CN221262340U - 一种新型结构的晶片外延托盘 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种新型结构的晶片外延托盘，属于半导体加工技术领域，包括托盘主体，所述托盘主体的内腔设置有晶片主体，所述托盘主体内腔的底部设置有多组晶片支撑柱，所述晶片主体位于晶片支撑柱的上方，本实用新型通过在托盘主体的内腔中设置晶片支撑环，方便对晶片主体底部的边缘进行支撑，防止晶片主体直接在晶片支撑柱的支持下，导致晶片主体底部的边缘处一半以上的区域处于裸露状态，利用晶片支撑环将晶片主体底部边缘处的大部分区域进行托起，防止晶片主体在外延过程中形成硅渣，影响后期的加工，导致晶片主体报废，同时在晶片支撑环的四周开设气道，使气槽与环形气沟连通，保障伯努利式吸盘可以顺利的对晶片主体进行取放片。

Description

一种新型结构的晶片外延托盘

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体为一种新型结构的晶片外延托盘。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

目前业内晶片外延托盘，主流机台为了采用伯努利原理自动取放片。晶片放在托盘里中，晶片背面与托盘不是无缝接触(伯努利机械手取放片时，背面需要与无尘室室内环境通气)，靠大量均布的支撑柱将晶片托起，晶片背面最边上一圈超过50％区域腾空，极易在外延过程与反应气体接触，外延过程形成硅渣SN。

这些硅渣导致硅片背面平整度恶化，后道客户光刻时会聚焦不良，形成散焦Defocus导致晶片报废，外延层厚度越厚，硅渣问题越严重，随5G和新能源对IGBT电路的需求越来越多，EPI外延厚度也随之越来越厚，传统伯努利原理结构外延托盘容易产生硅渣SN，无法满足IGBT领域的衬底需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型结构的晶片外延托盘，利用晶片支撑环对晶片主体底部的边缘处进行支撑，防止晶片主体在外延过程中形成硅渣，同时在晶片支撑环的表面四周开设气道，起到将气槽与环形气沟连通的目的，方便使用伯努利式吸盘对晶片主体进行取放片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型结构的晶片外延托盘，包括托盘主体，所述托盘主体的内腔设置有晶片主体，所述托盘主体内腔的底部设置有多组晶片支撑柱，所述晶片主体位于晶片支撑柱的上方，所述托盘主体内腔的底部设置有晶片支撑环，所述晶片支撑环与托盘主体内壁之间形成环形气沟，所述晶片支撑柱之间形成气槽，所述晶片支撑环的四周开设有气道，所述气道的两端分别与气槽和环形气沟连通。

优选的，所述晶片支撑柱等距阵列式分布于托盘主体内腔的底部，所述气槽相互垂直交错连通。

优选的，所述晶片支撑柱与晶片支撑环的高度相同，所述晶片主体底部的面积位于晶片支撑环外圆面积与内圆面积之间。

优选的，所述晶片支撑柱位于晶片支撑环的内侧，所述气道的宽度大于气槽的宽度。

优选的，所述晶片主体的底部附着有薄膜保护层，所述薄膜保护层的直径与晶片主体底部半径相同。

优选的，所述晶片主体的边缘呈圆弧状设置，所述晶片主体的顶部与托盘主体的顶部齐平。

优选的，所述气道的高度小于晶片支撑环的高度，所述晶片支撑环的顶部形成闭合圆环。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型通过在托盘主体的内腔中设置晶片支撑环，方便对晶片主体底部的边缘进行支撑，防止晶片主体直接在晶片支撑柱的支持下，导致晶片主体底部的边缘处一半以上的区域处于裸露状态，利用晶片支撑环将晶片主体底部边缘处的大部分区域进行托起，防止晶片主体在外延过程中形成硅渣，影响后期的加工，导致晶片主体报废，同时在晶片支撑环的四周开设气道，使气槽与环形气沟连通，保障伯努利式吸盘可以顺利的对晶片主体进行取放片。

2、本实用新型通过对晶片支撑柱与晶片支撑环高度的设置，方便保障晶片主体在托盘主体内保持平衡，防止破坏晶片主体整体的外形，同时对晶片支撑环尺寸进行限定，方便保障对晶片主体底部的边缘处进行支撑。

附图说明

图1为本实用新型的立体结构示意图；

图2为本实用新型实施例1的局部剖视立体结构示意图；

图3为本实用新型晶片主体的剖视立体结构示意图；

图4为本实用新型实施例2的镜片支撑环的立体结构示意图。

图中标号：1、托盘主体；2、晶片主体；3、晶片支撑柱；4、晶片支撑环；5、环形气沟；6、气槽；7、气道；8、薄膜保护层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1

本实用新型提供了如图1～3所示的一种新型结构的晶片外延托盘，包括托盘主体1，托盘主体1的内腔设置有晶片主体2，托盘主体1内腔的底部设置有多组晶片支撑柱3，晶片主体2位于晶片支撑柱3的上方，托盘主体1内腔的底部设置有晶片支撑环4，晶片支撑环4与托盘主体1内壁之间形成环形气沟5，晶片支撑柱3之间形成气槽6，晶片支撑环4的四周开设有气道7，气道7的两端分别与气槽6和环形气沟5连通；

通过在托盘主体1的内腔中设置晶片支撑环4，方便对晶片主体2底部的边缘进行支撑，防止晶片主体2直接在晶片支撑柱3的支持下，导致晶片主体2底部的边缘处一半以上的区域处于裸露状态，利用晶片支撑环4将晶片主体2底部边缘处的大部分区域进行托起，防止晶片主体2在外延过程中形成硅渣，影响后期的加工，导致晶片主体2报废，同时在晶片支撑环4的四周开设气道7，使气槽6与环形气沟5连通，保障伯努利式吸盘可以顺利的对晶片主体2进行取放片。

晶片支撑柱3等距阵列式分布于托盘主体1内腔的底部，气槽6相互垂直交错连通，通过对晶片支撑柱3位置的设置，保障晶片支撑柱3分别均匀，对晶片主体2进行均衡托起，以免因受力不均匀导致晶片主体2损坏。

晶片支撑柱3与晶片支撑环4的高度相同，晶片主体2底部的面积位于晶片支撑环4外圆面积与内圆面积之间，通过对晶片支撑柱3与晶片支撑环4高度的设置，方便保障晶片主体2在托盘主体1内保持平衡，防止破坏晶片主体2整体的外形，同时对晶片支撑环4尺寸进行限定，方便保障对晶片主体2底部的边缘处进行支撑。

晶片支撑柱3位于晶片支撑环4的内侧，气道7的宽度大于气槽6的宽度，通过对晶片支撑柱3与晶片支撑环4位置的设置，方便利用晶片支撑柱3对晶片主体2底部的中心区域进行托起，晶片支撑环4对晶片主体2底部的边缘处进行支撑。

晶片主体2的底部附着有薄膜保护层8，薄膜保护层8的直径与晶片主体2底部半径相同，通过薄膜保护层8的设置，方便对晶片主体2进行防护，防止晶片支撑环4与晶片支撑柱3对晶片主体2磨损。

晶片主体2的边缘呈圆弧状设置，晶片主体2的顶部与托盘主体1的顶部齐平，通过对晶片主体2和托盘主体1位置的设置，便于采用伯努利式吸盘将晶片主体2吸取。

实施例2

与实施例1相同之处不再重复赘述，与实施例1不同之处在于，如图4所示：

气道7的高度小于晶片支撑环4的高度，晶片支撑环4的顶部形成闭合圆环，可以保障晶片支撑环4顶部形成闭合的圆环，增加与晶片主体2的接触面积。

具体使用时，将带有薄膜保护层8的晶片主体2置于托盘主体1内腔中，此时晶片主体2底部通过薄膜保护层8与晶片支撑柱3与晶片支撑环4接触，晶片支撑柱3对晶片主体2底部的中心区域进行支撑，镜片支撑环对晶片主体2底部的边缘处进行支撑，同时气道7将气槽6与环形气沟5连通，方便晶片主体2被伯努利式吸盘吸取进行取放片。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种新型结构的晶片外延托盘，包括托盘主体(1)，其特征在于：所述托盘主体(1)的内腔设置有晶片主体(2)，所述托盘主体(1)内腔的底部设置有多组晶片支撑柱(3)，所述晶片主体(2)位于晶片支撑柱(3)的上方，所述托盘主体(1)内腔的底部设置有晶片支撑环(4)，所述晶片支撑环(4)与托盘主体(1)内壁之间形成环形气沟(5)，所述晶片支撑柱(3)之间形成气槽(6)，所述晶片支撑环(4)的四周开设有气道(7)，所述气道(7)的两端分别与气槽(6)和环形气沟(5)连通。

2.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片支撑柱(3)等距阵列式分布于托盘主体(1)内腔的底部，所述气槽(6)相互垂直交错连通。

3.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片支撑柱(3)与晶片支撑环(4)的高度相同，所述晶片主体(2)底部的面积位于晶片支撑环(4)外圆面积与内圆面积之间。

4.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片支撑柱(3)位于晶片支撑环(4)的内侧，所述气道(7)的宽度大于气槽(6)的宽度。

5.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片主体(2)的底部附着有薄膜保护层(8)，所述薄膜保护层(8)的直径与晶片主体(2)底部半径相同。

6.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片主体(2)的边缘呈圆弧状设置，所述晶片主体(2)的顶部与托盘主体(1)的顶部齐平。

7.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述气道(7)的高度小于晶片支撑环(4)的高度，所述晶片支撑环(4)的顶部形成闭合圆环。