CN220942265U - 一种多晶硅还原炉底盘清扫装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及多晶硅还原炉底盘清理技术领域，公开了一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，包括可覆盖连接在多晶硅还原炉底盘上的罩体以及设置在罩体内的吹扫组件，所述吹扫组件包括进气总管以及与进气总管连通的若干吹扫管，进气总管与罩体上的进气孔转动连接并且与进气孔连通，所述吹扫管分布设置在进气总管的下方，吹扫管的下方沿吹扫管长度方向设置有吹扫头，所述吹扫管的末端设置有弯管，弯管的出气口水平设置，并且弯管的出气口均朝向顺时针方向或者均朝向逆时针方向。本装置充分利用吹扫气体自身所携带的压力，依靠反作用力作用在吹扫组件上，实现吹扫组件在罩体内的旋转清洁，装置维护成本低，并且整个装置的重量也较轻，方便安装使用。

Description

一种多晶硅还原炉底盘清扫装置

技术领域

本实用新型涉及多晶硅还原炉底盘清理技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉底盘清扫装置。

背景技术

多晶硅还原炉是多晶硅生产中产出最终产品的核心设备，也是决定系统产能、能耗的关键环节。多晶硅还原炉主要由炉筒和底盘两大部分组成，目前底盘清理大多采用人工使用化学试剂及水进行擦拭，因化学试剂具有良好的化学反应以及溶解性，从而能够很好的清除还原炉底盘灰尘。然而，人工在使用化学试剂清理底盘时，不仅需要一定的时间和人力，且底盘残存的水分还会对还原炉的正常启动和运行造成一定的影响。因此，实现对底盘无水清理的同时保证还原炉置换快速合格的方法十分必要。

公开号为CN217043633U的实用新型专利公开了一种多晶硅还原炉底盘自动清理系统装置，该装置中，包括可覆盖连接在多晶硅还原炉底盘的罩体，所述罩体的顶部设有一伸入罩体内的可旋转的主轴，所述主轴连接有吸附装置和若干清扫装置，所述若干清扫装置在主轴带动下旋转对底盘进行清扫使底盘上的积垢变成粉状扬尘，所述吸附装置可吸附清扫出来的粉状扬尘，所述主轴内设有多条与吸附装置和清扫装置对应连接的通道。本实用新型能够取代目前人工清理的作业，解决还原炉底盘清理过程中存在的效率低、清理效果差、二次污染等问题，实现自动化高效清理的效果。

在上述现有技术中，虽然清扫装置能够在罩体内旋转，实现往复清洁的效果，但是由于引入了电机作为旋转的动力部件，不仅导致结构复杂，维修保养成本较高，整体重量大等问题，同时还需要考虑电动设备的防爆问题。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题和缺陷，本实用新型提供了一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，本装置充分利用通入装置中的吹扫气体自身所携带的压力，依靠反作用力作用在吹扫组件上，实现吹扫组件的旋转清洁效果，装置结构简单，维护成本低，并且整个装置的重量也较轻，方便安装使用。

为了实现上述发明目的，本实用新型的技术方案如下：

一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，包括可覆盖连接在多晶硅还原炉底盘上的罩体以及设置在罩体内的吹扫组件，所述吹扫组件包括进气总管以及与进气总管连通的若干吹扫管，进气总管与罩体上的进气孔转动连接并且与进气孔连通，所述吹扫管分布设置在进气总管的下方，吹扫管的下方沿吹扫管长度方向设置有吹扫头，所述吹扫管的末端设置有弯管，弯管的出气口水平设置，并且弯管的出气口均朝向顺时针方向或者均朝向逆时针方向。

作为优选地，在本实用新型中，所述吹扫管均匀分布设置在进气总管的下方。

作为优选地，在本实用新型中，所述弯管为45度弯管。

作为优选地，在本实用新型中，所述吹扫头包括两根吹扫出气支管，两根吹扫出气支管构成呈门字形的吹扫头。

作为优选地，在本实用新型中，所述吹扫出气支管的出口气朝向门字形吹扫头的内侧倾斜，形成上宽下窄的门字形吹扫头。

作为优选地，在本实用新型中，所述罩体上还设置有抽气孔，抽气孔与真空泵连接。

本实用新型的有益效果：

1、本实用新型能够取代目前人工清扫多晶硅还原炉底盘，解决人工清理还原炉底盘清理过程中存在的效率低、清理效果差、二次污染等问题，实现自动化高效清理的效果；并且，本实用新型装置充分利用通入装置中的吹扫气体自身所携带的压力，依靠反作用力作用在吹扫组件上，实现吹扫组件的旋转清洁效果，装置结构简单，维护成本低，并且整个装置的重量也较轻，方便安装使用。

2、本实用新型中，吹扫头呈门字形构造，装置在旋转吹扫过程中，吹扫头从加热电极的两侧同时对加热电极与底盘之间的缝隙进行吹扫，相较于单侧吹扫，清洁效果更好。

3、本实用新型清扫装置易于改造，适用于所有圆形底盘还原炉，不仅限于单一炉型。

附图说明

本实用新型的前述和下文具体描述在结合以下附图阅读时变得更清楚，附图中：

图1为本实用新型吹扫装置俯视图；

图2为本实用新型吹扫装置内部结构剖视图。

图中：

1、罩体；2、吹扫组件；3、进气总管；4、吹扫管；5、进气孔；6、吹扫头；7、弯管；8、吹扫出气支管；9、抽气孔。

具体实施方式

下面通过具体的实施例来进一步说明实现本实用新型发明目的的技术方案，需要说明的是，本实用新型要求保护的技术方案包括但不限于以下实施例。

多晶硅还原炉是多晶硅生产中产出最终产品的核心设备，也是决定系统产能、能耗的关键环节。多晶硅还原炉主要由炉筒和底盘两大部分组成，目前底盘清理大多采用人工使用化学试剂及水进行擦拭，因化学试剂具有良好的化学反应以及溶解性，从而能够很好的清除还原炉底盘灰尘。然而，人工在使用化学试剂清理底盘时，不仅需要一定的时间和人力，且底盘残存的水分还会对还原炉的正常启动和运行造成一定的影响。因此，实现对底盘无水清理的同时保证还原炉置换快速合格的方法十分必要。

基于此，本实用新型提出了一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，本装置能够取代目前人工清扫多晶硅还原炉底盘，解决人工清理还原炉底盘清理过程中存在的效率低、清理效果差、二次污染等问题，实现自动化高效清理的效果。并且，充分利用通入装置中的吹扫气体自身所携带的压力，依靠反作用力作用在吹扫组件上，实现吹扫组件的旋转清洁效果，装置结构简单，维护成本低，并且整个装置的重量也较轻，方便安装使用。

本实施例公开了一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，参照说明书附图1-2，所述吹扫装置主要包括可覆盖连接在多晶硅还原炉底盘上的罩体1以及设置在罩体内的吹扫组件2，所述罩体1上设置有进气孔5和抽气孔9，进气孔5的一端与吹气设备连接，另一端与吹扫组件2连接，抽气孔9与抽气设备（例如真空泵）连接，在抽气孔处形成负压；在吹扫过程中，吹气设备将带有一定压力的气体通过进气孔通入吹扫组件2中，吹扫组件2将带有压力的气体喷出至底盘上的加热电极处，对加热电极与底盘之间的缝隙处的硅粉进行吹扫清理，在清理过程中，罩体1盖合在底盘上，形成一个密闭的吹扫空间，吹扫掉落的硅粉不会直接暴露在空气中，而是直接在罩体1上抽气孔9处的负压作用下，被抽走带出至罩体1外的收集设备中进行集中的处理。在本实施例中，具体的，所述吹扫组件2包括进气总管3以及与进气总管3连通的若干吹扫管4，进气孔5内设置有转动轴承，进气总管3通过转动轴承与进气孔5转动连接，并且所述进气总管3与进气孔5上是连通的，吹气设备通过进气孔5喷出的气体直接进入进气总管3中，所述吹扫管4沿周向均匀的分布设置在进气总管3的下方，吹扫管4端部的进气口与进气总管3的出气口连接，整个管体的长度沿底盘的径向延伸，吹扫管4的下方沿吹扫管4长度方向均匀设置有多个吹扫头6，所述吹扫管4的末端出气口处设置有与吹扫管4连通的弯管7，弯管7末端的出气口水平设置（即弯管7的出气口位于水平面内，气体喷出方向为水平），并且每一个吹扫管4末端设置的弯管7的出气口的朝向均是一致的，要么都朝向顺时针方向或者均朝向逆时针方向。

在本实施例中，吹扫头6对准加热电极与底盘间的缝隙处，对缝隙处的硅粉等杂质进行吹扫。

吹扫装置在工作时，首先将罩体1盖合在多晶硅还原炉的底盘上，然后像吹气组件2中通入压力气体，一部分气体通过吹扫管4上设置的吹扫头6喷出至加热电极与底盘的缝隙处，将缝隙处的硅粉吹落，实现底盘的清洁，另一部分气体则从吹扫管4末端设置的弯管7的出气口喷出，由于弯管7的出气口都是一个朝向并且气体喷出方向为水平，因此在弯管7喷出的压力气体的作用下，会推动整个吹扫组件2绕进气孔5处的转动轴承在水平面内转动，通过吹扫组件2不断地旋转吹扫，实现对加热电极与底盘缝隙处的多次清洁，能够显著提高清洁效果。在吹扫硅粉的过程中，抽气孔9处的抽气设备启动，在抽气孔9处形成负压，被吹扫掉落的硅粉则会从抽气孔9处被及时的排出至罩体1外。

在本实施例中，需要说明的是，吹扫管4上吹扫头6的数量与多晶硅还原炉底盘半径长度范围内加热电极的数量是匹配的。

在本实施例中，所述吹扫管4沿周向均匀分布设置在进气总管3的下方。参照说明书附图2所示，该附图示例了由十字型交叉连接的吹扫管4构成的吹扫组件2，由进气总管3进入的气体被均匀的分配至四个吹扫管4内。在本实施例中，吹扫组件2还可以是由三个吹扫管4均匀分布组成的，均匀设置的吹扫管4能够使转动轴承受力均衡，降低转动轴承的磨损。

进一步地，在本实施例中，所述吹扫头6包括两根吹扫出气支管8，两根吹扫出气支管8构成呈门字形构造的吹扫头6。由于吹扫组件2在工作时，会持续不断的在罩体1内旋转，因此为了在旋转过程中吹扫头6不与加热电极碰撞，并且还能提高吹扫清洁的效果，本实施例将吹扫头6设计为门字形构造，吹扫头6在旋转吹扫过程中，当转动至加热电极处时，底盘上的加热电极会从吹扫头6的门字形空间中穿过，两根吹扫出气支管8则对加热电极与底盘缝隙处硅粉等杂质进行吹扫。

进一步地，在本实施例中，为了提高吹扫头6的吹扫清洁效果，所述吹扫出气支管8的出口气朝向门字形吹扫头的内侧倾斜，形成上宽下窄的门字形吹扫头，吹扫出气支管8喷出的气体能够更针对性的喷洒在加热电极与底盘缝隙处，将加热电极周围的硅粉等杂质吹落。

进一步地，在本实施例中，罩体1可以通过定位螺栓等结构与多晶硅还原炉底盘固定连接。

进一步地，在本实施例中，吹气设备通入吹扫组件2中的气体一般为氮气等惰性气体。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型做任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，包括可覆盖连接在多晶硅还原炉底盘上的罩体（1）以及设置在罩体（1）内的吹扫组件（2），所述吹扫组件（2）包括进气总管（3）以及与进气总管（3）连通的若干吹扫管（4），进气总管（3）与罩体（1）上的进气孔（5）转动连接并且与进气孔（5）连通，所述吹扫管（4）分布设置在进气总管（3）的下方，吹扫管（4）的下方沿吹扫管（4）长度方向设置有吹扫头（6），其特征在于，所述吹扫管（4）的末端设置有弯管（7），弯管（7）的出气口水平设置，并且弯管（7）的出气口均朝向顺时针方向或者均朝向逆时针方向。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，其特征在于，所述吹扫管（4）均匀分布设置在进气总管（3）的下方。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，其特征在于，所述弯管（7）为45度弯管。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，其特征在于，所述吹扫头（6）包括两根吹扫出气支管（8），两根吹扫出气支管（8）构成呈门字形的吹扫头（6）。

5.根据权利要求4所述的一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，其特征在于，所述吹扫出气支管（8）的出口气朝向门字形吹扫头的内侧倾斜，形成上宽下窄的门字形吹扫头。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉底盘清扫装置，其特征在于，所述罩体（1）上还设置有抽气孔（9），抽气孔（9）与真空泵连接。