frequency selective lattice 1 applied in this absorber is in all attributes identical to the frequency selective lattice i described in Example 1.
Both the composite composite layer 5 and the absorber exit composite layer 6 between which the frequency selective grid is placed are formed from an elastomer-based composite filled with carbonyl iron and glass beads. The composite has the following composition and density: 45% by volume of elastomeric matrix - silicone elastomer SYLGARD 184, p = 3.64 g cm -1, 40% by volume of magnetic filler - carbonyl iron type (structure) HQ, 15% by volume glass microspheres MSVPA9. ~ 7- • ·
Ar
The frequency dependencies of the complex permittivity and permeability of this composite are shown in Fig. 2 - see curves No. 2. The composite is characterized by certain values of fm (mean frequency - frequency, which corresponds to the deep minimum on the frequency dependence R; fm only) and dm, for which the reflection coefficient value is less than -20 dB. Fig. 3 - see curve no. 2 - shows the frequency dependence of the reflection coefficient R for this composite layer with the above effective thickness dm together with the indication of the minimum position (/ m). In the same picture, the dashed line is -10 dB. The thickness of the composite used has been chosen so that it is equal to the effective thickness (dm) in the total composite input layer 5 and the output composite layer 6. The width of the absorber operating range is related to the characteristics and position of the frequency selective lattice as well as to the absorber.
This value is given by vtab. 2 and corresponds to a given composite material of the composition described above. In the same table, also the fmax and mmin values of the marginal frequencies that correspond to the extent to which the reflection coefficient of the absorber does not exceed - 10 dB can be found. The frequency dependence of the reflection coefficient for the composite-based absorber at d / di = 2 is shown in Figure 5 (see curve 2). Comparison of this dependence with the analogous dependence shown in Fig. 3 for an absorber consisting only of this composite material without any frequency selective lattice (see curves # 2) shows that the use of the above-described frequency selective lattice in the absorber of Example 1 makes it possible to increase the relative width of the operative ifmscx / fm bands n) from 1.8 to 2.8 As shown in the table below, the largest fmax / fmin values can be reached in the range d / d2 - 2 to 4. The Qo values are in the range 0, 33 to 1.20. Example 3
The thin broadband absorber comprises a layer of a magnetic filler composite in an elastomeric matrix of a total thickness of 2 mm, again divided by a frequency selective lattice I into an input composite layer 5 and an exit composite layer 6, behind which a base metal layer 7 is placed.
The frequency selective lattice I applied in this absorber is identical in all attributes to the frequency selective lattice I described in Example 1.
Both the composite composite layer 5 and the absorber exit composite layer 6 between which the frequency selective grid I is positioned are formed from an elastomer-based composite filled with carbonyl iron and glass beads. The composite has the following composition and density: -8 • · · · · · · ·
50% by volume of the elastomeric matrix - SYLGARD 184 silicone elastomer, p = 2.93 g cm -1, 30% by volume of the magnetic filler - carbonyl iron type (structure) HQ, 20% by volume of glass microspheres MSVPA9.
The frequency dependencies of the complex permittivity and permeability of this composite are shown in Fig. 2 - see curves No. 3. The composite is characterized by certain values of fm (mean frequency - frequency, which corresponds to the deep minimum on the frequency dependence R ', fm only) and dm , for which the coefficient value deters less than -20 dB. Fig. 3 - see curve no. 3 - shows the frequency dependence of the reflection coefficient R for this composite layer with the above effective thickness dm together with the indication of the minimum position (fm). In the same picture, the dashed line is -10 dB. The thickness of the composite used has been chosen so that it is equal to the effective thickness (dm) in the total composite input layer 5 and the output composite layer 6. The width of the absorber operating range is related to the characteristics and position of the frequency selective lattice as well as to the absorber.
This value is given by vtab. 3 and corresponds to a given composite material of the composition described above. In the same table, fmXi a / min marginal frequency values can also be found that correspond to the extent to which the absorber coefficient of reflection does not exceed -10 dB. The frequency dependence of the reflection coefficient for the composite-based absorber at d / d2 = 2 is shown in Fig. 5 (see curve 3). Comparison of this dependence with the analogous dependence shown in Fig. 3 for an absorber consisting only of this composite material without any frequency selective lattice (see curves # 3) shows that the use of the above-described frequency selective lattice 1 in the absorber of Example 1 makes it possible to increase the relative width of the operative band (fmax / fnin) from 1.7 to 2.8. As can be seen from the table below, the largest values of fnax / fnin can be obtained in the range d / d2 = 2 to 4. The Qo values are in the range 0.36 to 1.30. It follows from the above embodiments that in the same structure of the frequency selective lattice 1, the absorber according to the invention can be efficiently adjusted to the desired frequency band in the lower, middle or upper part by means of a targeted composition of the composite composite layer forming composite 5 and the composite composite layer 6. interval 1 * 15 GHz. In conclusion, the resonant frequency f 0 for the absorber with frequency selective grating according to the invention is 4 to 8 times smaller than the resonant frequency of the prior absorber with the optimum (single-layer) grating of the given vtabs. Therefore, the dimensions of such a grid including the distance between the electromagnetic loops required to achieve the desired
The effects are directly proportional to that of the absorber described in the Examples, i.e. 4 to 8 times less. For example, for the ztab absorber. 2 in the case of d2 = 2, the distance between adjacent loops using the previous single-layer grid should be 0.1 mm. As shown above, the realization of such and smaller distances would be extremely difficult using conventional serial lithography technologies.
Industrial usability
The inventive thin broadband radioabsorber is useful in various bands of the 1 to 15 GHz frequency range, which is of paramount importance for a wide range of electronic devices, including radars and mobile network systems. Securing this band with effective absorbers is therefore very important for solving many of the problems of modern electronics.
List of Reference Numbers: 1 - Frequency Selective Grid 2 - Non-conductive Polymer Substrate 3 - Frames 4 - Longitudinal Patterns 5 - Input Composite Layer 6 - Output Composite Layer 7 - Base Metal Layer
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2014-675A CZ2014675A3 (en) | 2014-10-01 | 2014-10-01 | Thin wideband radio absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2014-675A CZ2014675A3 (en) | 2014-10-01 | 2014-10-01 | Thin wideband radio absorber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ305905B6 CZ305905B6 (en) | 2016-04-27 |
| CZ2014675A3 true CZ2014675A3 (en) | 2016-04-27 |
Family
ID=56020626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ2014-675A CZ2014675A3 (en) | 2014-10-01 | 2014-10-01 | Thin wideband radio absorber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ2014675A3 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180898A (en) * | 2020-01-16 | 2020-05-19 | 吉林大学 | Ultrastructural Broadband Optically Transparent Microwave Absorber Integrated with Multi-valued Resistors |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8564472B2 (en) * | 2005-10-21 | 2013-10-22 | Nitta Corporation | Sheet member for improving communication, and antenna device and electronic information transmitting apparatus provided therewith |
| KR101066419B1 (en) * | 2009-05-22 | 2011-09-23 | 한국조폐공사 | Electromagnetic band gap pattern, manufacturing method and security product using electromagnetic band gap pattern |
| US8633866B2 (en) * | 2010-02-26 | 2014-01-21 | The Regents Of The University Of Michigan | Frequency-selective surface (FSS) structures |
| WO2012139079A2 (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Colburn Joseph S | Tunable impedance surfaces |
| KR20130037948A (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-17 | 한국전자통신연구원 | Transparent film for suppressing electromagnetic wave of manufacturing method and transparent film for suppressing electromagnetic wave |
| CZ27020U1 (en) * | 2014-01-22 | 2014-06-10 | Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně | Radio frequency absorber of electromagnetic radiation |
-
2014
- 2014-10-01 CZ CZ2014-675A patent/CZ2014675A3/en unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111180898A (en) * | 2020-01-16 | 2020-05-19 | 吉林大学 | Ultrastructural Broadband Optically Transparent Microwave Absorber Integrated with Multi-valued Resistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ305905B6 (en) | 2016-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103249290B (en) | A kind of monolayer recombiner unit broadband periodic absorbent structure | |
| Unal et al. | Effective electromagnetic shielding | |
| Tennant et al. | Experimental knitted, textile frequency selective surfaces | |
| Costa et al. | An equivalent circuit model of frequency selective surfaces embedded within dielectric layers | |
| Li et al. | A novel active frequency selective surface with switching performance for 2.45 GH z WLAN band | |
| CN103490171A (en) | Composite wave-absorbing material with wide frequency bands | |
| CN104092010A (en) | A Frequency Selective Surface Structure Based on Multilayer Annular Slit Patch | |
| Güneş et al. | GSM filtering of horn antennas using modified double square frequency selective surface | |
| Pang et al. | Analysis and enhancement of the bandwidth of ultrathin absorbers based on high-impedance surfaces | |
| Cavalcante et al. | An iterative full‐wave method for designing bandstop frequency selective surfaces on textile substrates | |
| CZ2014675A3 (en) | Thin wideband radio absorber | |
| Can et al. | Design, fabrication, and measurement of textile‐based frequency selective surfaces | |
| WO2009088380A1 (en) | Fabric that has the property of shielding electromagnetic fields | |
| Madany et al. | Robust analysis and investigation of multiband composite right/left handed transmission line (CRLH-TL) for wireless band applications | |
| Pandian et al. | A novel multiband sierpinski triangular fractal antenna for cognitive radio | |
| Varuna et al. | Design of a dual-band polarization-insensitive and angular-stable frequency selective surface | |
| CZ27661U1 (en) | Thin broadband radio absorber | |
| Patnaik et al. | Design of customized fractal FSS | |
| KR101671329B1 (en) | meta-atoms absorbing in MHz and GHz ranges and metamaterials including thereof | |
| Qi et al. | A Tunable Microwave Absorber Based on Active Frequency Selective Surface. | |
| Singh et al. | Critical analysis of Frequency Selective Surfaces for dual band GSM-900 & 1800 MHz transmission | |
| Peng et al. | Reconfigurable frequency selective surface for dual band filter applications | |
| Sohail et al. | Effective electromagnetic shielding over an ultra-wide bandwidth using a frequency selective surface | |
| Döken et al. | A simple frequency selective absorber surface design | |
| Zhou et al. | Simulation analysis of frequency selective surface with high power handling capability |