CN222192126U - 一种反激电源电路 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种反激电源电路，包括：驱动芯片；线性稳压子电路，线性稳压子电路的第一端与输入供电端电连接，第二端与驱动芯片的电源输入端电连接，第三端与接地端电连接，用于维持驱动芯片的电源输入端的电位；驱动芯片响应于驱动芯片的电源输入端的电位，输出驱动信号；变压模块，变压模块包括原边绕组和副边绕组，原边绕组的第一端与输入供电端电连接，副边绕组与输出供电端电连接；开关模块，开关模块响应于驱动信号输出端输出的驱动信号的使能电平导通，将原边绕组与接地端连通。本申请实施例的反激电源电路能够使开关模块的导通电阻维持在较优区间，从而减少开关模块的导通损耗。

Description

一种反激电源电路

技术领域

本申请属于电力电子技术领域，尤其涉及一种反激电源电路。

背景技术

通常，在现有的户储储能系列中，反激电源电路在供电端向驱动芯片供电的过程中，往往无法保证将供电电压稳定在一个特定的区间，进一步地，因为无法保证给驱动芯片的电压在一个稳定的区间，也无法保证驱动芯片在发出PWM波时的高电平在一个稳定的区间，使得接收PWM波的晶体管的导通电阻无法维持在最优区间，从而造成晶体管导通损耗增大，发热增大。

实用新型内容

本申请实施例提供一种反激电源电路，能够通过线性稳压子电路将驱动芯片的电源输入端的电位稳定在一个特定的区间，进一步使开关模块的导通电阻维持在较优区间，从而减少开关模块的导通损耗。

第一方面，本申请实施例提供了一种反激电源电路，反激电源电路包括：驱动芯片；线性稳压子电路，线性稳压子电路的第一端与输入供电端电连接，线性稳压子电路的第二端与驱动芯片的电源输入端电连接，线性稳压子电路的第三端与接地端电连接，线性稳压子电路用于维持驱动芯片的电源输入端的电位；驱动芯片用于响应于驱动芯片的电源输入端的电位，输出驱动信号；变压模块，变压模块包括原边绕组和副边绕组，原边绕组的第一端与输入供电端电连接，副边绕组与输出供电端电连接；开关模块，开关模块的控制端与驱动芯片的驱动信号输出端电连接，开关模块的第一端与接地端电连接，开关模块的第二端与原边绕组的第二端电连接，开关模块用于响应于驱动信号输出端输出的驱动信号的使能电平导通，将原边绕组与接地端连通。

根据本申请第一方面的实施方式，线性稳压子电路包括：第一限流模块，第一限流模块的第一端与输入供电端电连接；第一充放电模块，第一充放电模块的第一端与第一限流模块的第二端电连接，第一充放电模块的第二端与接地端电连接；稳压模块，稳压模块的第一端与第一充放电模块的第二端及接地端电连接；晶体管，晶体管的控制端与稳压模块的第二端电连接，晶体管的第一端与第一充放电模块的第一端电连接，晶体管的第二端与驱动芯片的电源输入端电连接；第二限流模块，第二限流模块的第一端与晶体管的第一端及第一充放电模块的第一端电连接，第二限流模块的第二端与晶体管的控制端及稳压模块的第二端电连接；第二充放电模块，第二充放电模块的第一端与晶体管的第二端及驱动芯片的电源输入端电连接，第二充放电模块的第二端与稳压模块的第一端及接地端电连接。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，开关模块包括碳化硅晶体管。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，变压模块包括变压器，副边绕组包括主副边绕组和次副边绕组；变压器的原边绕组的第一端与输入供电端电连接，原边绕组的第二端与开关模块的第二端电连接，变压器的主副边绕组的第一端与接地端电连接，主副边绕组的第二端与输出供电端电连接，变压器的次副边绕组的第一端接地，次副边绕组的第二端与线性稳压子电路的第四端电连接。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，反激电源电路还包括：第一反向截止模块，第一反向截止模块的第一端与主副边绕组的第二端电连接，第一反向截止模块的第二端与输出供电端电连接；第一去耦模块，第一去耦模块的第一端与第一反向截止模块的第二端及输出供电端电连接，第一去耦模块的第二端与主副边绕组的第一端及接地端电连接。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，反激电源电路还包括：第二反向截止模块，第二反向截止模块的第一端与次副边绕组的第二端电连接，第二反向截止模块的第二端与线性稳压子电路的第四端电连接；第二去耦模块，第二去耦模块的第一端与次副边绕组的第二端及线性稳压子电路的第四端电连接，第二去耦模块的第二端与接地端电连接。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，反激电源电路还包括：尖峰抑制子电路，尖峰抑制子电路的第一端与输入供电端及原边绕组的第一端电连接，尖峰抑制子电路的第二端与原边绕组的第二端及开关模块的第二端电连接，尖峰抑制子电路用于抑制开关模块关断时产生的尖峰。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，尖峰抑制子电路包括：第三充放电模块，第三充放电模块的第一端与输入供电端及原边绕组的第一端电连接；第一分压模块，第一分压模块的第一端与第三充放电模块的第一端及原边绕组的第一端电连接；第四反向截止模块，第四反向截止模块的第一端与原边绕组的第二端及开关模块的第二端电连接，第四反向截止模块的第二端与第三充放电模块的第二端及第一分压模块的第二端电连接。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，输入供电端包括正压直流输入端和负压直流输入端；反激电源电路还包括：第四充放电模块，第四充放电模块的第一端与正压直流输入端电连接，第四充放电模块的第二端与负压直流输入端电连接。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，反激电源电路还包括：第一采样模块，第一采样模块的第一端与输入供电端电连接；第二采样模块，第二采样模块的第一端与第一采样模块的第二端及驱动芯片的前馈补偿端电连接，第二采样模块的第二端与接地端电连接；第二分压模块，第二分压模块的第一端与开关模块的第一端电连接，第二分压模块的第二端与接地端电连接。

本申请实施例的反激电源电路，通过输入供电端向线性稳压子电路供电，使线性稳压子电路将输入电压稳定在特定区间，并将稳定的电压通过驱动芯片的电源输入端传输至驱动芯片，使驱动芯片能够通过驱动信号输出端发出稳定的驱动信号控制开关模块的开启与关闭。因为电源输入端的电位在一个稳定的区间，所以驱动信号的高电平也在一个稳定的区间，通过改变线性稳压子电路可以使驱动信号的高电平电位在一个较优的区间，从而使开关模块的导通电阻维持在较优区间，使得开关模块导通损耗减小，发热减小。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的反激电源电路的一种电路连接示意图；

图2是本申请实施例提供的线性稳压子电路的一种电路连接示意图；

图3是本申请实施例提供的反激电源电路的另一种电路连接示意图；

图4是本申请实施例提供的反激电源电路的又一种电路连接示意图。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请，而不是限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在本申请实施例中，术语“电连接”可以是指两个组件直接电连接，也可以是指两个组件之间经由一个或多个其它组件电连接。

在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在本申请中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本申请意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本申请的修改和变化。需要说明的是，本申请实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。

在阐述本申请实施例所提供的技术方案之前，为了便于对本申请实施例理解，本申请首先对相关技术中存在的问题进行具体说明：

首先，在现有的户储储能系列中，反激电源电路在供电端向驱动芯片供电的过程中，往往无法保证将供电电压稳定在一个特定的区间，进一步地，因为无法保证给驱动芯片的电压在一个稳定的区间，也无法保证驱动芯片在发出PWM波时的高电平在一个稳定的区间，使得接收PWM波的晶体管的导通电阻无法维持在最优区间，从而造成晶体管导通损耗增大。

其次，在户储储能系列中，由于是三相交流供电，导致反激电源输入供电上限要到1100V，而目前普通的硅金属氧化物半导体(Si Metal-Oxide-Semiconductor，Si-MOS)的最大的漏源电压值只有1500V，如果运用在反激电源1100V输入条件的话，单个Si-MOS电压应力会超标。

相关技术中解决的办法是使用双管串联反激拓扑。但是，由于需要两个主功率Si-MOS以及驱动电器增多会导致材料成本增加；并且由于两个主功率管Si-MOS会导致驱动电路需要两路且是隔离的，变压器需要两个原边绕组，导致设计难度增加。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种反激电源电路，可以解决上述技术问题。

图1是本申请实施例提供的反激电源电路的一种电路示意图，如图1所示，该反激电源电路100可以包括驱动芯片110、线性稳压子电路120、变压模块130和开关模块140。

线性稳压子电路120的第一端与输入供电端VIN电连接，线性稳压子电路120的第二端与驱动芯片110的电源输入端VCC电连接，线性稳压子电路120的第三端与接地端GND电连接，线性稳压子电路120用于维持驱动芯片110的电源输入端VCC的电位。具体的线性稳压子电路120如何稳定电源输入端VCC电位参见图2部分详细讲解。

驱动芯片110用于响应于驱动芯片110的电源输入端VCC的电位，输出驱动信号。

需要注意的是，所述驱动芯片110的选取应选取驱动信号的驱动电压与电源输入端VCC的电位存在线性关系的驱动芯片。这样，因为电源输入端VCC的电位是稳定的(因为线性稳压子电路)，并且电源输出端VCC的电位与驱动信号的高电平是一个比较恒定值，所以驱动芯片根据电源输入端VCC的电位所输出的驱动信号在高电平阶段也是稳定的。

变压模块130包括原边绕组N_P和副边绕组N_S，原边绕组N_P的第一端与输入供电端VIN电连接，副边绕组N_S与输出供电端VOUT电连接。

变压模块130可以用于将原边绕组N_p的电压，根据原边绕组N_p和副边绕组N_S的匝数比，输出需要的电压。

开关模块140的控制端与驱动芯片110的驱动信号输出端GD电连接，开关模块140的第一端与接地端GND电连接，开关模块140的第二端与原边绕组N_P的第二端电连接，开关模块140用于响应于驱动信号输出端GD输出的驱动信号的使能电平导通，将原边绕组N_P与接地端GND连通。

开关模块140包括但不限于NMOS管Q2。

在一些具体的实施例中，驱动芯片110包括但不限于L6565D，开关模块140包括但不限于碳化硅晶体管(SiC-MOS)，在这种情况下，SiC-MOS的最大漏源电压值(Drain-SourceVoltage，Vds)可以达到1700V，可以满足在1100V输入条件下单管反激拓扑的电压应力需要，解决了单颗Si-MOS容易导致的电压应力超标问题，而且只需使用一个开关模块，而不用双管串联，设计难度降低，材料成本降低。

本申请实施例的反激电源电路100，通过输入供电端VIN向线性稳压子电路120供电，使线性稳压子电路120将输入电压稳定在特定区间，并将稳定的电压通过驱动芯片110的电源输入端VCC传输至驱动芯片110，使驱动芯片110能够通过驱动信号输出端GD发出稳定的驱动信号控制开关模块140的开启与关闭。因为电源输入端VCC的电位在一个稳定的区间，所以驱动信号的高电平也在一个稳定的区间，通过改变线性稳压子电路120可以使驱动信号的高电平电位在一个较优的区间，从而使开关模块的导通电阻维持在较优区间，使得开关模块140导通损耗减小，发热减小。

图2是本申请实施例提供的反激电源电路的另一种电路连接示意图，如图2所示，在一些实施例中，线性稳压子电路120可以包括第一限流模块201、第一充放电模块202、稳压模块203、晶体管204、第二限流模块205和第二充放电模块206。

第一限流模块201的第一端与输入供电端VIN电连接。第一充放电模块202的第一端与第一限流模块201的第二端电连接，第一充放电模块202的第二端与接地端GND电连接。稳压模块203的第一端与第一充放电模块202的第二端及接地端GND电连接。

在一些具体的实施例中，第一限流模块201具体用于在输入供电端VIN进行高压供电时进行限流，第一限流模块201包括但不限于第一电阻R1，第一充放电模块202包括但不限于第一电容C1，稳压模块203包括但不限于稳压二极管ZD1，稳压二极管ZD1的阳极与接地端GND电连接，稳压二极管ZD1的阴极与晶体管204的控制端电连接。

晶体管204的控制端与稳压模块203的第二端电连接，晶体管204的第一端与第一充放电模块202的第一端电连接，晶体管204的第二端与驱动芯片的电源输入端电连接，在一些具体的实施例中，晶体管204包括但不限于NPN晶体管Q1。

第二限流模块205的第一端与晶体管204的第一端及第一充放电模块202的第一端电连接，第二限流模块205的第二端与晶体管204的控制端及稳压模块203的第二端电连接，在一些具体实施例中，第二限流模块205包括但不限于第二电阻R2，第二电阻R2在线性稳压子电路120中做限流电阻使用。

第二充放电模块206的第一端与晶体管204的第二端及驱动芯片的电源输入端电连接，第二充放电模块206的第二端与稳压模块203的第一端及接地端电连接，在一些具体实施例中第二充放电模块206包括但不限于第二电容C2。

图2以晶体管204为NPN晶体管Q1，稳压模块203为稳压二极管ZD1为例进行示出。稳压二极管ZD1型号的选取，决定了线性稳压子电路120的稳压值。以稳压二极管ZD1选取为20V稳压管为例，NPN晶体管Q1在实际使用中往往0.5V导通，此时电源输入端VCC的电压约为19.5V。

图3是本申请实施例提供的反激电源电路的又一种电路连接示意图，如图3所示，变压模块130包括变压器T1，副边绕组N_S包括主副边绕组N_S1和次副边绕组N_S2；变压器T1的原边绕组N_P的第一端与输入供电端VIN电连接，原边绕组N_P的第二端与开关模块的第二端电连接，变压器T1的主副边绕组N_S1的第一端与接地端GND电连接，主副边绕组N_S1的第二端与输出供电端VOUT电连接，变压器T1的次副边绕组N_S2的第一端接地，次副边绕组N_S2的第二端与线性稳压子电路120的第四端电连接。

其中，变压器T1的次副边绕组N_S2的作用是给线性稳压子电路供电，进一步给驱动芯片110供电。

电路工作过程为：启机时，输入供电端向线性稳压子电路120供电，可根据图2中线性稳压子电路120的电路结构，将驱动芯片110的电源输入端VCC的电压稳定在一个特定的区间，进一步地，驱动芯片110通过驱动信号输出端GD发出驱动信号，驱动信号的高电平阶段也稳定在一个特定的区间。示例性地，当VCC的电压被稳压在19.5V时，驱动信号的驱动电压约为16.5V。开关模块140开启，直接驱动控制变压器T1。当变压器T1开始工作时，变压器T1的次副边绕组N_S2为线性稳压子电路供电，进一步为驱动芯片110供电。

图3以原边绕组N_P的第一端为同名端示出，在原边绕组N_P的第一端为同名端的情况下，主副边绕组N_S1的第二端为同名端，次副边绕组N_S2的第二端为同名端。

继续参见图3，在一些实施例中，该反激电源电100还可以包括：第一反向截止模块301、第一去耦模块302、第二反向截止模块303和第二去耦模块304。

第一反向截止模块301的第一端与主副边绕组N_S1的第二端电连接，第一反向截止模块301的第二端与输出供电端电连接。

第一去耦模块302的第一端与第一反向截止模块301的第二端及输出供电端VOUT电连接，第一去耦模块302的第二端与主副边绕组N_S1的第一端及接地端GND电连接。

第二反向截止模块303的第一端与次副边绕组N_S2的第二端电连接，第二反向截止模块303的第二端与线性稳压子电路120的第四端电连接。

第二去耦模块304的第一端与次副边绕组N_S2的第二端及线性稳压子电路120的第四端电连接，第二去耦模块304的第二端与接地端GND电连接。

在一些具体的实施例中，第一反向截止模块301包括但不限于第一二极管D1，第二反向截止模块303包括但不限于第二二极管D2，第一去耦模块302包括但不限于第三电容C3，第二去耦模块包括但不限于第四电容C4。

其中，第一反向截止模块301和第一去耦模块302的作用是滤除干扰，使主副边绕组N_S1的输出电压更稳定，滤除干扰通过第一反向截止模块301截止住主副边绕组N_S1感应出的反向电压，第一去耦模块302进行降噪处理。

第二反向截止模块303和第二去耦模块304的作用也是滤除干扰，使次副边绕组N_S2的输出电压更稳定。滤除干扰原理与第一反向截止模块301和第一去耦模块302滤除干扰的原理相同，在此不做赘述。

继续参见图3，在一些实施例中，该反激电源电路100还可以包括：尖峰抑制子电路310。

尖峰抑制子电路310的第一端与输入供电端VIN及原边绕组N_P的第一端电连接，尖峰抑制子电路310的第二端与原边绕组N_P的第二端及开关模块140的第二端电连接，尖峰抑制子电路310用于抑制开关模块140关断时产生的尖峰。

在一些实施例中，尖峰抑制子电路310可以包括：第三充放电模块311、第一分压模块312和第四反向截止模块313。

第三充放电模块311的第一端与输入供电端VIN及原边绕组N_P的第一端电连接。第一分压模块312的第一端与第三充放电模块311的第一端及原边绕组N_P的第一端电连接。

第四反向截止模块313的第一端与原边绕组N_P的第二端及开关模块140的第二端电连接，第四反向截止模块313的第二端与第三充放电模块311的第二端及第一分压模块312的第二端电连接。

在一些具体的实施例中，第三充放电模块311包括但不限于第五电容C5，第一分压模块312包括但不限于第三电阻R3，第四反向截止模块313包括但不限于第三二极管D3。

图4是本申请实施例提供的反激电源电路的又一种电路连接示意图，如图4所示，输入供电端VIN包括正压直流输入端DC+和负压直流输入端DC-；该反激电源电路100还可以包括：第四充放电模块401。

第四充放电模块401的第一端与正压直流输入端DC+电连接，第四充放电模块401的第二端与负压直流输入端DC-电连接。

在一些具体的实施例中，第四充放电模块401包括但不限于第六电容C6。

继续参见图4，该反激电源电路100还可以包括：第一采样模块402、第二采样模块403和第二分压模块404。

第一采样模块402的第一端与输入供电端VIN电连接。

第二采样模块403的第一端与第一采样模块402的第二端及驱动芯片的前馈补偿端VFF电连接，第二采样模块403的第二端与接地端GND电连接。

第一采样模块402和第二采样模块403的作用为采样所在支路电流，为芯片提供前馈补偿。

第二分压模块404的第一端与开关模块140的第一端电连接，第二分压模块404的第二端与接地端GND电连接。

在一些具体的实施例中，第一采样模块402可以包括第四电阻R4，第二采样模块403可以包括第五电阻R5，第二分压模块404包括第六电阻R6。

示例性地，在器件选择实施方面，开关模块140可以为SiC-MOS，驱动芯片可以为L6565D芯片。为了保证SiC-MOS在开通状况下有一个比较低的漏源通态电阻值(Rds)，驱动电压VOH(驱动电压VOH为驱动芯片110的驱动信号输出端GD所输出的高电平电压)必须控制在一个窄的范围内。SiC-MOS可以选择的是瞻芯电子的IV2Q171R0T3，推荐驱动电压VOH为15V～18V。

由于L6565D芯片的驱动电压VOH和芯片的电源输入端VCC电压相关，两者间是一个比较恒定值，所以采用线性稳压子电路120可以将芯片的电源输入端VCC的值稳定在特定的区间，进一步便可以将VOH稳定在一个区间。当稳压模块203选择第一稳压二极管ZD1的稳压值为20V，电源启机时通过第一电阻R1进行供电，线性稳压子电路120将VCC稳定在19.5V左右，当VCC＝19.5V时，驱动电压VOH约为16.5，从而实现驱动电压可以直接驱动SiC-MOS(开关模块140)。从而实现单管反激SiC-MOS驱动电路设计。

应当理解的是，本申请实施例附图提供的电路的具体结构仅仅是一些示例，并不用于限定本申请。另外，在不矛盾的情况下，本申请提供的上述各实施例可以相互结合。

需要明确的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同或相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。依照本申请如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该申请仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本申请的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本申请以及在本申请基础上的修改使用。本申请仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

本领域技术人员应能理解，上述实施例均是示例性而非限制性的。在不同实施例中出现的不同技术特征可以进行组合，以取得有益效果。本领域技术人员在研究附图、说明书及权利要求书的基础上，应能理解并实现所揭示的实施例的其他变化的实施例。在权利要求书中，术语“包括”并不排除其他结构；数量涉及“一个”但不排除多个；术语“第一”、“第二”用于标示名称而非用于表示任何特定的顺序。权利要求中的任何附图标记均不应被理解为对保护范围的限制。某些技术特征出现在不同的从属权利要求中并不意味着不能将这些技术特征进行组合以取得有益效果。

Claims (10)

1.一种反激电源电路，其特征在于，包括：

驱动芯片；

线性稳压子电路，所述线性稳压子电路的第一端与输入供电端电连接，所述线性稳压子电路的第二端与所述驱动芯片的电源输入端电连接，所述线性稳压子电路的第三端与接地端电连接，所述线性稳压子电路用于维持所述驱动芯片的电源输入端的电位；

所述驱动芯片用于响应于所述驱动芯片的电源输入端的电位，输出驱动信号；

变压模块，所述变压模块包括原边绕组和副边绕组，所述原边绕组的第一端与所述输入供电端电连接，所述副边绕组与输出供电端电连接；

开关模块，所述开关模块的控制端与所述驱动芯片的驱动信号输出端电连接，所述开关模块的第一端与接地端电连接，所述开关模块的第二端与所述原边绕组的第二端电连接，所述开关模块用于响应于所述驱动信号输出端输出的所述驱动信号的使能电平导通，将所述原边绕组与所述接地端连通。

2.根据权利要求1所述的反激电源电路，其特征在于，所述线性稳压子电路包括：

第一限流模块，所述第一限流模块的第一端与所述输入供电端电连接；

第一充放电模块，所述第一充放电模块的第一端与所述第一限流模块的第二端电连接，所述第一充放电模块的第二端与接地端电连接；

稳压模块，所述稳压模块的第一端与所述第一充放电模块的第二端及所述接地端电连接；

晶体管，所述晶体管的控制端与所述稳压模块的第二端电连接，所述晶体管的第一端与所述第一充放电模块的第一端电连接，所述晶体管的第二端与所述驱动芯片的电源输入端电连接；

第二限流模块，所述第二限流模块的第一端与所述晶体管的第一端及所述第一充放电模块的第一端电连接，所述第二限流模块的第二端与所述晶体管的控制端及所述稳压模块的第二端电连接；

第二充放电模块，所述第二充放电模块的第一端与所述晶体管的第二端及所述驱动芯片的电源输入端电连接，所述第二充放电模块的第二端与所述稳压模块的第一端及所述接地端电连接。

3.根据权利要求1或2所述的反激电源电路，其特征在于，所述开关模块包括碳化硅晶体管。

4.根据权利要求1所述的反激电源电路，其特征在于，所述变压模块包括变压器，所述副边绕组包括主副边绕组和次副边绕组；

所述变压器的原边绕组的第一端与所述输入供电端电连接，所述原边绕组的第二端与所述开关模块的第二端电连接，所述变压器的主副边绕组的第一端与接地端电连接，所述主副边绕组的第二端与所述输出供电端电连接，所述变压器的次副边绕组的第一端接地，所述次副边绕组的第二端与所述线性稳压子电路的第四端电连接。

5.根据权利要求4所述的反激电源电路，其特征在于，所述反激电源电路还包括：

第一反向截止模块，所述第一反向截止模块的第一端与所述主副边绕组的第二端电连接，所述第一反向截止模块的第二端与所述输出供电端电连接；

第一去耦模块，所述第一去耦模块的第一端与所述第一反向截止模块的第二端及所述输出供电端电连接，所述第一去耦模块的第二端与所述主副边绕组的第一端及接地端电连接。

6.根据权利要求4所述的反激电源电路，其特征在于，所述反激电源电路还包括：

第二反向截止模块，所述第二反向截止模块的第一端与所述次副边绕组的第二端电连接，所述第二反向截止模块的第二端与所述线性稳压子电路的第四端电连接；

第二去耦模块，所述第二去耦模块的第一端与所述次副边绕组的第二端及所述线性稳压子电路的第四端电连接，所述第二去耦模块的第二端与接地端电连接。

7.根据权利要求4所述的反激电源电路，其特征在于，所述反激电源电路还包括：

尖峰抑制子电路，所述尖峰抑制子电路的第一端与所述输入供电端及所述原边绕组的第一端电连接，所述尖峰抑制子电路的第二端与所述原边绕组的第二端及所述开关模块的第二端电连接，所述尖峰抑制子电路用于抑制所述开关模块关断时产生的尖峰。

8.根据权利要求7所述的反激电源电路，其特征在于，所述尖峰抑制子电路包括：

第三充放电模块，所述第三充放电模块的第一端与所述输入供电端及所述原边绕组的第一端电连接；

第一分压模块，所述第一分压模块的第一端与所述第三充放电模块的第一端及所述原边绕组的第一端电连接；

第四反向截止模块，所述第四反向截止模块的第一端与所述原边绕组的第二端及所述开关模块的第二端电连接，所述第四反向截止模块的第二端与所述第三充放电模块的第二端及所述第一分压模块的第二端电连接。

9.根据权利要求1所述的反激电源电路，其特征在于，所述输入供电端包括正压直流输入端和负压直流输入端；所述反激电源电路还包括：

第四充放电模块，所述第四充放电模块的第一端与所述正压直流输入端电连接，所述第四充放电模块的第二端与所述负压直流输入端电连接。

10.根据权利要求1所述的反激电源电路，其特征在于，所述反激电源电路还包括：

第一采样模块，所述第一采样模块的第一端与所述输入供电端电连接；

第二采样模块，所述第二采样模块的第一端与所述第一采样模块的第二端及所述驱动芯片的前馈补偿端电连接，所述第二采样模块的第二端与接地端电连接；

第二分压模块，所述第二分压模块的第一端与所述开关模块的第一端电连接，所述第二分压模块的第二端与所述接地端电连接。