CN217641275U - 用于转移电子组件的装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 44
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种用于转移电子组件的装置，包括第一承载平台、第二承载平台、激光产生装置以及光学调整模块。第一承载平台用于承载第一载体，第一载体的表面上设有电子组件；第二承载平台用于承载第二载体，并使第二载体与第一载体相对设置；激光产生装置可投射具有第一照射范围的激光束；光学调整模块设置于第一承载平台与激光产生装置之间，激光束通过光学调整模块射向第一承载平台；其中，激光束的第一照射范围通过光学调整模块的调整而成为第二照射范围，第二照射范围大于第一照射范围，且第二照射范围为1～10000mm2。利用本实用新型的方案，有利于将第一载体上的电子组件转移至第二载体。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于转移电子组件的装置，更特别地涉及一种包含光学调整模块的用于转移电子组件的装置。
背景技术
目前，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管做为发光组件的显示装置具有更好的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成全彩发光二极管显示装置，此全彩发光二极管显示装置可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片分别发出红、绿、蓝三种颜色的光，然后再通过混光形成全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，在现有技术中，将发光二极管芯片固定在电路基板上的制程中，都需要先将承载发光二极管芯片的基板移除。
实用新型内容
本实用新型所要解决的问题在于：针对现有技术的不足提供一种用于转移电子组件的装置。
为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一个技术方案是提供一种用于转移电子组件的装置，包括第一承载平台、第二承载平台、激光产生装置以及光学调整模块。第一承载平台用于承载第一载体，第一载体的表面上设有电子组件；第二承载平台用于承载第二载体，并使第二载体与第一载体相对设置；激光产生装置可投射具有第一照射范围的激光束；光学调整模块设置于第一承载平台与激光产生装置之间，激光束通过光学调整模块射向第一承载平台；其中，激光束的第一照射范围通过光学调整模块的调整而成为第二照射范围，第二照射范围大于第一照射范围，且第二照射范围为1～10000mm2。
优选地，光学调整模块为透镜。
附图说明
为了能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本实用新型加以限制。
图1为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第一运作示意图。
图2为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第二运作示意图。
图3为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第三运作示意图。
图4为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第四运作示意图。
图5为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第五运作示意图。
图6为图5中VI部分的放大示意图。
图7为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的激光源的第二照射范围的照射示意图。
图8为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第六运作示意图。
图9为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第七运作示意图。
图10为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第八运作示意图。
图11为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第二实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第一运作示意图。
图12为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第二实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第二运作示意图。
图13为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第三实施例的应用于固接LED的激光加热装置的部分模块的结构示意图。
图14为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第三实施例的应用于固接LED的激光加热装置的功能方块示意图。
图15为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第四实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第一运作示意图。
图16为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第四实施例的应用于固接LED的激光加热装置的第二运作示意图。
图17为本实用新型的用于转移电子组件的装置的第五实施例的示意图。
附图标记
10电路基板；100导电焊垫；101导电体；102发光二极管芯片；1020基层；50用于转移电子组件的装置；51第一承载平台；511第一载体；512电子组件；52第二承载平台；521第二载体；53激光产生装置；54光学调整模块；F接触界面；L激光源；M发光层；M1承载基板；M2光学模块；M3激光产生模块；M4芯片取放模块；M5温控模块；M6控制模块；N n型导电层；P p型导电层；R1第一照射范围；R2第二照射范围；Z激光加热装置。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开的有关“用于转移电子组件的装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其它不同的具体实施例加以施行或应用，且本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一个组件与另一个组件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[第一实施例]
参阅图1至图10所示，并请一并配合图14，本实用新型的第一实施例提供一种应用于固接LED的激光加热装置Z，其包括：承载基板M1、光学模块M2以及激光产生模块M3。
首先，配合图1与图2所示，承载基板M1上承载电路基板10，承载基板M1可为具备位移功能的载台设备，但不以此为限。电路基板10包括多个导电焊垫100、多个导电体101以及多个发光二极管芯片102，多个导电体101分别设置在这些导电焊垫100上；举例来说，每一个导电焊垫100上可以设置至少一个导电体101，且导电体101可为锡球，或是其他形状且具导电性的材料，但不以此为限。而发光二极管芯片102设置在电路基板10上，每一个发光二极管芯片102设置在至少两个导电体101上。
进一步来说，配合图3所示，本实用新型所提供的应用于固接LED的激光加热装置Z，还进一步包括：芯片取放模块M4，其邻近承载基板M1，以用于将每一个发光二极管芯片102放置在相对应的至少两个导电体101上。举例来说，本实用新型还可通过芯片取放模块M4将多个发光二极管芯片102放置在电路基板10上，并且每一个发光二极管芯片102对应在至少两个导电体101上。其中，芯片取放模块M4可以是真空吸嘴或者任何种类的取放机器(pick and place machine)。然而，本实用新型不以上述所举的例子为限。
光学模块M2设置在承载基板M1的上方，并位于激光产生模块M3与电路基板10之间，光学模块M2可为透镜结构或导光板结构，但不以此为限。激光产生模块M3可提供具有第一照射范围R1的激光源L，并投向光学模块M2。而激光源L的第一照射范围R1通过光学模块M2的光学调整而形成第二照射范围R2；其中，第一照射范围R1可大于、小于或者等于第二照射范围R2，于本实施例中，以第一照射范围R1小于第二照射范围R2作为示例，但不以此为限。并且，第一照射范围R1与第二照射范围R2可具有相同或者相异的形状。
进一步来说，配合图4至图7所示，第二照射范围R2的激光源L投向每一个发光二极管芯片102时，会穿过发光二极管芯片102的n型导电层N、发光层M及p型导电层P，进而投射在电路基板10的至少两个导电体101上；其中，激光产生模块M3所产生的激光源L穿过发光二极管芯片102，以投向导电体101与电路基板10。进一步来说，配合图6所示，每一个发光二极管芯片102可为微型半导体发光组件(Micro LED)，其包括呈堆叠状设置的n型导电层N、被激光源L穿过的发光层M以及p型导电层P，n型导电层N可为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层，发光层M为多量子阱结构层，p型导电层P可为p型氮化镓材料层或p型砷化镓材料层，但不以此为限。然而，上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
更进一步来说，配合图7所示，激光源L的第二照射范围R2可涵盖多个发光二极管芯片102，例如，第二照射范围R2可涵盖4×4个发光二极管芯片102，但不以此为限。并且，本实用新型还可通过调整激光产生模块M3的激光源L的强度，使得激光产生模块M3所产生的激光源L只穿过发光二极管芯片102，而不会穿过电路基板10。然而，上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
最后，配合图6及图8所示，设置在发光二极管芯片102与电路基板10之间的导电体101通过激光源L的照射而固化，以使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10上。举例来说，设置在发光二极管芯片102与电路基板10之间的导电体101受到激光源L的照射时，会产生软化，而与发光二极管芯片102产生连接。接着，在导电体101固化后，使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10，并通过导电体101而与电路基板10电性连接。然而，本实用新型不以上述所举的例子为限。
此外，进一步配合图9至图10所示，本实用新型所提供的应用于固接LED的激光加热装置Z还进一步可将激光产生模块M3所产生的激光源L投向发光二极管芯片102与导电体101的接触界面F，而降低发光二极管芯片102与导电体101之间的连接强度，以使得发光二极管芯片102容易脱离导电体101而从电路基板10上取下。举例来说，本实用新型还可通过激光产生模块M3所产生的激光源L投向发光二极管芯片102与已固化的导电体101之间的接触界面F，以使靠近接触界面F的部分导电体101软化，而降低发光二极管芯片102与导电体101之间的连接强度、结合力，进而使得发光二极管芯片102可容易脱离导电体101而从电路基板10上取下。然后，可利用特殊器具(例如刮除器或研磨器)将与发光二极管芯片102分离的至少两个旧的导电体101从电路基板10上取下，以便于之后可重新安置新的导电体101。然而，本实用新型不以上述所举的例子为限。
更进一步地，配合图1至图10所示，本实用新型还可提供一种应用于固接LED的激光加热装置Z，其包括：电路基板10、光学模块M2以及激光产生模块M3。电路基板10用于承载多个导电体101以及多个发光二极管芯片102。光学模块M2设置在电路基板10的上方。激光产生模块M3邻近光学模块M2，以提供具有第一照射范围R1的激光源L。其中，导电体101通过激光源L的照射，以固接发光二极管芯片102，激光源L的第一照射范围R1通过光学模块M2的光学调整而形成一第二照射范围R2，第一照射范围R1大于、小于或者等于第二照射范围R2。
值得注意的是，上述实施例中，用于使导电体101与发光二极管芯片102接合的激光源L与用于降低导电体11结合力的激光源L的波长可彼此不同或相同。
[第二实施例]
参阅图11及图12所示，并请一并配合图1至图10，本实用新型的第二实施例所提供的一种应用于固接LED的激光加热装置Z，与第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置Z相似，因此，相似的操作方式不再赘述。进一步来说，配合图6，并根据图11、图12与图5、图8比较所示，本实用新型第二实施例与第一实施例的差异在于，本实施例的每一个发光二极管芯片102可为次毫米发光二极管(Mini LED)，其包括呈堆叠状设置的基层1020、n型导电层N、被激光源L穿过的发光层M以及p型导电层P，基层1020为蓝宝石(sapphire)材料层，n型导电层N可为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层，发光层M为多量子阱结构层，p型导电层P可为p型氮化镓材料层或p型砷化镓材料层，但不以此为限。基层1020还可以是石英基底层、玻璃基底层、硅基底层或者任何材料的基底层。然而，上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
举例来说，第二照射范围R2的激光源L投向每一个发光二极管芯片102时，会穿过基层1020、n型导电层N、发光层M及p型导电层P，进而投射在电路基板10的至少两个导电体101上。接着，设置在发光二极管芯片102与电路基板10之间的导电体101通过激光源L的照射而固化，以使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10上。然而，上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
[第三实施例]
参阅图13及图14所示，并请一并配合图1至图12，本实用新型的第三实施例所提供的一种应用于固接LED的激光加热装置Z，与第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置Z相似，因此，相似的操作方式不再赘述。进一步来说，本实用新型的第三实施例与第一实施例的差异在于，激光加热装置Z还进一步包括：温控模块M5以及控制模块M6。温控模块M5邻近承载基板M1，以用于侦测导电体101的温度，而得到导电体温度信息。控制模块M6电性连接于温控模块M5与激光产生模块M3之间。其中，控制模块M6依据导电体温度信息调整激光产生模块M3所输出的功率大小。
举例来说，温控模块M5可为温度传感器或者温度控制器，但不以此为限。温控模块M5的传感端可穿设于承载基板M1中，并邻近于电路基板10，或者温控模块M5的感测端可位于承载基板M1的外部，并邻近于电路基板10上的一个或部分导电体101。并且，控制模块M6电性连接于承载基板M1、激光产生模块M3、芯片取放模块M4以及温控模块M5。因此，在激光源L投射到电路基板10上的导电体101的同时或者之后，可通过温控模块M5侦测导电体101的温度，而得到导电体温度信息。接着，控制模块M6可根据导电体温度信息而判读激光产生模块M3所输出的功率是否足够、过低或者过高(例如将导电体温度信息与默认温度信息比较，但不以此为限)，进而适当地调整激光产生模块M3所输出的功率大小。然而，上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
值得一提的是，配合图1至图14所示，本实用新型还提供一种应用于固接LED的激光加热装置Z，其包括：电路基板10、光学模块M2、激光产生模块M3、温控模块M5以及控制模块M6。电路基板10用于承载多个导电体101；光学模块M2设置在电路基板10的上方；激光产生模块M3邻近光学模块M2，以提供具有第一照射范围R1的激光源L；温控模块M5邻近电路基板10，以用于侦测导电体101的温度，而得到导电体温度信息；控制模块M6电性连接于温控模块M5与激光产生模块M3之间；其中，激光源L的第一照射范围R1通过光学模块M2的光学调整而形成第二照射范围R2，第一照射范围R1大于、小于或者等于第二照射范围R2，第一照射范围R1与第二照射范围R2具有相同或者相异的形状。其中，控制模块M6依据导电体温度信息调整激光产生模块M3所输出的功率大小。
[第四实施例]
参阅图15及图16所示，并请一并配合图1至图14，本实用新型的第四实施例所提供的一种应用于固接LED的激光加热装置Z，与第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置Z相似，因此，相似的操作方式不再赘述。进一步来说，根据图15与图2、图3比较所示，本实用新型的第四实施例与第一实施例的差异在于，激光加热装置Z还可将至少两个导电体101设置在每一个发光二极管芯片102。
举例来说，在本实用新型中，每一个发光二极管芯片102上可以设置至少二个导电体101，且导电体101可为锡球，或是其他形状且具导电性的材料，但不以此为限。接着，配合图15所示，通过芯片取放模块M4将多个发光二极管芯片102放置在电路基板10上，并且每一个发光二极管芯片102的至少两个导电体101对应在电路基板10的导电焊垫100上。然后，通过激光产生模块M3所产生的激光源L，投向发光二极管芯片102。接下来，设置在发光二极管芯片102与电路基板10之间的导电体101受到激光源L的照射时将会软化，而与电路基板10彼此连接。最后，在导电体101固化后，使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10，并通过导电体101与电路基板10电性连接。然而，本实用新型不以上述所举的例子为限。
[第五实施例]
参阅图17所示，本实用新型第五实施例所提供的一种用于转移电子组件的装置50，其包括：第一承载平台51、第二承载平台52、激光产生装置53以及光学调整模块54。第一承载平台51用于承载第一载体511，且第一载体511的表面上设有电子组件512；第二承载平台52用于承载第二载体521，并使第二载体521与第一载体511相对设置；激光产生装置53可投射具有第一照射范围R1的激光束；光学调整模块54设置于第一承载平台51与激光产生装置53之间，且激光束通过光学调整模块54射向第一承载平台51；其中，激光束的第一照射范围R1通过光学调整模块54的调整而成为第二照射范围R2，第二照射范围R2大于第一照射范围R1，且第二照射范围R2为1～10000mm2。其中藉由具有第二照射范围R2的激光束的照射，使电子组件512脱离第一载体511，而掉落至位于第一载体511下方的第二载体521，以完成电子组件512的转移。
于一个优选实施例中，所述光学调整模块为透镜，但本实用新型并不限于此。
[实施例的有益效果]
本实用新型的有益效果在于，本实用新型所提供的应用于固接LED的激光加热装置Z，其能通过“应用于固接LED的激光加热装置Z包括：一承载基板M1、一光学模块M2以及一激光产生模块M3”、“光学模块M2设置在承载基板M1的上方”、“激光产生模块M3邻近光学模块M2，以提供具有第一照射范围R1的激光源L”以及“导电体101通过激光源L的照射，以固接发光二极管芯片102，激光源L的第一照射范围R1通过光学模块M2的光学调整而形成第二照射范围R2，第一照射范围R1大于、小于或者等于第二照射范围R2”的技术方案，以使得所述发光二极管芯片被固接在电路基板10上。
更进一步来说，本实用新型所提供的应用于固接LED的激光加热装置Z可通过上述技术方案，利用光学模块M2的光学调整而使激光源L的第一照射范围R1转变成第二照射范围R2，以进行发光二极管芯片102的固晶制程。
此外，本实用新型所提供的用于转移电子组件的装置，可将激光束的第一照射范围调整为较大的第二照射范围，以利于将第一载体上的电子组件转移至第二载体。
以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例，并非用于局限本实用新型的权利要求范围，所以凡是运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的权利要求范围内。
Claims (2)
1.一种用于转移电子组件的装置，用于将第一载体上的电子组件转移至第二载体，其特征在于，包括：
第一承载平台，用于承载所述第一载体，所述第一载体的表面上设有所述电子组件；
第二承载平台，用于承载所述第二载体，并使所述第二载体与所述第一载体相对设置；
激光产生装置，其能投射具有第一照射范围的激光束；以及
光学调整模块，设置于所述第一承载平台与所述激光产生装置之间，所述激光束通过所述光学调整模块射向所述第一承载平台形成第二照射范围；
其中，所述第二照射范围大于所述第一照射范围，且所述第二照射范围为1～10000mm2。
2.根据权利要求1所述的用于转移电子组件的装置，其特征在于，所述光学调整模块为透镜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110212238 | 2021-10-18 | ||
| TW110212238U TWM624043U (zh) | 2021-10-18 | 2021-10-18 | 用於轉移電子元件的裝置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217641275U true CN217641275U (zh) | 2022-10-21 |
Family
ID=81747251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202221761975.2U Active CN217641275U (zh) | 2021-10-18 | 2022-07-08 | 用于转移电子组件的装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217641275U (zh) |
| TW (1) | TWM624043U (zh) |
-
2021
- 2021-10-18 TW TW110212238U patent/TWM624043U/zh unknown
-
2022
- 2022-07-08 CN CN202221761975.2U patent/CN217641275U/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWM624043U (zh) | 2022-03-01 |
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| CP03 | Change of name, title or address | ||
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