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CN221598576U - 显示设备 - Google Patents

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CN221598576U
CN221598576U CN202323134584.5U CN202323134584U CN221598576U CN 221598576 U CN221598576 U CN 221598576U CN 202323134584 U CN202323134584 U CN 202323134584U CN 221598576 U CN221598576 U CN 221598576U
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CN
China
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layer
light emitting
plan
refractive layer
view
Prior art date
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Application number
CN202323134584.5U
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English (en)
Inventor
林载翊
李圣俊
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Publication date
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Abstract

本申请涉及显示设备。显示设备包括：衬底；第一光发射部，设置在衬底之上；以及第一折射层，被图案化以在平面图中覆盖和围绕第一光发射部。第一光发射部具有矩形形状，矩形形状包括在第一方向上延伸的第一长边、在第一方向上延伸的第二长边和在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边，第一长边包括第一部分和第二部分，第二长边包括第三部分和第四部分，并且第一折射层的在平面图中在第二方向上从第一部分突出的部分的长度和第一折射层的在平面图中在第二方向上从第二部分突出的部分的长度彼此不同。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年11月22日提交的第10-2022-0157509号韩国专利申请的优先权和由其产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备，并且更具体地，涉及具有改善的可视性的显示设备。
背景技术
随着对显示设备的需求增加，对可以用于各种目的的显示设备的需求也已经增加。根据这种趋势，显示设备逐渐变得更大或更薄，并且对在提供更大和更薄的显示屏幕的同时具有精确和生动的颜色的显示设备的需求也已经增加。
实用新型内容
一个或多个实施方式包括具有改善的光提取效率的显示设备。
另外的方面将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践来习得。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：衬底；第一光发射部，设置在衬底之上；以及第一折射层，被图案化以在平面图中覆盖和围绕第一光发射部，其中，第一光发射部具有矩形形状，矩形形状包括在第一方向上延伸的第一长边、在第一方向上延伸的第二长边和在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边，第一长边包括第一部分和第二部分，第二长边包括第三部分和第四部分，并且第一折射层的在平面图中在第二方向上从第一部分突出的部分的长度和第一折射层的在平面图中在第二方向上从第二部分突出的部分的长度彼此不同。
根据本实施方式，第一折射层的在平面图中在第二方向上从第三部分突出的部分的长度和第一折射层的在平面图中在第二方向上从第四部分突出的部分的长度可以彼此不同。
根据本实施方式，第一光发射部可以发射红光。
根据本实施方式，显示设备还可以包括设置在衬底之上的第二光发射部，并且第一折射层可以被进一步图案化以在平面图中覆盖和围绕第二光发射部。
根据本实施方式，第二光发射部可以发射绿光。
根据本实施方式，显示设备还可以包括设置在衬底之上的两个第三光发射部，并且第一折射层还可以被图案化以在平面图中覆盖和围绕两个第三光发射部。
根据本实施方式，两个第三光发射部中的一个可以具有矩形形状，两个第三光发射部中的一个的矩形形状包括在第二方向上延伸的第三长边、在第二方向上延伸的第四长边和在第一方向上延伸的短边，第三长边可以包括第五部分和第六部分，第四长边可以包括第七部分和第八部分，并且第一折射层的在平面图中在第一方向上从第五部分突出的部分的长度和第一折射层的在平面图中在第一方向上从第六部分突出的部分的长度可以彼此不同。
根据本实施方式，第一折射层的在平面图中在第一方向上从第七部分突出的部分的长度和第一折射层的在平面图中在第一方向上从第八部分突出的部分的长度可以彼此不同。
根据本实施方式，两个第三光发射部可以发射蓝光。
根据本实施方式，第一折射层的厚度可以为约1.5μm至约5μm。
根据本实施方式，第一折射层的倾斜侧表面和设置在其之下的层之间的角度可以为约30°至约90°。
根据本实施方式，显示设备还可以包括直接设置在第一折射层之上的第二折射层。
根据本实施方式，第一折射层和第二折射层可以分别具有第一折射率和第二折射率，第一折射率可以大于第二折射率，并且第一折射率和第二折射率之间的差可以为约0.04至约1。
根据本实施方式，显示设备还可以包括设置在衬底之上的三个第三光发射部。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：衬底；第一光发射部，设置在衬底之上；封装层，封装第一光发射部；输入感测层，设置在封装层之上并且包括第一导电层和覆盖第一导电层的第一触摸绝缘层；以及第一折射层，被图案化以在平面图中覆盖和围绕第一光发射部，其中，第一触摸绝缘层和第一折射层包括相同的材料。
根据本实施方式，第一光发射部可以具有矩形形状，矩形形状包括在第一方向上延伸的第一长边、在第一方向上延伸的第二长边以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边，第一长边可以包括第一部分和第二部分，第二长边可以包括第三部分和第四部分，并且第一折射层的在平面图中在第二方向上从第一部分突出的部分的长度和第一折射层的在平面图中在第二方向上从第二部分突出的部分的长度可以彼此不同。
根据本实施方式，第一折射层的在平面图中覆盖和围绕第一光发射部的第一长边的第一部分的部分的端部可以接触第一触摸绝缘层。
根据本实施方式，第一折射层的在平面图中覆盖和围绕第一光发射部的第二长边的第四部分的部分的端部可以接触第一触摸绝缘层。
根据本实施方式，显示设备还可以包括直接设置在第一折射层之上的第二折射层。
根据本实施方式，第一折射层和第二折射层可以分别具有第一折射率和第二折射率，第一折射率可以大于第二折射率，并且第一折射率和第二折射率之间的差可以为约0.04至约1。
附图说明
从以下结合附图的描述中，本公开的特定实施方式的以上和其它方面、特征以及优点将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施方式的显示设备的立体图；
图2是示意性地示出根据实施方式的显示设备的剖视图；
图3是示意性地示出根据实施方式的显示设备的平面图；
图4和图5是根据实施方式的可以包括在显示设备中的像素的等效电路图；
图6A至图6C以及图7是示意性地示出根据实施方式的显示区域中的单元光发射部的布置的平面图；
图8是示意性地示出根据实施方式的显示设备的剖视图；以及
图9是示意性地示出根据实施方式的显示设备的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式，附图中示出了实施方式的示例，其中，相同的附图标记始终表示相同的元件。在这一点上，本实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施方式，以解释本说明书的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项中的一个或多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变型。
本公开可以包括各种实施方式和修改，并且其特定实施方式在附图中示出并且将在本文中详细描述。本公开的效果和特征以及其实现方法将从下面参考附图详细描述的实施方式变得显而易见。然而，本公开不限于下面描述的实施方式，并且可以以各种模式来实施。
在下文中，将参考附图详细描述实施方式，并且在以下描述中，相同的附图标记将表示相同的元件，并且为了简明起见，将省略其冗余描述。
将理解，尽管可以在本文中使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制，并且这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
此外，将理解，本文中使用的术语“包含”、“包括”和“具有”指定所陈述的特征或元件的存在，但不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
将理解，当层、区域、区、组件或元件被称为“在”另一层、区域、区、组件或元件“上”时，其可以“直接在”另一层、区域、区、组件或元件“上”，或者可以“间接地在”另一层、区域、区、组件或元件“上”且一个或多个居间的层、区域、区、组件或元件在它们之间。
为了便于描述，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，因为附图中的元件的尺寸和厚度是为了便于描述而任意示出的，所以本公开不限于此。
当特定实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
如本文中所使用的，“A和/或B”表示A、B或者A和B的情况。此外，“A和B中的至少一个”表示A、B或者A和B的情况。
将理解，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，其可以“直接连接到”另一层、区域或组件和/或可以“间接连接到”另一层、区域或组件且一个或多个居间的层、区域或组件在它们之间。例如，将理解，当层、区域或组件被称为“电连接到”另一层、区域或组件时，它可以“直接电连接到”另一层、区域或组件和/或可以“间接电连接到”另一层、区域或组件且一个或多个居间的层、区域或组件在它们之间。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是示意性地示出根据实施方式的显示设备的立体图。
参考图1，根据实施方式的显示设备1可以包括显示区域DA和周边区域PA。周边区域PA可以布置在显示区域DA外部以围绕显示区域DA。驱动电路单元和用于传输要施加到显示区域DA的电信号的各种线可以位于周边区域PA中。显示设备1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供特定图像。尽管未示出，但是显示设备1可以通过在周边区域PA的部分区域中包括弯曲区域来弯曲。
显示设备1可以是诸如有机发光显示设备、无机发光显示设备(或无机EL显示设备)或量子点发光显示设备的显示设备。在下文中，作为示例将描述有机发光显示设备。显示设备1可以实现为各种电子设备，诸如移动电话、笔记本计算机或智能手表。
图2是示意性地示出根据实施方式的显示设备的剖视图。更具体地，图2对应于沿着图1的线I-I'截取的显示设备的剖视图。
参考图2，显示设备1可以包括在厚度方向(z方向)上依次堆叠的衬底100、在衬底100之上的像素层PXL、封装像素层PXL的封装层300、在封装层300之上的输入感测层400、在输入感测层400之上的折射层500、在折射层500之上的偏振层600、粘合剂层700和窗800。
衬底100可以包括玻璃材料或者可以包括聚合物树脂。在实施方式中，例如，衬底100可以包括包含SiO2作为主要成分的玻璃材料，或者可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料，例如，诸如增强塑料的树脂。尽管未示出，但是衬底100可以通过在周边区域PA的部分区域中包括弯曲区域来弯曲。
像素电路层PCL可以设置在衬底100之上。像素层PXL可以包括显示器件层DPL和像素电路层PCL，显示器件层DPL包括布置在每个像素中的显示器件，像素电路层PCL包括布置在每个像素中的像素电路和绝缘层。显示器件层DPL可以设置在像素电路层PCL之上，并且多个绝缘层可以布置在像素电路和显示器件之间。像素电路层PCL的一些线和绝缘层可以延伸到周边区域PA。
封装层300可以是薄膜封装层。薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。当显示设备1包括包含聚合物树脂的衬底100和包含无机封装层和有机封装层的薄膜封装层的封装层300时，显示设备1的柔性可以被改善。
折射层500可以调节从显示器件层DPL的显示器件发射的光的路径，并且可以改善显示设备1的光发射效率。如下面描述的，折射层500可以通过改变从显示器件发射的光的路径来提高显示设备1的光提取效率。
偏振层600可以仅透射从显示器件层DPL的显示器件发射的光中的在与偏振轴相同的方向上振动的光，并且可以吸收或反射在其它方向上振动的光。偏振层600可以包括相位延迟器和/或偏振器。此外，偏振层600可以包括黑矩阵和/或滤色器。尽管未示出，但是折射层500和偏振层600可以通过诸如光学透明粘合剂(“OCA”)的粘合剂来粘附。
窗800可以设置在偏振层600之上，并且诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂层700可以布置在它们之间。
图3是示意性地示出根据实施方式的显示设备的平面图。如本文中所使用的，“平面图”是z方向上的视图。
参考图3，衬底100可以包括显示区域DA和周边区域PA。周边区域PA可以位于显示区域DA外部并且可以围绕显示区域DA。
在第一方向(x方向或行方向)和第二方向(y方向或列方向)上以特定图案布置的多个像素PX可以在衬底100之上包括在显示区域DA中。
向每个像素PX提供扫描信号的扫描驱动器1100、向每个像素PX提供数据信号的数据驱动器1200、用于提供第一电力电压ELVDD(参见图4和图5)和第二电力电压ELVSS(参见图4和图5)的主电力线(未示出)等可以在衬底100之上布置在周边区域PA中。其中布置有连接到数据线DL的多个信号焊盘SP的焊盘单元140可以在衬底100之上位于周边区域PA中。
扫描驱动器1100可以包括氧化物半导体TFT栅极驱动器电路(“OSG”)或非晶硅TFT栅极驱动器电路(“ASG”)。图3示出了其中扫描驱动器1100布置成与衬底100的一侧相邻的示例，然而，根据一些实施方式，扫描驱动器1100可以布置成与衬底100的两个面对的侧中的每一个相邻。连接到扫描驱动器1100的扫描线SL在第一方向(x方向)上延伸。
图3示出了其中数据驱动器1200设置在膜1300之上的膜上芯片(“COF”)形式，该膜1300电连接到设置在衬底100之上的信号焊盘SP。根据其它实施方式，数据驱动器1200可以以玻璃上芯片(“COG”)或塑料上芯片(“COP”)的形式直接设置在衬底100之上。数据驱动器1200可以电连接到柔性印刷电路板(“FPCB”)。
图4和图5是根据实施方式的可以包括在显示设备中的像素的等效电路图。
参考图4，像素PX可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的显示器件。像素电路PC可以包括晶体管和存储电容器，并且显示器件可以包括有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素PX可以通过有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以实现为晶体管。
第二薄膜晶体管T2可以是开关晶体管，并且可以连接到扫描线SL和数据线DL。第二薄膜晶体管T2可以配置成根据从扫描线SL输入的扫描信号将从数据线DL输入的数据信号传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以配置成存储与对应于从第二薄膜晶体管T2接收的数据信号的电压和提供到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1可以是驱动薄膜晶体管，并且可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst。第一薄膜晶体管T1可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流动通过有机发光二极管OLED的驱动电流Ioled。
有机发光二极管OLED可以根据驱动电流Ioled发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED可以包括像素电极、相对电极和在像素电极和相对电极之间的包括发射层的中间层。有机发光二极管OLED的相对电极可以被提供有第二电力电压ELVSS。
图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，然而，本公开不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而各种改变。
作为另一示例，参考图5，像素PX可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
如图5中所示，像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7以及存储电容器Cst。薄膜晶体管T1至T7以及存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2和驱动电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可以包括配置成传输扫描信号Sn的扫描线SL、配置成将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4的前一扫描线SL-1、配置成将扫描信号Sn传输到第二初始化薄膜晶体管T7的下一扫描线SL+1、配置成将发射控制信号En传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL以及与扫描线SL相交并且配置成传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL可以配置成将第一电力电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以配置成将初始化电压Vint传输到第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可以配置成将初始化电压Vint传输到第二初始化薄膜晶体管T7。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1可以连接到存储电容器Cst的下电极Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1可以经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且向有机发光二极管OLED提供驱动电流IOLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2可以连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2可以连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1并且经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以通过根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn导通而执行将通过数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3可以连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1，并且经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3可以连接到存储电容器Cst的下电极Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3可以根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn导通，以将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1电连接，从而二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4可以连接到前一扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4可以连接到第一初始化电压线VL1，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4可以连接到存储电容器Cst的下电极Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4可以通过根据通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1导通而执行通过将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1来初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5可以连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5可以连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6可以连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6可以电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En同时导通，使得第一电力电压ELVDD可以传输到有机发光二极管OLED，并且因此驱动电流IOLED可以流动通过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7可以连接到下一扫描线SL+1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7可以连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7可以连接到第二初始化电压线VL2。
此外，因为扫描线SL和下一扫描线SL+1彼此电连接，所以相同的扫描信号Sn可以施加到扫描线SL和下一扫描线SL+1。因此，第二初始化薄膜晶体管T7可以通过根据通过下一扫描线SL+1接收的扫描信号Sn导通而执行初始化有机发光二极管OLED的像素电极的操作。
存储电容器Cst的上电极Cst2可以连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的公共电极可以连接到第二电力电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED，以发射光来显示图像。
图5示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极，然而，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以具有单个栅电极。
此外，图5示出了一个像素电路PC的结构，然而，具有相同像素电路PC的多个像素PX可以布置以形成多个行，并且在此情况下，第一初始化电压线VL1、前一扫描线SL-1、第二初始化电压线VL2和下一扫描线SL+1可以由相邻像素PX共享。
在实施方式中，例如，第一初始化电压线VL1和前一扫描线SL-1可以电连接到布置在第二方向(y方向)上的另一像素电路PC的第二初始化薄膜晶体管。因此，施加到前一扫描线SL-1的前一扫描信号Sn-1可以作为下一扫描信号传输到另一像素电路PC的第二初始化薄膜晶体管。同样，第二初始化电压线VL2和下一扫描线SL+1可以电连接到在第二方向(y方向)上与其相邻布置的另一像素电路PC的第一初始化薄膜晶体管，以向其传输前一扫描信号和初始化电压Vint。
图6A至图6C以及图7是示意性地示出根据实施方式的显示区域中的单元光发射部的布置的平面图。图6B和图6C是分别示意性地示出图6A的区域C和区域D的放大剖视图。
如以上所描述的，像素PX可以在显示设备1的显示区域DA中以特定布置来布置。像素PX(参见图3)中的每一个可以包括像素电路PC(参见图4)和有机发光二极管OLED(参见图4)。有机发光二极管OLED可以包括像素电极211(参见图8)、中间层231(参见图8)和相对电极251(参见图8)，并且有机发光二极管OLED的光发射部EA可以是其中布置有中间层231的区域，并且可以由像素限定层117(参见图8)的开口117OP(参见图8)限定。
参考图6A至图6C以及图7，示意性地示出了显示区域DA中的以特定布置的像素PX的光发射部EA的布置的一部分。像素PX可以包括第一像素、第二像素和第三像素。光发射部EA可以包括第一光发射部EA1、第二光发射部EA2和第三光发射部EA3。第一光发射部EA1可以是第一像素的光发射部，第二光发射部EA2可以是第二像素的光发射部，并且第三光发射部EA3可以是第三像素的光发射部。第一像素、第二像素和第三像素可以分别发射不同颜色的光。换句话说，第一光发射部EA1、第二光发射部EA2和第三光发射部EA3可以分别发射不同颜色的光。在实施方式中，例如，第一光发射部EA1可以发射红光，第二光发射部EA2可以发射绿光，并且第三光发射部EA3可以发射蓝光。
在实施方式中，第一光发射部EA1、第二光发射部EA2和第三光发射部EA3可以形成单元光发射部。图6A至图6C以及图7示意性地示出了单元光发射部的布置。如图6A中所示，单元光发射部可以包括一个第一光发射部EA1、一个第二光发射部EA2和两个第三光发射部EA3。第一光发射部EA1可以布置在单元光发射部的左上端部处。第二光发射部EA2可以布置在单元光发射部的左下端部处。两个第三光发射部EA3可以分别布置在单元光发射部的右上端部和右下端部处。然而，本公开不限于此。
在实施方式中，第一光发射部EA1可以具有矩形形状。参考图6B，第一光发射部EA1可以具有包括在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸的第一长边A1、在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸的第二长边A2以及在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸的短边B1的矩形形状。第三光发射部EA3也可以具有矩形形状。参考图6C，在右下端部处的第三光发射部EA3可以具有矩形形状。在右下端部处的第三光发射部EA3可以具有包括在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸的第三长边A3、在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸的第四长边A4以及在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸的短边B2的矩形形状。
在实施方式中，第二光发射部EA2和布置在单元光发射部的右上端部处的第三光发射部EA3可以具有正方形形状。然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，第二光发射部EA2和布置在单元光发射部的右上端部处的第三光发射部EA3可以具有在长边和短边之间具有小长度差的矩形形状。换句话说，第二光发射部EA2和布置在单元光发射部的右上端部处的第三光发射部EA3可以具有接近于正方形形状的矩形形状。
第一折射层510可以设置在第一光发射部EA1、第二光发射部EA2和第三光发射部EA3之上，以在平面图中覆盖和围绕第一光发射部EA1、第二光发射部EA2和第三光发射部EA3中的每一个。在平面图中，覆盖和围绕第二光发射部EA2和单元光发射部的右上端部处的第三光发射部EA3的第一折射层510可以布置成使得第一折射层510的从包括在第二光发射部EA2和单元光发射部的右上端部处的第三光发射部EA3的矩形形状中的边突出的部分的最短长度可以彼此相等。然而，本公开不限于此。
包括在第一光发射部EA1的矩形形状中的第一长边A1可以包括第一部分a1和第二部分a2。此外，包括在第一光发射部EA1的矩形形状中的第二长边A2可以包括第三部分a3和第四部分a4。第一折射层510可以布置成围绕第一光发射部EA1。第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第一长边A1的第一部分a1突出的部分的长度t1和第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第一长边A1的第二部分a2突出的部分的长度t2可以彼此不同。图6B示出了第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第一长边A1的第一部分a1突出的部分的长度t1大于第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第一长边A1的第二部分a2突出的部分的长度t2，然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第一长边A1的第一部分a1突出的部分的长度t1可以小于第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第一长边A1的第二部分a2突出的部分的长度t2。此外，第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第二长边A2的第三部分a3突出部分的长度t3和第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第二长边A2的第四部分a4突出的部分的长度t4可以彼此不同。图6B示出了第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第二长边A2的第三部分a3突出的部分的长度t3小于第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第二长边A2的第四部分a4突出的部分的长度t4，然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第二长边A2的第三部分a3突出的部分的长度t3可以大于第一折射层510的在平面图中在第二方向(例如，y方向或-y方向)上从第二长边A2的第四部分a4突出的部分的长度t4。
包括在第三光发射部EA3的矩形形状中的第三长边A3可以包括第五部分a5和第六部分a6。此外，包括在第三光发射部EA3的矩形形状中的第四长边A4可以包括第七部分a7和第八部分a8。第一折射层510可以布置成围绕矩形形状的第三光发射部EA3。第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第三长边A3的第五部分a5突出的部分的长度t5和第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第三长边A3的第六部分a6突出的部分的长度t6可以彼此不同。图6C示出了第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第三长边A3的第五部分a5突出的部分的长度t5小于第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第三长边A3的第六部分a6突出的部分的长度t6，然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第三长边A3的第五部分a5突出的部分的长度t5可以大于第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第三长边A3的第六部分a6突出的部分的长度t6。此外，第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第四长边A4的第七部分a7突出的部分的长度t7以及第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第四长边A4的第八部分a8突出的部分的长度t8可以彼此不同。图6C示出了第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第四长边A4的第七部分a7突出的部分的长度t7大于第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第四长边A4的第八部分a8突出的部分的长度t8，然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第四长边A4的第七部分a7突出的部分的长度t7可以小于第一折射层510的在平面图中在第一方向(例如，x方向或-x方向)上从第四长边A4的第八部分a8突出的部分的长度t8。
参考图7，布置在显示区域DA中的单元光发射部可以包括三个第三光发射部EA3。三个第三光发射部EA3可以布置在右上端部和/或右下端部处。图7的单元光发射部的第一光发射部EA1、第二光发射部EA2和右上端部处的第三光发射部EA3的位置和形状可以与图6A中的那些相同。单元光发射部的右下端部处的第三光发射部EA3的数量和形状可以与图6A中的那些不同。布置在右下端部处的两个第三光发射部EA3可以通过划分图6A的布置在右下端部处的第三光发射部EA3而获得，并且第三光发射部EA3可以具有接近于正方形形状的形状。当右下端部处的第三光发射部EA3具有正方形形状时，第一折射层510的从包括在第三光发射部EA3的正方形形状中的边突出的部分的最短长度可以彼此相等。
在现有技术中，为了改善显示设备中的光提取，在平面图中，第一折射层被图案化成布置在光发射部外部，并且高折射率平坦层(“HRF”)设置在第一折射层之上。通过将第一折射层布置在光发射部外部，从光发射部发射的侧光从第一折射层的倾斜表面反射，并且因此光路径可以从侧光改变成前光。显示设备的光提取效率可以通过改善光发射部的前光发射而被改善。
然而，在现有技术的光提取效率改善结构中，由于设置在第一折射层之上的HRF的台阶而引起的污点在视觉上被识别，其价格由于HRF的工艺或材料的添加而增加，并且光提取效率改善仅在pentile像素结构中被验证。因此，难以应用于低成本模型，并且难以将现有技术的光提取效率改善结构应用于s条纹像素结构。在s条纹像素结构中，像素的形状可以是其中长边和短边具有不同长度的矩形形状。
在实施方式中，第一折射层510可以布置成不仅覆盖光发射部EA的外部，而且还覆盖光发射部EA本身。换句话说，第一折射层510可以布置成覆盖和围绕光发射部EA中的每一个。在s条纹像素结构中在像素PX的光发射部EA具有在长边和短边之间具有大长度差的矩形形状的情况下，第一折射层510的布置成覆盖和围绕光发射部EA的矩形形状中包括的长边的一部分可以布置成与长边远离。因为第一折射层510的一部分布置成与光发射部EA远离，所以第一折射层510对光发射部EA的矩形形状的长边的影响可以减小。第一折射层510对光发射部EA的矩形形状的短边和长边的影响可以彼此类似。因此，即使在s条纹非对称像素结构中也可以有效地改善光提取效率。
此外，在s条纹像素结构中在像素PX的光发射部EA具有在长边和短边之间具有大长度差的矩形形状的情况下，光发射部EA可以被划分以形成具有与正方形形状接近的形状的光发射部，从而改善光提取效率。
在实施方式中，在平面图中，第三触摸绝缘层430可以布置在光发射部EA之间，同时与覆盖和围绕光发射部EA中的每一个的第一折射层510间隔开。第三触摸绝缘层430和第一折射层510可以布置在相同的层上，并且可以包括相同的材料。第三触摸绝缘层430可以接触覆盖和围绕具有矩形形状的第一光发射部EA1的第一折射层510的部分区域以及覆盖和围绕具有矩形形状的第三光发射部EA3的第一折射层510的部分区域。具体地，第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕第一光发射部EA1的第一长边A1的第一部分a1的一部分的端部(或边缘)可以接触第三触摸绝缘层430。换句话说，第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕第一光发射部EA1的第一长边A1的第一部分a1的一部分的端部(或边缘)可以与第三触摸绝缘层430一体。此外，第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕第一光发射部EA1的第二长边A2的第四部分a4的一部分的端部(或边缘)可以接触第三触摸绝缘层430。换句话说，第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕第一光发射部EA1的第二长边A2的第四部分a4的一部分的端部(或边缘)可以与第三触摸绝缘层430一体。第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕第三光发射部EA3的第三长边A3的第六部分a6的一部分的端部(或边缘)可以接触第三触摸绝缘层430。换句话说，第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕第三光发射部EA3的第三长边A3的第六部分a6的一部分的端部(或边缘)可以与第三触摸绝缘层430一体。第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕第三光发射部EA3的第四长边A4的第七部分a7的一部分的端部(或边缘)可以接触第三触摸绝缘层430。换句话说，第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕第三光发射部EA3的第四长边A4的第七部分a7的一部分的端部(或边缘)可以与第三触摸绝缘层430一体。
图8是示意性地示出根据实施方式的显示设备的剖视图。更具体地，图8对应于沿着图6A的线II-II'截取的显示设备的特定层的剖视图。
参考图8，形成为防止杂质渗入到薄膜晶体管TFT的半导体层132中的缓冲层111可以设置在衬底100之上。
衬底100可以由诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料的各种材料形成。根据实施方式，衬底100可以是柔性衬底，并且可以包括例如聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。
缓冲层111可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括单个层或多个层。阻隔层(未示出)可以进一步包括在衬底100和缓冲层111之间。阻隔层可以防止或最小化杂质从衬底100等渗入到半导体层132中。阻隔层可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和电连接到薄膜晶体管TFT的有机发光二极管200可以设置在衬底100之上。当有机发光二极管200被称为电连接到薄膜晶体管TFT时，像素电极211可以被理解为电连接到薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以是图4和图5的驱动薄膜晶体管T1。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层132、栅电极134、源电极136S和漏电极136D。半导体层132可以包括氧化物半导体材料。半导体层132可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。考虑到与相邻层的粘附、堆叠层的表面平坦度和可加工性，栅电极134可以包括包含例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种的单个层或多个层。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第一绝缘层112可以布置在半导体层132和栅电极134之间。包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第二绝缘层113和第三绝缘层114可以布置在栅电极134与源电极136S和漏电极136D之间。源电极136S和漏电极136D可以分别通过限定在第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层114中的接触孔电连接到半导体层132。
源电极136S和漏电极136D可以包括包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种的单个层或多个层。在实施方式中，例如，源电极136S和漏电极136D可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电极CE1和第二电极CE2且第二绝缘层113在它们之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。图8示出了薄膜晶体管TFT的栅电极134是存储电容器Cst的第一电极CE1。在另一实施方式中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。也就是说，存储电容器Cst的第一电极CE1可以作为与薄膜晶体管TFT的栅电极134分离的组件设置在第一绝缘层112之上。存储电容器Cst可以由第三绝缘层114覆盖。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路可以由第一平坦化层115和第二平坦化层116覆盖。第一平坦化层115和第二平坦化层116可以是作为平坦化绝缘层的有机绝缘层。第一平坦化层115和第二平坦化层116可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其任何共混物的有机绝缘材料。在实施方式中，第一平坦化层115和第二平坦化层116可以包括聚酰亚胺。
显示器件(例如，有机发光二极管200)可以设置在第二平坦化层116之上。有机发光二极管200可以包括像素电极211、中间层231和相对电极251。
像素电极211可以设置在第二平坦化层116之上，并且可以通过第一平坦化层115之上的连接电极181连接到薄膜晶体管TFT。诸如数据线DL(参见图4)和驱动电压线PL(参见图4)的线183可以设置在第一平坦化层115之上。
像素电极211可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)。在其它实施方式中，像素电极211可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何化合物。在其它实施方式中，像素电极211还可以包括在反射层之上/之下的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。在实施方式中，例如，像素电极211可以包括ITO/Ag/ITO。
像素限定层117可以设置在第二平坦化层116之上。像素限定层117可以覆盖像素电极211的边缘，并且可以通过包括开口117OP来限定像素，像素电极211的一部分通过开口117OP暴露。像素限定层117可以增加像素电极211的边缘和相对电极251之间的距离，以防止在像素电极211的边缘处出现电弧等。像素限定层117可以由例如诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)的有机材料形成。
中间层231可以包括发射层。发射层可以包括用于发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。在实施方式中，中间层231可以包括设置在发射层之下的第一功能层和/或设置在发射层之上的第二功能层。第一功能层和/或第二功能层可以包括在多个像素电极211之上一体的层，或者可以包括被图案化以与多个像素电极211中的每一个对应的层。
第一功能层可以包括单个层或多个层。在实施方式中，例如，当第一功能层由高分子量有机材料形成时，第一功能层可以包括作为单层结构的空穴传输层(“HTL”)，并且可以由聚乙二羟基噻吩(聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(“PEDOT”))或聚苯胺(“PANI”)形成。当第一功能层由低分子量有机材料形成时，第一功能层可以包括空穴注入层(“HIL”)和空穴传输层(“HTL”)。
第二功能层可以被省略。在实施方式中，例如，当第一功能层和发射层由高分子量有机材料形成时，第二功能层可以被形成以改善有机发光二极管200的特性。第二功能层可以包括单个层或多个层。第二功能层可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。
相对电极251可以布置成面对像素电极211且中间层231在它们之间。相对电极251可以包括具有低功函数的导电材料。在实施方式中，例如，相对电极251可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金的(半)透明层。替代地，相对电极251还可以包括在包含以上材料的(半)透明层之上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
相对电极251可以设置在中间层231和像素限定层117之上。在显示区域DA中，相对电极251可以一体地形成在多个有机发光二极管200中，以面对多个像素电极211。
参考图2，封装层300、输入感测层400、折射层500、偏振层600、粘合剂层700和窗800可以设置在相对电极251之上。这将在下面更详细地描述。
图9是示意性地示出根据实施方式的显示设备的剖视图。具体地，图9是沿着图6A的线III-III'截取的显示设备的示意性剖视图。
在实施方式中，封装层300可以设置在相对电极251之上。封装层300可以保护有机发光二极管200免受外部湿气或氧气的影响。封装层300可以具有多层结构。在实施方式中，例如，封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。因为封装层300形成为具有多层结构，所以即使当在封装层300中出现裂纹时，该裂纹也可以不在第一无机封装层310和有机封装层320之间或有机封装层320和第二无机封装层330之间连接，并且因此可以防止或最小化外部湿气或氧气通过其渗入到显示区域DA中的路径的形成。在其它实施方式中，有机封装层的数量、无机封装层的数量及其堆叠顺序可以被修改。
第一无机封装层310可以覆盖相对电极251，并且可以包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。因为第一无机封装层310沿着其之下的结构形成，所以其上表面可以是不平坦的。
有机封装层320可以覆盖第一无机封装层310并且可以具有足够的厚度。有机封装层320的上表面在整个显示区域DA中可以是基本上平坦的。有机封装层320可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)或其任何组合。
第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320，并且可以包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层330可以延伸到有机封装层320外部，并且在周边区域PA中接触第一无机封装层310，从而防止有机封装层320暴露于外部。
此外，在形成封装层300的工艺中，其之下的结构可能被损坏。在实施方式中，例如，在形成第一无机封装层310的工艺中，直接在第一无机封装层310之下的层可能被损坏。因此，为了防止在形成封装层300的工艺中其之下的结构被损坏，至少一个封盖层和/或保护层可以布置在相对电极251和封装层300之间。封盖层和/或保护层可以包括无机材料。
输入感测层400可以设置在有机发光二极管200之上(例如，封装层300之上)。输入感测层400可以配置成根据外部输入(例如，诸如手指或触笔的对象的触摸事件)来获得坐标信息。输入感测层400可以包括感测电极和/或迹线。输入感测层400可以配置成通过互电容方法或自电容方法来感测外部输入。
输入感测层400可以包括包含感测电极和/或迹线的第一导电层MTL1和第二导电层MTL2。第一触摸绝缘层410可以布置在封装层300和第一导电层MTL1之间，并且第二触摸绝缘层420可以布置在第一导电层MTL1和第二导电层MTL2之间。第三触摸绝缘层430可以设置在第二导电层MTL2和第二触摸绝缘层420之上。
第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以包括导电材料。导电材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且第一导电层MTL1和第二导电层MTL2可以包括包含以上材料的单个层或多个层。在一些实施方式中，第一导电层MTL1和第二导电层MTL2中的每一个可以具有其中钛层、铝层和钛层依次堆叠的结构(Ti/Al/Ti)。
第一触摸绝缘层410、第二触摸绝缘层420和第三触摸绝缘层430中的每一个可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等。有机绝缘材料可以包括丙烯酰基有机材料或酰亚胺基有机材料。
不仅第三触摸绝缘层430而且第一折射层510可以设置在第二导电层MTL2和第二触摸绝缘层420之上。第三触摸绝缘层430和第一折射层510可以布置在相同的层上，并且可以包括相同的材料。第三触摸绝缘层430可以布置成覆盖第二导电层MTL2。第一折射层510可以布置成覆盖光发射部EA(参见图6A)。换句话说，第一折射层510可以布置成围绕光发射部EA。第一折射层510在与衬底100垂直的方向(例如，z方向或-z方向)上的厚度L1可以为约1.5微米(μm)至约5μm。第一折射层510的侧表面可以形成为倾斜的。第一折射层510的侧表面和设置在其之下的层之间的角度θ510可以为约30°至约90°。因为第二触摸绝缘层420可以设置在第一折射层510之下，所以第一折射层510的侧表面和设置在其之下的第二触摸绝缘层420之间的角度θ510可以为约30°至约90°。然而，本公开不限于此。
第二折射层520可以设置在第一折射层510之上。第二折射层520可以是设置在偏振层600之下的粘合剂层。粘合剂层可以包括丙烯酸基树脂、硅基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、环氧基树脂、橡胶基树脂和聚酯基树脂中的至少一种，并且可以包括相同系列的树脂中的一种或两种或者更多种。
第一折射层510可以具有第一折射率，并且第二折射层520可以具有第二折射率。第一折射层510的第一折射率可以大于第二折射层520的第二折射率。具体地，第一折射层510的第一折射率和第二折射层520的第二折射率之间的差可以为约0.04至约1。然而，本公开不限于此。
在现有技术中，HRF设置在第一折射层之上。在实施方式中，代替HRF，第二折射层520可以设置在第一折射层510之上。第二折射层520可以是设置在偏振层600之下的粘合剂层。通过使用设置在偏振层600之下的粘合剂层作为第二折射层520，可以降低HRF的材料或工艺的成本，并且根据实施方式的光提取效率改善结构可以应用于诸如手表的低成本模型。
在实施方式中，偏振层600可以设置在第二折射层520之上。偏振层600可以仅透射从显示器件层DPL的显示器件发射的光中的在与偏振轴相同的方向上振动的光，并且可以吸收或反射在其它方向上振动的光。偏振层600可以包括相位延迟器和/或偏振器。此外，偏振层600可以包括黑矩阵和/或滤色器。尽管未示出，但是折射层500和偏振层600可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂来粘附。
窗800可以设置在偏振层600之上，并且诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂层700可以布置在它们之间。
在现有技术中，为了改善显示设备中的光提取，第一折射层被图案化以布置在光发射部外部，并且HRF设置在第一折射层之上。然而，现有技术的光提取改善结构难以应用于s条纹像素结构，并且由于HRF的材料或工艺的成本而难以应用于低成本结构。
根据实施方式，第一折射层510可以被图案化以围绕光发射部EA中的每一个。当s条纹像素的光发射部EA具有非对称矩形形状时，第一折射层510的布置成围绕光发射部EA的矩形形状中包括的长边的一部分可以布置成与光发射部EA远离。因为第一折射层510的在平面图中覆盖和围绕像素PX的光发射部EA的矩形形状的长边的一部分布置成与其远离，所以第一折射层510对光发射部EA的长边的影响可以减小，并且由于这种结构，可以改善s条纹像素的光提取。换句话说，s条纹像素的光提取可以通过非对称地图案化第一折射层510以围绕光发射部EA来改善。
此外，代替HRF，设置在偏振层600之下的粘合剂层可以用作第一折射层510之上的第二折射层520。通过使用粘合剂层作为第二折射层520，根据实施方式的光提取改善结构也可以应用于低成本模型。
根据实施方式，显示设备1的光提取效率可以改善。
应该理解，本文中所描述的实施方式应当被认为仅仅是描述性含义，并且不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中在形式和细节上进行各种改变。

Claims (9)

1.一种显示设备，其特征在于，包括：
衬底；
第一光发射部，设置在所述衬底之上；以及
第一折射层，被图案化以在平面图中覆盖和围绕所述第一光发射部，
其中，所述第一光发射部具有矩形形状，所述矩形形状包括在第一方向上延伸的第一长边、在所述第一方向上延伸的第二长边和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的短边，
所述第一长边包括第一部分和第二部分，
所述第二长边包括第三部分和第四部分，以及
所述第一折射层的在所述平面图中在所述第二方向上从所述第一部分突出的部分的长度和所述第一折射层的在所述平面图中在所述第二方向上从所述第二部分突出的部分的长度彼此不同。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一折射层的在所述平面图中在所述第二方向上从所述第三部分突出的部分的长度和所述第一折射层的在所述平面图中在所述第二方向上从所述第四部分突出的部分的长度彼此不同。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一光发射部发射红光。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，还包括：
第二光发射部，设置在所述衬底之上，
其中，所述第一折射层被进一步图案化以在所述平面图中覆盖和围绕所述第二光发射部。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，还包括：
两个第三光发射部，设置在所述衬底之上，
其中，所述第一折射层被进一步图案化以在所述平面图中覆盖和围绕所述两个第三光发射部。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，所述两个第三光发射部中的一个具有矩形形状，所述两个第三光发射部中的所述一个的所述矩形形状包括在所述第二方向上延伸的第三长边、在所述第二方向上延伸的第四长边和在所述第一方向上延伸的短边，
所述第三长边包括第五部分和第六部分，
所述第四长边包括第七部分和第八部分，以及
所述第一折射层的在所述平面图中在所述第一方向上从所述第五部分突出的部分的长度和所述第一折射层的在所述平面图中在所述第一方向上从所述第六部分突出的部分的长度彼此不同。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其特征在于，所述第一折射层的在所述平面图中在所述第一方向上从所述第七部分突出的部分的长度和所述第一折射层的在所述平面图中在所述第一方向上从所述第八部分突出的部分的长度彼此不同。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一折射层的厚度为1.5μm至5μm。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一折射层的倾斜侧表面和设置在所述第一折射层之下的层之间的角度为30°至90°。
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