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CN219697495U - 开关模式功率转换器 - Google Patents

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CN219697495U
CN219697495U CN202321021707.1U CN202321021707U CN219697495U CN 219697495 U CN219697495 U CN 219697495U CN 202321021707 U CN202321021707 U CN 202321021707U CN 219697495 U CN219697495 U CN 219697495U
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CN
China
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chip
control chip
control
magnetic coupling
coil conductor
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郭艳梅
郑曰
朱建培
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Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd
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Shanghai Bright Power Semiconductor Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种开关模式功率转换器。所述开关模式功率转换器的控制电路包括第一控制芯片、第二控制芯片以及与这二者耦合的片上磁耦芯片，所述片上磁耦芯片在第一控制芯片和第二控制芯片之间形成电流隔离的通信链路，所述控制电路可以利用第二控制芯片和片上磁耦芯片向第一控制芯片反馈信号，进而影响开关电路中开关器件的导通和关断，维持高性能的输出，并且满足隔离要求，由于第一控制芯片、第二控制芯片以及片上磁耦芯片可实现较高的集成度，有助于提高开关模式功率转换器的集成度，降低开关模式功率转换器的尺寸以及成本。

Description

开关模式功率转换器
技术领域
本实用新型涉及电源技术领域，尤其涉及一种开关模式功率转换器。
背景技术
开关模式功率变换器能在一定负载范围内实现恒定电压输出或者恒定电流输出，其结构稳定、高效且控制模式多样，随着消费类电子产品市场的迅速发展，开关模式功率变换器得到了广泛地应用。
一些开关模式功率变换器如隔离反激式功率变换器采用了隔离通信，其通常包括开关电路和控制电路，所述开关电路使用具有电流隔离功能的能量传递元件(如高频变压器)进行能量传递，所述开关电路包括耦合至所述能量传递元件的输入端的开关器件，通过该开关器件的导通和关断可将输入电压转换为输出电压以驱动负载，所述控制电路感测输出电压并将相应的反馈信号采用电流隔离方式传递至所述能量传递元件的输入端一侧，并形成针对所述开关器件的控制信号。
在确保性能以及隔离要求的同时，提高集成度以缩小器件尺寸和降低成本是开关模式功率变换器面临的重要课题。
实用新型内容
本实用新型提供一种开关模式功率转换器，通过第一控制芯片、第二控制芯片以及片上磁耦芯片控制开关电路并实现具备电流隔离功能的通信链路，有助于提高开关模式功率转换器的集成度，降低开关模式功率转换器的尺寸以及成本。
本实用新型提供的开关模式功率转换器包括开关电路和控制电路，所述开关电路包括开关器件，所述开关电路通过导通和关断所述开关器件将输入电压转换为输出电压；所述控制电路包括第一控制芯片、第二控制芯片以及片上磁耦芯片，所述第一控制芯片耦合至所述开关器件的控制端，所述第二控制芯片耦合至所述开关电路的输出端，所述片上磁耦芯片分别与所述第一控制芯片和所述第二控制芯片耦合，并在所述第一控制芯片和所述第二控制芯片之间形成电流隔离的通信链路。
可选地，所述片上磁耦芯片与所述第一控制芯片和第二控制芯片中的其中至少一个芯片集成于一集成电路封装件内。
可选地，所述第一控制芯片、所述第二控制芯片及所述片上磁耦芯片集成于一集成电路封装件内。
可选地，所述集成电路封装件除了包括所述第一控制芯片、所述第二控制芯片及所述片上磁耦芯片外，还包括引线框架和包封体；所述引线框架承载所述第一控制芯片、所述第二控制芯片及所述片上磁耦芯片，所述引线框架包括多个引脚，部分所述引脚耦合至所述第一控制芯片，另一部分所述引脚耦合至所述第二控制芯片，所述第一控制芯片与所述片上磁耦芯片之间通过第一金属键合线连接，所述第二控制芯片与所述片上磁耦芯片之间通过第二金属键合线连接；所述包封体覆盖所述第一控制芯片、所述第二控制芯片、所述片上磁耦芯片以及部分所述引线框架，并露出所述多个引脚。
可选地，所述第一控制芯片和所述片上磁耦芯片集成于一集成电路封装件内，所述第二控制芯片集成于另一集成电路封装件内。
可选地，所述第一控制芯片集成于一集成电路封装件内，所述第二控制芯片和所述片上磁耦芯片集成于另一集成电路封装件内。
可选地，所述片上磁偶芯片包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底上的第一线圈导体和第二线圈导体，所述第一线圈导体和所述第二线圈导体之间具有电磁感应通信链路，所述第一线圈导体耦接至所述第一控制芯片，所述第二线圈导体耦接至所述第二控制芯片。
可选地，所述第一线圈导体与所述第二线圈导体位于所述半导体衬底上的不同高度平面内，并且，所述第一线圈导体与所述第二线圈导体之间间隔设置一绝缘层。
可选地，所述第一线圈导体与所述第二线圈导体位于所述半导体衬底上的同一高度平面内。
可选地，所述第二控制芯片感测所述开关电路的输出电压，并根据所述输出电压控制所述第二控制芯片向所述第一控制芯片发送的控制脉冲信号，其中，通过所述片上磁耦芯片向所述第一控制芯片发射所述控制脉冲信号。
可选地，所述控制脉冲信号为窄脉冲。
可选地，所述开关电路包括用于能量传递的高频变压器，所述第一控制芯片通过所述开关器件耦合至所述高频变压器的原边输入端。
本实用新型提供的开关模式功率转换器中，控制电路包括第一控制芯片、第二控制芯片以及与所述第一控制芯片和所述第二控制芯片耦合的片上磁耦芯片，所述片上磁耦芯片在所述第一控制芯片和所述第二控制芯片之间形成电流隔离的通信链路，所述控制电路可以利用所述第二控制芯片和所述片上磁耦芯片向所述第一控制芯片反馈信号，进而影响所述开关电路中开关器件的导通和关断，维持高性能的输出，并且满足隔离要求，由于第一控制芯片、第二控制芯片以及片上磁耦芯片可实现较高的集成度，有助于提高开关模式功率转换器的集成度，降低开关模式功率转换器的尺寸以及成本。
附图说明
图1是本实用新型一实施例中开关模式功率转换器的电路示意图。
图2是本实用新型一实施例中第一控制芯片和第二控制芯片的通信示意图。
图3是本实用新型另一实施例中第一控制芯片和第二控制芯片的通信示意图。
图4是本实用新型一实施例中片上磁耦芯片的剖面示意图。
图5是本实用新型一实施例中窄脉冲的示意图。
图6是本实用新型一实施例中构成控制电路的集成电路封装件的连接示意图。
图7是图6所示的集成电路封装件中引线框架、第一控制芯片、第二控制芯片以及片上磁耦芯片的连接示意图。
图8是本实用新型另一实施例中构成控制电路的两个集成电路封装件的连接示意图。
图9是本实用新型又一实施例中构成控制电路的两个集成电路封装件的连接示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体的实施例对本实用新型的开关模式功率转换器作进一步详细说明。根据下面的说明，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型的实施例，本实用新型的实施例不应该被认为仅限于图中所示区域的特定形状。为了清楚起见，在用于辅助说明本实用新型实施例的全部附图中，对相同部件原则上标记相同的标号，而省略对其重复的说明。下文中的术语“第一”、“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的结构被倒置或者以其它不同方式定位(如旋转)，示例性术语“在……上”也可以包括“在……下”和其它方位关系。
本实用新型实施例涉及一种开关模式功率转换器，所述开关模式功率转换器利用片上磁耦芯片形成能够实现电流隔离的通信链路，在确保功率转换性能以及满足隔离要求的同时，有助于提高开关模式功率转换器的集成度、缩小器件尺寸和降低成本。所述开关模式功率转换器包括但不限于同步反激式拓扑、隔离反激式拓扑、隔离同步反激式拓扑、降压拓扑、前向拓扑、半桥拓扑和全桥拓扑。
图1是本实用新型一实施例中开关模式功率转换器的电路示意图。参照图1，一实施例中，所述开关模式功率转换器包括开关电路10和控制电路20。所述开关电路10为隔离或非隔离的AC-DC转换器；或者，所述开关电路10为隔离或非隔离的DC-DC转换器。
参照图1，以隔离反激式拓扑的开关模式功率转换器为例，所述开关电路10包括具有电流隔离功能的能量传递元件(此处为高频变压器13)、原边电路11和副边电路12，所述原边电路11耦合于所述能量传递元件的输入端，所述副边电路12耦合于所述能量传递元件的输出端。开关电路10通过高频变压器13在原边电路11和副边电路12之间形成电流隔离。
所述原边电路11从开关电路10的输入端(图1中“AC”)接收交流输入，二极管D1、D2、D3、D4组成整流桥电路，C1为滤波电容。电阻R1、电容C2和二极管D5组成吸收电路以减少漏感形成的电压尖峰。M1为开关器件，开关器件M1耦合至高频变压器13的输入端。S1和S2为高频变压器13的同名端。副边电路12包括输出电容C3，C3两端与负载连接。M2为同步整流开关，同步整流开关M2耦合至高频变压器13的输出端。R2和R3为分压电阻。原边电路11的接地端和副边电路12的接地端不共地。开关器件M1例如为一增强型N沟道MOS晶体管。
所述开关电路10通过导通和关断所述开关器件M1将输入电压(例如交流电压AC)转换为输出电压Vo，实现能量传递。
本实用新型实施例的开关模式功率转换器中，控制电路20可控制开关电路10和副边电路10中的元件，并可在原边电路11和副边电路12之间形成反馈环。控制电路20包括第一控制芯片21、第二控制芯片22以及片上磁耦芯片23。所述第一控制芯片21耦合至上述开关器件M1的控制端；所述第二控制芯片22耦合至上述开关电路10的输出端；所述片上磁耦芯片23分别与第一控制芯片21和第二控制芯片22耦合，并在第一控制芯片21和第二控制芯片22之间形成电流隔离的通信链路(例如单向或者双向的通信链路)。片上磁耦芯片23属于片上集成芯片，具有较高的集成度，有助于提高控制电路20以及开关模式功率转换器的集成度。
所述控制电路20可采用本领域的已知方法在原边电路11和副边电路12之间形成反馈环，例如，控制电路20可采用本领域已知的基于输出电压纹波的控制方式或者基于输出电压平均值的控制方式感测所述输出电压Vo(例如采样所述输出电压Vo的分压)并形成相应的施加于开关器件M1控制端的控制信号。
图2是本实用新型一实施例中第一控制芯片和第二控制芯片的通信示意图。参照图2，一实施例中，控制电路20采用基于输出电压纹波的控制方式。该实施例中，第二控制芯片22获取输出电压Vo的采样信号，并在所述采样信号上叠加纹波信号，得到感测电压Vout，利用一比较器比较感测电压Vout和参考电压Vref2，产生比较信号PoPeq_S并发送到一发射机，所述发射机形成用于使开关器件M1导通的控制信号Vcontrol，该控制信号Vcontrol通过片上磁耦芯片23传递至第一控制芯片21。第一控制芯片21例如采用SSR(次级反馈)控制方式，具有较佳的动态响应。第一控制芯片21包含一频率-导通时间控制单元，所述频率-导通时间控制单元的作用是根据控制信号Vcontrol的频率形成关断控制信号SSR_Vlimit，第一控制芯片21还包括一驱动产生模块，所述驱动产生模块接收关断控制信号SSR_Vlimi、控制信号Vcontrol以及电流采样信号Vcs，形成施加在开关器件M1控制端的开关控制信号SSR_Gate，即可以控制开关器件M1的导通时间段，实现了控制开关器件M1导通和关断的目的。
图3是本实用新型另一实施例中第一控制芯片和第二控制芯片的通信示意图。参照图3，另一实施例中，控制电路20采用基于输出电压平均值的控制方式。该实施例中，第二控制芯片22获取所述输出电压Vo的感测信号，得到感测电压Vout，利用一运算放大器将感测电压Vout和参考电压Vref2的误差放大并输出误差放大信号Comp_SSR，所述误差放大信号Comp_SSR是感测电压Vout和参考电压Vref2的差值的积分结果；所述第二控制芯片22还利用一频率控制模块接收误差放大信号Comp_SSR，并根据误差放大信号Comp_SSR形成频率信号SSR_fs，该频率信号SSR_fs被发送至一发射机，所述发射机接收所述频率信号SSR_fs并形成用于使开关器件M1导通的控制信号Vcontrol，该控制信号Vcontrol通过片上磁耦芯片23传递至第一控制芯片21。第一控制芯片21例如采用SSR(次级反馈)控制方式，具有较佳的动态响应。第一控制芯片21包含一频率-导通时间控制单元，所述频率-导通时间控制单元的作用是根据控制信号Vcontrol的频率形成关断控制信号SSR_Vlimit，第一控制芯片21还包括一驱动产生模块，所述驱动产生模块接收关断控制信号SSR_Vlimit、控制信号Vcontrol以及电流采样信号Vcs，形成施加在开关器件M1控制端的开关控制信号SSR_Gate，即可以控制开关器件M1的导通时间段，实现了控制开关器件M1导通和关断的目的。该实施例中，控制电路20通过所述频率控制模块调整频率，从而调节输出电压Vo，使得输出电压Vo关联的感测电压Vout的平均值等于参考电压Vref2。例如，当感测电压Vout高于参考电压Vref2时，上述误差放大信号Comp_SSR逐渐减小，进而所述频率控制模块输出的频率降低，通过反馈，高频变压器13的原边开通频率降低，继而导致输出电压Vo降低，即形成了负反馈，最终稳态结果是Vout＝Vref2。
图4是本实用新型一实施例中片上磁耦芯片的剖面示意图。参照图4，一实施例中，片上磁耦芯片23包括半导体衬底100以及形成于所述半导体衬底100上的第一线圈导体23a和第二线圈导体23b，所述第一线圈导体23a和所述第二线圈导体23b之间通过电磁感应原理形成电磁感应通信链路。所述第一线圈导体23a和所述第二线圈导体23b中的任一个可以包括一匝或者两匝以上的金属线圈(图4中示意的是各匝线圈的纵截面)。第一线圈导体23a可以通过第一连接端101和第二连接端102与外部连接，第二线圈导体23b可以通过第三连接端103和第四连接端104与外部连接。
可选地，如图4所示，第一线圈导体23a和第二线圈导体23b在半导体衬底100的厚度方向上堆叠，其中第二线圈导体23b位于第一线圈导体23a的远离半导体衬底100的一侧，第一线圈导体23a和第二线圈导体23b之间具有绝缘层110，具体地，第一线圈导体23a与第二线圈导体23b可分别位于半导体衬底100上的不同高度平面内，并且，第一线圈导体23a与第二线圈导体23b之间间隔设置一绝缘层110。但不限于此，另一些实施例中，第一线圈导体23a和第二线圈导体23b可以位于半导体衬底100上的同一高度平面内。第一线圈导体23a和第二线圈导体23b可以利用集成电路工艺在半导体衬底100上沉积金属层并刻蚀相应的金属层形成。
示例性地，所述第一线圈导体23a耦合至上述第一控制芯片21，所述第二线圈导体23b耦合至上述第二控制芯片22。第一控制芯片21和第二控制芯片22之间可进行单向通信或者双向通信。例如，当第一控制芯片21作为信号发射机向第二控制芯片22发射信号时，第一线圈导体23a通过电磁感应形成的通信链路向第二线圈导体23b以及第二控制芯片22传递信号，此时第二控制芯片22为信号接收机；当第二控制芯片22作为信号发射机向第一控制芯片21发射信号时，第二线圈导体23b通过电磁感应形成的通信链路向第一线圈导体23a以及第一控制芯片21传递信号，此时第一控制芯片21为信号接收机。
图5是本实用新型一实施例中窄脉冲的示意图。参照图1至图5，可选地，片上磁耦芯片23的磁耦发射信号采用窄脉冲形式。具体地，一实施例中，第二控制芯片22感测上述开关电路10的输出电压Vo，并根据所述输出电压Vo控制第二控制芯片22向第一控制芯片21发送的控制脉冲信号，其中，通过片上磁耦芯片23向第一控制芯片21发射所述控制脉冲信号，所述控制脉冲信号为窄脉冲，即通过片上磁耦芯片23向第一控制芯片21发射的控制信号Vcontrol为窄脉冲(例如为占空比小于50％的方波信号)，如此可节省功耗，同时抗干扰性能较好。
所述控制电路20例如包括一个、两个或者三个集成电路封装件，每个所述集成电路封装件为一个独立的芯片封装结构。每个所述集成电路封装件可包括至少一个芯片、用于承载芯片的引线框架以及覆盖芯片以及部分所述引线框架的包封体。所述引线框架可包括一个或多个导体，所述导体例如包括铜，所述导体大体是扁平的并且大部分被掩埋在所述包封体中。所述导体可包括芯片焊接部和引脚，所述芯片焊接部用于焊接安装对应的芯片并提供耦合至相应引脚的电气连接，所述引线框架还具有散热作用。所述包封体例如包括无机或有机的绝缘材料，例如可包括环氧树脂。
第一控制芯片21、第二控制芯片22以及片上磁耦芯片23可以分别是独立的芯片结构，或者它们中的两个或三个也可以集成为一个芯片结构，每个芯片结构为一个集成电路封装件。
图6示出了一实施例中构成控制电路20的集成电路封装件IC1，其中对开关电路10的结构作了简化，“输入端”和“输出端”分别表示开关电路10的输入和输出。图7是图6所示的集成电路封装件IC1中引线框架、第一控制芯片21、第二控制芯片22以及片上磁耦芯片23的连接示意图。参照图6和图7，一实施例中，控制电路20中的第一控制芯片21、第二控制芯片22及片上磁耦芯片23集成于一集成电路封装件IC1内，所述集成电路封装件IC1还包括引线框架和包封体(图中未示所述包封体)，所述引线框架承载第一控制芯片21、第二控制芯片22及片上磁耦芯片23，所述引线框架包括多个引脚(如图7中的T1～T10)，第一控制芯片21通过第一金属键合线31耦合至部分所述引脚(如图7中的T1～T5)，第二控制芯片22通过第二金属键合线32耦合至另一部分所述引脚(如图7中的T6～T10)，并且，所述第一控制芯片21与所述片上磁耦芯片23之间通过第三金属键合线33耦合，所述第二控制芯片22与所述片上磁耦芯片23之间通过第四金属键合线34耦合。需要说明的是，图7中金属键合线的数量仅是示意，可以根据第一控制芯片21与片上磁耦芯片23的连接需求以及第二控制芯片22与片上磁耦芯片23的连接需求设置相应数量的金属键合线。该实施例中，集成电路封装件IC1中的包封体覆盖第一控制芯片21、第二控制芯片22、片上磁耦芯片23以及部分所述引线框架，并露出所述引线框架的各个引脚。
图8示出了另一实施例中构成控制电路20的集成电路封装件IC2和集成电路封装件IC3，其中对开关电路10的结构作了简化，“输入端”和“输出端”分别表示开关电路10的输入和输出。参照图8，另一实施例中，控制电路20中的第一控制芯片21和片上磁耦芯片23集成于一集成电路封装件IC2内，而第二控制芯片22集成于另一集成电路封装件即集成电路封装件IC3内。该实施例中，在集成电路封装件IC2内，第一控制芯片21和片上磁耦芯片23例如分别是独立的裸芯片，二者焊接安装在同一引线框架上并通过金属键合线连接，第一控制芯片21和片上磁耦芯片23可通过金属键合线耦合至所在引线框架的引脚，集成电路封装件IC2利用包封体覆盖第一控制芯片21、片上磁耦芯片23及其所在的引线框架的一部分并暴露相应引线框架的引脚，以便于第一控制芯片21和片上磁耦芯片23与外部耦合通信。另一实施例中，第一控制芯片21和片上磁耦芯片23也可以不是独立的裸芯片，二者可通过集成电路工艺集成于同一半导体衬底100上，并通过形成于半导体衬底100上的互连线相连接。第二控制芯片22安装在另一引线框架上，并可通过金属键合线耦合至所在引线框架的引脚，集成电路封装件IC3利用包封体覆盖第二控制芯片22及其所在的引线框架的一部分并暴露出相应引线框架的引脚，以便于第二控制芯片22与外部耦合通信。
图9示出了另一实施例中构成控制电路20的集成电路封装件IC4和集成电路封装件IC5，其中对开关电路10的结构作了简化，“输入端”和“输出端”分别表示开关电路10的输入和输出。参照图9，又一实施例中，控制电路20中的第一控制芯片21集成于一集成电路封装件IC4内，而第二控制芯片22和片上磁耦芯片23集成于另一集成电路封装件即集成电路封装件IC5内。该实施例中，第一控制芯片21为独立的裸芯片，其焊接安装在一引线框架上并可通过金属键合线耦合至所在引线框架的引脚，集成电路封装件IC4利用包封体覆盖第一控制芯片21及其所在引线框架的一部分并暴露出相应引线框架的引脚，以便于第一控制芯片21与外部耦合通信。在集成电路封装件IC5内，第二控制芯片22和片上磁耦芯片23焊接安装于一引线框架上并通过金属键合线相连接，第二控制芯片22和片上磁耦芯片23可通过金属键合线耦合至所在引线框架的引脚，集成电路封装件IC5利用包封体覆盖第二控制芯片22、片上磁耦芯片23及其所在的引线框架的一部分，并暴露出相应引线框架的引脚，以便于第二控制芯片22和片上磁耦芯片23与外部耦合通信。本实用新型不限于此，另一实施例中，第一控制芯片21和片上磁耦芯片23也可以不是独立的裸芯片，二者可通过集成电路工艺集成于同一半导体衬底100上，并通过形成于半导体衬底100上的互连线相连接。
本实用新型提供的开关模式功率转换器中，控制电路20包括第一控制芯片21、第二控制芯片22以及与所述第一控制芯片21和所述第二控制芯片22耦合的片上磁耦芯片23，所述片上磁耦芯片23在所述第一控制芯片21和所述第二控制芯片22之间形成具有电流隔离的通信链路，所述控制电路20可以利用第二控制芯片22和片上磁耦芯片23向第一控制芯片21反馈信号，进而影响开关电路10中开关器件M1的导通和关断，维持高性能的输出，满足隔离要求，由于第一控制芯片21、第二控制芯片22以及片上磁耦芯片23可实现较高的集成度，有助于提高开关模式功率转换器的集成度，降低开关模式功率转换器的尺寸以及成本。
上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型权利范围的任何限定，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本实用新型技术方案的保护范围。

Claims (12)

1.一种开关模式功率转换器，其特征在于，包括开关电路和控制电路，所述开关电路包括开关器件，所述开关电路通过导通和关断所述开关器件将输入电压转换为输出电压；所述控制电路包括：
第一控制芯片，耦合至所述开关器件的控制端；
第二控制芯片，耦合至所述开关电路的输出端；以及
片上磁耦芯片，分别与所述第一控制芯片和所述第二控制芯片耦合，并在所述第一控制芯片和所述第二控制芯片之间形成电流隔离的通信链路。
2.如权利要求1所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述片上磁耦芯片与所述第一控制芯片和第二控制芯片中的其中至少一个芯片集成于一集成电路封装件内。
3.如权利要求2所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述第一控制芯片、所述第二控制芯片及所述片上磁耦芯片集成于一集成电路封装件内。
4.如权利要求3所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述集成电路封装件除了包括所述第一控制芯片、所述第二控制芯片及所述片上磁耦芯片外，还包括：
引线框架，承载所述第一控制芯片、所述第二控制芯片及所述片上磁耦芯片，所述引线框架包括多个引脚，部分所述引脚耦合至所述第一控制芯片，另一部分所述引脚耦合至所述第二控制芯片，所述第一控制芯片与所述片上磁耦芯片之间通过第一金属键合线连接，所述第二控制芯片与所述片上磁耦芯片之间通过第二金属键合线连接；以及
包封体，覆盖所述第一控制芯片、所述第二控制芯片、所述片上磁耦芯片以及部分所述引线框架，并露出所述多个引脚。
5.如权利要求2所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述第一控制芯片和所述片上磁耦芯片集成于一集成电路封装件内，所述第二控制芯片集成于另一集成电路封装件内。
6.如权利要求2所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述第一控制芯片集成于一集成电路封装件内，所述第二控制芯片和所述片上磁耦芯片集成于另一集成电路封装件内。
7.如权利要求1所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述片上磁耦芯片包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底上的第一线圈导体和第二线圈导体，所述第一线圈导体和所述第二线圈导体之间具有电磁感应通信链路，所述第一线圈导体耦接至所述第一控制芯片，所述第二线圈导体耦接至所述第二控制芯片。
8.如权利要求7所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述第一线圈导体与所述第二线圈导体位于所述半导体衬底上的不同高度平面内，并且，所述第一线圈导体与所述第二线圈导体之间间隔设置一绝缘层。
9.如权利要求7所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述第一线圈导体与所述第二线圈导体位于所述半导体衬底上的同一高度平面内。
10.如权利要求1至9任一项所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述第二控制芯片感测所述开关电路的输出电压，并根据所述输出电压控制所述第二控制芯片向所述第一控制芯片发送的控制脉冲信号，其中，通过所述片上磁耦芯片向所述第一控制芯片发射所述控制脉冲信号。
11.如权利要求10所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述控制脉冲信号为窄脉冲。
12.如权利要求1至9任一项所述的开关模式功率转换器，其特征在于，所述开关电路包括用于能量传递的高频变压器，所述第一控制芯片通过所述开关器件耦合至所述高频变压器的原边输入端。
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